Товары в корзине: 0 шт Оформить заказ
Стр. 1
 

4 страницы

Купить 1 — официальный бумажный документ с голограммой и синими печатями. подробнее

Цена на этот документ пока неизвестна. Нажмите кнопку "Купить" и сделайте заказ, и мы пришлем вам цену.

Официально распространяем нормативную документацию с 1999 года. Пробиваем чеки, платим налоги, принимаем к оплате все законные формы платежей без дополнительных процентов. Наши клиенты защищены Законом. ООО "ЦНТИ Нормоконтроль".

Наши цены ниже, чем в других местах, потому что мы работаем напрямую с поставщиками документов.

Способы доставки

  • Срочная курьерская доставка (1-3 дня)
  • Курьерская доставка (7 дней)
  • Самовывоз из московского офиса
  • Почта РФ

  Скачать PDF

Показать даты введения Admin

Ф. АТОМНАЯ ТЕХНИКА

Группа ФОО

Изменение № 1 ГОСТ 18177-81 Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые. Термины и определения

Утверждено и введено в действие Постановлением Государственного комитета ГГСР по стандартам от 06.07.87 № 3036

Дата введения 01.01.88

Под наименованием стандарта проставить код: ОКСТУ 4364.

Вводную часть изложить в новой редакции: «Настоящий стандарт устанав-лиьает термины и определения понятий в области полупроводниковых детекторе* ионизирующих излучений.

Термины, уста нов лепные настоящим стандартом, обязательны для применение во всех видах документации и литературы, входящих в сферу действия сган-дагтизации или использующих результаты этой деятельности.

1.    Стандартизованные термины с определениями приведены в табл. 1.

2,    Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов-синонимов стандартизованного термина не допуска-

2.1. Для отдельных стандартизованных терминов в табл. I приведены в ка-чи.;ье справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования.

2 2. Приведенные определения можно при необходимости изменять, вводя в ш* производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем определяемого понятия. Изменения не должны кушать объем и содержание понятий, определенных в данном стандарте.

2 3. В табл. 1 в качестве справочных приведены иноязычные эквиваленты для стандартизованных терминов па немецком (D), английском (Е) и французов у (F) языках.

3.    Алфавитные указатели содержащихся в стандарте терминов на русском л ‘-ке и их иноязычных эквивалентов приведены в табл. 2—5.

4.    Термины и определения общих понятий, используемых в области полупро-ы ^никовых детекторов ионизирующих излучений приведены в справочном при* :п J с пии.

5.    Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая ; ма — светлым, а недопустимые синонимы курсивом.

Таблицу дополнить номером — I

(Продолжение см. с. 410)

Таблица I Иноязычные эквиваленты для пп. 30, 36, 45 и 50 изложить в повой редакции

«30. D Unempfindliche Schicht eines Halbleiterdetektors

E Total detector dead layer of a semiconductor detector F Zone morte totale d’un detecteur semi-conducteur

36 E Leakage currcrit of a semiconductor detector F Courant de fuite d un detecteur semi conducteur

45 E Energy resolution (PWHM) of a semiconductor detector F Resolution cn energie (LMH) d’un detecteur semi conducteur

50 E Semiconductor dctcctor electrical use fime

F Tempo de montce electrique d'un detecteur semi conducteur»

Графа «Определение» Дтя термина 44 заменить слово «количеству» на «числу»,

дополнить терминами — 28а, 54

Iермин

Опреде киие

28а Запоминающий полупроводниковый детектор ионизирующего излучения

Запоминающий ППд

54 Дискретная эффективность полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Дискретная эффективность ППд

Полупроводниковый детектор ионизирующею излучения, информационным парамет* ром которого является долговременное из* менение одной из характеристик, возникающее вследствие взаимодействия ионизиру* ющего излучения с полупроводниковым материалом детектора Выраженное в процентах отношение числа импульсов, возникающих на сигнапыгых выводах полупроводникового детектора ионизирующего излучения, к числу ионизирующих частиц, упавших на определенную поверхность внешнего контура детектора


Алфавитный указатепь терминов па риском языке оформить тзбпицей 2 к дополнить терминами в алфавитном порядке

(Продолжение с ч с 411)

Т ермин

Номер

термина

Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый запоминающий

ПГТ1 запоминающий

Эффективность полупроводникового детектора ионизирующего «излучения дискретная

Эффективность ППд дискретная

\лфавитный указатель терминов на немецком языке оформить *: термин 30 изложить в новой редакции

28a

28a

54

54

габлицей 3,

г ермин

Номер

термина

Uminpfindlithe Schicht eines Halblutcrdckkiors

Алфавитный указатель терминов на английском языке оформи' термины 30, 36, 45, 50 изложить в новой редакции

30

гь таблицей 4,

Т ермин

Номер

термина

Energy resolution (FWHM) of a semiconductor detector Leakage current of a semiconductor detector Semiconductor detector electrical rise time Total detector dead layer of a semiconductor detector

45

36

50

30

(Продолжение см. с. 412)

Алфавитный указатель терминов на французском языке оформить таблицей 5,

термины 30, 36, 45, 50 изложить в повой редакции

)ермнп

1

Н омер термина

Courant de fulft d’un detccteur scmj tonduc^cur Resolution en energie (LMH) d’un dctcctcur semi condudcur Tempo de montce electriquc d’un detectcur semi conducteur Zone morte totale d’un dctecteur semi conducteur

Справочное приложение Графа «Определение» Термин 10 Пр менить единицу еКл/кэВ на аКл/кэВ, дополнить терминами — 11, 12.

36

45

50

30

шмечание За-

Термин

Г ' .....

Определение

11 Длительность фронта нарастания сигнала детектора

12 Радиационный ресурс

Интервал времени, в течение которого импульс заряда (напряжения) на выходных электродах полупроводникового детекто* ра ионизирующего излучения нарастает or нуля до половины своего максимальное значения

Максимальная доза основного ионизирующего излучения, на регистрацию которого рассчитан детектор, после воздействия которого у гамма-процентной доли совокупности детекторов данного типа электрические и радиометрические параметры сохраняются в пределах норм, установленных для минимальной наработки


(ИУС № И 1987 г)