Товары в корзине: 0 шт Оформить заказ
Стр. 1
 

22 страницы

396.00 ₽

Купить ГОСТ 18177-81 — официальный бумажный документ с голограммой и синими печатями. подробнее

Официально распространяем нормативную документацию с 1999 года. Пробиваем чеки, платим налоги, принимаем к оплате все законные формы платежей без дополнительных процентов. Наши клиенты защищены Законом. ООО "ЦНТИ Нормоконтроль".

Наши цены ниже, чем в других местах, потому что мы работаем напрямую с поставщиками документов.

Способы доставки

  • Срочная курьерская доставка (1-3 дня)
  • Курьерская доставка (7 дней)
  • Самовывоз из московского офиса
  • Почта РФ

Устанавливает термины и определения понятий в области полупроводниковых детекторов ионизирующих излучений.

Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу действия стандартизации или использующих результаты этой деятельности

  Скачать PDF

Заменяет ГОСТ 18177-72

Оглавление

Виды полупроводниковых детекторов ионизирующих излучений

Основные конструктивные элементы полупроводниковых детекторов ионизирующих излучений

Основные электрические параметры полупроводниковых детекторов ионизирующего излучения

Основные радиометрические параметры полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Алфавитный указатель терминов на русском языке

Алфавитный указатель терминов на немецком языке

Алфавитный указатель терминов на английском языке

Алфавитный указатель терминов на французском языке

Приложение Общие понятия, используемые в области полупроводниковых детекторов ионизирующих излучений

Показать даты введения Admin

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ДЕТЕКТОРЫ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

ТЕРМИНЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ

ГОСТ 18177-81

Издание официальное

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ Моски

Ф. АТОМНАЯ ТЕХНИКА Группа Ф00

к ГОСТ 18177-81 Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые. Термины и определения

В каком месте

Напечатано

Должно быть

Таблица. Графа «Термин». Пункт 36. Эквивалент на французском языке

Courrant

Courant

Алфавитный указатель ерминов на немецком язы-е. Для термина 17

Halbleiterdetector

Halbleiterdetektor

для термина 30

ernes

einem

Алфавитный указатель ерминов на английском *зыке. Для термина 5

Analougue

Analogue

Алфавитный указатель

d’ebscurite

d’obscurite

терминов на французском языке. Для термина 36

semi-son ducteur

ssmi-conducteur

Приложение. Таблица. Графа «Определение», для

термина 10

(45 еКл/кэВ)

(45 аКл/кэВ)

(ИУС № 6 1983 г.)

Определение

Термин

\7 Относительное энергетическое разрешение спектрометрического полупроводникового детектора ио визирующего излучения

Относительное энергетическое разрешение спсктрометричсско го ППД

48 Отношение пик-комптон спектрометрического полупровод никового детектора фотонного из лучения

Отношение пик комптон ППД

ОIношение энергетического разре гения спектрометрического по iy проводит лого детектора ионизирующею излучения i х по лувысоге распределения к значению мер гии, соответствующсмх максимуму пик i распределения амп гит уд выходного сш ia п детектора, по которому опреде юно э о oj ношение

49 Временное разрешение полупроводникового детектора ионизи рующего излучения

Временное разрешение ППД

Отношение числа отсчетов в м эке иму \ е пика потного noi ющения распредс тения амплитуд импульсов выходною сип га по лупроводникового детектора ионнзирмоще го излучения к усредненному числу гече тов, соответствующих плато компгоновско го распределения данной энергии

50    Время нарастания импульса наряда или напряжения выходному сигнала полупроводникового де текгора ионизирующего излучения

Время нарастания импульса заряда или напряжения выход ного сигнала ППД D Anstiegzeit ernes Halbluter detektors E Rise time of a semi conductor detector

Г Temps de montce d un de ♦ecteur semi conducteur

51    Радиационная помехоустойчивость полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Радиационная помсхоустои чивоегь ППД

D Selektivitat етск ТIalblejtcг deiektoi s b Selectivity of a semi conductor detector

Г Selectivite d un detecteur se mi conducteur

52 Энергетический эквивалент толщины мертвого слоя полупро водникового детектора ионизи рующего излучения

Энергетический эквивалент толщины мертвою слоя ППД

Ширина распределения интервалов чре меии от момента попадания ионизирующей частоты в чувствительную область полу проводникового детектора ионизирхкжюго излучения до момента, когда а ш ппутг импульса выходного сигнала детектор i \ос тигает заданного значения, измерены гя на полувысотс этого расиредетения

Интерват времени, в течение которого импульс заряда или напряжения выходного сигнала полупроводникового детектора ио низирующего излучения изменяется от 1С до 90% о г его максимального зна гения

О ношение эффективное in или чувсгвп г с ты гости полупроводникового ТС ГСКТОр 1 при регистрации иошг шрующего ТЬ юния для определения характеристик которого он предназначен, к эффективности ши чув ствителыюсти теток оря при per к гр т ни сопутствующего и тучення

Потери эн ерши ионизирующего ют те иия определенного шпа и лтергин в мер г вом слое полупроводниковою детектора при

нормальном падении ионизирующего налу чения на входное окно детектора

Определение

Термин

53 Эффективность собирания заряда полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Эффективность собирания за-ряда ППД

Отношение заряда, возникающего на сигнальных выводах полупроводникового детек юра к заряду, создаваемому ионизирующей частицей в чувствительной области детектора

Примечание. Термин не распространяется на усиливающие полупроводниковые детекторы ионизирующего излучения

АЛФАВИТНЫЙ указатель терминов на русском языке

Время нарастания импульса заряда или напряжения выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения    50

Время нарастания импульса заряда или напряжения выходного сигнала ППД    *    50

Детектор ионизирующего    излучения полупроводниковый    1

Детектор ионизирующего    излучения полупроводниковый аналоговый    5

Детектор ионизирующего    излучения полупроводниковый временной    9

Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый    диффузионный    19

Детектор ионизирующего    излучения полупроводниковый дрейфовый    20

Детектор ионизирующего    излучения полупроводниковый диффузионно-

дрейфовый    21

Детектор нонизируюшего излучения полупроводниковый из особо чистою юрмания    18

Детектор    ионизирующего    излучения    полупроводниковый    импульсный 2

Деюктор    ионизирующего    излучения    полупроводниковый    импульсный

непропорциональный    4

Детектор    ионизирующего    излучения    полупроводниковый    импульсный

пропорциональный    3

Дсюктор иопизир-'юшего излучения полупроводниковый ко ксиальный    24

Детектор ионизирующего    излучения полупроводниковый конверторный    28

Детектор ионизирующего    излучения полупроводниковый мозаичный    2G

Детектор ионизирующего    излучения полупроводниковый монолитный    27

Детектор ионизирующего    излучения полупроводниковый однородный    15

Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый планарный    23

Детектор    ионизирующего    излучения    полупроводниковый    поверхнос г-

но-барьерный    14

Детектор ионизирующею излучения полупроводниковый    позиционный    11

Детектор ионизирующею излучения полупроводниковый пролетный    10

Детектор ионизирующею излучения полупроводниковый радиационный    22

Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый составной    25

Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый с р—п структурой    12

Детектор    ионизирующего    излучения    полупроводниковый    с p—i—п

структурой    13

Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый спектрометрический    7

Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый с поверхностным барьером    16

Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый счетный    8

Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый токовый    6

ГОСТ 18177-81 Стр. 11

Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый усиливающий 17 Диапазон рабочих напряжений полупроводникового детектора ионизирующего излучения    32

Диапазон рабочих напряжений ПГ1Д    32

Емкость полупроводникового детектора ионизирующего излучения    35

Емкость ППД    35

Напряжение полупроводникового детектора ионизирующего излучения максимально допустимое    33

Напряжение ППД максимально допустимое    33

Напряжение спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения оптимальное    34

Напряжение спектрометрического ППД ошимальнос    34

Область полупроводникового детектора ионизирующего излучения чувствительная    29

Область ППД чувствительная    29

Окно полупроводникового детектора непосредственно ионизирующего излучения входное    3i

Окно ППД входное    31

Отношение пик-комптон спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения    48

Отношение пик-комптон ППД    48

Помехоустойчивость полупроводниковою детектора ионизирующего излучения радиационная    51

Помехоустойчивость ППД радии спои па я    51

ППД

ППД аналоговый    о

ППД временной    9

ППД диффузионный    19

ППД диффузионно-дрейфовый    21

ППД дрейфовый    20

ППД ОЧГ    18

ППД импульсный    2

ППД импульсный непропорциональный    4

ППД импульсный пропорцп-на.лпнлп    3

ППД коаксиальный    24

ППД конверторный    28

ППД мозаичный    26

ППД монолитный    27

ГШД одI [ородный    15

ППД ОЧГ    18

ППД планарный    23

ППД поверх ностно-барьсрн и й    14

ППД позиционный    И

ППД пролетный    10

ППД радиационный    22

ППД составной    25

ППД с р—п структурой    12

ППД с р—i~~n структурой    13

ППД спектрометрический    7

ППД с поверхностным барьером    16

ППД счетный    Ь

ППД токовый    6

ППД усиливающий    17

ПШДВ ППД    46

ПШГ1В ППД    45

Разрешение полупроводникового детектора ионизирующего излучения временное    49

Стр. 12 ГОСТ 18177-81

Разрешение ППД временное    49

Разрешение спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения энергетическое на одной десятой высоты распределения    46

Разрешение спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения энергетическое на полувысоте распределения    45

Разрешение спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения энергетическое относительное    47

Разрешение спсторометричсского ППД энергетическое относительное    47

Слой полупроводникового детектора ионизирующего излучения мертвый    30

Слой ППД мертвый    30

Ток полупроводникового детектора ионизирующего излучения темновой 36 Ток ППД темновой    36

Частота следования фоновых импульсов полупроводникового детектора ионизирующего излучения средняя    39

Частота следования фоновых импульсов ППД средняя    39

Чувствительность    полупроводникового    детектора    ионизирующего    излучения    40

Чувствительность ППД    40

Чувствительность    полупроводникового    детектора    ионизирующего    излучения аналоговая    42

Чувствительность ППД аналоговая    42

Чувствительность    полупроводникового    детектора    ионизирующего    излучения дискретная    41

Чувствительность ППД дискретная    41

Чувствительность спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения    43

Чувствительность cfcki рометрического ППД    43

Шум полупроводникового детектора ионизирующего излучения    37

Шум ППД    37

Эквивалент толщины мертвого слоя    полупроводникового детектора

ионизирующего излучения энергетический    52

Эквивалент толщины мертвого слоя ППД энергетический    52

Эквивалент шума полупроводникового детектора ионизирующего излучения эпер! етический    38

Эквивалент шума ППД энергетический    38

Эффективность собирания заряда полупроводникового детектора ионизирующего излучения    53

Эффективность собирания заряда ППД    53

Эффективность спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения абсолютная    44

Эффективность спекipoMC'iричсского ППД абсолютная    4л

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА НЕМЕЦКОМ ЯЗЫКЕ

Analogcr IInlbleiterdetektor    5

Anstieg/eit cilies Ilalbleiterdeteklors    50

Dnnkelslrom eincs Halbleiterdetcklor^    36

Durchscliuss-I lalblcitcrdetekior    10

Fmpfindlichkeit eincs Halblcilerdetektors    40

limp f in cl liches Volumen eincs 11 a Ibleitcr detekto rs    29

Fenster ciner Halblcitcrdetektors    31

Ilalbleiterdetektor    1

Halbleiterdetektor mit diffundicrlcr Sperrschichi    19

Ilalblcitcrdelector mil innerer Versiarkung    17

ГОСТ 18177-81 Стр. 13

Halbwertbreite eines Halbleiterdetektors    45

Impulshalbleiterdetektor    2

Linearer Impulshalbleiterdetektor    3

Nichtlinearer Impulshalbleiterdetektor    4

Oberflachensperrschichtdetektor    14

Selektivitat eines Halbleiterdetektors    51

Strom-Halbleiterdetektor    6

Totalabsorptions-Nachweiswahrscheinlichkeit    44

Verarmungschicht in eines Halbleiterdetektor    30

17

5

6

36

30 19 45

3

1

2

50

51 1

29

40

14

10

44

31

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ

Amplifying semiconductor detector Analougue semiconductor detector Current semiconductor detector Dark current of a semiconductor detector Dead layer of a semiconductor detector Diffused junction semiconductor detector

Full width at half maximum (FWHM) of a semiconductor detector

Linear pulse semiconductor detector

Non-linear pulse semiconductor detector

Pulse semiconductor detector

Rise time of a semiconductor detector

Selectivity of a semiconductor detector

Semiconductor detector

Sensitive volume of a semiconductor detector Sensitivity of a semiconductor detector Surface-barrier semiconductor detector Transmission semiconductor detector Total absorption detection effiency Window of a semiconductor detector

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫКЕ

Courrant d’ebscurite d’un detecteur semi-son ducteur    3G

Detecteur semi-conducteur    1

Detecteur semi-conducteur    a    amplification interne    17

Detecteur semixonducteur    a    barriere de surface    14

Detecteur semi-conducteur    a    courant    6

Detecteur semi-conducteur    a    impulsions    2

Detecteur semi-conducteur    a    impulsions, lineaire    3

Detecteur semi-conducteur    a    impulsions, non lineaire    4

Detecteur semi-conducteur    a    jonction diffusee    19

Detecteur semi-conducteur    analogique    5

Detecteur semi-conducteur    a    transmission    10

Fenetre d’un detecteur semi-conducteur    31

Largeur a mit-hauteur (LMN) d’un detecteur semi-conducteur    45

Rendement d’absorption totale de detection    44

Selectivite d’un detecteur semi-conducteur    51

Sensibilitte d’un detecteur semi-conducteur    40

Temps de montee d’un detecteur semi-conducteur    50

Volume utile d’un detecteur semi-conducteur    29

Zone morte d’un detecteur semi-conducteur    30

Стр. 14 ГОСТ 18177-81

ПРИЛОЖЕНИЕ

Справочное

Термин

ОБЩИЕ ПОНЯТИЯ, ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ В ОБЛАСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДЕТЕКТОРОВ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИИ

1    Контрольный параметр полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Контрольный параметр ППД

2    Справочный параметр полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Справочный параметр ППД

Определение

3    Радиометрический параметр полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Радиометрический параметр ППД

4    Электрический параметр полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Электрический параметр ППД

5    Номинальная характеристика преобразования полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Номинальная характеристика преобразования ППД

6    Спектральная характеристика полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Спектральная характеристика ППД

7    Радиационная стойкость полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Радиационная стойкость ППД

Параметр полупроводникового детектора ионизирующего излучения, необходимый и достаточный для достоверного контроля качества изготовления детектора Параметр полупроводникового детектора ионизирующего излучения, необходимый потребителю для расчетов электронной ре-1истрирующей аппаратуры, который приводится в технических условиях, обеспечивается конструкцией и технологией изготовления детектора и гарантируется изготовителем на основании измерений или расчетов

Параметр полупроводникового детектора ионизирующего излучения, прямое измерение которого производится в поле ионизирующего излучения

Параметр полупроводникового детектора ионизирующего излучения, прямое измерение которого производится в отсутствии поля ионизирующего излучения

Номинально приписываемая полупроводниковому детектору ионизирующего излучения зависимость информативного параметра его выходного сигнала от значения физической величины, характеризующей источники или поле ионизирующих излучений, в котором находится детектор Зависимость чувствительности полупроводникового детектора ионизирующего излучения от энергии ионизирующих частиц падающего на детектор моноэнергетическо-го излучения Свойство полупроводникового детектора ионизирующего излучения сохранять свои параметры в пределах установленных норм после воздействия ионизирующего излучения, для регистрации которого детектор не предназначен

Определение

Термин

8. Предельно допустимое облучение полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Предельно допустимое облучение ППД

9    Сигнальный вывод полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Сигнальный вывод ППД

10    Коэффициент преобразования материала полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Коэффициент преобразования материала ППД

Максимальная плотность потока ионизирующих частиц или мощность экспозиционной дозы фотонного излучения, при которых параметры полупроводникового детектора ионизирующего излучения сохраняются в пределах, установленных в технической документации на конкретный тип детектора

Вывод полупроводникового де1сктора ионизирующего излучения, электрически связанный с его чувствительной областью

Примечание Для германия коэффициент преобразования принят равным 0,37 Кл/Дж (59 аКл/кэВ), для кремния — 0,22 Кл/Дж (45 еКл/кэВ)


Физическая постоянная, численно равная отношению заряда, создаваемого в определенном объеме полупроводникового материала полупроводнико; ого детектора ионизирующего излучения ионизирующей частицей, к энергии, теряемой частицей в этом объеме

Ф. АТОМНАЯ ТЕХНИКА Группа ФОО

Изменение № 1 ГОСТ 18177-81 Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые. Термины и определения

Утверждено и введено в действие Постановлением Государственного комитета ГГСР по стандартам от 06.07.87 № 3036

Дата введения 01.01.88

Под наименованием стандарта проставить код: ОКСТУ 4364.

Вводную часть изложить в новой редакции: «Настоящий стандарт устанав-лиьает термины и определения понятий в области полупроводниковых детекторе* ионизирующих излучений.

Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу действия сган-дагтизации или использующих результаты этой деятельности.

1.    Стандартизованные термины с определениями приведены в табл. 1.

2.    Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.

Применение терминов-синонимов стандартизованного термина не допуска-

{Г Ч f * п

2.1. Для отдельных стандартизованных терминов в табл. I приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования.

2 2. Приведенные определения можно при необходимости изменять, вводя в нь производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем определяемого понятия. Изменения не должны крушить объем и содержание понятий, определенных в данном стандарте.

2 3. В табл. 1 в качестве справочных приведены иноязычные эквиваленты для рь-в стандартизованных терминов на немецком (D), английском (Е) и француз-ск' ч! (F) языках.

3.    Алфавитные указатели содержащихся в стандарте терминов на русском л 1ке и их иноязычных эквивалентов приведены в табл. 2—5.

4.    Термины и определения общих понятий, используемых в области полупро-ь щшковых детекторов ионизирующих излучений приведены в справочном прием опии.

5.    Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая ф( т ма — светлым, а недопустимые синонимы курсивом.

Таблицу дополнить номером — I

(Продолжение см. с. 410)

409

(Продолжение изменения к ГОСТ 18177-81)

Таблица 1 Иноязычные эквиваленты для пи. 30, 36, 45 и 50 изложить в повой редакции

«30. D Unempfindliche Schicht eines Halbleiterdetektors

E Total detector dead layer of a semiconductor detector F Zone morte totale d’un detecteur semi-conducteur 36 E Leakage current of a semiconductor detector F Courant de fuite d un detecteur semi conductcur 45 E Energy resolution (FWHM) of a semiconductor detector F Resolution cn energie (LMH) d’un detecteur semi conductcur 50 E Semiconductor detector electrical use time

F Tempo de montce electrique d4in detecteur semi conducteur»

Графа «Определение» Дтя термина 44 заменить слово «котичесгву» на «числу»,

Iермин

дополнить терминами — 28а, 54

28а Запоминающий полупроводниковый детектор ионизирующего излучения

Запоминающий ППд

Опреде кние

54 Дискретная эффективность полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Дискретная эффективность ППд

Полупроводниковый детектор ионизирующею излучения, информационным параметром которого является долговременное из* менение одной из характеристик, возникающее вследствие взаимодействия ионизирх* ющего излучения с полупроводниковым материалом детектора Выраженное в процентах отношение числа импульсов, возникающих на сигначыгых выводах полупроводникового детектора ионизирующего излучения, к числу ионизирующих частиц, упавших на определенную поверхность внешнего контура детектора

Алфавитный указатеть терминов па риском языке оформить тзбпицей 2 и дополнить терминами в алфавитном порядке

(Продолжение с ч с 411)

410

(Продолжение изменения к ГОСТ 18177—81)

Термин

Номер

термина

Детектор ионизирующего излучения полупроводниковый запоминающий

ПП г запоминающий

Эффективность полупроводникового детектора ионизирующего

28а

28а

«излучения дискретная

Эффективность ППд дискретная

54

54

\лфавитный указатель терминов на немецком языке оформить таблицей 3, термин 30 изложить в новой редакции

Термин

Номер

термина

Ununpfindliche Schicht eines Halblutcrdckktors

30

Алфавитный указатель терминов на английском языке оформить таблицей 4, термины 30, 36, 45, 50 изложить в новой редакции

Т ерчнн

Номер

термина

Energy resolution (FWHM) of a semiconductor detector Leakage current of a semiconductor detector Semiconductor detector electrical rise time Total detector dead layer of a semiconductor dettclor

45

36

50

30

(Продолжение см. с. 412)

УДК 001.4:539.1.07.55:006.354    Группа    Ф00

ГОСТ

18177-81

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ДЕТЕКТОРЫ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Термины и определения

Взамен ГОСТ 18177-72

Semiconductor detectors of ionizing radiation Terms and definitions

с 01.01. 1983 г.

Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 30 сентября 1981 г. № 4455 срок введения установлен

Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве основные понятия полупроводниковых детекторов ионизирующих излучений.

Термины, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе.

Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов—синонимов стандартизованного термина запрещается.

Для отдельных стандартизованных терминов в стандарте приведены в качестве справочных их краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования. Установленные определения можно, при необходимости, изменять по форме изложения, не допуская нарушения границ понятий.

В стандарте в качестве справочных приведены иностранные эквиваленты стандартизованных терминов на немецком (D), английском (Е) и французском (F) языках.

В стандарте приведены алфавитные указатели содержащихся в нем терминов на русском языке и их иностранных эквивалентов.

В стандарте имеется справочное приложение, содержащее общие понятия, используемые в полупроводниковых детекторах ионизирующих излучений.

Издание официальное

Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма — светлым.

Перепечатка воспрещена © Издательство стандартов, 1982 г.

(Продолжение изменения к ГОСТ 18177-81}

Алфавитный указатель терминов на французском языке оформить табли^ цей 5,

термины 30, 36, 45, 50 изложить в повой редакции

) ермип

Н омер термина

Courant de fultc d’un detectcur semi (.ondue^eur Resolution en energie (LMH) d’un dctcctcur semi conductcur Tempo de montce electriquc d’un detectcur semi conducteur Zone morte totale d’un detectcur semi conducteur

Справочное приложение Графа «Определение» Термин 10 Пр менить единицу еКл/кэВ на аКл/кэВ, дополнить терминами — И, 12.

36

45

50

30

>имечание За-

Термин

Определение

11 Длительность фронта нарастания сигнала детектора

12 Радиационный ресурс

Интервал времени, в течение которого импульс заряда (напряжения) на выходных электродах полупроводникового детекто-ра ионизирующего излучения нарастает от нуля до половины своего максимальное значения

Максимальная доза основного ионизирующего излучения, на регистрацию которого рассчитан детектор, после воздействия которого у гамма-процентной доли совокупности детекторов данного типа электрические и радиометрические параметры сохраняются в пределах норм, установленных для минимальной наработки

(ИУС № И 1987 г)

ВИДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДЕТЕКТОРОВ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИИ
1. Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения

ППД

D.    Halbleiterdetektor

E.    Semiconductor detector

Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, у которого выходным сигналом является совокупность электрических импульсов, причем каждой ионизирующей частице, провзаимодействовавшей с материалом чувствительной области детектора, соответствует один импульс выходного сигнала

Импульсный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, в котором амплитуда импульса выходного сигнала пропорциональна энергии ионизирующей частицы, поглощенной в его чувствительной области

F Detecteur semi-conducteur

2    Импульсный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения

Импульсный ППД

D. Impulshaibleiterdetektor

Е Pulse semiconductor detector

F.    Detecteur semi-conducteur a impulsions

3    Пропорциональный импульсный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения

Пропорциональный импульсный ППД

D.    Linearer Impulshaibleiterdetektor

E.    Linear pulse semiconductor detector

Импульсный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, в котором амплитуда импульса выходного сигнала непропорциональна энергии ионизирующей частицы, поглощенной в его чувствительной области

F.    Detecteur semi-conducteur a impulsions, lineaire

4    Непропорциональный импульсный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения

Непропорциональный импульсный ППД

О. Nichtlinearer Impulshaibleiterdetektor

E.    Non-linear pulse semiconductor detector

Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, у которого выходным сигналом является электрический ток или заряд, причем указанные физические величины являются монотонной непрерывной функцией характеристик поля ионизирующего излучения, в котором находится детектор

F.    Detecteur semi-conducteur a impulsions, non lineaire

5    Аналоговый полупроводниковый детектор ионизирующего излучения

Аналоговый ППД

D.    Analoger Halbleiterdetektor

E.    Analogue semiconductor detector

F.    Detecteur semi-conducteur analogique

Аналоговый полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, применяемый при измерении тли ретстрации физи некой величины, характеризующей плотное!ь потока или перенос анергии ионизирующею излучения

6    Токовый полупроводниковый детектор ионизирующего излуче ния

Токовый ППД D Strom Halbleiterdetektor Е Current semiconductor detec tor

Г Detecteur semi conducteur a com mt

7    Спектрометрический полупроводниковый детектор ионизирую щего излучения

Спектрометрический ППД

8 Счетный полупроводниковый детектор ионизирующего излуче ния

Счетный ППД

Пропорциональный импульсный полупроводниковый детектор ионизирующего из л у чеши, применяемый при и.мерении опер гни ионизирующих частиц или ошргетнче ского распределения ионизирующего из л у ченин

9    Временной полупроводниковым детектор ионизирующего излучения

Временной ППД

10    Пролетный полупроводни ковый детектор ионизирующего из лучения

Пролетный ППД

D Durchschuss-Halbleiterdetektor

Е Transmission semiconductor

detector

F Detecteur semi-conducteur a h ansmission

11    Позиционный полупроводни ковый детектор ионизирующего излучения

Позиционный ППД

12    Полупроводниковый детей тор ионизирующего излучения с р— п структурой

ППД с р—п структурой

13    Полупроводниковый детек тор ионизирующего излучения с р—I—~п структурой

ППД с р i—п структурой

Импульсный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, применяемый при измерении потока, плотности потока или переноса ионизирующих частиц, мощности экспозиционной дозы или жепозици-ониол дозы фотонною излучения По п\ проводниковый детектор ионизирующего излучения, применяемый при определении моментов взаимодействия иогшзи рующих частиц с веществом чувствительной обл 1сги детектора Импульсный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, применяв мый при измерении удельных потерь энер гии заря ленных частиц в веществе чувст витсльной области детектора

Импульсный полуиро! одииковый деюктор ионизирующего из Iучения, применяемый при определении координат места регистрации заряженной частицы в чувствительной области детектора Полупроводниковый детектор ионизирую шею излучения, чувствительном областью которого является обедненный слой р—п пе рехода

Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, чувствительной областью которого пишется i область р—i—п струк туры

14    Поверхностно-барьерный по лупроводниковый детектор ионизирующего излучения

Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, чувствительной областью которого является обедненный слой перехода Шоттки

Поверхностно-барьерный

ППД

D Oberflachensperrschichtdetek-

tor

Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, содержащий омические переходы, чувствительной областью которого является однородный по типу электропроводности полупроводниковый материал Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, содержащий переход Шот-

] MI

Е Surface barrier semi-conductor detector F Detecteur semi-conducteur a barnere de surface

15    Однородный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения

Однородный ППД

16    Полупроводниковый детек тор ионизирующего излучения с поверхностным барьером

Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, в котором происходит размножение зарядов, образованных ионизирующей частицей в чувствительной области детектора

ППД с поверхностным барьс ром

17    Усиливающий полупроводниковый детектор ионизирующего излучения

Усиливающий ППД О Н dblciierdetektor mit mnerer Vcrstarkung F Amplifying semiconductor de-cctor

Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, чувствительная область которого создается из особо чистого германия с концентрацией атомов электрически активных примесей не более 3*1010 см 3 Полупроводниковым детектор ионизирующего излучения, структура которого создается в результате диффузии легирующих примесей в полупроводниковый материал

F Detecteur semi conducteur a imphfication interne

18    Полупроводниковый детек тор ионизирующего излучения из особо чистого германия

ППД 04 г

19    Диффузионный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения

Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, ч^ вствительпая область которого создается в резу 1ьтате дрейфа ионов легирующей примеси в по п\ прово i-ннкозын магериап

Диффузионный ППД D Ilalbleiterdetektor mit diffun-dieiter Sperrschicht E Diffused junction semicondik tor detector Г Dtlecfeur semi conducteur a jonction diffusce

20    Дрейфовый полупроводниковый детектор ионизирующего излучения

Дреи ]ювый ППД

Примечание Дрейфовый полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, в котором происходит дрейф ионов лития, называется литий-дрейфо-вым

21    Диффузионно-дрейфовый полупроводниковый детектор ионизирующего излучения

Диффузионно-дрейфовый

ППД

22    Радиационный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения

Радиационный ППД

23    Планарный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения

Планарный ППД

24    Коаксиальный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения

Коаксиальный ППД

25    Составной полупроводниковый детектор ионизирующего излучения

Составной ППД

26    Мозаичный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения

Мозаичный ППД

Дрейфовый полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, в полупроводниковый материал которого легирующая примесь введена в резулы а ге диффузии

Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, чувствительная область которого создается в резулы ате технологической обработки полупроводникового материала ионизирующим излучением Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, чувствительная область которого представляет собой слой, ограниченный параллельными плоскостями Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, чувствительная область которого расположена вокруг его центральной оси

Полупроводниковый детек юр ионизирующего излучения, в котором в единую конструкцию объединены несколько полупроводниковых детекторов ионизирующего излучения

27    Монолитный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения

Монопитный ППД

28    Конверторный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения

Конверторный ППД

Составной полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, чувствительная область которого составлена из чувствительных областей отдельных полупроводниковых детекторов ионизирующего изучения

Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, конструктивно технологическое исполнение которого обеспечивает отсутствие внутренних пустот Полупроводников ли детектор ионизирующего излучения, консгрз'ктивные элементы которого содержат вещества, преобразующие первичное излучение гак, что регистрация этого излучения проводится с большей эффективностью

29 Чувствительная область полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Чувствительная область ППД

ОСНОВНЫЕ КОНСТРУКТИВНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДЕТЕКТОРОВ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ

Часть объема полупроводникового детектора ионизирующего излучения, в пределах которой взаимодействие ионизирующего излучения с полупроводниковым материалом

D Empfindliches Volumen ernes HMbleiterdetektors

приводит к возникновению сигналов на сигнальных выводах детектора.

Примечание Для конверторного полупроводникового детектора ионизирующего излучения данное определение относится ко вторичному ионизирующему излучению

Часть полупроводникового детектора ионизирующего излучения, расположенная между наружной поверхностью и чувствительной областью детектора, в пределах которой взаимодействие ионизирующего излучения с веществом не приводит к возникновению сигналов на сигнальных выводах детектора

E.    Sensitive volume of a semiconductor detector

F.    Volume utile d’un detecteur senn-conducteur

30 Мертвый слой полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Часть наружной поверхности полупроводникового детектора ионизирующего излучения, через которую peine 1рируемое непосредственно ионизирующее излучение попадает в чувствительную область детектора

Мертвый слой ППД D. Verarmungschicht in einem Halbleiterdetector E Dead layer of a semi-conductor detector F Zone morte d’un detecteur semi-conducteur 31. Входное окно полупроводникового детектора непосредственно ионизирующего излучения Входное окно ППД D Fenster emer Halbleiterdetek-

tors

Е Window of a semi-conductor

detector

F Tenetrc d’un detecteur semi-conducleur

21 Диапазон рабочих напряжений полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Диапазон рабочих напряжений ППД

33 Максимально допустимое напряжение полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Максимально допустимое напряжение ППД

34. Оптимальное напряжение спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Оптимальное напряжение спектрометрического ППД 35 Емкость полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Емкость ППД

ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДЕТЕКТОРОВ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ

Диапазон электрических напряжений, приложенных к сигнальным выводам полупроводникового детектора иони шрующего излучения, в котором один или несколько параметров детектора находятся r заданных пределах Наибольшее значение электрического напряжения, приложенного к сигнальным выводам полупроводникового детекюра ионизирующего излучения, после воздействия которого еще не имеют места необратимые изменения параметров детектора

Электрическое напряжение, приложенное к выводам полупроводникового детектора ионизирующего излучения, при котором достигается наименьшее значение энергетического разрешения детектора

Электрическая емкость полупроводникового детектора ионизирующего излучения, измеренная между сигнальными выводами детектора

Электрический ток, протекающий через сигнальные выводы полупроводникового детектора ионизирующего излучения при отсутствии падающего на детектор ионизирующего излучения и при отсутствии проникновения света в чувствительную область детектора

36. Темновой ток полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Темновой ток ППД D Dunkelstrom eines Halbleiter-

detekiors

E. Dark current of a semi-conductor detector F Courrant d’obscurite d’un de-tecteur semi-conducteur

37 Шум полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Шум ППД

38 Энергетический эквивалент шума полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Энергетический эквивалент шума ППД

39. Средняя частота следования фоновых импульсов полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Средняя частота следования фоновых импульсов ППД

Среднее квадратическое значение флуктуации электрического заряда, возникающего на сигнальных выводах полупроводникового детектора ионизирующего излучения при отсутствии падающего на детектор ионизирующего излучения и при отсутствии проникновения света в чувствительную область детектора Шум полупроводникового детектора ионизирующего излучения, выраженный в энергетических единицах, то есть умноженный на 2 355 и деленный на коэффициент преобразования материала детектора Усредненное во времени число импульсов на сигнальных выводах полупроводникового детектора ионизирующего излучения, имеющих амплитуду больше заданного значения и не связанных с регистрацией внешних ионизирующих излучений

40 Чувствительноеib полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Чувствительность ППД

D.    EmpfmdHchkeit eines Halblei-tei detekiors

E.    Sensitivity of a semi-conductor detector

F Sensibilitte d’un detecteur serni-conducteur

41. Дискретная чувствительность полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Дискретная чувствительность

ППД

ОСНОВНЫЕ РАДИОМЕТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДЕТЕКТОРА ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ

Отношение иоменения информативного параметра выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения к изменению физической величины, характеризующей источники или поле ионизирующего излучения при определенной ориентации детектора в это поле

Чувствительность полупроводникового детектора ионизирующего излучения, у которого информативным параметром выходного сигнала является число импульсов, имеющих амплитуду больше определенного значения, а физической величиной, характеризующей источники или поле ионизирующего излучения, является перенос частиц или экспозиционная доза фотонного излучения за время набора указанных импульсов

Определение

42 Аналоговая чувствительность полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Аналоговая чувствительность

ппд

43 Чувствительность спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Чувствительность спектрометрического ппд

44    Абсолютная эффективность спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения

Абсолютная эффективность спектрометрического ППД D Totalabsorptions-Nachwei-swahrscheinhchkeit Е Totdl absorption detection ef-fiency

F Rendement d’absorption tota ]e de detection

45    Энергетическое разрешение спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения на полувысоте распределения

ПШПВ ППД D Halbwertbreite ernes Halblei-lerclctektors I Full width at half maximum (FWHM) of a semi-conductor detector

F Largeur a mit-hauteur (LMH) d’un dctecteur semi-conducteur

46    Энергетическое разрешение спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения на одной десятой высоты распределения

ПШДВ ппд

Чувствительность полупроводниковою детектора ионизирующего получения, у кото рого информативным параметром выходного сигнала является электрический ток или заряд, а физическом величиной, характеризующей источники или поле ионизирующего излучения, является физическая величина, характеризующая плотность потока или перенос энергии Чувствительность полупроводникового детектора, у которого информативным параметром выходного сигнала является число импульсов в пике полною поглощения, а физической величиной, характеризующей источники или поле ионизирующего излучения, является перенос ионизирующих частиц данной энергии за время набора указанных импульсов Отношение числа импульсов, возникаю-щих на сигнальных выводах полупроводникового детектора ионизирующего излучения в пике полного поглощения, за вычетом фоновых импульсов, к количеству ионизирующих частиц, испускаемых точечным источником, установленным па определенном расстоянии от даектора, и угле 4я

Выраженная в энергетических единицах ширина распределения амплитуд импульсов выходного сигнала полупровод никового детектора ионизирующего излучения, измеренная на полувысоте этого рас пределения, соответствующего полному поглощению регистрируемою моно энергетического излучения в чувствительной обп сти детектора

Выраженная в энергетических единицах ширина распределения амплитуд импульсов выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения, измеренная на одной десятой высоты этого распре деления, соответствующего полному погло щению регистрируемого моноэнергетическо-го излучения в чувствительной области де тектора