БЗ 5-

УДК 621.3.049.77.083:006.354

Группа Э29

МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ ЦИФРОВЫЕ

Методы измерении .динамических электрических параметром

Digital integrated circuits.

Methods of measuring dynamic electrical parameters

ОКП 62 3100

ГОСТ

18683.2-83

Дата введения 01.01.84

Настоящий стандарт распространяется на цифровые интегральные микросхемы (далее — микросхемы) и устанавливает методы измерения динамических электрических параметров микросхем.

Общие требования при измерении и требования безопасности — по ГОСТ 18683.0.

(Измененная редакция, Изм. № 1, 2).

1. ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЗАДЕРЖКИ ВКЛЮЧЕНИЯ И ВРЕМЕНИ ЗАДЕРЖКИ ВЫКЛЮЧЕНИЯ

1.1.    Измерение следует проводить на измерительной установке, электрическая структурная схема которой приведена на черт. 1.

1.2.    Подготовка к измерениям

1.2.1.    Подготавливают измерительную установку к работе.

1.2.2.    Подключают микросхему к измерительной установке.

1.3. Проведение измерений

1.3.1.    Подают на микросхему напряжение питания от источника G2, входные постоянные напряжения от источника GI и входные импульсные напряжения от источника GJ. значения которых установлены в стандартах или технических условиях (далее — ТУ) на микросхемы конкретных типов.

1.3.2.    Интервал времени между входным и выходным импульсами измеряют в соответствии с черт. 2 при значениях уровней отсчета V\, (/j, Uy Vy указанных в стандартах или ТУ на микросхемы конкретных типов.

<7/, G2 — источники постоянного напряжения; D— микросхема; G3— генератор импульсного напряжения; Р— шмермтель динамических параметров; £ — эквивалент нагрузки

Черт. 1

(Измененная редакция, Изм. № I).

Издание официальное ★

Перепечатка воспрещена

© Издательство стандартов, 1983 © ИПК Издательство стандартов. 2000

/

Черт. 2

А-I

(-1

У-1

б /    *    ^02    XT'    ®1г2    г ®2г2

1~г> + < ^а ОТ~> ⁺ I(°lrT-) ⁺ I(^fl2rT~)

+ ( а

(1)

Z6 VW „ 2 V ^ х 2

ГЧ    *

* -2

W > г

+ ( Т”)

где а_1г а_2г а^_г а^_г — относительные коэффициенты влияния соответственно фронта, спада, высоты и длительности входного импульса на r-м входе на измеряемый параметр;

а/, qq — относительные коэффициенты влиянии уровня отсчета соответственно на входном и выходном импульсе на измеряемый параметр;

а, — относительный коэффициент влиянии напряжении питании на /-м выводе питании на измеряемый параметр;

dj — относительный коэффициент влиянии постоянного напряжении нау-м входе на измеряемый параметр;

а_к — относительный коэффициент влиянии параметра к-го элемента нагрузки на измеряемый параметр;

Oj — относительный коэффициент влияния температуры окружаюшей среды или температуры в заданной точке на корпусе (теплоотводе) микросхемы на измеряемый параметр:

— относительный коэффициент влиянии временной нестабильности сдвига входного импульса на н>-м входе относительно аходного импульса на v-м входе на измеряемый параметр:

5|_r f>2_r Ьу_г б_4г — относительные погрешности установления и поддержания соответственно фронта, спада, высоты и длительности входного импульса на г-м входе;

1

Черт. 4

5 | 2    5 j    л г- 5|г 2 V    г ^ > 2

⁺ 2>>т;> ♦

+

ХС-4гТ^)

(2)

где Я|. а₂ ~ относительные коэффициенты влиянии фронта (спада) выходного импульса соответственно в I и 2-й точках отсчета на измеряемый параметр:

6|, 8т — относительная погрешность установления и поддержания уровня отсчета на выходном импульсе соответственно в I и 2-й точках отсчета на измеряемый параметр;

А',. А'₂ — коэффициенты, зависящие от закона распределения соответствующих погрешностей 5|, б₂ и доверительной вероятности:

остальные обозначения — см. формулу (I).

4. ИЗМЕРЕНИЕ МАКСИМАЛЬНОЙ ТАКТОВОЙ ЧАСТОТЫ

4.1.    Измерения следует проводить на измерительной установке, электрическая структурная схема которой приведена на черт. 5.

4.2.    Подготовка к измерениям — по п. 1.2.

4.3.    Проведение измерений

4.3.1.    Подают на микросхему напряжения питания от источника G2. входные постоянные напряжения от источника GI и входные импульсные напряжения от источника G3, значения которых установлены в стандартах или ТУ на микросхемы конкретных типов.

4.3.2.    Измеряют частоту следования импульсов на выходе микросхемы, при которой обеспечивается функционирование микросхемы в соответствии с требованиями, установленными в стандартах или ТУ на микросхемы конкретных типов.

4.4.    Максимальную тактовую частоту /_ск определяют по

гтш>

формуле

Лк__“/<?" '»/о

| G1 ■ D

где f(j— частота следования импульсов на выходе генератора: fo~ частота следования импульсов на выходе микросхемы; п — целое число, указанное в стандартах или ТУ на микросхемы конкретных типов.

4.5. Показатели точности измерения

4.5.1.    Погрешность измерения максимальной тактовой частоты — по п. 1.4.1.

4.5.2.    Доверительная вероятность погрешности измерения максимальной тактовой частоты — по п. 1.4.2.

4.5.3.    Границы интервала погрешности измерения максимальной тактовой частоты (уопределяют по формуле

01 — генератор импульсного напряжения; 02, 03— источники постоянного напряжения; D — микросхема; £ — экви-кпеш нагружи; Р — и(мертель частоты

Черт. 5

v р 2 V- 51 ■> v ° I •> V ° К 2    °Г

()    ⁺    *    £^(а/ а^>" ⁺

г-1

У-I

3-1

V-    ^    |г    2 г    52 v-    Н    2    V-    5    2    г- ° х 2

^{+    +}I<^fl2r*7>    ⁺    1<*з,*7) +I<o_4r-^) ⁺    •

О)

Гм |

Гм |

где обозначения — см. формулу (I).

5. ИЗМЕРЕНИЕ ДИНАМИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ, ХАРАКТЕРИЗУЮЩИХ ВРЕМЯ ВЫПОЛНЕНИЯ ФУНКЦИИ МИКРОСХЕМОЙ

5.1. Методы измерения динамических параметров, характеризующих время выполнения микросхемой функции (время выСюрки, время выборки адреса, время выборки разрешения, время восстаноатсния и т. п.) должны соответствовать указанным в разд. 1 и 2.

Конкретный метод измерения устанавливают в стандартах или ТУ на микросхемы конкретных типов.

6. ИЗМЕРЕНИЕ ДИНАМИЧЕСКОГО ТОКА ПОТРЕБЛЕНИЯ

6.1. Измерения следует проводить на измерительной установке, электрическая структурная схема которой приведена на черт. 6.

Черт. 6

Примечание.

Допускается при измерении к выходу микросхемы подключать нагрузку.

6.2.    Подготовка к измерениям — по п. 1.2. Измеритель постоянного тока должен быть таким, чтобы с его помощью можно было измерить средний суммарный ток.

6.3.    Проведение измерений

6.3.1.    Подают на микросхему напряжение питания от источника GJ, входные постоянные напряжения от источника (7/. входные импульсные напряжения от источника G2, значения которых установлены встандартах или ТУ на микросхемы конкретных типов.

6.3.2.    Измеряют ток измерителем РА.

6.4.    Показатели точности измерения

6.4.1.    Погрешность измерения динамического тока потребления должна быть в пределах ±5 % и соответствовать установленной в стандартах или ТУ на микросхемы конкретных типов.

6.4.2.    Доверительная вероятность погрешности измерения — по п. 1.4.2.

6.4.3. Границы интервала погрешности измерения динамического тока потребления 6| определяют но формуле

6, = ± К

(4)

где Of— относительный коэффициент влияния частоты повторения входных импульсов на измеряемый параметр;

_ относительная погрешность установления и поддержания частоты повторения входных импульсов;

Ьр_Л — относительная погрешность измерителя постоянного тока;

К, Kf, К_РЛ — коэффициенты, зависящие от закона распределения соответствующей погрешности 8|.

бу; Ьр_Л и доверительной вероятности; остальные обозначения — см. формулу (I).

Разд. 6. (Введен дополнительно. Изм. № 2).

ПРИЛОЖЕНИЕ. (Исключено, Изм. № 2).