Товары в корзине: 0 шт Оформить заказ
Стр. 1
 

22 страницы

396.00 ₽

Купить официальный бумажный документ с голограммой и синими печатями. подробнее

Официально распространяем нормативную документацию с 1999 года. Пробиваем чеки, платим налоги, принимаем к оплате все законные формы платежей без дополнительных процентов. Наши клиенты защищены Законом. ООО "ЦНТИ Нормоконтроль".

Наши цены ниже, чем в других местах, потому что мы работаем напрямую с поставщиками документов.

Способы доставки

  • Срочная курьерская доставка (1-3 дня)
  • Курьерская доставка (7 дней)
  • Самовывоз из московского офиса
  • Почта РФ

Устанавливает термины и определения понятий в области полупроводниковых детекторов ионизирующих излучений.

Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу действия стандартизации или использующих результаты этой деятельности

Показать даты введения Admin

Страница 1

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ДЕТЕКТОРЫ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

ТЕРМИНЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ

ГОСТ 18177-81

Издание официальное

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ Москва

Страница 2

Ф. АТОМНАЯ ТЕХНИКА

Группа ФОО

к ГОСТ 18177-81 Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые. Термины и определения

В какой и ост*

HiAMtrtao

Должно выть

Таблица. Графа «Термин».

Courrant

Courant

Пункт 36. Эквивалент на

>рзнцузском языке

Алфавитный указатель

Halbleiterdelcdor

Halbleiterdeteklor

ермниов на немецком язы-

е. Для термина 17

для термина 30

eines

einem

Алфавитный указатель

Analouguc

Analogue

'ерминов на английском

«зыке. Для термина 5

Алфавитный указатель

d’ebscurite

d’obscunlfc

терминов на французском

j-emi-xorxludeur

semi-conducteur

языке. Для термина 36

Приложение. Таблкпа.

(45 еКл/кэВ)

(45 аКл/кэВ)

.'рафа «Определение», для

гёрмина 10

(ИУС * 6 1983 г)

Страница 3

УДИ 001.4:S39.1.07.iS:006.3S4    Группа    ФОО

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ГОСТ

18177-81

ДЕТЕКТОРЫ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Термины и определения

Semiconductor detectors of ionizing radiation. Terms and definitions

Взамен ГОСТ 18177-72

Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 30 сентябре 1981 г. MS 44J5 срок введения установлен

С 01.01. 1983 г.

Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве основные понятия полупроводниковых детектором ионизирующих излучений.

Термины, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе.

Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов—синонимов стандартизованного термина запрещается.

Для отдельных стандартизованных терминов в стандарте приведены в качестве справочных их краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различною толкования. Установленные определения можно, при необходимости, изменять по форме изложения, не допуская нарушения границ понятий.

В стандарте в качестве справочных приведены иностранные эквиваленты стандартизованных терминов на немецком (/)), английском (/:) и французском (F) языках.

В стандарте приведены алфавитные указатели содержащихся в нем терминов на русском языке и их иностранных эквивалентов.

В стандарте имеется справочное приложение, содержащее общие понятия, используемые в полупроводниковых детекторах ионизирующих излучений.

Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма — светлым.

Издание официальное

■А-

Перепечатка воспрещена

£■ Издательство стандартов, 1982 г.


Страница 4

Стр. 2 ГОСТ 18177-81

Определение

ВИДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДЕТЕКТОРОВ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ

Термин


1.    Полупроводниковый детектор ионизирующею и мучен ни

ППД

D.    llalbleiterdetextor

E.    Semiconductor detector

F.    Dftectc'ir scrm-coi)di»c2eur

2.    Импульсный полупроводнико-пый детектор ионизирующего излучения

Импульсный ППД Г). Impulshaibfeitcrdclcfclor I; Pulse semiconductor detector t;. Dctecteur scmi-conducteur a impulsions

3.    Пропорциональный импульсный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения

Пропорциональный импульсный ППД

D.    Lincnrer Impulshalblcitrrde-tc-ktor

R. Linear pulse semiconductor detector

I7. Detecteur semi-condurteur & impulsions. IlnSaire

4    Непропорциональный импульсный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения

Непропорциональный импульсный ППД

Г). Nichtljnearer Imputshalblel-terdetefctor

E.    Nori-lir.e:ir pulse semiconductor detector

(•'. Dclcdcur semi-conductcur it Impulsions. non lindaire

5    Аналоговый полупроводнике-ьый детектор ионизирующего hj-лучеиия

Диалоговый ППД D. Analoper HalblciierdelcMor В. Analogue semiconductor de-tcctor

F.    Detecteur scmi-conducteur analogue

По ГОСТ 14105-76

Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, у которого выходным сигналом является совокупность злектричесхнх нж.ульсов. причем каждой ионизирующей частице, проазаимодсксгповгвшсй с материалом чувствительной области детектора, соответствует одни импульс выходного сигнала

Импульсный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, я котором амплитуда импульса выходного сигнала пропорциональна энергии ионизирующей частицы. поглощенной в его чувствительной области

Импульсный иолулроводникоБыЛ детектор ионизируютс-го излучения, в котором амплитуда импульса выходного сигнала непропорционально энергии ионизирующей чле-тицы, поглощенной в его чувствительной области

Полупроводниковый детектор ионизирую щего излучении, у которого выходным сигналом является электрический ток или заряд, причем указанные физические величины являются монотонной непрерывной функцией характеристик поля ионизирующего излучения, в котором находится детектор


Страница 5

ГОСТ 18177-81 Сrp. 3

Осфелллепо

Термин

G. Токовый полупроводниковый детектор монтирующего юдуче ння

Токовый ППД

D S!rom-Hall>leiler<ictekIor

E.    Current semiconductor (icteC-

lOI

F.    Detect cur sc.nJ-eonducteur a ronrant

7 Спектрометрический полу про водниковмй детектор ионизирую utero излучения

Спектрометрический ППД

6 Счетный полупроводниковый детектор ионизирующего мм учения

Счетный ППД

<> Временной полупроводниковый детектор ионизирующего из лучения

Временной ППД

10 Пролетный лллуироволии ковый детектор ионизирующего излучения

Пролетный ППД

D. Durchschuss-HalbleiterdetefclOr

Е Transmission semiconductor

'.letecfor

F. Dt'lrctrur semi-conducteur !> icmsmission

11.    Позиционный тимупроводин ковый детектор ионизирующего излучения

Позиционный ППД

12.    Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения с р—п структурой

ППД с р—п Струи турой

13.    Полупроводниковый детек тор ионизирующего излучения с p—i—r. структурой

ППД с р -I— п структурой

Аналоговый полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, примеряемый при измерении или регистрации физпкекон величины, характеризующей плотность iu>-тока или перенос эиергнп ноинзнрующг^ и I лучения

Пролчрцнииольный импульсный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения. ’применяемый при измерении терши ионизирующих частиц или лкргетпче-ского распределения ионизирующего излучении

Импульсный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, применяемый при измерении потока, плотности потока илн переноса ионизирующих частиц, мощности чкепозкшкмии; й дозы или деспозиии* oiniofl дозы фотонного излучения Полулроподпихмый детектор ионизирующего излучения, применяемый при определении моментов пзанмодеЛгтиия ионизирующих частиц с веществом чувствительной области детектора Импульсный ПОЛуир!>1!ОДНИКОВЫЙ детектор ионизирующего излучения, применяемый при измерении удельных потерь эпер гил заряженных члетгш п веществе чувствительной области детектора

Импульсный полупроводниковый детектор ионизирующего излучении, применяемый при определение координат места регистрации заряженной частицы и чупстьигель-ной области детектора Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, чувствительной областью «дорого является обедненный слой р—п перехода

Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, чувствительной областью которого является i-область p-i--n структуры



Страница 7

ГОСТ «8177-81 Стр. 5

21 Диффузионно-дрейфовый полупроводниковый детектор моим* зирующего излучения

Термин

Определенно


Днффузионяо-дрейфоеый

пил

22. Радиационный лолупроводни-ковый детектор ионизирующего излучения

Радиационный ППД

23 Планарный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения

Планарный ППД

24.    Коаксиальный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения

Коаксиальный ППД

25.    Составной полупроводниковый детектор ионизирующего из-лучения

Составной ППД

20 Мозаичный полупроводниковый детектор ионизирующего из-лучения

Мозаичный ППД

2? Монолитный полупроводниковый детектор ионизирующего излучении

Монолитный ППД

28. Конверторный полу-провод ifexosu# детектор ионизирующего излучения

Конверторный ППД

Примечание. Дрейфовый полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, я котором происходит дрейф ионов лития, называется лвтий-дрейфо-

BUM

Дрейфовый полупроводниковый детектор ионизирующего излучения. в полупроводниковый материал которого легирующая примесь введена в результате диффузия

Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, чувствительная область которого создается и результате технологической обработки полупроводникового материала ионизирующих излучением

Полупроводниковый детектор ионизирующего излу чения, чувствительная область которого представляет собой слой, ограниченный параллельными плоскостями Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, чувствительная область которого расположена вокруг его центральной оси

Полупроводниковый детектор ионизирую-сдего нзлучення. з котором в единую конструкцию объединены несколько полупроводниковых детекторов ионизирующею излучения

Составной полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, чувствительная область которого составлена из чувствительных областей отдельных полупроводниковых детекторов ионизирующего излучения

Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, конструктивно технологическое исполнение которою обеспечивает отсутствие внутренних пустот Полунроводинковий детектор ионизирующего излучения, конструктивные элементы которого содержат вешоетяа. преобразующие пе.рпичнос излучение гак. что регистрация этого излучения проводится с большей >ффекгшя1 остью


ОСНОВНЫЕ КОНСТРУКТИВНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДЕТЕКТОРОВ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЯ

29. Чувствительная область полупроводникового детектора ионизирующего «мучения

Чузствтгтельная область ППД

Часть объема полупроводникового детектора ионизирующего излучения, в пределах которой взаимодействие ионизирующего излучения с полупроводниковым материалом


Страница 8

Стр. 6 ГОСТ 18177-81

Определении

D Empfindliches Volumen cincs Malble’terdctektors

Термин

приводит к возникновению сигналов на сигнальных выводах детектора.

Примечание. Для конверторного полупроводникового детектора ионизирующего излучения данное определение откосится ко вторичному ионизирующему излучению

Часть полупроводникового детектора ионизирующего излучения, расположенная между наружной поверхностью и чувствительной областью детектора, а пределах которой взаимодействие ионизирующего излучения с веществом не приводит к возникновению сигналов на остальных выводах детектора

П. Sensitive volume of a semiconductor delector

P. Volume utile d'un dctccteur *enii-conducteur

30. Мертвый слой полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Мертвый слой ППД

D.    Verarmungschicht in einem Haiblciterdctcclor

E.    Dead layer of a semi-conduc-lor detector

P. Zone morte d'un detecteur semi.conducteur

31. Входное окно полупроводниковою детектора непосредственно ионизирующею излучения Входное окно ППД

Часть наружной поверхности полупроводникового детектора ионизирующего излучения, через которую регистрируемое непосредственно ионизирующее излучение попадает в чувствительную область детектора

D Pcnstcr cincr HalbloitcrdcteV-tors

С. Window of a semiconductor detector

F.    Fenctrc it'wi detecteur semi condncteur

ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДЕТЕКТОРОВ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ

3» Диапазон рабочих напряжений полупроводникового детектора ионизирующею излучения

Диапазон рабочих напряжений ППД

33.    Максимально допустимое напряжение полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Максимально допустимое напряжение ППД

34.    Оптимальное напряжение спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Оптимальное напряжение спектрометрического ППД 35 Емкость полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Емкость ППД

Диапазон электрических напряжений, приложенных к сигнальным яц|»гмм полупроводникового детектора Ионизирующего излучения, в котором один или несколько параиегров детектора находятся п .плавных пределах Наибольшее значение электрического напряжения, приложенного к сигнальным выводам полупроводникового детектора ионизирующего излучения, после воздействия которого еще не имеют места необратимые изменения параметров дегекгора Электрическое напряжение, приложенное к выводам полупроводникового детектора ионизирующего излучения, при котором достигается наименьшее значение энергетического разрешения детектора

Электрическая емкость полупроводникового детектора ионизирующего излучения, измеренная между сигнальными выводами детектора


Страница 9

ГОСТ 1*177—*1 Стр. 7

Определите

Электрический ток, протекающий через сигнальные выводы полупроводникового детектора ионизирующего излучения при отсутствии падающего на детектор ионизирующего излучения и при отсутствии проникновения света » чувствительную область детектора

Тернии

36.    Тсмновой ток полупроводни кового детектора ионизирующего излучения

Тсмновой ток ППД

D.    Dunketstrom cines Halbieiter-deteiclors

E.    Dark current ot a semi-conductor detector

F.    Courrant <Tobscurit6 d’un d6-tcctcur semi-conducteur

37.    Шум полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Шум ППД

Среднее квадратическое значение флуктуации электрического заряда, возникающего ка сигнальных выводах полупроводникового детектора ионизирующего излучения при отсутствии падающего на детектор ионизирующего излучения и при отсутствии проникновения света в чувствительную область детектора Шум полупроводникового де/ехтора ионизирующего излучении, выраженный в энергетических единицах, то ссп> умноженный на 2 3S5 и деленный на коэффициент преобразования материала детектора Усредненное во времени число импульсов Ив сигнальных выводах полупроводникового детектора ионизирующего излучения, имеющих амплитуду больше заданного значения и не связанных с регистрацией внешних ионизирующих излучений

38. Энергетический эквивалент шума полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Энергетический    »к о и валент

шума ППД

39. Средня» частота следования фоновых импульсов полупроводникового детектора ионизирующего имучепия

Средняя частота следования фоновых импульсов ППД

ОСНОВНЫЕ РАДИОМЕТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДЕТЕКТОРА ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ

40.    Нукстемгс-плютъ полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Чувсгвнтсльнссть ППД D. Erupfindlichkcit elnes Halblei-lerdelekiors E Sensitivity of a semi-conductor detector F. Sensibililtc d'un dctoctcur semi-conducteur

41.    Дискретная чувствительность полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Дискрета я чувствительность ППД

Отношение изменения информативного параметра выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения к изменению физической величины, характеризующей источники или поле ионизирующего излучения при определенной ориентации детектора в это поле

Чувствительность полупроводникового детектора ионизирующего излучения, у которого информативным параметром выходного сигнала является число импульсов, имеющих амплитуду больше определенного значения, а физической величиной, характеризующей источники или поде ионизирующего излучения, является перенос частиц или экспозиционная доза фотонного излучения за время набора указанных импульсов



Страница 10

Стр- 8 ГОСТ 18177-81

42. Аналогии ля чувствительность полупроводникового детектора ио-визирующего излучения

Терния

Оаределемне


Диалоговая чувствительность ППД

43. Чувствительность спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Чувствительность спектрометрического ППД

44.    Абсолютная эффективность спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Абсолютная эффектпзность спектрометрического ППД D Tolalabsorplion.s-Nachu'ci-swahrscheinlichfeelt К. Total absorption detection ct-fiency

F. Rendement d'absorption tota-ie de detection

45.    Энергетическое разрешение спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения на лолувысоте распределения

ПШПВ ППД

D. Jblbvcrtbrcite cines Haiblei-icrdetekiors

1. Full width al hall maximum (FWHM) of a semi-conductor detector

F. Largeur й mii-hautciir (LMH) d'un dctccteur semi-conducteur

46.    Энергетическое разрешение спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения на одной десятой высоты распределения

П1НДВ ППД

Чувствительность полуприиодннАозого детектора ионизирующего излучения, у которого информативным параметром выходного сигнала является электрический к* или заряд, а физической величиной, характеризующей источники или поле ионизирующего излучения, является физическая величина. характеризующая плотность потока и.«и перенос анергии

Чувствительность полупроводникового детектора, у которого информативным параметром выходного сигнала является число импульсов в нике полного поглощения, я физической величиной, характеризующей источники или иоле ионизирующего излучения, ивляегси перенос ионизирующих частил данной энергии у* время набора указанных импульсов Отношение числа импульсов, возникающих на сигнальных выводах полупроводникового детектора ионизирующего излучения в пике полного поглощения, за вычетом фоноэых импульсов, к количеству ионизирующих частиц, испускаемых точечным источником, установленным па определенном расстоянии от детектора, и угле 4л

Выраженная в энергетических единицах ширина распределения амплитуд импульсов выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения. измеренная иа лолувысоте этого распределения. соответствующего полному поглощению регистрируемого моноччергети-ческого излучения в" чувствительной пб.п-стн детектора

Выраженная п энергетических единицах ширина распределения амплитуд импульсов выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучении, измеренная на одной десятой высоты этого распределения. соответствующего полному поглощению регистрируемого моноэнергетичссхо-го излучения в чувствительной области детектора


Заменяет ГОСТ 18177-72