Товары в корзине: 0 шт Оформить заказ
Стр. 1
 

11 страниц

304.00 ₽

Купить официальный бумажный документ с голограммой и синими печатями. подробнее

Официально распространяем нормативную документацию с 1999 года. Пробиваем чеки, платим налоги, принимаем к оплате все законные формы платежей без дополнительных процентов. Наши клиенты защищены Законом. ООО "ЦНТИ Нормоконтроль".

Наши цены ниже, чем в других местах, потому что мы работаем напрямую с поставщиками документов.

Способы доставки

  • Срочная курьерская доставка (1-3 дня)
  • Курьерская доставка (7 дней)
  • Самовывоз из московского офиса
  • Почта РФ

Устанавливает номенклатуру основных показателей качества объемных монокристаллов полупроводниковых материалов, включаемых в ТЗ на НИР по определению перспектив развития этой группы продукции, государственные стандарты с перспективными требованиями, а также номенклатуру показателей качества, включаемых в разрабатываемые и перспективные стандарты на продукцию, ТЗ на ОКР, технические условия, карты технического уровня и качества продукции

Показать даты введения Admin

Страница 1

//. М-%0

up^- / f


ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

гГ\

I ■    ?.\    СИСТЕМА    ПОКАЗАТЕЛЕЙ    КАЧЕСТВА    ПРОДУКЦИИ

ЮЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ

НОМЕНКЛАТУРА ПОКАЗАТЕЛЕЙ

ГОСТ 4.64-80

Издание официальное

$

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ Москва



Страница 2

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

УДК (21.315.592:658.562:006.354    Группа    Т51

Систем1 показателем качества продукции ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ    ГОСТ

Номенклатура показателей

Product-quslity index jystem.    4.64    “"80

Semiconductor materials.

Nomenclature of indice»

Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 12 мае 1980 г. Н> 2059 срок действия установлен

с 01.07.31

Настоящий стандарт устанавливает номенклатуру основных показателей качества объемных монокристаллов лолупроводпиковых материалов, включаемых в ТЗ на НИР по определению перспектив развития этой группы продукции, государственные стан-даоты с перспективными требованиями, а также номенклатуру показателей качества, включаемых в разрабатываемые п перспективные стандарты на продукцию, ТЗ на ОКР, технические условия. карты технического уровня и качества продукции.

Коды ОКП приведены в справочном приложении 1.

1. НОМЕНКЛАТУРА ПОКАЗАТЕЛЕЙ КАЧЕСТВА ОбЪЕМНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ

Номенклатура показателей качества, единицы измерения, условные обозначения, а также характеризуемые свойства, приведены в табл. 1.

Алфавитный перечень показателей качества полупроводниковых материалов приведен в справочном приложении 2.

: S5S

Издание официальное    Перепечатка    воспрещен*

1

Переиздание f февраль 1985 г.) с Изменением М I. утвертсденным а марте №5 г. Пост. М 545 от 13.03.85 (ИУС 6-85).

© Издательство стандартов, 1985

Страница 3

Т а 6 л ■ nа I

Стр. 2 ГОСТ 4.64—*0

Показатель хаяестх» ■ единица итчеренк*

Условное ово»-яачеям пока» «лп ка«стяа


Характершуеиое смйстао


1.    Удельное злектрическое сопротивление. Ом-см

1.1.    Номинальное значение удельного электрического сопротивления. Ом-см

Р..

Ри,—рв.

Pl-P*

*е/

*Ря

|Ш|

0

«Ри

N0,

Л'с

d

dn,—du,

S

М.

1


1.2.    Интервал номинальных значений удельного алекгрического сопротивления. Ом-см

1.3.    Интервал значений удельного »лектричсского сопротивления, Ом -см

2.    Относительное отклонение удельного электрического сопротивления от среднего значения по длине моио. кристаллического слитка, %

3.    Радиальное относительное отклонение удельного элехгрического сопротивления от среднего значения по торцу монокриеталлического слитка. %

4.    Относительное отклонение средних значений удельного электрического сопротивления торцов от номи. нальиого значения удельного алех-тричсского сопротивления, %

5.    Ориентация продольной оси моиокристаллического слитка

6.    Отклонение плоскости торцового среза от плоскости ориентации, *

7.    Концентрация атомов оптически. активных примесей, см~*

7.1.    Концентрация атомов оптически активного хяслорода, см-3

72. Концентрация атомов оптически активного углерода, см~*

8.    Геометрическая характеристика поперечного сечения монокрветаллн-ческого елвтка

8.1.    Диаметр монокрнстадляческого слитка, мм

8.2.    Интервал номинальных значений диаметров, мм

8.3.    Площадь поперечного сечения монокристалличесасого слитха, мм*

9.    Отклонение диаметра монокиис-талличсского слитка от номинального значения, мм

10.    Длина монокристаллического слитка, мм

Электрофизическое

свойство

Электрофизическое

свойство

Электрофизическое

свойство

Электрофизическое

свойство

Кристаллографическое свойство Кристаллографическое свойство Химический состав


Страница 4

ГОСТ 4.М-М Стр. 3

Продо.гжгние табл. /

Показатель 1.«честя» и *ЯиняЩ ПМСГ-евня

Условное обозначение показателя *ач«стпй

Ха|>актерн»уеиое свовстм

11. Плотность дислокаций, см~*

No

Структурное совершенство

12. Время жизни неравниэесных

т

Электрофизическое

носителей заряда, икс, или диффузи

X

свойство

онная длина, мм

МУ Г

13. Суммарная длина малоугловых

Структурное совершен

гранки, мм или доли диаметра

•V

ство

14, Концентрация осиовных носите

Электрофизическое

лей заряда, см-*

свойство

15. Относительное отклонение от

Электрофизическое

номинального значения концентрации основных носителей заряда. %

свойство

16. Подвижность основных носите

и

Электрофизическое

лей заряда. см*/(В.с)

свойство

17. Внешние дефекты {трещины.

раковины, сколы)

18. Внутренние дефекты

Структурное совершенство

18.1.    Ракоэяны. грешины

18.2.    Наличие второй фазы

183 Наличие двойниковых границ 18.4. Наличие свирл-дсфектоь

Примечания:

!. Допускается использование других показателей качества, связанных с особенностями отдельных полупроводниковых материалов, по согласованию с потребителями.

2 В качестве удельного электрического сопротивления используется один нз показателей 1.1—1.3.

В качестве геометрической характеристики поперечного сеченкя монокрис-талднчеекого слитка используется один из показателей 8 1—Я2.

Внутренние дефекты характеризуются показателем 18 иди комплексом по-казатезей 18.1—18.4

3. Для германия вместо показателя 4 используется показатель: «Относительное отклонение значений удельного электрического сопротивления торнов от номинального значения удельного электрического сопротивления, %».

(Измененная редакция, Изм. № 1).

2. ПРИМЕНЯЕМОСТЬ ПОКАЗАТЕЛЕЙ КАЧЕСТВА

Применяемость показателей качества полупроводниковых материалов приведена в табл. 2—S.

2’

Страница 5

Сгр. 4 ГОСТ 4.64-80

Кремний монокрнсталлнческнй

Номер показателя качества

КреммА

иояикри-

сталдичсс-

иьП для оолуаро* *о.\*шхо-иых приборов и ни-кр«хеи

Кренкий мсиохря-ггаллич**:-

КИЙ длп

эпитакся*

альяых

структур

Кре**«!$ мояокрн-сталлячсс* кжЛ для сжло^оП лояу*ро-родниковой техники

vuw<apH-стая. inieC-

кий для фотоаря-еинияоо

КрсмяиЯ ллнолрм стадличес-кий дл*

НСГОЧГИ-► 0# TOHJ

КрСИКЛ!?

моеомри*

СТАЛЛ ичес*

мял для детекторов ядер пых имучгмяй

Кремний

лож* ристал лише-кяО подо-

Гг * «Ий

1

+

ч

-

+

+

ч-

+

+

2

+

ч

+

+

-г-

3

+

-

-

+

±

4

+

-

-

±

±

5

4-

-

+

4-

+

ч-

6

+

-

-

ч-

4-

-1.

О.

7.1

^ /V

+

ч-

+

4-

т

7.2

±

±

—•

-

8

±

ч-

+

+

+

ч-

9

+

4*

±.

ч-

— •

10

+

ч-

4*

+

4-

+

п

4-

+

+

4-

+

-i-

12

*

±

+

+

+

4-

4-

13

±

—-

+

17

f

i

+

+

+

ч-

18.1

4-

-

-

4-

+

+

+

+

18.4

-*■

*

Таблица 3

Германий монокристаллкчссьий

Номер пс«аза-твдя ЛЙЧвСТПЯ

Г<Р>иний *©*<>•

кристаллическая для полутроаод-паекш ирибо-рс» и микросхем

Германий монв-

КРКСТМАМССЯЯЙ

для зпжтаксиалъ иых струхтур

Гсрчапкв мело* кристаллический

ДЛЯ 0ПЮХ1СМ* Т^ОИИКЯ

ГерхакдЯ и*>яО-крясталдияесяав для яагроо* спечтр'зиетрня

1

+

+

±

*

2

*

±

3

±

±

±

4

+

5

+

+

4*

+

6

-

8

Ч-

+

ч-

+

9

±

£

10

+

+

+

+

И

+

±

+

Страница 6

ьЪ ,

*6!г

ii

W

+ | ««•! + «+

*>

О

«J

*-

о * •

б Я V

!§ I

&1§г

* О Г >" №

«X

1111++1+ ;

z

n

___ 3

llii

«Is*

lip

с

I

M

0

mn++i+ i

*

1

ipii « *■ п* lig|5 Ea:i“

£?5S|

г

z

о

s

«■HI+I++-H+ :

<

11

u*

2 R

Is

~счсо

мто^оксолсо

Продолжение табл.



и


I+++++I+++-НЧ-

"W I + I +++

as

•*

о

n


I+++


41 + + +


eC

x

x

<

-.U>WOOO-CSf?tiOONa5

~Ю<©со


Страница 7

Продолжение табл. 5

Стр. 6 ГОСТ 4.М—80

Нэнс? показателя качества

АрССККД ГАЛЛИfi для полу-НрОВОДИККОВИЛ ггркйог-эо, махромси « >гнглхсна.1ь иых стружтур

АрСГШД ГВпЛИЯ для жстохмккса тока

9

+

. _

10

+

+

И

т

+

14

+

+

15

г

16

+

17

+

+

18

±

±

Таблица 6

Фосфид галлия, лрсснид индия, фосфид иидня монокрнсталлические

Номер показателя ка-чктм

Фосфид галлвк зля подупровогпиковых приборов и эпжтак-егяльпых структур

Арсеммд иидиж для полупрожэдкихооых

приборе* к эштйк-аилишх структур

Фосфид хидил ДДЯ

ПЭЛУПГ0«ЮДНИК0©*4Х приборов N УЯИПК-

скальных структур

1

±

±

5

+

н

6

+

-

8

+

9

+

10

+

:

11

Т

h

12

-

-

13

14

15

1

t

+

16

+

А.

17

+

+

+

18

ь

±

Примечание к табл. 2—6. Знак « + » обозначает применение показателя качества, знак * обозначает неприменение показателя качества, знак «±* обозначает ограниченное нрвмемеяне показателя.

(Измененная редакция. Изм. .4 1).

Страница 8

ГОСТ 4.44-10 Стр. 7

ПРИЛОЖЕНИЕ I Справочное

Наименование поохухзки

Код ОКГ1

Кремний монсжристалляческпй, полученный ме

17 7211

тодой Чохральского, дли полупроводниковых при

боров и микросхем

Кремний монокристал.тнческий. полученный ме

17 7212

тодом Чохральского. для силовой полупроводни

ковой техники

Кремний и оно к р нега лли чески й, порученный ме

17 7213

тодом Чохральского, для эпитаксиальных струх-

{{рсмиий моиокристалличсский. полученный ме

17 7215

тодом Чохральского. для источников тока

Кремний моиокристалличсский, полученный ме

17 7221

тодом бестнгельпой зонной плавки, для полу

проводниковых приборов и микросхем

Кремний ковокрвсталлвческнй, полученный ме

17 7222

тодом бесткгельной зонной плзвки, для силовой

полупроводниковой техники

Кремний конокристаллический, полученный ме

17 7224

тодом бсстигслыюй зонной плавки, для фото-

прнеминков

Кремний моиокристалличсский. полученный ме

17 7226

тодам бестигельной зонной плавки, для детекто

ров ядерных излучевяй

Кремний мококристаллическмА водородный

17 72211000

Германий моиокристалличсский для полупро

17 7441

водниковых приборов н микросхем

Германий монокристаллкчбеккй для »питакси-

17 7443

вльных структур

Германий моиокристалличсский для оятомек-

17 7444

тронихи

Германий моиокристалличсский для ядерной

17 7447

спектрометрии

Ангнмонид индия моиокрисгадлическнй

17 7532

Арсенад галлия моиохрнсталлнческмй

17 7512

Фосфид галлия монокркстадличесхий

17 7542

Арсенид индия моиокристалличсский

17 7522

Фосфид индия монокристадличесхий

17 7552

(Введено дополнительно, Изм. ЛЬ 1).

Страница 9

Стр. в ГОСТ 4.64—«О

ПРИЛОЖЕНИЕ 2 Справочное

АЛФАВИТНЫЙ ПЕРЕЧЕНЬ показателей качества полупроводниковых

материалов

Наиы*но*зна« показателя качест*»

Нон«р показателя качества

Время жизни неравновесных носителей заряда

12

Дефекты внешние

17

Дефекты внутренние

18

Диаметр мо’нокристаллического слитка

8.1

Длина малоугловых границ суммарная

13

Длина мснокристаллического слитка

10

Длина диффузионная

12

Значение удельного электрического сопротив

1.1

ления номинальное

Интервал значений удельного электрического со-

1.3

противления

Интервал номинальных значений диаметров

8.2

Интервал номинальных значений удельного

1.2

электрического сопротивления

Концентрация атомоз оптически активных при-

7

месеП

Концентрация атомов оптически активного кис

7.1

лорода

Концентрация атомов оптически активного уг

7.2

лерода

Концентрация основных носителей заряда

14

Наличие второй фазы

18.2

Наличие двойных границ

18.3

Наличие свирл-дефектоа

18.4

Ориентация продольной оси монохристаллпчес-

5

кото слитка

Отклонение диаметра моиохристалличсского

9

слитка от номинального значения

Отклонение относительное от номянзльного зна

15

чения концентрации основных носителей заряда

Отклонение плоскости торцевого среза от плос

6

кости ориентации

Отклонение относительное средних значений

4

улельного электрического сопротивления торцов «г номинального значения удельного электрического сопротивления

Отклонение относительное удельного электри

2

ческого сопротивления от среднего значения по длине моиокристалличесхого слитка

Страница 10

ГОСТ 4.64—$0 Стр. 9

Продо.<жение

Нагмеиооание показатс-св качества

Номер вокатателя качеств

Отклонение относительное радиальное удель

3

ного электрического сопротивления от среднего значения по торцу монокрнсталлкческого слитка

Плотность дислокаций

II

Площадь поперечного сечения монокристалл иче-

8.3

су ого слитка

16

Подвижность основ»их постелей заряда

Раковины

17; 18.1

Сколы

17

Сопротивление удельное электрическое

1

Характеристика геоиетрическая поперечного се

8

чения монокрнсгалднческого елвтка

(Введено дополнительно, Изм. .** 1).

Страница 11

Редактор Л. Д. Курочкина Технический редактор //. В. Кемйникова Корретяр В. Ф. Малютина

25.04AS Подп. в к*я. 1.106.85 0.73 уел. п. Л- 0.75 >СЯ. *р.-г>ТТ. 0.64 уч.-*|Д Д.

CflJHO я ииС

Tup. 16.(100


Цела 3 ко*.

Орде** *3ыйж Пс*ет*> Издательство стандарте*. 123R40, Москва. ГСП. НдеопрсешвискжА ие*.. 3 1вп. «МоскоосыА пепапгмж». М«*м. Лвлия вар.. б. Зав 5Ы