ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ТЕХНИЧЕСКОМУ РЕГУЛИРОВАНИЮ И МЕТРОЛОГИИ

ГОСТР

56662-

2015/ISO/TS 80004-8: 2013

НАНОТЕХНОЛОГИИ

Часть 8

Процессы нанотехнологического производства Термины и определения

(ISO/TS 80004-8:2013, ЮТ)

Издание официальное

Москва

Стандартинформ

2016

Предисловие

1    ПОДГОТОВЛЕН Федеральным государственным унитарным предприятием «Всероссийский научно-исследовательский институт стандартизации и сертификации в машиностроении» (ВНИИНМАШ) наоснове собственного перевода на русский языканглоязычной версии международного документа, указанного в пункте 4

2    ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК441 «Нанотехнологии»

3    УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 21 октября 2015 г. № 1612-ст

4    Настоящий стандарт идентичен международному документу ИСО/ТС 80004-8:2013 «Нанотехнологии. Словарь. Часть 8. Процессы нанопроизводства» (ISO/TS 80004-8:2013 «Nanotechnologies — Vocabulary — Part 8: Nanomanufacturing processes», IDT).

Наименование настоящего стандарта изменено относительно наименования указанного международного документа для приведения в соответствие с ГОСТ Р 1.5-2012 (пункт 3.5)

5    ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ

Правила применения настоящего стандарта установлены в ГОСТ Р 1.0-2012 (раздел 8). Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего года) информационном указателе «Национальные стандарты», а официальный текст изменений и поправок — в ежемесячном информационном указателе «Национальные стандарты». В случае пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет опубликовано в ближайшем выпуске ежемесячного информационного указателя «Национальные стандарты». Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в информационной системе общего пользования — на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (www.gost.ru)

© Стандартинформ, 2016

Настоящий стандарт не может быть воспроизведен, тиражирован и распространен в качестве официального издания без разрешения Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии

II

ГОСТ Р 56662-2015

молекулярного взаимодействия, электрического поля или наличия лиганд) на исходный материал.

6.3.4 литье керамической ленты: Процесс получения керамической ленты путем tape casting заполнения поверхности подложки, имеющей заданные формы и размеры, макроскопическим слоем суспензии из керамического материала.

Примечание — Макроскопический слой может содержать наночастицы (2.6).

6.3.5 мокрый помол в шаровой мельнице: Процесс получения суспензии измель- wet ball milling чением (6.5.6) исходного материала под действием ударов движущихся шаров, изготовленных из материала, имеющего более высокий показатель твердости, и с добавлением жидкости.

6.4 Термины и определения понятий, относящихся кхимическим методам синтеза в жидкой фазе

6.4.1    кислотный гидролиз целлюлозы: Химическая реакция с применением кислоты, в процессе которой происходит извлечение нанокристаллической целлюлозы из целлюлозы.

6.4.2    осаждение наночастиц из раствора: Процесс получения наночастиц (2.6) в результате протекания химических реакций в растворе с возможностью влияния на размеры получаемых частиц за счет кинетических факторов.

6.4.3    быстрая конденсация неорганических материалов: Процесс получения атомарно гладкой и плотной пленки из исходного металлоорганического материала методом центробежного осаждения (7.2.17) и последующего отверждения на подложке при заданной температуре.

6.4.4    синтез в обратных мицеллах: Процесс формирования наночастиц (2.6) требуемых размеров и формы в растворе исходного материала с применением соответствующего реагента, основанный на образовании в ядре мицеллы наночастиц, рост которых ограничен оболочкой мицеллы.

6.4.5    золь-гель технология: Процесс получения материалов путем преобразования исходного раствора или суспензии (золя) в коллоидную систему (гель), состоя-щую(ий) из жидкой дисперсионной среды, заключенной в пространственную сетку, образованную соединившимися частицами дисперсной фазы.

6.4.6    матричный синтез; темплатныйсинтез: Процесс получения наноматериала путем самосборки, происходящий с добавлением в исходный материал поверхностно-активного вещества, молекулы которого выступают в качестве структурообразующего агента, и формирования структурных элементов размерами в нанодиапазоне (2.7) при последующем отверждении этого материала.

Пример — Силикатные и алюмосиликатные материалы с «самоформирующейся структурой» (структурой типа МСМ-41).

6.4.7 метод Стобера: Процесс получения наночастиц силикатного материала из Stober process тетраалкилортосиликата, который подвергают гидролизу путем его обработки спиртом и аммиаком.

Примечание — Термин «метод Стобера» —это наименование золь-гель технологии (6.4.5), применяемой для получения диоксида кремния.

6.5 Термины и определения понятий, относящихся к физическим методам синтеза в твердой фазе

6.5.1 Термины и определения понятий, относящихся к процессам блок-сополимеризации

6.5.1.1    блок-сополимеризация: Процесс получения блок-сополимерного материала, основанный на формировании чередующихся двухмерных (2D) или трехмерных (3D) структур из блоков различных несовместимых полимерных цепей.

6.5.1.2    наноструктурирование блок-сополимера: Процесс формирования наноструктур в блок-сополимерном материале путем добавления в его определенную фазу соответствующего вещества.

7

ГОСТ Р 56662-2015

ния исходных наноструктурированных материалов (2.8) или наночастиц (2.6) из жидкой или газовой фазы на подложку.

6.5.12 диспергирование наночастиц в жидкой полимерной матрице: Процесс polymer получения композиционного материала с полимерной матрицей путем смешивания nanoparticle наночастиц (2.6) исходного вещества с жидким полимерным материалом и его dispersion последующего отверждения.

6.5.13 Термины и определения понятий, относящихся к процессам спекания

6.5.13.1    горячее прессование: Процесс получения металлического материала hot pressing формованием металлического порошка в пресс-форме под воздействием давления

и температуры, превышающей температуру рекристаллизации основного компонента.

Примечание — Процесс горячего прессования проводят при давлении выше 50 МПа и температуре 2400 °С.

6.5.13.2

6.5.13.3 электроимпульсное плазменное спекание: Процесс уплотнения порош- spark plasma ка проводникового или полупроводникового материала, помещенного в пресс-фор- sintering му под воздействием давления, нагреванием со скоростью до 1000 К/мин путем пропускания через него импульса постоянного тока и последующим охлаждением со скоростью до 1000 К/мин, без изменения размеров зерен.

6.6 Термины и определения понятий, относящихся кхимическим методам синтеза в твердой фазе

6.6.1    прививочная блок-сополимеризация; дериватизация блок-сополимеров: Процесс модификации твердого блок-сополимерного материала путем добавления соответствующего вещества, атомы или молекулы которого взаимодействуют только с одной фазой модифицируемого материала.

6.6.2    анодное окисление металла (нанотехнологии): Процесс получения неметаллического неорганического покрытия на металлической подложке (аноде) электрохимическим способом с контролем образования нанопор.

Примечание — Термин «анодное окисление металла» является синонимом термина «анодное травление».

6.6.3    интеркалирование: Процесс обратимого встраивания атомов или молекул intercalation одного вещества в кристаллическую структуру другого вещества.

6.6.4    синтез двухфазных нанокомпозиционных материалов: Процесс получе- two-phase ния нанокомпозиционного материала, состоящего из двух разделенных фаз, путем methods нагревания и быстрого охлаждения до заданных температур исходной смеси из двух компонентов.

7 Термины и определения понятий, относящихся к процессам изготовления продукции

7.1 Термины и определения понятий, относящихся к процессам литографии в нанодиапазоне

7.1.1    трехмерная литография; ЗО-литография: Процесс формирования структу- 3D lithography ры объекта, линейные размеры которой или ее составных частей по одному, двум

или трем измерениям могут находиться в нанодиапазоне (2.7), путем воспроизведения заданного шаблона на подложке.

7.1.2    аддитивная печать: Процесс формирования рельефного изображения additive послойным нанесением материала на подложку в соответствии с заданным шабло- processing ном.

9

Примечание — В случае применения резиста в качестве шаблона различают два вида аддитивной печати: обратная литография и аддитивная печать с применением трафарета. В процессе обратной литографии на резист наносят слой материала, из которого необходимо сформировать рисунок, а затем удаляют резист таким образом, чтобы нанесенный материал остался в отверстиях, не защищенных резистом, а материал, попавший на резист, убирается вместе с ним. В процессе аддитивной печати с применением шаблона материал только добавляют в отверстия, не защищенные резистом [допускается применять совместно с процессом электроосаждения (7.2.7)].

7.1.3    блок-сополимерная литография: Процесс формирования рельефного изображения из наночастиц материала, оставшихся на подложке после удаления полимерного шаблона, полученного за счет микрофазного расслоения диблоксополимеров.

7.1.4    литография с коллоидно-кристаллическим шаблоном: Процесс формирования заданного объекта методами осаждения или травления в соответствии с шаблоном, представляющим собой двухмерную (2D) или трехмерную (3D) структуру из частиц коллоидного кристалла.

7.1.5    фотолитография в глубоком ультрафиолете; ФГУ: Процесс формирования рельефного изображения в слое фоторезиста путем воспроизведения заданного шаблона с помощью ультрафиолетового излучения в диапазоне длин волн от 100 до 280 нм.

7.1.6

7.1.7    электронно-лучевая литография: Процесс формирования рельефного изображения в слое резиста путем воспроизведения заданного шаблона с помощью фокусированного электронного пучка.

7.1.8    фотолитография в экстремальном ультрафиолете; ФЭУ: Процесс формирования рельефного изображения в слое фоторезиста путем воспроизведения заданного шаблона с помощью ультрафиолетового излучения в диапазоне длин волн от 10 до 20 нм.

Примечание — В оборудовании для фотолитографии в экстремальном ультрафиолете используют системы специальных зеркал.

7.1.9    ионно-лучевая литография: Процесс формирования рельефного изображения в слое резиста путем воспроизведения заданного шаблона с помощью фокусированного ионного пучка.

7.1.10    иммерсионная оптическая литография: Литография (3.6) с повышенной разрешающей способностью, полученной за счет заполнения воздушного промежутка между последней линзой объектива микроскопа и пленкой фоторезиста жидкостью с соответствующим показателем преломления.

7.1.11    интерференционная литография: Процесс формирования рельефного изображения размерами в нанодиапазоне (2.7) путем соответствующей обработки облученного резиста, на поверхности которого с помощью дифракционных решеток получена интерференционная картина.

7.1.12    ионно-стимулированное осаждение: Процесс формирования структуры объекта или рельефного изображения путем увеличения концентрации молекул

ГОСТ Р 56662-2015

осаждаемого материала на заданных участках подложки с помощью фокусирован- ion induced ного ионного пучка.    deposition

7.1.13    ионно-стимулированное травление: Процесс формирования структуры объекта или рельефного изображения путем уменьшения концентрации молекул на заданных участках обрабатываемого материала, покрывающего подложку, с помощью фокусированного ионного пучка.

7.1.14    ионно-проекционная литография: Процесс получения рельефного изображения размерами в нанодиапазоне (2.7) в слое резиста путем воспроизведения заданного шаблона с помощью пучка ускоренных ионов.

7.1.15    микроконтактная печать: Вид мягкой литографии (7.1.25), в которой шаблон после нанесения на него чернил вдавливают в слой материала, покрывающего подложку.

Примечание — Точность воспроизведения изображения зависит от особенностей поверхности подложки и материала, используемого в качестве чернил.

7.1.16    микрожидкостная печать: Процесс получения рельефного изображения путем нанесения жидкого материала на поверхность подложки с помощью печатной головки с каналами, размеры которых находятся в микро- или нанодиапазоне (2.7), и последующего его отверждения при заданной температуре.

7.1.17    нанотиснение: Процесс получения рельефного изображения путем вдавливания шаблона с заданным рисунком, размеры которого находятся в нанодиапазоне (2.7), в слой резиста, покрывающего подложку.

Примечания

1    Термин «нанотиснение» также распространяется на процесс формирования трехмерных наноструктур.

2    При нанотиснении физические свойства материала резиста не изменяются. Процесс нанотиснения отличается от процесса нанопечатной литографии тем, что получаемое изображение в слое резиста не требует дополнительной обработки.

7.1.18 нанопечатная литография; НПЧ: Процесс получения рельефного изобра- nano-imprint жения путем вдавливания шаблона (обычно называемого клише, штамп, маска или lithography; NIL трафарет) с заданным рисунком, размеры элементов которого находятся в нанодиапазоне (2.7), в слой резиста, покрывающего подложку, и последующего его отверждения при заданной температуре или под воздействием светового излучения.

Примечания

1    Нанопечатную литографию относят к процессам печати, а не к процессам литографии (3.6), т. к. получаемое изображение зависит от формы и рельефа шаблона.

2    Нанопечатную литографию различают по видам материалов, используемых в качестве резиста. Резист из термопластичного полимерного материала сначала нагревают до температуры плавления, а затем надавливают на него шаблоном. Резист из термореактивного материала сначала используют в жидком виде, прикладывая к нему шаблон, а потом нагревают до температуры его отверждения. На негативном фоторезисте изображение формируют с помощью светового излучения и прозрачного шаблона. Процессы нанопечатной литографии с использованием фоторезистов некоторые специалисты называют «оптический импринтинг», «оптический наноимпринтинг» или «печатная литография «шаг—вспышка».

7.1.19 естественная литография: Процесс формирования структуры объекта или natural lithography рельефного изображения путем воспроизведения шаблона, происходящий в природе.

Пример — Полосы, образованные на коллагеновых волокнах соединительной ткани, или структуры, сформированные из нитей рибонуклеиновой кислоты (РНК).

Примечание — Термин «естественная литография» относят к процессам, в которых воспроизведение изображения происходит с помощью шаблона без применения фокусированного пучка излучения [12].

7.1.20 фотолитография; оптическая литография: Процесс получения изображе- photolithography; ния на подложке путем облучения фоторезиста, покрывающего подложку, электро- optical lithography магнитным излучением через заданный шаблон.

Примечание — Как правило, для изготовления шаблона используют материал фоторезиста.

11

7.1.21    фазоконтрастная фотолитография: Процесс получения изображения размерами в нанодиапазоне (2.7) и улучшенным разрешением путем облучения фоторезиста, покрывающего подложку, электромагнитным излучением через шаблон (фотошаблон) со структурой, сдвигающей фазу проходящего излучения.

7.1.22    плазменная литография: Процесс формирования рельефного изображения размерами в нанодиапазоне (2.7) путем облучения фоторезиста, покрывающего подложку, оптическим излучением через шаблон (представляющий собой металлическую плазменную линзу), обеспечивающий возникновение ближнеполевого возбуждения, вызывающего изменения в фоторезисте.

7.1.23    рисование с помощью сканирующего зондового микроскопа: Процесс получения рельефного изображения, заключающийся в изменении заданных участков поверхности подложки острием сканирующего зондового микроскопа (СЗМ) с чернилами или без них.

7.1.24    химическое осаждение из газовой фазы с применением сканирующего туннельного микроскопа; ХОГФ СТМ: Процесс получения рельефного изображения размерами в нанодиапазоне (2.7) с помощью сканирующего туннельного микроскопа (СТМ), в котором нанесение материала на подложку происходит за счет химического осаждения из газовой фазы, происходящего под действием электрического напряжения.

7.1.25    мягкая литография: Процесс получения изображения, заключающийся в нанесении оттиска на подложку шаблоном, изготовленным из мягких материалов (например, эластомерных материалов).

7.1.26    субтрактивная обработка: Процесс получения изображения, заключающийся в избирательном удалении участков материала резиста в соответствии с заданным шаблоном.

7.1.27    рентгеновская литография: Процесс формирования рельефного изображения в слое фоторезиста путем воспроизведения заданного шаблона с помощью рентгеновского излучения.

Примечание — Пучок рентгеновского излучения трудно сфокусировать на участке, размеры которого находятся в нанодиапазоне (2.7) [в отличие от фотолитографии в экстремальном ультрафиолете (7.1.8)], поэтому термин «рентгеновская литография» применяют для процесса печати, выполняемого с помощью специального шаблона с проницаемыми и непроницаемыми для рентгеновского излучения участками. Шаблон представляет собой мембрану, изготовленную из материала с низким поглощением рентгеновского излучения, с нанесенным на нее изображением из материала с высоким поглощением рентгеновского излучения, например из металла. Какпра-вило, для изготовления шаблона используют материал фоторезиста.

7.2 Термины и определения понятий, относящихся к процессам осаждения

7.2.1

адсорбция: Удержание молекул газа, жидкости или растворенного вещества поверхностным слоем твердого или жидкого тела, с которым они контактируют, за счет физических или химических взаимодействий. [ИСО 14532:2001, статья 2.2.2.7]	adsorption
7.2.2 атомно-слоевое осаждение; АСО: Процесс получения однородных конформных пленок путем циклического осаждения исходных материалов на подложку в ходе самоограниченныххимических реакций, позволяющих контролировать толщину нанесенного слоя.	atomic layer deposition; ALD
Примечание — В процессе АСО цикл осаждения исходных материалов, который должен включать не менее двух последовательных химических реакций, повторяют несколько раз до получения пленок нужной толщины.
7.2.3
химическое осаждение из газовой фазы; ХОГФ: Процесс получения пленок или порошков в результате термических реакций разложения и/или взаимодействия одного или нескольких исходных газообразных веществ на подложке.	chemical vapour deposition; CVD
[ИСО 2080:2008, статья 2.2, определение термина изменено]

ГОСТ Р 56662-2015

7.2.4 каталитическое химическое осаждение из газовой фазы; КХОГФ: Процесс catalytic chemical ХОГВ (7.2.3), основанный на термическом разложении газообразных веществ с при- vapour deposition; менением катализатора.    CCVD

Примечания

1    Процесс КХОГФ применяют для получения углеродных нанотрубок (2.9) из исходных углеводородных материалов (например, метан) с использованием катализаторов, например железо Fe, никель Ni или кобальт Со.

2    Термин «каталитическое химическое осаждение из газовой фазы «относят ктерминам, обозначающим процессы катализа.

7.2.5    нанесение покрытия кластерным пучком: Процесс получения структурированной пленки путем осаждения наночастиц (2.6) на подложку с использованием источника кластерного пучка.

7.2.6    нанесение покрытия методом погружения: Процесс получения пленки путем погружения подложки в специальный раствор и ее последующего извлечения из него.

7.2.7    электроосаждение; электролитическое осаждение: Процесс получения покрытия путем осаждения ионов материала на поверхности электрода в специальном растворе в результате реакции электрохимического восстановления.

7.2.8    осаждение методом химического восстановления: Процесс получения покрытия путем осаждения ионов материала на поверхности электрода в специальном растворе в результате реакции электрохимического восстановления.

7.2.9    электрораспыление: Процесс получения твердого материала, осаждаемого на подложку, в результате диспергирования исходного материала через сопло, к которому приложено напряжение.

7.2.10    выпаривание: Процесс получения твердого материала, осаждаемого на подложку, в результате испарения исходного материала при нагревании до заданной температуры в условиях высокого или сверхвысокого вакуума и последующего

охлаждения.

7.2.11    осаждение фокусированным электронным пучком; ОФЭП: Химическое осаждение из газовой фазы (7.2.3) с применением фокусированного (концентрированного) потока электронов для осаждения молекул исходного газообразного материала на заданных участках поверхности подложки.

7.2.12    осаждение фокусированным ионным пучком; ОФИП: Химическое осаждение из газовой фазы (7.2.3) с применением фокусированного потока ионов для осаждения молекул исходного газообразного материала на заданных участках поверхности подложки.

Примечание — ОФИП применяют, например, для осаждения газообразного карбонила вольфрама W(CO)₆. В вакуумной камере под воздействием ионного пучка газообразный карбонил вольфрама разлагают на летучие и нелетучие компоненты; нелетучий компонент, вольфрам, в результате химической адсорбции оседает на подложку. ОФИП применяют также для осаждения других металлических материалов, например платины. Осажденный таким способом металлический материал можно использовать в качестве временного слоя для защиты объекта от разрушающего воздействия ионного пучка.

7.2.13    молекулярно-лучевая эпитаксия: Процесс получения монокристалличес- molecularbeam кой пленки путем испарения и последующего осаждения атомов или молекул исход- epitaxy ного(ых) материала/материалов на монокристаллическую подложку в условиях

высокого или сверхвысокого вакуума.

Примечания

1    Специальное отверстие в оборудовании для молекулярно-лучевой эпитаксии, через которое происходит перенос газообразного исходного материала из зоны испарения в зону высокого или сверхвысокого вакуума, предназначено для формирования соответствующих молекулярных пучков.

2    Методом молекулярно-лучевой эпитаксии, например используя арсенид индия InAs и подложку из арсенида галлия GaAs, получают структуры размером в нанодиапазоне (2.7).

3    См. библиографию [13].

7.2.14

физическое осаждение из газовой фазы; ФОГФ: Процесс нанесения покрытия physical vapour испарением исходного материала с последующей его конденсацией на подложке в deposition; условиях вакуума.    PVD

[ИСО 2080, статья 2.12]

13

Примечание — В процессе химического травления применяют жидкие (жидкостное травление) или газообразные (сухое травление) химические вещества.

7.3.4    химическое ионно-лучевое травление: Процесс управляемого удаления chemically поверхностного слоя материала с подложки пучком ионов химически активного газа, assisted

ion beam etching

7.3.5    криогенное травление: Процесс управляемого удаления поверхностного cryogenic etching слоя материала с подложки путем ее охлаждения до температуры 163 К или ниже,

при которой возможно формирование почти вертикальных элементов структуры объекта.

Примечание — Температура 163 Кили ниже замедляет скорость химических реакций в процессе травления. Бомбардирующие поверхность материала ионы, выбивая частицы с заданных участков, формируют вертикальные элементы структуры объекта.

7.3.6    кристаллографическое травление:    Процесс    управляемого    удаления    crystallographic

поверхностного слоя материала с подложки, происходящий с разной скоростью по etching различным кристаллографическим направлениям.

7.3.7    глубокое реактивное ионное травление; ГРИТ: Процесс анизотропного deep reactive ion

травления (7.3.1), применяемый для получения на подложке структур, элементы etching; которых имеют заданное соотношение геометрических размеров.    DRIE

Пример — Отверстия и канавки с вертикальными стенками.

Примечание — К глубокому реактивному ионному травлению относят Бош-травление (7.3.2) и криогенное травление (7.3.5).

7.3.8    сухое озоление: Вид химического травления (7.3.3) с применением газооб- dry-ashing разныххимических веществ, в процессе которого происходит преобразование материала в области, подвергаемой травлению, в летучее удаляемое соединение.

Пример — Удаление с подложки шаблона из фоторезиста с применением кислорода.

ГОСТ Р 56662-2015

7.3.9    сухое травление: Процесс управляемого удаления поверхностного слоя материала с подложки с применением частично ионизированных газов.

7.3.10    травление фокусированным ионным пучком; ТФИП: Процесс управляемого удаления поверхностного слоя материала с подложки потоком ионов, сфокусированным на заданном участке с помощью системы электростатических линз.

Примечания

1    Tравление осуществляют распылением материала с заданных участков подложки ионным пучком. Воздействуя ионным пучком на поверхность подложки, можно получить рельефное изображение. В процессе ТФИП получают изображения с разрешением от 1 до 100 нм.

2    ТФИП относят к видам ионно-лучевого фрезерования.

7.3.11 травление плазмой высокой плотности: Плазменное травление (7.3.18) high-density потоком ионов плотностьюот 10¹¹ до 10¹² ион/см³ с применением источника ионов на plasma etching основе электронно-циклотронного резонанса, геликонового источника плазмы, магнетрона или источника индуктивно связанной плазмы.

Примечание — В зависимости от цели процесса с помощью плазмы осуществляют травление или осаждение. Подложка в реакторе должна быть расположена соответственно осуществляемому процессу.

7.3.12    травлен неиндуктивно связанной плазмой; ТИСП: Плазменное травление (7.3.18) с применением источника индуктивно связанной плазмы, в котором происходит образование плазмы внутри разрядной камеры, горелки или иного реактора при приложении высокочастотного переменного магнитного поля.

7.3.13    ионно-лучевое травление; ионно-лучевое фрезерование: Процесс управляемого удаления поверхностного слоя материала с подложки потоком ионов, полученным с помощью источника плазмы.

7.3.14    изотропное травление: Процесс управляемого удаления поверхностного слоя материала с подложки, происходящий с одинаковой скоростью по всем пространственным направлениям.

7.3.15    лазерная абляция: Процесс управляемого удаления поверхностного слоя материала с подложки лазерным импульсом.

Примечание —Лазерную абляцию применяют для формирования неоднородностей размерами в нанодиапазоне (2.7) на поверхности материала, покрывающего подложку.

7.3.16 травление световым излучением; фотохимическое травление: Процесс управляемого удаления поверхностного слоя материала с подложки световым излучением.

Примечание — Методом травления световым излучением обрабатывают светочувствительные материалы в специальных условиях с применением химических веществ. Структура и форма получаемого изображения зависят от применяемого шаблона, через который облучают фоторезист, покрывающий подложку. Данный метод применяют, например, для получения требуемой структуры поверхности пористого кремния, обладающего люминесцентными свойствами.

7.3.17    физическое травление; травление распылением: Процесс управляемого physical etching; удаления поверхностного слоя материала с подложки путем его распыления под sputter etching действием кинетической энергии ионов инертного газа (например, аргона).

Примечание — Физическое травление относят канизотропным и неизбирательным процессам травления.

7.3.18    плазменное травление: Сухое травление (7.3.9) компонентами плаз- plasma etching мы — ионами и электронами, образованными в результате электрического разряда

в газовой среде.

Примечания

1    К понятию «оборудование для плазменного травления» относят реактор с плазмой и двумя емкостными электродами, в который помещают материал, подлежащий травлению.

2    В процессе плазменного травления участвуют радикалы, электроны и ионы. Радикалы вступают в химическую реакцию с поверхностными атомами обрабатываемого материала и удаляют поверхностные слои в результате образования летучих продуктов реакции. Электроны и ионы активируют эту реакцию, увеличивая скорость травления.

ГОСТ Р 56662-2015

Содержание

1    Область применения...................................................1

2    Термины и определения понятий, установленные в других стандартах серии ИСО/ТС 80004 .....1

3    Термины и определения основных понятий, относящихся к процессам нанотехнологического производства ...........................................................3

4    Термины и определения понятий, относящихся к процессам направленной сборки...........4

5    Термины и определения понятий, относящихся к процессам самосборки..................4

6    Термины и определения понятий, относящихся к процессам синтеза наноматериалов.........5

6.1    Термины и определения понятий, относящихся к процессам физического осаждения из газовой

фазы..........................................................5

6.2    Термины и определения понятий, относящихся к процессам химического осаждения из газовой

фазы..........................................................6

6.3    Термины и определения понятий, относящихся к физическим методам синтеза в жидкой фазе . 6

6.4    Термины и определения понятий, относящихся к химическим методам синтеза в жидкой фазе . 7

6.5    Термины и определения понятий, относящихся к физическим методам синтеза в твердой фазе 7

6.6    Термины и определения понятий, относящихся к химическим методам синтеза в твердой фазе 9

7 Термины и определения понятий, относящихся к процессам изготовления продукции.........9

7.1    Термины и определения понятий, относящихся к процессам литографии в    нанодиапазоне    ...    9

7.2    Термины и определения понятий, относящихся к процессам осаждения..............12

7.3    Термины и определения понятий, относящихся к процессам травления...............14

7.4    Термины и определения понятий, относящихся к процессам печати и нанесения    покрытий    .    .    16

Приложение А (справочное) Классификация процессов синтеза в зависимости от применения исходных наноматериалов или нанообъектов, применяемых для производства конечной продукции................................................17

Алфавитный указатель терминов на русском языке................................20

Алфавитный указатель терминов на английском языке..............................24

Библиография........................................................29

7.3.19    травление по трекам излучения: Процесс управляемого удаления поверх- radiation track ностного слоя материала с подложки химическими веществами для формирования etching узких каналов из системы пор (треков), образованных после облучения (бомбардировки) частицами или тяжелыми ионами.

Пример — Пористые полимеры, в которых узкие каналы образованы предварительным облучением и последующей обработкой избирательным растворителем.

7.3.20    реактивное ионное травление; РИТ: Плазменное травление (7.3.18) лото- reactive ion ком заряженных ионов плазмы, ускоренных отрицательным потенциалом напряже- etching; ния, возникающим в результате подачи на электрод, на котором размещена RIE подложка, высокочастотного напряжения относительно изолированных стенок реактора.

Примечание — Поток заряженных ионов плазмы генерируют в специальных условиях (при заданных значениях давления и напряженности электромагнитного поля). Высокоэнергичные ионы бомбардируют поверхность материала подложки, а свободные радикалы вступают в химическую реакцию с поверхностными атомами материала подложки, удаляя поверхностные слои. По сравнению с жидкостным травлением (7.3.22), которое относят к изотропным процессам травления, РИТ позволяет осуществлять удаление материала с подложки по различным пространственным направлениям и с разной скоростью.

7.3.21    избирательное травление: Процесс управляемого удаления поверхнос- selective etching тного слоя материала с подложки, происходящий с различной скоростью на разных

участках поверхности с различным химическим составом.

Пример — Водные растворы под воздействием высокочастотных электромагнитных полей удаляют с подложки оксид кремния Si0₂ и не удаляют кремний.

7.3.22 жидкостное травление: Процесс управляемого удаления поверхностного wet etching слоя материала с подложки под действием жидких химических веществ.

7.4 Термины и определения понятий, относящихся к процессам печати и нанесения покрытий

7.4.1 тиснение; импринтинг^-. Процесс получения рельефного изображения путем embossing; вдавливания шаблона с заданным рисунком в слой обрабатываемого материала. imprinting

7.4.2    формирование многослойной пленки (нанотехнологии): Процесс получения многослойной пленки путем соединения вальцовкой нескольких отдельных пленок на подложке.

7.4.3    осаждение нановолокон: Процесс получения покрытия или структуры объекта осаждением нановолокон (2.3) из раствора на подложку или ее заданные участки.

7.4.4    напыление наночастиц: Процесс получения покрытия из наночастиц (2.6), при соударении которых с подложкой происходит их соединение, с применением распыляемого раствора, плазмы, кластерного пучка или из другого источника наночастиц.

16

Введение

Нанотехнологическое производство — это применение научных открытий и новых знаний в области нанотехнологий для изготовления продукции наноиндустрии.

Продвижение нанотехнологий из научных лабораторий в массовое производство требует тщательного изучения стадий жизненного цикла продукции наноиндустрии, включая разработку и постановку продукции на производство, ее надежность и качество, управление производственными процессами и их контроль, а также вопросов обеспечения безопасности при производстве, поставке, применении и утилизации продукции наноиндустрии для сотрудников предприятий, потребителей и окружающий среды. В рамках нанотехнологического производства осуществляют освоение в промышленных масштабах процессов самосборки и направленной самосборки, синтеза наноматериалов и изготовления на ихосно-ве продукции, например с применением литографии или биологических процессов. В нанотехнологическом производстве применяют технологии «снизу-вверх» и «сверху-вниз», позволяющие изготавливать объекты или системы объектов на молекулярном уровне с последующим их встраиванием в более крупные объекты или системы объектов.

Объекты и материалы при их преобразовании с помощью нанотехнологий изменяют свои свойства. Свойства конечной продукции наноиндустрии зависят от совокупности свойств нанообъектов и наноматериалов, использованных при ее изготовлении.

В настоящий стандарт не включены термины и определения понятий, относящихся к процессам нанотехнологического производства, основанным на применении законов биологии в нанотехнологиях. Однако, учитывая быстрое развитие нанобиотехнологий, в дальнейшем настоящий стандарт будет дополнен новыми терминами или будет разработан отдельный стандарт серии ИСО 80004, включающий термины и определения понятий, относящихся кпроцессам обработки биологических наноматериалов и применению законов биологии при производстве новых наноматериалов. Также будут установлены термины и определения понятий, относящихся кдругим развивающимся отраслям наноиндустрии, например к изготовлению нанокомпозиционных материалов и электронных устройств на рулонах из гибкого пластика или металлической фольги (изготовление «roll-to-roll»).

Понятие «нанотехнологическое производство» следует отличать от понятия «наноизготовление», т. к. понятие «нанотехнологическое производство» включает не только способы изготовления наноматериалов, вт. ч. синтез, ной методы их обработки.

Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий, относящихся к процессам, применяемым на стадиях разработки и постановки продукции на производство, например к синтезу наноматериалов с заданными свойствами. Наноматериалы изготавливают как продукцию производственно-технического назначения для выпуска конечной продукции, например: наноматериалы применяют при производстве композиционных материалов или в качестве компонентов различных систем или устройств. Процессы нанотехнологического производства являются большой и разнообразной группой производственных процессов, применяемых в следующих отраслях:

-    полупроводниковая промышленность (цель которой — создание микропроцессоров меньшего размера, более эффективных и быстродействующих, с элементами размером менее 100 нм);

-    производство электроники и телекоммуникационного оборудования;

-    аэрокосмическая и оборонная промышленность;

-    энергетика и транспорт;

-    химическая промышленность, включая производство пластмассы и керамики;

-    лесная, деревообрабатывающая и целлюлозно-бумажная промышленность;

-    пищевая промышленность и производство упаковки для пищевых продуктов;

-    биомедицина, биотехнологии и фармацевтическая промышленность;

-    биологическая рекультивация;

-    легкая и парфюмерно-косметическая промышленность, включая производство одежды и товаров личной гигиены.

Ежегодно в обращение на мировой рынок поступают тысячи тонн наноматериалов, применяемых в вышеуказанных отраслях, например технический углерод и коллоидный диоксид кремния. В ближайшем будущем будут разработаны новые наноматериалы, которые внесут существенные изменения в развитие таких отраслей, как биотехнологии, технологии очистки воды и энергетика.

В настоящем стандарте термины и определения понятий объединены в разделы и подразделы, относящиеся к определенной группе или подгруппе процессов нанотехнологического производства. Раздел 6 состоит из подразделов, включающихтермины и определения понятий, относящихся к процессам нанотехнологического производства в зависимости от агрегатного состояния исходного материала.

ГОСТ Р 56662-2015

Например, на этапе, предшествующем изготовлению наночастиц, исходный материал находится в газо-вой/жидкой/твердой фазе, при этом агрегатное состояние материала подложки и вспомогательных материалов в данной классификации процессов не учитывают. В качестве примера можно привести термин «формирование нановолокон по механизму роста «пар — жидкость — кристалл», который в настоящем стандарте помещен в подраздел 6.2 «Термины и определения понятий, относящихся к процессам химического осаждения из газовой фазы», т. к. исходным материалом в данном процессе является газообразное углеродное вещество. Вспомогательный материал — частицы железа, содержащиеся в растворе (жидкий катализатор), адсорбируют на своей поверхности исходный газообразный материал до уровня перенасыщения, формируя углеродные нановолокна. Классификация процессов синтеза в зависимости от применения исходных наноматериалов или нанообъектов, применяемых для производства конечной продукции, приведена в приложении А.

Стандартизованные термины, относящиеся к процессам нанотехнологического производства, позволят обеспечить взаимопонимание между организациями и отдельными специалистами из разных стран, будут способствовать скорейшему переходу нанотехнологий из научно-исследовательских лабораторий к серийному выпуску и коммерциализации продукции наноиндустрии.

Сведения о ранее разработанной терминологии, относящейся к нанотехнологическому производству, представлены в библиографии [1].

Установленные в настоящем стандарте термины расположены в систематизированном порядке, отражающем систему понятий в области нанотехнологий, относящихся к процессам нанотехнологического производства.

Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.

Термины-синонимы приведены в качестве справочных данных и не являются стандартизованными.

Помета, указывающая на область применения многозначного термина, приведена в круглых скобках светлым шрифтом после термина. Помета не является частью термина.

Приведенные определения можно при необходимости изменять, вводя в них произвольные признаки, раскрывая значения используемых в нихтерминов, указывая объекты, относящиеся копределен-ному понятию. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в настоящем стандарте.

В стандарте приведены иноязычные эквиваленты стандартизованных терминов на английском языке.

В стандарте приведен алфавитный указатель терминов на русском языке, а также алфавитный указатель терминов на английском языке.

Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткие формы, представленные аббревиатурой, и иноязычные эквиваленты — светлым, синонимы — курсивом.

V

НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

НАНОТЕХНОЛОГИИ Часть 8

Процессы нанотехнологического производства. Термины и определения

Nanotechnologies. Part 8. Nanomanufacturing processes. Terms and definitions

Дата введения — 2016—04—01

1 Область применения

Настоящий стандартявляется частью серии стандартов ИСО/ТС 80004 и устанавливаеттермины и определения понятий в области нанотехнологий, относящихся к процессами нанотехнологического производства.

Не все процессы, термины и определения которых установлены в настоящем стандарте, осуществляют в нанодиапазоне. В зависимости от возможностей управления такими процессами для изготовления продукции в качестве исходных материалов применяют и наноматериалы, и обычные материалы.

Настоящий стандарт не распространяется на оборудование, вспомогательные материалы и методы контроля, применяемые в процессах нанотехнологического производства.

2 Термины и определения понятий, установленные в других стандартах серии ИСО/ТС 80004

В настоящем разделе приведены термины и определения, установленные в других стандартах серии ИСО/ТС 80004, необходимые для понимания текста настоящего стандарта.

2.1

углеродная нанотрубка; УНТ: Нанотрубка (2.9), состоящая из углерода.    carbon

nanotube;

CNT

Примечание — Углеродные нанотрубки обычно состоят из свернутых слоев графена, в том числе одностенные углеродные нанотрубки и многостенные углеродные нанотрубки.

[ИСО/ТС 80004-3:2010, статья 4.3]

2.2

Издание официальное

2.3

нановолокно: Нанообъект, линейные размеры которого по двум измерениям nanofibre находятся в нанодиапазоне (2.7), а по третьему измерению значительно больше.

Примечания

1    Нановолокно может быть гибким или жестким.

2    Два сходных линейных размера по двум измерениям не должны отличаться друг от друга более чем в три раза, а размеры по третьему измерению должны превосходить размеры по первым двум измерениям более чем в три раза.

3    Наибольший линейный размер может находиться вне нанодиапазона (2.7).

[ИСО/ТС 27687:2008, статья 4.3]_

2.4

наноматериал: Твердый или жидкий материал, полностью или частично состоя- nanomaterial щий из структурныхэлементов, размер которыххотя бы поодному измерению находится в нанодиапазоне (2.7).

Примечания

1    Наноматериал является общим термином для таких понятий, как «совокупность нанообъектов» (2.5) и «нано-структурированный материал» (2.8).

2    См. также «технический наноматериал», «промышленный наноматериал» и «побочный наноматериал».

[ИСО/ТС 80004-1:2010, статья 2.4]_

2.5

нанообъект: Материальный объект, линейные размеры которого по одному, двум nano-object или трем измерениям находятся в нанодиапазоне (2.7).

Примечани е — Данный термин распространяется на все дискретные объекты, линейные размеры которых находятся в нанодиапазоне.

[ИСО/ТС 80004-1:2010, статья 2.5]_

2.6

наночастица: Нанообъект (2.5), линейные размеры которого по всем трем измере- nanoparticle ниям находятся в нанодиапазоне (2.7).

Примечание — Если по одному или двум измерениям размеры нанообъекта (2.5) значительно больше, чем по третьему измерению (как правило, более чем в три раза), то вместо термина «наночастица» можно использовать термины «нановолокно» (2.3) или «нанопластина».

[ИСО/ТС 27687:2008, статья 4.1]_

2.7

нанодиапазон: Диапазон линейных размеров приблизительно от 1 до 100 нм.    nanoscale

Примечания

1    Верхнюю границу этого диапазона принято считать приблизительной, так как, в основном, уникальные свойства нанообъектов за ней не проявляются.

2    Нижнее предельное значение в этом определении (приблизительно 1 нм) введено для того, чтобы исключить из рассмотрения в качестве нанообъектов (2.5) или элементов наноструктур отдельные атомы или небольшие группы атомов.

[ИСО/ТС 80004-1:2010, статья 2.1]_

2.8

наноструктурированный материал:    Материал,    имеющий    внутреннюю    или    nanostructured

поверхностную наноструктуру.    material

Примечание — Настоящее определение не исключает наличия у нанообъекта (2.5) внутренней или поверхностной структуры. Рекомендуется применять термин «нанообъект» к элементу наноструктурированного материала, если его линейные размеры по одному, двум или трем измерениям находятся в нанодиапазоне.

[ИСО/ТС 80004-4:2011, статья 2.11]__

ГОСТ Р 56662-2015

2.9

нанотрубка: Полое нановолокно (2.3). [ИСО/ТС 27687:2008, статья 4.4] nanotube

3 Термины и определения основных понятий, относящихся к процессам нанотехнологического производства

3.1 нанотехнологическое производство «снизу-вверх»: Технология, основанная на применении атомов, молекул и/или нанообъектов в качестве исходного материала для формирования более крупных и функционально сложных структур или конструкций различных объектов.	bottom up nanomanufacturing
3.2 соосаждение: Осаждение одновременно двух или более исходных материалов.	co-deposition

Примечание — К основным методам соосаждения относят: вакуумное напыление, термическое напыление электроосаждение и осаждение твердых частиц суспензии.

3.3 истирание: Процесс дробления или измельчения исходного материала с целью	communition
уменьшения размеров его частиц. 3.4 направленная сборка (нанотехнологии): Процесс формирования конструкций объекта в соответствии с заданным шаблоном, основанный на применении управляемых внешних воздействий к исходным нанообъектам.	directed assembly
3.5 направленная самосборка: Процесс самосборки (3.11) в соответствии с заданным шаблоном, происходящий под управляемыми внешними воздействиями.	directed self-assembly

Примечание — Процесс направленной самосборки может происходить под действием приложенного силового поля, сил потока жидкости, введенного в исходное вещество химического реагента или по заданному шаблону.

3.6    литография: Процесс формирования структуры объекта или рельефного изо- lithography бражения путем воспроизведения заданного шаблона на подложке.

Примечание — Шаблон изготавливают из материала, чувствительного к излучению, и осуществляют его перенос на подложку для формирования нужной структуры методами контактной печати или прямой записи.

3.7    многослойное осаждение: Процесс получения композиционных материалов multilayer

со слоистой структурой путем последовательного осаждения на подложку двух или более исходных материалов. deposition 3.8    нанотехнологическое изготовление: Совокупность действий, направленных на преднамеренное изготовление объектов, устройств или их элементов, размеры которых находятся в нанодиапазоне (2.7), для коммерческих целей. 3.9 nanofabrication нанотехнологическое производство: Преднамеренный синтез, изготовление или контроль наноматериалов, а также отдельные этапы процесса изготовления в нанодиапазоне (2.7) для коммерческих целей. [ИСО/ТС 80004-1:2010, статья 2.11] 3.10 nanomanufactu- ring процесс нанотехнологического производства: Совокупность мероприятий, направленных на преднамеренный синтез, изготовление или контроль наноматериалов (2.4), а также отдельные этапы процесса изготовления в нанодиапазоне (2.7) для коммерческих целей. [ИСО/ТС 80004-1:2010, статья 2.12] nanomanufacturing process

3.11    самосборка: Автономный процесс формирования структуры объекта в результате взаимодействия компонентов исходной структуры объекта.

3.12    функционализация поверхности: Процесс придания поверхности объекта заданных химических или физических свойств путем химического или физико-химического воздействия.

3.13    нанотехнологическое производство «сверху-вниз»: Технология получения нанообъектов из макроскопических объектов.

4 Термины и определения понятий, относящихся к процессам направленной сборки

4.1    сборка в электростатическом поле (нанотехнологии): Процесс изменения направления или положения нанообъектов, являющихся элементами устройства или материала, под действием сил электростатического поля.

4.2    распределение в потоке жидкости (нанотехнологии): Процесс изменения направления или положения нанообъектов, являющихся элементами устройства или материала, под действием сил потока жидкости.

4.3    иерархическая сборка (нанотехнологии): Технология, основанная на применении более одного процесса нанотехнологического производства (3.9) для управления сборкой объекта, осуществляемой в любой последовательности.

4.4    сборка в магнитном поле (нанотехнологии): Процесс изготовления объектов в соответствии с заданным шаблоном в нанодиапазоне (2.7) под действием сил магнитного поля.

4.5    сборка с учетом формы наночастиц (нанотехнологии): Процесс получения заданной структуры или конфигурации объекта, основанный на применении наночастиц (2.6) определенной геометрической формы.

4.6    супрамолекулярная сборка: Процесс сборки объекта из молекул или наночастиц (2.6) за счет нековалентных связей.

4.7    перенос «поверхность — поверхность» (нанотехнологии): Процесс перемещения наночастиц (2.6) или объектов с поверхности одной подложки, на которой они были сформированы или собраны, на поверхность другой подложки.

5 Термины и определения понятий, относящихся к процессам самосборки

5.1    коллоидная кристаллизация (нанотехнологии): Процесс получения вещества, colloidal состоящего из плотно расположенных по отношению друг к другу элементов, упоря- crystallization доченныхв периодические пространственные структуры, путем седиментации наночастиц (2.6) из раствора с образованием твердого осадка.

5.2    графоэпитаксия (нанотехнологии): Процесс направленной самосборки (3.5) на graphioepitaxy поверхности объектов, имеющей неоднородности, размеры которых находятся в нанодиапазоне (2.7).

Примечание — К понятию «графоэпитаксия» относят процессы последовательного формирования пленок с одинаковой или отличной структурой на поверхности одной и той же кристаллической подложки.

5.3    ионно-лучевое модифицирование поверхности (нанотехнологии): Процесс изменения поверхности объекта пучком ускоренных ионов с целью формирования на ней неоднородностей, в т. ч. размерами в нанодиапазоне (2.7).

5.4    формирование пленки Ленгмюра-Блоджетт: Процесс получения молекулярного монослоя на границе раздела двух сред (газовой и жидкой) с помощью специальной кюветы, разработанный Ирвингом Ленгмюром и Катариной Блоджетт.

5.5    перенос пленки Ленгмюра-Блоджетт: Процесс перемещения молекулярного монослоя, сформированного на границе раздела двух сред (газовой и жидкой), на твердую поверхность путем погружения в жидкость сданным монослоем и последующего извлечения из нее твердой подложки.

4

ГОСТ Р 56662-2015

5.6    послойное электростатическое осаждение: Процесс последовательного нанесения на поверхность подложки слоев полимерных материалов с противоположными знаками электрических зарядов.

5.7    модулированное осаждение веществ: Процесс формирования чередующихся слоев двух или более веществ путем последовательного осаждения из газовой фазы каждого из исходных веществ на заданных участках подложки.

5.8    самосборка монослоя: Процесс формирования упорядоченного молекулярного слоя вещества, осаждаемого на твердую подложку из жидкой или газовой фазы под воздействием сил молекулярного сцепления с поверхностью подложки и сил слабого межмолекулярного взаимодействия.

5.9    механизм роста пленки Странского-Крастанова; механизм «послойно-го-плюс-островкового» роста пленки: Процесс формирования пленки на подложке, начинающийся с образования двумерного слоя и завершающийся образованием на нем групп связанных между собой атомов (островков).

6 Термины и определения понятий, относящихся к процессам синтеза наноматериалов

6.1 Термины и определения понятий, относящихся к процессам физического осаждения из газовой фазы

6.1.1    холодное газодинамическое напыление: Процесс получения покрытия из cold gas dynamic холодных и ускоренных частиц или наночастиц напыляемого порошка, при соударе- spraying

нии которых с подложкой происходит их соединение, с применением сверхзвуковой струи инертного газа.

6.1.2    электронно-лучевое испарение: Процесс получения материала путем пре- electron-beam образования исходного материала в газообразное состояние под воздействием evaporation потока электронов в условиях высокого или сверхвысокого вакуума и последующего осаждения материала на подложку.

6.1.3 Термины и определения понятий, относящихся к процессам электроискрового осаждения

6.1.3.1 электроискровое осаждение: Процесс получения покрытий импуль- electro-spark сно-дуговой микросваркой, основанный на изменении физико-химических свойств deposition поверхности под воздействием импульсных искровых разрядов, сопровождаемых отделением от обрабатывающего электрода вещества и переходом его на обрабатываемую поверхность (катод).

6.1.4 Термины и определения понятий, относящихся к процессам высушивания вещества

6.1.7    электрический взрыв проволоки: Процесс получения наночастиц (2.6) wire electric путем испарения исходного полупроводникового или проводникового материала в explosion виде проволоки под действием импульса электрического тока высокой плотности с последующей конденсацией наночастиц.

6.1.8    испарение: Процесс перехода вещества из твердой или жидкой фазы в газо- vaporization вую или плазменную фазы.

5