Товары в корзине: 0 шт Оформить заказ
Стр. 1
 

11 страниц

304.00 ₽

Купить ГОСТ 4.64-80 — официальный бумажный документ с голограммой и синими печатями. подробнее

Официально распространяем нормативную документацию с 1999 года. Пробиваем чеки, платим налоги, принимаем к оплате все законные формы платежей без дополнительных процентов. Наши клиенты защищены Законом. ООО "ЦНТИ Нормоконтроль".

Наши цены ниже, чем в других местах, потому что мы работаем напрямую с поставщиками документов.

Способы доставки

  • Срочная курьерская доставка (1-3 дня)
  • Курьерская доставка (7 дней)
  • Самовывоз из московского офиса
  • Почта РФ

Настоящий стандарт устанавливает номенклатуру основных показателей качества объемных монокристаллов полупроводниковых материалов, включаемых в ТЗ на НИР по определению перспектив развития этой группы продукции, государственные стандарты с перспективными требованиями, а также номенклатуру показателей качества, включаемых в разрабатываемые и перспективные стандарты на продукцию, ТЗ на ОКР, технические условия, карты технического уровня и качества продукции

  Скачать PDF

Оглавление

1. Номенклатура показателей качества объемных монокристаллов полупроводниковых материалов

2. Применяемость показателей качества

Приложение 2. Алфавитный перечень показателей качества полупроводниковых материалов

Показать даты введения Admin

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

СОЮЗА ССР

СИСТЕМА ПОКАЗАТЕЛЕЙ КАЧЕСТВА ПРОДУКЦИИ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ

НОМЕНКЛАТУРА ПОКАЗАТЕЛЕЙ

ГОСТ 4.64-80

Издание официальное

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ

Москва

УДК 621.315.592:658.562:006.354    Группа    Т51

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ГОСТ

4.64-80*

Система показателей качества продукции ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ

Номенклатура показателей

Product-quality index system. Semiconductor materials. Nomenclature of indices

Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 12 мая 1980 г. № 2059 срок действия установлен

с 01.07.31

Настоящий стандарт устанавливает номенклатуру основных показателей качества объемных монокристаллов полупроводниковых материалов, включаемых в ТЗ на НИР по определению перспектив развития этой группы продукции, государственные стандарты с перспективными требованиями, а также номенклатуру показателей качества, включаемых в разрабатываемые и перспективные стандарты на продукцию, ТЗ на ОКР, технические условия, карты технического уровня и качества продукции.

Коды ОКП приведены в справочном приложении 1.

1. НОМЕНКЛАТУРА ПОКАЗАТЕЛЕЙ КАЧЕСТВА ОБЪЕМНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ

Номенклатура показателей качества, единицы измерения, условные обозначения, а также характеризуемые свойства, приведены в табл. 1.

Алфавитный перечень показателей качества полупроводниковых материалов приведен в справочном приложении 2.

Издание официальное    Перепечатка воспрещена

* Переизоание (февраль 1985 г.) с Изменением № 11 утвержденным в марте 1985 г. Пост. Л§ 545 от 13.03.85 (ИУС 6—85).

© Издательство стандартов, 1985

J—558

Редактор Л. Д. Курочкина Технический редактор Н. В. Келейникова Корректор В. Ф. Малютина

Сдано в наб. Тир. 16.000

25.04.85 Подп. в печ. 13.06.85 0,75 уел. п. л. 0,75 уел. кр.-отт. 0,64 уч.-изд. л.

Цена 3 коп.

Ордена «Знак Почета» Издательство стандартов, 123840, Москва, ГСП, Новопресненский иер., 3 Тип. «Московский печатник». Москва, Лялин пер., 6. Зак. 551

Таблица I

Показатель качества и единица измерения

Условное обозначение показателя качества

Характеризуемое сзойство

1. Удельное электрическое сопро-

Электрофизическое

тивление, Ом-см

1.1. Номинальное значение удельного электрического сопротивления, Ом* см

свойство

Рн

1.2.    Интервал номинальных значений удельного электрического сопротивления, Ом-см

1.3.    Интервал значений удельного электрического сопротивления, Ом • см

РнГ рна

pi р2

2. Относительное отклонение удель-

®р;

Электрофизическое

ного электрического сопротивления от среднего значения по длине моно-кристаллического слитка, %

5Р R

свойство

3. Радиальное относительное от-

Электрофизическое

клонение удельного электрического сопротивления от среднего значения по торцу монокристаллического слитка, %

свойство

4. Относительное отклонение сред-

8Рн

Электрофизическое

них значений удельного электрического сопротивления торцов от номинального значения удельного электрического сопротивления, %

|Ш|

свойство

5. Ориентация продольной оси

Кристаллографическое

монокристаллического слитка

свойство

6. Отклонение плоскости торцово-

а

Кристаллографическое

го среза от плоскости ориентации, °

Зрн

свойство

7. Концентрация атомов оптически. активных примесей, см~3

Химический состав

7.1. Концентрация атомов оптически активного кислорода, см~3

Л/'Оз

7.2. Концентрация атомов оптически активного углерода, см~3

Nc

8. Геометрическая характеристика поперечного сечения монокристаллического слитка

d

8.1.    Диаметр монокристаллического слитка, мм

8.2.    Интервал номинальных значений диаметров, мм

du1—du 2

8.3. Площадь поперечного сечения монокристаллического слитка, мм2

5

9. Отклонение диаметра монокристаллического слитка от номинального значения, мм

10. Длина монокристаллического слитка, мм

I

Продолжение табл. 1

Показатель качества и единица измерения

Условное обозначение показателя качества

Характеризуемое свойство

11. Плотность дислокаций, см~2

Nd

Структурное совершенство

12. Время жизни неравновесных

X

Электрофизическое

носителей заряда, мкс, или диффузи-

\

свойство

онная длина, мм

МУГ

13. Суммарная длина малоугловых

Структурное совершен-

Гранин, мм или доли диаметра

N

ство

14. Концентрация основных носите-

Электрофизическое

лей заряда, см~3

bN

свойство

15. Относительное отклонение от

Электрофизическое

номинального значения концентра-

свойство

ции основных носителей заряда, %

16. Подвижность основных носите-

Электрофизическое

лей заряда, см2/(В.с)

свойство

17. Внешние дефекты (трещины,

раковины, сколы)

18. Внутренние дефекты

Структурное совершенство

18.1.    Раковины, трещины

18.2.    Наличие второй фазы

18 3. Наличие двойниковых границ 18.4. Наличие свирл-дефектов

Примечания:

1.    Допускается использование других показателей качества, связанных с особенностями отдельных полупроводниковых материалов, по согласованию с

потребителями.

2.    В качестве удельного электрического сопротивления используется один из показателей 1.1—1.3.

В качестве геометрической характеристики поперечного сечения монокриста дли ческого слитка используется один из показателей 8.1—8.3.

Внутренние дефекты характеризуются показателем 18 или комплексом показателей 18.1—'18.4.

3.    Для германия вместо показателя 4 используется показатель: «Относительное отклонение значений удельного электрического сопротивления торцов от номинального значения удельного электрического сопротивления, %».

(Измененная редакция, Изм. № 1).

2. ПРИМЕНЯЕМОСТЬ ПОКАЗАТЕЛЕЙ КАЧЕСТВА

Применяемость -показателей качества полупроводниковых материалов приведена в табл. 2—6.

2*

Таблица 2

Кремний монокристаллический

Номер показателя качества

Кремний монокристаллический для полупроводниковых приборов и микросхем

Кремний монокристаллический для эпитаксиальных структур

Кремний монокристаллический для силовой полупроводниковой техники

Кремний монокристаллический для фотоприемников

Кремний монокристаллический для источников тока

Кремнии монокристаллический для детекторов ядерных излучений

Кремний монокристаллический водородный

1

+

+

+

+

+

+

+

2

+

+

+

+

“Г

3

+

+

4“

4

+

+

4-

4-

5

4*

+

+

+

+

“Г

6

4"

+

4~

+

+

;

7.1

+

+

+

+

+

“Г

7.2

4-

—,

8

+

+

+

+

+

+

+

9

+

4-

4-

4-

10

+

+

+

+

+

+

11

+

+

+

+

+

4-

12

±

+

+

+

+

+

13

■—

4-

4-

+

17

+

+

+

+

+

+

-1-

18.1

+

+

+

+

+

+

+

18.4

±

±

Таблица 3

Германий монокристаллический

Номер показателя качества

Германий монокристаллический для полупроводниковых приборов и микросхем

Германий мон©-кристаллмчесннй для эпитаксиальных структур

Германий монокристаллический для оптоэлеас-троники

Германий монокристаллический для ядернюй спектрометрии

1

+

+

4;

2

4^

■±

3

4-

4-

4

+

+

5

+

+

4-

1

+

6

4-

8

+

+

+

+

9

4-

-i-

4-

10

+

+

+

+

11

4:

+

+

ГОСТ 4.64-80 Стр. 5

Продолжение табл. 3

Номер показа* теля качества

Германий мо*но-кристаллический для полупроводниковых приборов и микросхем

Германий моно-кристаллический для эпитаксиальных структур

Германий моно-кристаллический для оптоэлектроники

Германий моно-кристаллический для ядерной спектрометрии

12

Ч-

—1

_

+

13

±

±

14

Ч;

16

ч-

±

4-

17

+

+

+

+

18.1

+

+

+

+

18.2

4-

4-

18.3

+

+

+

+

Таблица 4

Антимонид индия манокристаллический

Номер показателя качества

Антимонид индия для полупроводниковых приборов

Антимонид ИНДИЯ для эпитаксиальных структур

1

±

5

+

+

6

±

+

8

+

+

10

±

4-

И

+

+

12

ч-

13

+

14

+

+

15

+

16

+

+

17

+

+

18

+

+

Таблица 5

Арсенид галлия манокристаллический

Номер показателя качества

Арсенид галлия для полупроводниковых приборов, микросхем и эпитаксиальных структур

Арсенид галлия для источников тока

1

ч-

5

+

+

6

+

+

8

+

+

Продолжение табл. 5

Номер показателя качества

Арсенид галлия для полупроводниковых приборов, микросхем и эпитаксиальных структур

Арсенид галлия для источников тока

9

+

_

10

+

+

11

+

+

14

+

+

15

+

16

+

17

+

+

18

±

Таблица б

Фосфид галлия, арсенид индия, фосфид индия монокристаллические

Номер показателя качества

Фосфид галлия для полупроводниковых приборов и эпитаксиальных структур

Арсенид индия для полупроводниковых приборов и эпитаксиальных структур

Фосфид индия для полупроводниковых приборов и эпитаксиальных структур

1

±

5

+

+

+

6

+

+

+

8

+

+

+

9

+

+

+

10

+

+

+

П

+

12

+

13

+

+

14

+

+

15

+

16

+

+

17

+

+

+

18

±

4*

Примечание к табл. 2—6. Знак «+» обозначает применение показателя качества, знак «—» обозначает неприменение показателя качества, знак «±» обозначает ограниченное применение показателя.

(Измененная редакция, Изм. № 1).

ГОСТ 4.64-80 Стр. 7

ПРИЛОЖЕНИЕ 1 Справочное

Наименование продукции

Код окп

Кремний монокристаллический, полученный ме-

17 7211

тодом Чохральского, для полупроводниковых приборов и микросхем Кремний монокристаллический. полученный ме-

17 7212

тодом Чохральского, для силовой полупроводниковой техники

Кремний монокристаллический, полученный ме-

17 7213

тодом Чохральского, для эпитаксиальных структур

Кремний монокристаллический, полученный ме-

17 7215

тодом Чохральского, для источников тока Кремний монокристаллический, полученный ме-

17 7221

тодом бсстигельной зонной плавки, для полупроводниковых приборов и микросхем Кремний монокристаллический, полученный ме-

17 7222

тодом бестигельной зонной плавки, для силовой полупроводниковой техники Кремний монокристаллический, полученный ме-

17 7224

тодом бестигельной зонной плавки, для фотоприемников

Кремний монокристаллический. полученный ме-

17 7226

тодом бестигельной зонной плавки, для детекторов ядерных излучений

Кремний монокристаллический водородный

17 72211000

Германий монокристаллический для полупро-

17 7441

водниковых приборов и микросхем Германий монокристаллический для эпитакси-

17 7443

альных структур Германий монокристаллический для оптоэлек-

17 7444

троники

Германий монокристаллический для ядерной

17 7447

спектрометрии Антимония индия монокристаллический

17 7532

Арсенид галлия монокристаллический

17 7512

Фосфид галлия монокристаллический

17 7542

Арсенид индия монокристаллический

17 7522

Фосфид индия монокристаллический

17 7552

(Введено дополнительно, Изм. № 1).

ПРИЛОЖЕНИЕ 2 Справочное

АЛФАВИТНЫЙ ПЕРЕЧЕНЬ

показателей качества полупроводниковых материалов

Наименование показателя качества

Номер показателя качества

Время жизни неравновесных носителей заряда

12

Дефекты внешние

17

Дефекты внутренние

18

Диаметр монокристаллического слитка

8.1

Длина малоугловых границ суммарная

13

Длина монокристаллического слитка

10

Длина диффузионная

12

Значение удельного электрического сопротив-

1.1

ления номинальное

Интервал значений удельного электрического со-

1.3

противления

8.2

Интервал номинальных значений диаметров

Интервал номинальных значений удельного

1.2

электрического сопротивления

Концентрация атомов оптически активных при-

7

месей

Концентрация атомов оптически активного кис-

7.1

лорода

7.2

Концентрация атомов оптически активного уг-

лерода

14

Концентрация основных носителей заряда

Наличие второй фазы

18.2

Наличие двойных границ

18.3

Наличие свирл-дефектов

18.4

Ориентация продольной оси монокристалличес-

5

кого слитка

Отклонение диаметра монокристаллического

9

слитка от номинального значения

15

Отклонение относительное от номинального зна-

чения концентрации основных носителей заряда

Отклонение плоскости торцевого среза от плос-

6

кости ориентации

Отклонение относительное средних значений

4

удельного электрического сопротивления торцов от номинального значения удельного электрического сопротивления

Отклонение относительное удельного электри-

2

ческого сопротивления от среднего значения по длине монокристаллического слитка

ГОСТ 4.64-80 Стр. 9

Продолжение

Наименование показателя качества

Номер показателя качества

Отклонение относительное радиальное удель-

3

ного электрического сопротивления от среднего значения по торцу монокристаллического слитка

Плотность дислокаций

11

Площадь поперечного сечения монокристалличе-

го

эо

ского слитка

Подвижность основных носителей ааряда

16

Раковины

17; 18.1

Сколы

17

Сопротивление удельное электрическое

1

Характеристика геометрическая поперечного се-

8

чения монокристаллического слитка

(Введено дополнительно, Изм. № 1).