Сертификация: тел. +7 (495) 175-92-77
Стр. 1
 

37 страниц

487.00 ₽

Купить официальный бумажный документ с голограммой и синими печатями. подробнее

Официально распространяем нормативную документацию с 1999 года. Пробиваем чеки, платим налоги, принимаем к оплате все законные формы платежей без дополнительных процентов. Наши клиенты защищены Законом. ООО "ЦНТИ Нормоконтроль".

Наши цены ниже, чем в других местах, потому что мы работаем напрямую с поставщиками документов.

Способы доставки

  • Срочная курьерская доставка (1-3 дня)
  • Курьерская доставка (7 дней)
  • Самовывоз из московского офиса
  • Почта РФ

Устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения и фотоприемных устройств и термины, определения и буквенные обозначения фотоэлектрических параметров и характеристик.

Термины и буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе

Оглавление

Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения

Виды фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения

Виды фотоприемных устройств

Режимы работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения и (или) фотоприемного устройства

Конструктивные элементы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения и фотоприемного устройства

Параметры напряжений, сопротивлений, токов ФЭПП

Параметры чувствительности ФЭПП

Параметры порога и шума ФЭПП

Параметры спектральной характеристики

Геометрические параметры ФЭПП

Параметры инерционности ФЭПП

Параметры многоэлементных ФЭПП

Параметры фототранзисторов

Параметры координатных фотодиодов

Параметры лавинных фотодиодов

Параметры инжекционных фотодиодов

Эксплуатационные параметры ФЭПП

Спектральные характеристики ФЭПП

Вольтовые характеристики ФЭПП

Характеристики зависимости параметров ФЭПП от потока излучения

Частотные характеристики ФЭПП

Фоновые характеристики ФЭПП

Температурные характеристики ФЭПП

Временные и пространственные характеристики ФЭПП

Алфавитный указатель терминов на русском языке

Алфавитный указатель терминов на немецком языке

Алфавитный указатель терминов на английском языке

Алфавитный указатель терминов на французском языке

Приложение 1 Общие понятия, используемые в области фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения и фотоприемных устройств

Приложение 2 Информационные данные о соответствии ГОСТ 21934-83 и СТ СЭВ 2767-80

Показать даты введения Admin

Страница 1

Группа ЭОО

МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

11 PH ЕМ Н НКИ ИЗЛУЧЕН ИЯ IЮЛУНРОВОДН И КОВЫЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ФОТОПРИЕМНЫЕ УСТРОЙСТВА

ГОСТ

21934-83

Взамен ГОСТ 21934-76, ГОСТ 22899-78

Термины и определения

Semiconducting photoelectric dctcctors and receiving photoelectric devices.

Terms, and definitions

MKC 01.040.31 31.0S0 ОК.СТУ 6250

Постановленном Государственного комитета СССР но стандартам от 25 апреля 1983 г. № 2043 дата введения установлена

01.07.84

Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения и фотоприемных устройств и термины, определения и буквенные обозначения фотоэлектрических параметров и характеристик.

Термины и буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе.

Стандарт соответствует СТ СЭВ 2767—80 в части фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения (см. приложение 2) и СТ СЭВ 3787—82 в части раздела 2.

Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.

Применение терминов-синонимов стандартизованного термина запрещается.

Для отдельных стандартизованных терминов в стандарте приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования. Установленные определения можно, при необходимости, изменять по форме ихтожения, не допуская нарушения границ понятии.

В стандарте в качестве справочных приведены иностранные эквиваленты для ряда стандартизованных терминов на немецком (Ю), английском (Е) и французском (F) языках.

В стандарте имеется приложение I. содержащее общие понятия, используемые в области фотоэлектрических полупроводниковых приемников ихтучення и фотоприемных устройств.

Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма — светлым.

byкнеии ос обозначение

Термин

русское

междуна

родное

Определение

1. Фагочувствительный полупроводниковый приГюр

D.    Photocmpfindlichcs Halblciterbauele-ment

E.    Photosensitive semiconductor device

F.    Dispositif semiconducteur photosen-siblc

Полупроводниковый прибор, чувствительный к электромагнитному излучению в видимой, инфракрасной и (или) ультрафиолетовой областях спектра

2. Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения

ФЭПП

D.    Halbleitcrphotoelement

E.    Photoelectric semiconductor detector

F.    Detecteur d scmi-conducteur photo-elect riquc

Фоточувсгвительный полупроводниковый прибор, пршшип действия кот-рого основан на внутреннем фото эффекте в полупроводнике

Ишаиие официальное    Перепечатка воспрещена

*

Издание с Изменением № I, утвержденным в августе I9S4 г. (И УС 12— 84).

134

Страница 2

ГОСТ 21934-83 С. 2

Букиенное обо лишение

Термин

русское

междуна*

родное

Определение

3. Фогоприсмное устройство

ФПУ

Фоточувствительный полупроводниковый прибор, состоящий из фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения и схемы предварительного усиления фотосигнала в гибридном или интегральном исполнении, объединенных в единую конструкцию

ВИДЫ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИЕМНИКОВ ИЗЛУЧЕНИЯ

4.    Многоспсктральнын фотоэлектрический полупроводниковый приемник и пучения

Многоспектральный ФЭПП

D.    Multispcktralphotocmp&nger

E.    Multi-band photodetector

F.    Photodctecteur a plusicurs gammcs

5.    Одноэлементный фотоэлектрический полу проводниковый приемник излучения

Одноэлементный ФЭПП

D.    Einclementphotoemplanger

E.    Single-element detector

F.    Dctecteur a clement unique

6.    Многоэлементный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения

Многоэлементный ФЭП II

D.    ViclelementphotocmpfSnger

E.    Multi-element detector

F.    Dctecteur multiple

7.    Координатный фотоэлектрический полупроводниковый приемник изучения

Координатный ФЭПП

D.    Ortscmpfindlicher Photoempfanger

E.    Position-sensitive detector

8.    Гетеродинный фотоэлектрический полупроводниковый приемник ииучения

Гетеродинный ФЭПП

D.    libcriagcningsphotoemp&nger

E.    Heterodyne detector

F.    Dctecteur heterodyne

9.    Иммерсионный фотоэлектрический полупроводниковый приемник ииучения

Иммерсионный ФЭПП

D.    Immersdonsphotoempfenger

E.    Immersed detector

F.    Dctecteur a immersion

10.    Фоторезистор

D.    Pholowiderstand

E.    Photoconductivc cell

F.    Cellule photoinductive

Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, содержащий два и более фоточувствительных элементов с различными диапазонами спектральной чувствительности

Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, содержащий один фоточувствитсльный элемент

Фотоэлекфнческнй полупроводнике-вый приемник излучения с числом фо-точувствительных элементов больше одного.

Примечание. Допускается применять термин «двух-, трех-, четы-рехэлементный» фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения

Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, по выходу сигнала которого определяют координаты светового пятна на фоточувствительной поверхности

Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, предназначенный для гетеродинного приема излучения

Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, содержащий иммерсионный сигнал

Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, принцип действия которого основан на эффекте фотопроводимости


135

Страница 3

С. 3 ГОСТ 21934-83

Букиенное обошачекие

Термин

русское

междуна*

родное

Определение

11. Фотодиод

D.    Photodiode

E.    Photodiode

F.    Photodiode

Полупроводниковый диод с р—п переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом, в котором поглощение излучения. происходящее в непосредственной близости перехода, вызывает фото-гальваиический эффект

!2. p—i—n фотодиод

D.    Pin-Photodiode

E.    Pin-Photodiode

F.    Pin-Photodiode

Фотодиод, дырочная и электронная области которого разделены слоем материала с проводимостью, близкой к собственной

13. Фотодиод с барьером Шоггки

D.    Schottky-Photodiode

E.    Schottky-Barrier-Photodiode

Фотодиод, запирающий слой которого образован контактом полупроводника с металлом

14. Фотодиод с гетеропереходом

D.    Photodiode mil Heteroiibcrgang

E.    Hcterojunction photodiode

Фотодиод, электронно-дырочный переход которою обрадован двумя полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.

П р и м с ч а н и с. Переход может быть образован сложными полупроводниковыми соединениями с изменяющейся шириной запрещенной зоны

15. Лавинный фотодиод

D.    Lawinenphotodkxle

E.    Avalanche photodiode

F.    Photodiode :i avalanche

Фотодиод с внутренним усилием, принцип действия которого основан на явлении ударной ионизации атомов фо-тоносителями в сильном электрическом поле

16. Инжскииоиный фотодиод

D.    Injektionsphotodiode

E.    Injection photodiode

F.    Photodiode d‘injection

Фотодиод, работающий в режиме внутреннего усиления фотосигнала за счет инжекции свободных носителей заряда

17. Фототранзнстор

D.    Phototransistor

E.    Phototransistor

F.    Phototransistor

Транзистор, в котором используется фотоэлектрический -эффект

18. Полевой фототранзистор

D.    Photofcldeffekttransistor

E.    Field effect phototransistor

F.    Phototransistor a effet de champ

Фототранзистор, фоточувствитель-ный элемент которою содержит структуру полевою транзистора

19. Биполярный фототрашнетор

D.    Bipolarphototransistor

E.    Bipolar phototransistor

F.    Phototransistor bipolaire

Фототранзистор, фоточувствитель-ный элемент которого содержит структуру биполярного транзистора

20. Охлаждаемый фотоэлектрический полупроводниковый приемник иллучення

Охлаждаемый ФЭПП

D.    Gekdhlter Photoempfdnger

E.    Cooled detector

F.    Photodetecteur rcfroidi

Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, работающий со специальной системой охлаждения для понижения температуры фото-чувствитсльного элемента

ВИДЫ ФОТОПРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВ

21. Одмшакнпюе фотопрнемное устройство

Одноэлементное ФПУ

Фотоприемнос устройство, в котором используется одноэлементный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения


136

Страница 4

ГОСТ 21934-83 С. 4

Бук ценное обозначение

Термин

русское

междуна

родное

Определение

22. Мвогоэлемектное фотоприсмнос устройство с разделенными каналами

Многоэлсмешнос ФПУ с разделенными каналами

Фотоприсмнос устройство, имеющее два и более фоточувствительных элемента, с независимой обработкой фотосигнала, снимаемого с каждою элемента, и числом выходов, равным числу фото-чувствигельных элементов

23. Мвогоэлемектное фотоприсмнос устройство с внутренней коммутацией

Многоэлементное ФПУ с внутренней коммутацией

Фотоприсмнос устройство с числом фоточувствительных элементов два и более, в котором происходит коммутация их сигналов так, что выходов фого-приемного устройства меньше, чем число фоточувствительных элементов

24. Многоспсктралыюе фотоприсмнос устройство

Многоспсктральное ФПУ

Фотоприсмнос устройство, содержащее многоспектральный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения

25. Фоточувствнгельиый полупроводниковый сканистор

Фоточувсгвительный полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на внутреннем непрерывном сканировании паля изображения при подаче на управляющие электроды приборы пилообразного напряжения развертки

26. Охлаждаемое фотоприсмнос устройство

Охлаждаемое ФПУ

Фотоприсмнос устройство, в котором для обнаружения и (или) измерения оптического излучения используется охлаждаемый фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения

27. Монолитное фотоприсмнос устройство

Монолитное ФПУ

Фотоприсмнос устройство, выполненное единым технологическим циклом на едином кристалле или подложке

28. Гибридное фотоприсмнос устройство

Гибридное ФПУ

Фотоприсмнос устройство, выполненное объединением в единой интегральной схеме частей, напученных путем различных технологических циклов

РЕЖИМЫ РАБОТЫ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИЕМНИКА

ИЗЛУЧЕНИЯ И (ИЛИ) ФОТОПРИЕМНОГО УСТРОЙСТВА

29. Режим ограничения флуктуациями числа фотонов фона фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Режим ОФ

D.    Durdl Hinteigrundquantcnfluktuation begrcnzter Zustand des Photocmp-fangers

E.    Background limited photodetcctor

F.    Regime photodetccteur infrarouge li-mitc par lc rayonnement ambiant

Условия, при которых обнаружитсяь-ная способность фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения определяется флуктуациями числа фотонов теплового излучения фона

30. Режим оптической генерации фотоэлектрического полупроводниковою приемника излучения

Режим ОГ

Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения. при котором число свободных носителей заряда, генерированных излучением, превышает число термически генерированных носителей

14-201

137

Страница 5

С. 5 ГОСТ 21934-83

Ьу»:менnot обошачекие

Термин

русское

междуна

родное

Определение

31. Режим термическом генерации фотоэлектрического полупроводникового приемника и «лучения

Режим ТГ

Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, при котором число свободных носителей заряда в отсутствии полезного сигнала определяется только термической генерацией

32. Фотодиодный режим

D.    Sperrvorspannunsbct ricbsweisc der Halblciterphotovoltzclle

E.    Back-biascd mode of photovoltaic de-tcctor operation

F.    Regime dc fonctionnemcnt du detcc-tcur photovoltaique au conlrctcnsion dc polarisation

Режим работы фотодиода без внутреннего усиления при рабочем напряжении. приложенном в обратном направлении

33. Лавинный режим работы фотодиода

D.    Tnigcriawincnzustand dcr Photodiode

E.    Avalanche mode of photodiode operation

Режим работы фогодиода с внутренним усилением, который обеспечивается лавинным размножением носителей заряда при обратном смещении электронно-дырочного перехода

34. Фогогальванический режим

D.    Nullvorspannungsbctricbsweiese der Halbleiterphotovoltzelle

E.    Zero-bias mode of photovoltaic detector operation

F.    Regime dc fonctionnemcnt du detcc-teur photovoltaique

Режим работы фотодиода без внешнего источника напряжения

35. Режим работы фототранзистора с плавающей базой

D.    Phototransistorbetricbswcisc mil of-fcner Basis

E.    Floating-base phototransistor operation

F.    Regime du phototransistor de basis fiottantc

Режим работы биполярного фототранзистора при разомкнутой цепи базы с запирающим напряжением на коллекторе

36. Режим короткого замыкания фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Режим короткого смыкания ФЭПП

D.    Kurzschlussbctrieb dcs Phtocmpfdn-gers

E.    Short-circuit mode of detector operation

F.    Fonctionnemcnt du detecteur a court -circuit

Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения. при котором внешнее нагрузочное сопротивление пренебрежимо мало по сравнению с выходным динамическим сопротивлением ФЭПП

37. Режим холостого хода фотоэлектрического полупроводникового приемника излучении

Режим холостого хода ФЭПП

D.    Lecrlaulbctrieb dcs Photoemp&ngcrs

E.    Open-circuit mode of detector operation

F.    Fonctionnemcnt du ditccteur a circuit ouvert

Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения. при котором выходное динамическое сопротивление ФЭПП пренебрежимо мало по сравнению с сопротивлением нагрузки

138

Страница 6

ГОСТ 21934-83 С. 6

Букиенное обозначение

Тернии

русское

междуна*

родное

Определение

3S. Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения с согласованной нагрузкой

Режим рабогы ФЭПП с согласованной нагрузкой

D.    Photocmpfangerbctriebswcise bci An-pass ung

E.    Matched impedance mode of detector operation

F.    Regime de fonctjonncment du dctccteur du resistance dc charge

Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, при котором сопротивление нагрузки равно выходному динамическому сопротивлению ФЭПП

39. Режим оптического гетеродинного приема фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Режим оптического гетеродинного приема ФЭПП

D.    Photocmpfdngerbetriebs-weisc bci Obcrlagemngsempfang

E.    Heterodyne reception mode of detector operation

F.    Regime dc fonctionncment du dctccteur operation

Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, при котором происходи! смешение полезного сигнала с сигналом от гетеродина, за Счет чего достигается усиление полезного сигнала

КОНСТРУКТИВНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИЕМНИКА ИЗЛУЧЕНИЯ И ФОТОПРНЕМНОГО УСТРОЙСТВА

40.    Фоточувствительнын элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Фоточувспнпельный элемент

D.    Lichtcmpfindliches Element eincs Photocmpfangers

E.    Detector sensitive element

F.    Element sensible du dctecteur

41.    Вывод фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Вывод ФЭПП

D.    Photoempl'angeranschluxs

E.    Detector terminal

F.    Branchcmcnt du dctccteur

42.    Контакт фоточувствительного элемента фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Контакт фоточувсгвитсльного элемента

43.    Корпус фотоэлектрического полупроводниковою приемника излучения

Корпус ФЭПП

D.    Photocmpftngergchause

E.    Photodetector package

F.    Boitier du dtHectcur

44.    Иммерсионный элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Иммерсионный элемент ФЭПП

D.    Phot ос mpf&ngc rimme rsionse le me nt

E.    Detector optical immersion element

F.    Element & immersion du dclecteur

Часть монокристалла или полупроводникового слоя, обладающего свойствами внутреннего фотоэффекта, имеющего определенную форму, расположение и геометрические размеры и предназначенная для приема оптического излучения

Элемент конструкции корпуса фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, необходимый для соединения соответствующего электрода с внешней электрической цепью

Участок фоточувствитсльного элемента. обеспечивающий электрическую связь вывода фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения с фоточувствитсльны м элементом

Часть конструкции фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, предназначенная для зашиты ФЭПП от воздействия окружающей среды и присоединения его к внешним схемам с помощью выводов

Оптический элемент, находящийся в оптическом контакте с фоточувствнтсль-нмм элементом фотоэлектрического полупроводникового приемника излучении и служащий для концентрации потока излучения


14*

Страница 7

С. 7 ГОСТ 21934-83

Ьу к не им ос обозначение

Термин

русское

межаума*

родное

Определение

45. Подложка фото электрического полупроводникового приемника излучения

Подложка ФЭПП

Г). Schichttrager dcs Photoempftngers Е. Detector-film base

Конструктивный элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, на который наносится фогочувстяителыiы ii слой

46. Входное окно фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Входное окно ФЭПП

D.    Photoempfangcrcingangsfenster

E.    Detector window

F.    Fen&re du dttecteur

Оптический элемент, входяший в конструкцию корпуса фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения и пропускающий излучение к фото-чувствительному элементу

47. Апертурная диафрагма фотоэлектрического полупроводникового приемника изучения

Апертурная диафрагма ФЭПП

D.    Aperturblcndc des Photoempftngers

E.    Detector aperture stop

F.    Diaphragme d'ouvcrturcdudetecteur

Конструктивный элемент, офаничи-нающий эффективное поле зрении фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

48. Выход фотонриемного устройства

Часть фотоприемного устройства, обеспечивающая связь фотоприемного устройства с внешней электрической цепью

ПАРАМЕТРЫ НАПРЯЖЕНИЙ, СОПРОТИВЛЕНИЙ, ТОКОВ ФЭПП

49. Рабочее напряжение ФЭПП

D.    Bctricbsspannung

E.    Operating voltage

F.    Tension de regime Tension de service

ур

Ч,

Постоянное напряжение, приложенное к ФЭПП, при котором обеспечиваются номинальные параметры при длительной его работе

SO. Пробивное напряжение фотодиода

D.    Durchbnichspannung einer Photodiode

E.    Breakdown voltage of a photodiode

F.    Tension de claquage de photodiode

"np

ив*

Значение обратного напряжения, не вызывающее пробои фотодиода, при котором обратный ток фотодиода достигает заданного значения

51. Максимально допустимое напряжение

ФЭПП

D.    Maximal zul&sige Spannung

E.    Maximum admissible voltage

F.    Tension maxinulc admissible

"шо*

Максимальное значение постоянного напряжения, приложенного к ФЭПП, при котором отклонение его параметров от номинальных значений не превышает указанных пределов при длительной его работе

52. Электрическая прочность изоляции ФЭПП

D.    Isolationsfestigkeit

E.    Insulating strength

F.    Rigiditc d'isolement

"и,

и,

Максимально допустимое напряжение между выводами и корпусом ФЭПП, при котором в течение длительного времени не происходит пробоя изолинии или уменьшения сопротивления изоляции

53. Дифференциальное электрическое сопротивление ФЭПП

D.    Djftcrcntiellcrelcctrisfher Widerstand

E.    Differential electrical resistance

F.    Resistance diffcrcntielle elect rique

Отношение малых приращений напряжения и тока на ФЭПП

54. Статическое сопротивление ФЭПП

D.    Statischer Widerstand

E.    Static resistance

F.    Resistance statique

R.

С

R

1

Отношение постоянного напряжения ФЭПП к проходящему через него постоянному току

140

Страница 8

ГОСТ 21934-83 С. 8

f»> KHeifHOe обозначение

Термин

русское

междуиа*

Определение

родное

55. Темновос сопротивление ФЭПП

4

Сопротивление ФЭПП в отсутствие

D. Dunkchvidcrstand

надаюшего на него излучения в диапазо

Е. Dark resistance

не его спектральной чувствительности*

F. Resistance d'obscuriti

56. Сопротивление фотодиода при нулевом

*0

Сопротивление фотодиода но посто

смешении

янному току вблизи нулевой точки вольт-

D. Nullpunktwiderstand einer Photodiode

амнерной характеристики при малых на

Е. Zero bias resistance of a photodiode

пряжениях смешения (около 10 мВ) при

F. Resistance du point zero de photo

отсутствии облучения в диапазоне его

diode

спектральной чувствительности*

57. Световое сопротивление ФЭПП

\

Rt. RH

Сопротивление ФЭПП при воздей

D. Hellwidcrstand

ствии на него потока излучения в диапа

E. Resistance under illumination

зоне его спектральной чувствительнос

F. Resistance sous 6clairement

ти

58. Тсмновой ток ФЭП 11

A

Ток. прогскаюший через ФЭПП при

D. Ounkelstrom

указанном напряжении на нем в отсут

E. Dark current

ствие потока излучения в диапазоне

F. Courant d'obscurite

спектральной чувствительности*

59. Фототок ФЭНП

/ф

к

Ток. проходящий через ФЭПП при

D. Photostrom

г

указанном напряжении на нем, обуслов

E. Photocurrent

ленный только воздействием потока из

F. Photocourant

лучения с заданным спскгральным распределением.

Примечание. Кроме равновесного теплового излучения при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП

60. Обший ток ФЭНП

овм

L,

Ток ФЭПП, состоящий из темпово

D. Gesamtstrom

го тока и фототока

E. Total current

F. Courant total

61. Напряжение фогоенгнала ФЭПП

и.

Изменение напряжения на ФЭПП.

D. Photosignalspannung

вызванное действием на ФЭПП потока

E. Photoelectric signal voltage

излучения источника фотосигнала.

F. Tension de signal photoelectriquc

Примечание. Так как по переменному току нагрузка обычно подключена параллельно ФЭПП, то напряжение фотосигнала можно измерять на нагрузке

62. Ток фотосигнала ФЭП 11

К

/

Изменение тока в цепи ФЭПП. выз

D. Phot «signals! rom

ванное действием на ФЭПП потока из

E. Photoelectric signal current

лучения источника фотосигнала

F. Courant de signal photodlcctrique

ПАРАМЕТРЫ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ФЭНП*

63. Чувствительность ФЭПП

D.    Ansprcchcmpfindlichkeit

E.    Rcsponsivity

F.    Rfyonse

Отношение изменения электрической величины на выходе ФЭПП. вызванного падающим на него излучением, к количественной характеристике этого излучения. представленной любой энергетической или фотометрической величиной


64. Чувствительность ФЭПП к потоку излучения

D.    Strahlungsflu|kmpflndlichkeit

E.    Radiant flux rcsponsivity

F.    Rcponsc au flux cr>crg>Hiquc

141

Страница 9

С. 9 ГОСТ 21934-83

Бу к пен нос обозначение

Термин

русское

междуна

родно*

Определение

65. Чувствительность ФЭПП к световому

S*r

потоку

Y

D. Lichtstromempflndlichkeit

Е. Luminous flux rcsponsivity

F. Repo use au flux lumincux

*4

66. Чувствительность ФЭПП к облученно

сти

0. Bcstrahlungstarkccmpflndlichkeit

Е. lrr.idiancc rcsponsivity

F. Reponsc & I'dclaircment £ncrg<Hiquc

67. Чувствительность ФЭГ1П к освещен

sg

S*,

ности

D. Be leue h t u ngsstarkee mpfi nd lichkeit

E. Illumination rcsponsivity

F. Reponsc a l'cclaircmcnt lumincux

68. Токовая чувствительность ФЭПП

Si

S/

D. Stromcmpfindlichkcit

E. Current rcsponsivity

F. Reponsc cn courant

69. Вольтовая чувствительность ФЭПП

S.

D. Spannungsempfindlichkeit

E. Voltage rcsponsivity

F. Reponsc cn tension

70. Интегральная чувствительность ФЭПП

•^нмт

Чувствительность ФЭПП к нсмонох-

D. Gcsamtcmpfindlichkcit

роматичсскому излучению заданного

E. Total rcsponsivity

спектральною состава

F. Reponsc globule

71. Монохроматическая чувствительность

s,

$

Чувствительность ФЭПП к монохро

ФЭПП

матическому излучению

D. Monochromatische Empflndlichkcit

E. Monochromatic rcsponsivity

F. Reponsc monochromatiquc

72. Статическая чувствительность ФЭПП

Чупствительность ФЭПП. определяе

D. Statischc Empflndlichkcit

мая отношением постоянных значений

E. Static rcsponsivity

измеряемого параметра фотоирнемника

F. Reponsc statiquc

и потока излучения

73. Дифференциальная чувствительность

s>

Чупствнтелыюсть ФЭПП. определяе

ФЭПП

мая отношением малых приращений из

D. Diflcrcnticllc Empflndlichkcit

меряемого параметра фотоприемника и

E. Differential rcsponsivity

потока излучения

F. Reponsc diflcrcnticllc

74. Импульсная чувствительность ФЭПП

*

Чувствительность ФЭПП, определяе

D. Impulscmpflndlichkcit

мая отношением амплитудных значений

E. Pulse rcsponsivity

электрической ветчины на выходе

F. Reponsc d’impulsions

ФЭПП и импульсного потока излучения заданной формы модуляции

75. Наклон люксомичсской характеристи

У

У

Тангенс угла линейного участка люк

ки фоторезистора

сомичсской характеристики фогорезис-

D. Stcilhcit dcr Lux-Ohm-Kennlinic

тора. построенной в двойном логариф

E. Illuminance-resistance charactcristiquc

мическом масштабе

slope

F. Pcntc dc caracteristiquc eclairemcnt-

resistancc

142

Страница 10

ГОСТ 21934-83 С. 10

Бук ценное обозначение

Термин

русское

междуиа-

Определение

родное

ПАРАМЕТРЫ ПОРОГА И ШУМА ФЭПП

U

Ф..


Ф|Т|1П •

Ф,


NEP


Ф


о I


NEP*


I)


D

D'


[)'


79.    Порог чувствигсльносги ФЭПП в единичной полосе частот

Порог в единичной полосе частот

D.    Aquivalente Rauschleistung im Ein-heitsfrequenzband

E.    Unit frequency bandwidth noise equivalent power

F.    Puissance cquivalente au bruit dans une bandc passante des frequences unitaire

80.    Удельный порог чувствительности ФЭПП

Удельный порог

D.    Speziftschc Aquivalente Rauschleistung

E.    Specific noise equivalent power

F.    Puissance nkluite Aquivalente au bruit

81. ()onap> житсльная способность ФЭП П D. Nachweisfthigkcit

R. Detectivity F. Detectivity

82.    Удельная обнаружительная способность ФЭПП

D.    Spezilischc Nacliweisfahigkcit

E.    Specific detectivity

F.    Detectivity rcduitc


76.    Ток шума ФЭНИ

D.    Rauschstrom

E.    Noise current

F.    Courant de bruit

77.    Напряжение шума ФЭПП

D.    Rauschspannung

E.    Noise voltage

F.    Tension de bruit

78.    Порог чувствительности ФЭПП Порог

D.    Aquivalentc Rauschleistung

E.    Noise equivalent power

F.    Puissance Aquivalentc au bruit


Среднее квадратичное значение флустуации общего тока ФЭПП в заданной полосе частот

Среднее квадратичное значение флуктуации напряжения на заданной нагрузке в цепи ФЭПП в заданной полосе частот

Среднее квадратичное значение первой гармоники действующего на ФЭПП модулированного потока излучения сигнала с заданным спектральным распределением. при котором среднее квадратичное значение первой гармоники напряжения (тока) фотосигнала равно среднему квадратичному значению напряжения (тока) шума в заданной полосе на частоте модуляции потока излучении.

П р и XI е ч а н и с. Полосу частот выбирают, как правило, в пределах 20% от частоты модуляции, так, чтобы изменением спектральной плотности шума в ее пределах можно было пренебречь

Среднее квадратичное значение первой гармоники действующего на ФЭПП модулированного потока излучения источника фотосигнала с заданным спектральным распределением, при котором среднее квадратичное значение первой гармоники напряжения (тока) фотосигнала равно среднему квадратичному значению напряжения (тока) шума, приведенному к единичной полосе на частоте модуляции потока излучения

Порог чувствительности ФЭПП. приведенный к единичной полосе час-тог и единичному по плошали фоточув-ствнтельному элементу


Величина, обратная порогу чувствительности ФЭПП


Величина, обратная удельному порогу чувствительности ФЭПП


143

Страница 11

С. 11 ГОСТ 21934-83

Бу к tic if мое обозначение

Термин

русское

междуиа*

род IKK

Определение

83. Радиационный порог чувствительности ФЭПП

E.    Noise equivalent power of the background limited infrared photodetcc-tor (BLIP)

F.    Puissance cquivalentc au bruit du philra dctecteur

ф-^

Ф

миг

Порог чувствительности ФЭПП. шумы которого обусловлены флуктуациями теплового излучения фона заданной температуры

ПАРАМЕТРЫ СПЕКТРАЛЬНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ

84. Длина волны максимума спектральной чувствительности ФЭПП

D.    Wellenl&nge dcr maximalen Spcktra-lempfindlichkeit

E.    Peak spectral response wavelength

F.    Longueur d'ondc de la sensibility spect-rale maximalc

K.

85. Коротковолновая граница спектральной чувствительности ФЭПП

D.    Kur/wcllengrenzc

E.    Short wavelength limit

X*

4

86. Длинноволновая граница спектральной чувствительности ФЭПП

D.    Langwcllcngrcnze

E.    Long wavelength limit

4

87. Область спектральной чувствительности ФЭЛГ1

D.    Spcktralcr Empfindlichkcilsbcrcich

E.    Spcctral sensitivity range

F.    Part sensible spcctral

Д/.

Длина волны, соответствующая максимуму спектральной характеристики чувствительности

Наименьшая длина волны монохроматического излучения, при которой монохроматическая чувствительность ФЭПП равна 0,1 ее максимального значения

Наибольшая длина волны монохроматического излучения, при которой монохроматическая чувствительность ФЭПП равна 0,1 ее максимального значения

Диапазон длин волн спектральной характеристики ФЭПП. в котором чувствительность ФЭПП составляет не менее 10 % своего максимального значения


ГЕОМЕТРИЧЕСКИЕ П АРАМЕТРЫ ФЭПП

88. Эффективная фогочувствигельная площадь ФЭПП

•ФФ

•Я

D.    Effektivflache des FOh (elements

E.    Effective area of the responsive element

F.    Aireefficace de l'clcmcnt dctecteur

Площадь фоточувствитслыюго элемента эквивалентного по фотосигналу ФЭПП, чувствительность которого равномерно распределена но фоточувстви-тельному элементу и равна номинальному значению локальной чувствительности данного ФЭПП.

Примечание. Определяется соотношением


J \S(x,y)dxdy, л

где S(x. у) — чувствительность к потоку при облучении фоточунствнтслыюго элемента точечным пятном с координатами (х, >•);

А — площадь этого фогочувствитель-ного элемента.

В качестве номинального значения локальной чувствительности как правило, выбирается максимальная чувствительность точки в цетре ФЭПП (в

144

Страница 12

ГОСТ 21934-83 С. 12

Г»> к не и not* обозначение

Термин

русское

междуна

родное

Определение

точке,х,у). Для ФЭПП с резкими неоднородностями чувствительности (микроплазмами, выбросами чувствительности на краях) методика выбора St оговаривается дополнительно

89. Плоский угол зрения ФЭПГ1

D.    Gesichtsfckiwinkel

E.    Angular field of view

F.    Angle d'ouvcrture

20

Угол в нормальной к фогочувстви-гельному элементу плоскости между направлениями падения параллельного пучка излучения, при которых напряжение пли ток фотосигнала ФЭПП уменьшается до заданного уровня

90. Эффективное поле «рения ФЭПП

D.    Eflcktiver Gcsichtsfcldraumwinkel

E.    EfTeclivc weighted solid angle

F.    Angle solide efficace

П>ФФ

Телесный угол, определяемый соотношением

в’Тг=«

0-0 <р-0

хсо‘.ело х (hf

где U —напряжение фотосшнала ФЭП П; допускается замена параметра U на 'v

0 — угол между направлением падающего излучения п нормалью к фогочувстви-телыюму элементу;

Ф — азимутальный угол

ПАРАМЕТРЫ ИНЕРЦИОННОСТИ ФЭПП

91. Время нарастания ФЭПП

Время нарастания

D.    Anslicgszeit der normicrten Obcr-gangskennlinic

E.    Rise lime of the normalized transfer characteristic

F.    Temps dc montcc de caract^risliquc de transmission normalisde

Т0.1-0.9

•г

Минимальный интерват времени между точками переходной нормированной характеристики ФЭПП со значениями 0,1 и 0.9 соответственно

92. Время спада ФЭПП

Время спада

D.    Abfallzeit der normierter Umkehrii-bergangskennlinie

E.    Decay time of the normalized inverse transfer characteristic

F.    Temps dc dcsccnte de caracteristique de transmission inverse normalise

ТО.9-0.1

'/

Минимальный интерват времени между точками обратной переходной нормированной характеристики ФЭПП со значениями 0,1 и 0,9 соответственно

93. Время установления переходной нормированной характеристики ФЭПП по уровню к

Время установления

D.    Einstellzcit der normicrten Obcr-gangskennlinie

E.    Set-up time of the normalized transfer characteristic

F.    Temps d'ctablisscmcnt caractcristique de transmission normalise

V’a

Минимальное время or начата воздействия импульса излучения, по истечении которого максимальное отклонение нормированной переходной характеристики Л0(/) от установившегося значения не превышает к:

/ 1 - А„ (/)/£* при /2 r)ClJt

134*-203

145

Страница 13

С. 13 ГОСТ 21934-83

Ьу к не it not* обозначение

Термин

русское

междуна*

родное

Определение

94. Предельная частота ФЭПП

D.    Gren/ircquenz

E.    Cut-olTfrequency

F.    Frequence dc coupurc

h

Частота синусоидальномодулирован-ного потока излучения, мри которой чувствительность ФЭПП падает до значения 0,707 от чувствительности при не модулированном излучении

95. Емкость ФЭПП

D.    Kapa/Mt

E.    Capacitance

F.    Capacity

С

С

%. Последовательное сопротивление фотодиода

D.    Keihenwiderstand ciner Photodiode

E.    Series resistance

F.    Resistance sine

^посл

.Активная соста&чяюшая электрического сопротивления фотодиода по переменному току, включенная последовательно емкости перехода фотодиода

ПАРАМЕТРЫ МНОГОЭЛЕМЕНТНЫХ Ф ИШ

97. Число элементов ФЭПП

D.    Filhlelementenanzahl

E.    Element number

F.    N ombre des dements

N

"

"

98. Шаг элементов ФЭПП

D.    Rastcrmass

E.    Pilch

F.    Ecaitement

h

P

Расстояние между центрами двух соседних фоточувствительных элементов ФЭПП

99. Межэлементный зазор маотоэлемент-ного ФЭПП

D.    Fiihlekmentcnabstand

E.    Element spacing

F.    Espacemcnt des elements

Д/

Д/

Расстояние между наименее удаленными друг от друга краями фоточувстви-тельных элементов в многоэлементном ФЭПП

Отношение напряжения сигнала с

100. Коэффициент фотоэлектрической связи многоэлсмеитного ФЭПП

D.    Photoclcktrischer Kopplungsfaktor

E.    Photoelectric coupling coefficient

F.    Coefficient dc couplage photoclect-rique

*

необлученного элемента в многоэлемен-тном ФЭПП к напряжению фотосигна-ла с облученного элемента, определяемого на линейном участке энергетической характеристики

101. Разброс значений параметров многозле-мензного ФЭПП

D.    Parameterslreuung

E.    Figure о! merit straggling

F.    Dispersion dc figure dc m£rite

Отношение полуразности наибольшего и наименьшего значений параметра фоточувствительных элементов в многоэлсмснтном ФЭП 11 к среднему значению этого параметра.

Примечание. В буквенном обозначении вместо «X*» следует указывать буквенное обозначение соответствующего параметра

ПАРАМЕТРЫ ФОТОТРАНЗИСТОРОВ***

102. Напряжение на коллекторе фото транзистора

Напряжение между коллектором и выводом, который является обшим для

D.    Kollektorspannung

E.    Collector voltage

F.    Tension du collcctcur

Ui

v

схемы включения фототранзистора

103. Напряжение на эмиттере фототрашне-тора

U\

Vlb

Напряжение между эмиттером и выводом. который является обшим для схе

D.    Emitterspannung

E.    Emitter voltage

F.    Tension d cmetteur

v\

Vic

мы включения фототранзисгора

146

Страница 14

ГОСТ 21934-83 С. 14

Термин

Г»> к не и not* обозначение

Определение

русское

междуна

родное

104. Напряжение на бая* фототранзистора

VI

Напряженке между базой и выводом.

D. Basivspannung

который является обшим для схемы

Е. Base voltage

U'b

ивс

включения фоки ранзисторо

F. Tension de base

105. Пробивное напряжение коллектор-эмит

У НК с to

Пробивши напряжение между выво

тер фо ки ранзистора

дами коллектора и эмиттера фотогран-

D. Kollcktor-Emitter-Durch-bruchspan-

jHcropa при открытой базе и в отсутствие

nung cincs Phototransistors

потока излучения в диапазоне спектраль

E. Collector-emitters breakdown voltage

ной чувствительности*

of a photolransistor

F. Tension de claquagc collccteur-cmct-

tcur de phototransistor

106. Пробивное напряжение коллектор-база

V „V

^нм с во

Пробивное напряжение между выво

фотогранзистора

дами коллектора и базы фототранзисто-

D. Kollektor-Basis-Dureh-bmchspannung

ра при открытом эмиттере и в отсутствие

cincs Phototransistors

потока излучения в диапазоне спектраль

E. Collcctor-basc breakdown voltage of a

ной чувствительности*

phototransistor

F. Tension de claquagc collcctcur-base de

phototransistor

107.1 IpooxBiioc напряжение эчкпер-база фо-

k8Я1ВО

Пробивное напряжение между выво

тотратнегора

дами эмиттера и базы фототранзистора

D. Emitter-Basis-Durchbnich-spannung

при открытом коллекторе и в отсутствие

cincs Phototransistors

потока излучения в диапазоне спектраль

E. Emitter-base breakdown voltage of a

ной чувствительности*

phototransislor

F. Tension de claquagc cmcttcur-basc dc

pbototransistor

108. Пробивное напряжение эмнпг'р-кагпек-

к»

Ь'вк и о

Пробивное напряжение между выво

тор фототранзистора

дами эмиттера и коллектора при откры

D. Emitlcr-Kollektor-Dureh-bruchspan-

той базе и в отсутствие потока излуче

nung cincs Phtototransistore

ния в диапазоне спектральной чувстви

E. Emittcr-collcctor breakdown voltage of

тельности*

a phototransistor

F. Tension dc claquagc imcttcur-collcc-

tcur dc phototransistor

109. Темновой ток коллектора фототранзис

i\-, /2а.,

1 сео' 1 сао'

тора

D. Kollcktordunkclstrom

II-

1 ссо

E. Collector dark curTcnt

F. Courant d'obscuritc du collcctcur

110. Темновой ток эмиттера фотогратисго-

fVj

!и, /:>•

‘ £BO' tEtT

pa

D. Emittcrdunkclstrom

12з

1 ICO

E. Emitter dark current

F. Courant d'obscuritc d’cmctteur

111. Темповой ток базы фототратиетора

1 НПО' 1 ВЕО*

D. Basisdunkclstrom

E. Base dark current

*тй

*всо

F. Courant d’obscuritc dc base

112. Гемновой ток коллектор-имиттер фото

Ч-

• СЕО

Ток в цепи коллектора при отсутствии

транзистора

тока в базе, протекающий при опреде

D. KolIcktor-Emitter-DunkcI-strom cincs

ленных условиях работы и в отсутствие

Phototransistoni

потока излучения в диапазоне спектраль

E. Collcctor-cmittcr dark current of a

ной чувствительности*

photolransistor

F. Courant d’obscuritc colleclcur-^mct-

teur dc phototransistor

is^a*

147

Страница 15

С. 15 ГОСТ 21934-83

Термнн

113.    Тсмновой ток коллектор-база фототраншетора

D.    Kollektor-Basis-Dunkctstrom cines Phototransiston;

E.    Collector-base dark current of a photo -transistor

F.    Courant d'obscurit£ collcctcur-basc dc phototransistor

114.    Тсмновой ток эмиттер-база фототранзистора

D.    Emitter- Basis-Dunkclstrom cines Pho-totransistors

E.    Emitter-base dark current of a photo-transistor

F.    Courant d'obscuritc emettcur-base de phototransistor

115.    Тсмновой ток эмиттер-коллектор фо-

т«транзистора

D.    Emitter- Kollektor-Dunkclstrom eincs Phototransiston;

E.    Emitter-collector dark current ofapho-totransistor

F.    Courant d'obscuritc emcttcur-collcc-tcur dc phototransistor

116.    Ф«гготок коллектора фототраншетора

D.    KoUcktortotostrom cines Phototran-sistors

E.    Collector photocurrcnt of a phototransistor

F.    Photocourant du collcctcur dc phototransistor

117.    Фототок эмиттера фототранзистора

D.    Emitterphotostrom cines Phototransis-tors

E.    Emitter photocurrcnt of a phototransistor

F.    Photocourant d'emettcur dc phototransistor

ПК. Фотеггок баш фототраншетора

D.    Basislotoslrom cines Phototransistors

E.    Base photocurrcnt ofa phototransistor

F.    Photocourant de base de phototransistor

119.    Общий ток коллектора фототранзисто-

ра

D.    Kollcktorgcximtstrom cines Phototransistors

E.    Collector total current of a phototransistor

F.    Courant total du collcctcur dc phototransistor

120.    Обшнй ток эмиттера фототраншетора

D.    Emittcrgesamtstrom eincs Phototran-sistors

E.    Emitter total current of a phototransistor

F.    Courant total d'emettcur dc phototransistor

Бу к it с н not* обозначение

русское

междуна

родное

/$.

‘ с во

/!,

У ВО

/:>

! ico

с*

* СЕ O' ! СВ Н'

'ф\

I сс н

1 /. « н- 1 I f И'

'ф*

11C н

.0 .1 ' фС ’уф0’

1 нв //* ! ви И'

/ 1

'фО

1 вс и

/ * ойщ * *

1 CL' 1 СВ<

/“ оПш к »

1 сс

/к

оСш к

/•

общ а *

/ 1

' общ 2 •

he

/ К

' оОш э

Определение

Ток в цепи коллектора, протекающий при отсутствии тока в эмиттере при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне с 11с ктральной чувствигсл ьности *

Тсмновой ток в цепи эмиттера, протекающий при отсутствии тока в коллекторе при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*

Тсмновой ток в испи эмиттера, протекающий при отсутствии тока в базе при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в лиана зоне с 11с ктрал ьной чувствитсл ьности *


148

Страница 16

ГОСТ 21934-83 С. 16

Букиенное обозначение

Термин

русское

междуиа*

родное

Определение

121. Общий ток ба ш фототранзистора

D. Basisgcsanitstrom cincs Phototransis-

1 С '«tali’

* ВВ- 1 Bf>

-

tors

E.    Base lotal current of a phototransistor

F.    Courant total ck base dc phototransistor

1*

о&ш 0 •

1К

1 обш е

1ВС

122. Общий ток коллектор-эмиттер фототранзистора

D.    Kollektor-Emittcr-Gesamtstrom cincs Phototransiston;

E.    Collector-emitter total current ol'a pho-totransistor

F.    Courant total collecteur-imctteur dc phototransistor

#1

' обш •

1 С£ И

Общий ток коллектор-эмиттер, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением

123. Общий ток коллектор-база фоппранш-стора

D.    Kollektor-Basis-Gesamtstrom cincs Phototransiston;

E.    Collcctor-base total current of a phototransistor

F.    Courant lotal collcctcur-basc dc phototransistor

10

оОш &

• СВ н

Общий ток коллектор-база, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением

124. Токовая чувствительность фототратн-стора

V,-

Отношение изменения электрического тока на выходе фототранзистора к

D. Stromcmpfindlichkcit cincs Photo-transistors

с

потоку излучения, вызвавшему это изменение при холостом ходе на входе и ко

E.    Current rcsponsivity of the phototransistor

F.    Rcponse cn courant du phototransistor

Ао

ротком замыкании на выходе по переменному току

125. Вольтовая чувствительность фототранзистора

V».

Отношение изменения напряжения на входе фототранзистора к потоку из

D. Spannungscmpfnidlichkcit cincs Phototransistors

л,бу.

лучения. вызвавшему это изменение при холостом ходе на входе и коротком за

E.    Voltage rcsponsivity of the phototransistor

F.    Rcponse cn tension du phototransistor

Л|у

мыкании на выходе по переменному току

126. Коэффициент усиления no фототоку фот о транзистора

D.    Photostromvenstarkungsfaktor

E.    Photocurrent gain factor

F.    Gain dc photocourant

Отношение фототока коллектора фототранзистора при отключенной базе к фототеку освещаемого перехода, измеренному в диодном режиме

ПАРАМЕТРЫ КООРДИНАТНЫХ ФОТОДИОДОВ

127. Линейная зона координатной характеристики координатного фотодиода

2\х

Участок координатной характеристики координатного фотодиода, на котором нелинейность не превышает заданного значения

128. Дифференциальная крутизна координатной характеристики координатного фотодиода

•^Ифф

Отношение малого приращении фо-тосигнала координатного фотодиода к малому изменению координаты светового пятна, отнесенного к единице потока излучения

uiji - :oj

149

Страница 17

С. 17 ГОСТ 21934-83

Буквенное оболичсиис

Термин

русское

междуна

родное

Определение

129. Статическая крутизна координатной характеристики координатного фотодиода

Злат

Отношение полного приращения фо-тоемгнала координатною фотодиода к изменению координаты светового пятна, отнесенное к единице потока и злучения

130. Нулевая точка координатною фотодиода

*0

Координата энергетическою иопра световою пятна на фоточувствитсльном элементе координат ною фотодиода, при которой фогасигнал равен нулю

131. Выходное сопротивление координатного фотодиода

«-и*

к

Огношение напряжения фотосигнала холостого хода координатного фото-диода к фототоку короткого замыкания при малом потоке излучения

ПАРАМЕТРЫ ЛАВИННЫХ ФОТОДИОДОВ

132. коэффициент умножения темнового тока лавинного фотодиода

D.    Dunkclstromvenilirkungsfaktor dcr Law i nc n photod iode

E.    Darkcurrcnt multiplication factor of the avalanche photodiode

F.    Facteur de multiplication dc courant d'ohscurite de photodiode a avalanche

ч

Отношение темнового тока лавинного фотодиода к его первичному темповому току — к темповому току, который протекал бы в лавинном фотодиоде при отсутствии в нем эффекта лавинного умножения при том же рабочем напряжении. отсутствии засветки и прочих равных условиях

133. Коэффициент умножения фотогока ;ш-вннного фотодиода

D.    Photostromverviclfachungsfaktor

E.    Photocurront multiplication factor

F.    Facteur dc multiplication de photo-courant

Mph

Огношение фототока лавинного фотодиода к его первичному фоготоку. который протекал бы в лавинном фотодиоде при отсутствии в нем эффекта лавинного умножения при том же рабочем напряжении, интенсивности засветки и прочих равных условиях.

Примечание. Если фототок измеряют при засветке всего чувствительного элемента, то получают интегральный коэффициент умножения, а при точечной засветке — локальный коэффициент умножения

134. Точность поддержания рабочей) напряжения лавинного фотодиода

D.    Konstanthaltungsgcnauigkcit dcr Bet-riebsspannung

E.    Operating voltage constant keeping accuracy

&U

V

AC

и

Относительное изменение рабочего напряжения, при котором коэффициент умножения фотогока изменяется в заданных пределах

135. Температурный коэффициент рабочего напряжения лавинного фотодиода

D.    Tcmperaturkocffizient dcr Betribs-spannung

E.    Operating voltage temperature coefficient

F.    Coefficient de tcmpraturc de tension de regime

К

(V

Отношение изменения рабочего напряжения. при котором коэффициент умножения фотогока достигает исходного значения, к изменению температуры и рабочему напряжению при исходной температуре.

Г1 р и м с ч а н и е. При малых изменениях температуры получают динамический температурный коэффициент рабочего напряжения; если диапазон изменения температур большой — статический температурный коэффициент рабочего напряжения

150

Страница 18

ГОСТ 21934-83 С. 18

Букиенмое обозначение

Термин

русское

междуна

Определение

родное

136.    коэффициент усиления инжекиионно-IX) фотодиода

ПАРАМЕТРЫ ИНЖЕКЦИОННЫХ ФОТОДИОДОВ

К

D.    Vcrstilrkungsfaktor tier Injections-

photodiodc

E.    Injection photodiode gain

F.    Gain tie photodiode a injection

137.    Коэффициент относительного ннжскни-онною усиления инжекиионного фотодиода

D.    Relativer Y’crstarkungsfaktor

E.    Relative gain

F.    Gainrclatif

Отношение токовой чувствительности инжекиионного фотодиода при рабочем напряжении к токовой чувствительности фотодиода в фотогальваничес-ком режиме

Отношение токовой чувствительности инжекиионного фотодиода при рабочем напряжении к токовой чувствительности фоторезистора из того же материала. с теми же размерами и расположением контактов при одинаковых условиях — напряжении, температуре, фоне.

Примечание. Для инжекии-онных фотодиодов с линейным участком вольт-амперной характеристики определяется также отношением токовых чувствительностей при рабочем напряжении на линейном участке, деленном на отношение этих напряжении


ЭКСПЛУАТАЦИОННЫЕ ПАРАМЕТРЫ ФЭПП

138.    Рассеиваемая мощность ФЭПП

D.    Gesamtverlustleistung

E.    Total power dissipation

F.    Dissipation totale de puissance

139.    Максимально допустимая рассеиваемая мощность ФЭ11П

D.    Maximal zuldssige Verluslleistung

E.    Maximum admissible power dissipation

F.    Puissancc dissipce maximale admissible

Ф

140.    Критическая мощность юлучения для ФЭПП

kpUl

141. Динамический диапазон ФЭПП

я

D.    Dynamischer Bercich

E.    Dynamic range

F.    Gammc dynamique

Суммарная мощность, рассеиваемая ФЭПП и определяемая мощностью электрического сигнала и мощностью воздействующего на него излучения Максимальная электрическая мош-ность. рассеиваемая ФЭПП. при которой отклонение его параметров от номинальных значений не превышает указанных пределов при длительной работе

Максимальная мощность импульсного или постоянного излучения, при которой отклонение энергетической характеристики ФЭПП от линейного закона достигает заданного уровня

Отношение критической мощности излучения для ФЭПП к порогу чувствительности ФЭПП в заданной полосе частот.

Примечание. Для ФЭПП, нелинейных в области пороговых засветок. вместо порога чувствительности выбирают минимальный уровень мощности излучения, при которой отклонение энергетической характеристики от линейного закона достигает заданного уровня


15.£‘

151

Страница 19

С. 19 ГОСТ 21934-83

Буквенное обозначение

Термин

русское

междуна

родное

142. Неравномерность чувствительности ФЭПП по элементу

D.    Fl&chenungleichmassigkeit der Emp-(Indlichkeil

E.    Spacing response non-uniformity

F.    Non-uniformity de la reponsc spatialc

A.V (x, )•> *4»

143. Нестабильность сопротивления ФЭПП

D.    Instability tskoefiizicnt dcs Widerstan-dcs

E.    Resistance unstability coefficient

F.    Coefficient de 1'instability de resistance

ДЛ(П

R

144. Нестабильность темнового тока ФЭПП

D.    Instabilitatskoeffizient des Dunkel-stromes

E.    Dark current unstability coefficient

F.    Coefficient de 1 'instability du courant d'obscurite

M,

1,

145. Нестабильность чувствительности

ФЭПП

D.    Instabilitiitskoeffi/ient der Empfind-lichkeit

E.    Response unstability coefficient

F.    Coefficient de 1 'instability de la rcponsc

(l>

u<

146. Температурный коэффициент фототека ФЭПП

D.    Tcmpcraturkocffi/jcnt dcs Photostro-mes

E.    Photocurrcnt-temperaturc coefficient

F.    Coefficient de temperature du photo-courant

ar

147. Световая нестабильность ФЭП 11

D.    Lichtinstabilitat

E.    Light unstability

F.    Instability lumineuse

14S. Темперагура выхода на режим оптической генерации

V

149. Время выхода на режим охлаждаемого

ФЭПП

Е. Cooldown time

150. Время автономной работы охлаждаемого ФЭПП

D.    Unabh&ngige Betriebszcit

E.    Independent operating time

F.    Durye d'opiration autonomc

Определение

Разность наибольшего и наименьшего значений чувствительности ФЭПП S(x, у) измеренной при перемещении в пределах фоточувствителыгаго элемента оптического зонда с заданным спектральным распределением излучения и диаметром, отнесенная к среднему значению чувсгвител ыюсти

Отношение максимального отклонения сопротивления ФЭПП ог его среднего значения при постоянной температуре и напряжении питания в течение заданного интервала времени к средне-

лЯ(0

му значению —^—

Отношение максимального отклонения темнотою тока ФЭПП от его среднего значения в течение заданного интервала времени при постоянных температуре и напряжении питания приемни-

ка к среднему значению: ——

Отношение максимального отклонения напряжения фотосигнала от среднего значения в течение заданного интервала времени при постоянных значениях потока излучения, температуры и постоянном напряжении питания ФЭПП к среднему значению

Отношение процентного изменения фототока ФЭПП к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды при заданной освещенности (облученности)

Изменение светового сопротивления ФЭПП. происшедшее вследствие изменения условий освещенности при его хранении

Интервал времени с момента включения системы охлаждения или термо-стабилизапии до момента, когда параметры охлаждаемою ФЭПП достигают заданного уровня

Интервал времени с момента отключения системы охлаждения или термо-сгабилизапии до момента, когда параметры охлаждаемого ФЭПП изменяются до заданного допустимого уровня


152

Страница 20

ГОСТ 21934-83 С. 20

Буквенное обозначение

Термин

русское

междуна

Определение

родное

СПЕКТРАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФЭПП

151. Спектральная характеристика чувстви

50.)

S(\)

тельности ФЭПП

D. Spcktralc Empfindlichkcit

Е. Spectral sensitivity

F. Scnsibilitc spectralc

152. Абсолютная спектральная характерис

•W*>

тика чувствительности ФЭПП

D. Absolute spcktralc Empfindlichkcits-

kennlinie

E. Absolute spectral-response characte

ristic

F. Caractcristique de sensibility spectralc

absolue

153. Относительная спектральная характери

•W*>

стика чувствительности ФЭПП

D. Relative spcktralc Empfindlichkeits-

kcnnlinic

Зависимость монохроматической чувствительности ФЭПП OI длины волны регистрируемого потока излучения

Зависимость монохроматической чувствительности ФЭПП, измеренной в абсолютных единицах, от длины волны регистрируемого потока излучения

Зависимость монохроматической чувствительности ФЭПП, отнесенной к значению максимальной монохроматической чувствительности, от длины волны регистрируемого потока излучения


ВОЛЬТОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФЭПП

154. Вольт-амиериая характеристика ФЭПП

HU)

m

D. Strom-Spannungs-Kcnnlinie

E. Current-voltage characteristic

F. Caractcristique couranttcnsion

155. Входная вольт-ачперная характеристика

W

фототранзистора

D. Eingangs-Strom- Spannungs- Kennlinie

E. Input currcnt-voltage characteristic

F. Caractcristique couranttcnsion d'entree

156. Выходная вольт-амиериая характерис

W

тика фотч> транзистора

D. Ausgangs-Strom-Spannungs-Kcnnlinie

Е. Output currcnt-voltage characteristic

F. Caractcristique couranttcnsion dc sortie

157. Вольтовая характеристика чувствитель

S{U)

Sit)

ности ФЭПП

D. Bctncbsspannungsabh.’ingigkcit der

Empfindlichkcit

E. Bias voltage response characteristic

158. Вольтовая характеристика тока иома

IJIA

W

ФЭПП

D. Betricbsspannungsabhdngigkeit dcs

Rauschstromes

E. Bias noise current characteristic

159. Вольтовая характеристика напряжения

шума ФЭПП

D. Bctncbsspannungsabhiingigkcit der

Rauschspannung

E. Bias noise voltage characteristic

160. Вольтовая характеристика удельной

D4U)

D'(U)

обнаружитслыюй способности ФЭПП

D. Bctricbsspannungsabhiingigkcit der

Nachweisfohigkcit

Е. Bias detectivity characteristic

Зависимость электрического тока ог напряжения, приложенного к ФЭПП. при фиксированном потоке излучения

Зависимость электрического тока от напряжения на вхолс фоготранзистора при постоянном напряжении на выходе и фиксированном потоке излучения

Зависимость электрического тока от напряжения на выходе фототранзисто-ра при постоянном токе на входе и фиксированном потоке излучения

Зависимость чувствительности от напряжения. приложенного к ФЭПП. при фиксированном потоке излучения

Зависимость среднего квадратичного значения тока шума ог напряжения, приложенного к ФЭПП

Зависимость среднего квадратичного значения напряжения шума от напряжения, приложенного к ФЭПП

Зависимость удельной обнаружитель-ной способности ФЭПП от напряжения, приложенного к нему

153

Страница 21

С. 21 ГОСТ 21934-83

Бу к tic и мое обозначение

Термии

русское

междуна

родное

Определение

161. Вольтовая характеристика коэффициент умножения лавинного фотодиода

D.    Betricbxspannungsabhingigkeit dcs Vcrvielfachungsfaktors dcr La wine n-

photodiode

E.    Bias multiplication factor characteristic of the avalanche photodiode

•ад.

Зависимость коэффициента умножения лавинного фотодиода от напряжения. приложенного к нему

ХАРАКТЕРИСТИКИ ЗАВИСИМОСТИ ПАРАМЕТРОВ ФЭНИ ОТ ПОТОКА ИЗЛУЧЕНИЯ

162.    Энергетическая характеристика фото-тока ФЭПП

D.    Abhdngjgkeit dcs Photostroms von dcm Strahlungsfluss

E.    Photocurrent-radiant flux characteristic

163.    Энергетическая характеристика напряжения фотоскгнала ФЭПП

D.    Abhdngigkcit dcr Photoclcktrischcn Signalspannung von dcm Strahlungs-fluss

E.    Photoelectric signal voltage-radiant llux characteristic

164.    Энергетическая характеристика статического сопротивления фоторе шсюра

D.    Strahlungsftussabhdngigkeit dcs sta-tlschcn Widenitands

E.    Radiant power-static resistance characteristic

165.    Люксомнчсская характеристика фото-резистора

D.    Abhdngigkcit dcs inneren Wideretands von dcr Bckuchtungsstarkc

E.    Rcsistancc-llluminancc characteristic

166.    .1юкс-амперная характеристика ФЭПП

D.    Abh&ngigkeit dcs Photostroms von dcr Bekiichtungsstarke

E.    Photocurrent-Illuminance characteristic

167.    Входная энергетическая характеристика фототрантнетора

168. Выхолная энергетическая характериеги-ка фотогранзистора

уф)

/,*<ф)

Uc( Ф)

ид Ф)

лс(ф>

Лд(Ф>

*,<£)

*е<£),

/*(£)

Лх(Ф)

Зависимость фототока ФЭПП or потока или плотности потока излучения, падающего на ФЭП

Зависимость параметра фототока, сопротивления, напряжения либо тока фотосигнала ФЭПП от потока или плотности потока излучения, палаюшего на ФЭПП

Зависимость статического сопротивления фоторезистора от потока или плотности потока излучения, падающего на фоторезистор

Зависимость светового сопротивления фоторезистора от освещенности или светового потока, падающего на фото-резистор

Зависимость фотогока ФЭПП от освещенности или светового потока, падающего на ФЭПП

Зависимость напряжения (тока) на входе фоторезнстора от погока или плотности потока излучения при постоянном напряжении на выходе и фиксированном токе (напряжении) на входе Зависимость электрического тока на выходе фотогранзистора от потока или плогности потока излучения при постоянном напряжении на выходе и фиксированном токе (напряжении) на входе


ЧАСТОТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФЭПП

169. Частотная характеристика чувствительности ФЭПП

$/)

MJ)

D.    Frequenzgang der Empfmdlichkeit

E.    Frequency response characteristic

F.    Caract&istique de frequence de la rfc-ponse

Зависимость чувствительности ФЭПП от частоты модуляции потока излучения


154

Страница 22

ГОСТ 21934-83 С. 22

Букиенное обозначение

Термин

русское

междуна

родное

Определение

170. С'нсктр тока шума ФЭП 11

D.    Rauschstromspcktrum

E.    Noise current spectrum

F.    Spectre du courant dc bruit

(,(/>

Распределение плотности среднего квадратичного значения тока шума ФЭПП по частотам

171. Спектр напряжения шума ФЭ1111

D.    Rauschspannungsspckirum

E.    Noise voltage spectrum

F.    Spectre dc la tension dc bruit

иш

ия

Распределение плотности среднего квадратичного значения напряжения шума ФЭПП по частотам

172. Частотная характеристика удельной об-наружительной способности ФЭПП

Е. Specific detectivity frequency dependence

D*(f)

Зависимость удельной обнаружигель-ной способности ФЭПП от частоты модуляции потока излучения

ФОНОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФЭПП

173. Фоновая характеристика светового сопротивления ФЭПП

D.    Abhangigkeit des Hcllwiderstands von dem Hintergrundstrahlungsfluss

E.    Resistance under illumination-back-ground radiant flux characteristic

Л4(Ф)

я£<ф),

/?„( Ф)

Зависимость сопротивления ФЭПП от не модулирован ног о потока излучения фона

174. Фоновая характеристика чувствительности ФЭПП

D.    Abhangigkeit dcr Empl'mdlichkeit von dem Hintergrundstrahlungsfluss

E.    Rcsponsivity-background radiant flux characteristic

5{Ф)

•ЯФ)

Зависимость чувствительности ФЭПП от «смодулированного потока излучения фона

175. Фоновая характеристика тока шума ФЭПП

D.    Abhangigkeit des Rauschstroms von dem Hintergrundstrahlungsfluss

E.    Noise current-background radiant flux characteristic

Зависимость тока шума ФЭПП от «смодулированного потока излучения фона

176. Фоновая характеристика напряжения шума ФЭПП

D.    Abhangigkeit dcr Rauschspannung von dem Hintergrundstrahlungsfluss

E.    Noise voltage-background radiant flux characteristic

ишю

Ф)

Зависимость напряжения шума ФЭПП от смодулированного потока излучения фона

177. Фоновая характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот

D.    Abhangigkeit der cquivalenten Rau-schlcistung im Einheitsfrcqucn/band von dem Hintergrundstrahlungslci-stung

E.    NEP-background radiant flux characteristic

Ф„, (Ф>

Зависимость порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот or потока излучения фона

178. Фоновая характеристика удельной об-наружнтельной способности ФЭПП

D.    Abhangigkeit dcr speziflschen Nach-weist'dhigkcit von dem Hintcigrund-strahlungsfluss

E.    Specific detectivity-background radiant flux characteristic

D*( Ф)

/)*(ф>

Зависимость удельной обнаружи гель-ной способности ФЭПП от нсмодули-рованного потока излучения фона

155

Страница 23

С. 23 ГОСТ 21934-83

Зависимость смещения нулевой точки координатного фотодиода от сю температуры

Бу к иен not* обозначение

Термин

русское

междуна

Определение

родное

ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФЭПП

179. Температурная характеристика Свето

*c<7)

Re{ 7X

вого сопротивления ФЭПП

R„(T)

D. Temperaturvcrlauf des Hcllwidcrstands

Е. Resistance under illumination-tempe-

rature characteristic

180. Температу рная характеристика темно-

RrW

вого сопротивления ФЭПП

D. Temperaturvcrlauf des Dunkelwider-

stands

E. Dark resistancc-tcmperaturc charac

teristic

181 Температурная характеристика теаонмюго

1/ (T)

!d{T)

тока ФЭПП

D. Tcmpcraturvcrlaul' des Dunkclstroms

E. Dark current-temperaturc characteristic

182. Тсм1№ратурная характеристика чувстви

S(7)

-47)

тельности ФЭПП

D. Temperaturvcrlauf der Emptindlichkcit

E. Rcsponsivity-tcmperature characteristic

183. Температурная характеристика тока

IJT)

шума ФЭПП

D. Temperaturvcrlauf des Rauschstroms

E. Noise current-tempcrature characte

ristic

184. Температурная характеристика напря

Vm{T)

Utf)

жения шума ФЭПП

D. Temperaturvcrlauf dcr Rauschspan-

nung

E. Noise voltage-tcmpcraturc characteris-

|iy*

IIV

185. Температурная характеристика порога

Фп.(П

чувствительности ФЭПП в единичной по

лосе частот

D. Tcmpcraturvcrlaul' dcr aquivalcntcn

Rauschlcistung im Einlicitsfrcquenz-

hand

E. NEP-tcmperaturc characteristic

186.'Температурная характеристика удель

D*(D

D'(T)

ной оонаружигельной способности ФЭПП

D. Tempcraturvcriauf dcr spe/jfischcn

Nachweisfdhigkcit

E. Specific dctectivity-tcmpcraturc cha

racteristic

187. ’Температурная характеристика дрейфа

x0cr>

W

нулевой точки координатного фотодиода

D. Tempcraturvcriauf dcr Nullpunktdrift

Е. Zero drift-temperature characteristic

ВРЕМЕННЫЕ И ПРОСТРАНСТВЕННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФЭПП

188. Переходная нормированная характеристика ФЭПП

Ш

D.    Normierte Obcrgangscharakteristik

E.    Normalized transfer charakteristic

F.    Caractoristique de transmission normalise

Отношение фототока, описывающего реакцию ФЭПП в зависимости от времени. к установившемуся значению фототока при воздействии импульса излучения в форме единичной ступени.


156

Страница 24

ГОСТ 21934-83 С. 24

Букнеиное обо значение

Термин


междуиа

родное


русское


Определение


Примечай и с. Импульс излучения в форме единичной сгепени описывается выражением

{О пр, /

О пр. /<0

/г0.

В общем случае переходная нормированная характеристика может иметь вил:

heft)

ai

J

т

t

189. Обратная переходная нормированная характеристика ФЭПП

Ло(')

D.    Normicrtc Umkchrtibcrgangscharaetc-ristik

E.    Normalized inverse transfer characteristic

F.    Caracteristiqiie de transmission inverse normalise

Отношение <|хпотока, описывающего реакцию ФЭПП в зависимости от времени. к начальному значению фотото-ка при резком прекращении воздействия излучения.

П р и Vi с ч а н и с. Поток излучения при резком прекращении воздействия описывается выражением

|Ф пр, /50 Ф><0 = { 4

(0 пр, f >0


Ao</)


A'o (/)


S{x, y)


S(.\, y)


191.    Временной дрейф нулевой точки координатного фотодиода

Дрейф нуля

D.    Nullpunktdrift

E.    Zero drift

192.    Распределение чувствительности по элементу ФЭПП

D.    EmpfindlichkeitsobcrllSchcnvertei-lung

E.    Responsivity surface distribution

F.    Distribution superficiellc de la rcponse


190. координатная характеристика координатного фотодиода


Зависимость выходного напряжения или тока фотосигнала от координаты светового пятна на фоточувствитслыюм элементе координатною фотодиода Смещение нулевой точки координатного фотодиода при постоянной температуре в течение заданного интервала времени

Зависимость чувствительности ФЭПП or положения световою зонда на светочувствительном элементе


157

Страница 25

С. 25 ГОСТ 21934-83

Ьу к tic it not1 обозначение

Термин

русское

междуна

родное

Определение

193. Угловая характеристика чувствительности ФЭПП

D.    Empfindlichkeitswinkclvcrteilung

E.    Rcsponsivity directional distribution

F.    Distribution dircctionnellc dc la reponsc

S(0)

Зависимость чувствительности ФЭП Г1 от угла между направлением падающего излучения и нормалью плоскости фого-чувствитсльного элемента

158

1

На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном иоле зрения ФЭГ1П.

Страница 26

ГОСТ 21934-83 С. 26

Коэффициент фотоэлектрической связи многоэлементного ФЭПП    100

Крутизна координатной характеристики координатного фотодиода    дифференнналы1аи    128

Крутизна координатной характеристики координатного фотодиода    статическая    129

Мощность излучения для ФЭПII критическая    140

Мощность ФЭПП рассеиваемая    138

Мощность ФЭПП рассеиваемая максимально допустимая    139

Наклон люксомической характеристики фоторсзнстора    75

Напряжение коллектор-6аза фоготранзнсгора пробивное    106

Напряжение коллектор-эмиттер фоготран шетора пробивное    105

Напряжение на базе фототранзистора    104

Напряжение на коллекторе фототранзистора    102

Напряжение на эмиттере фоготран зистора    103

Напряжение фотодиода пробивное    50

Напряжение фотосигнала ФЭПП    61

Напряжение ФЭПП максимально допустимое    51

Напряжение ФЭПП рабочее    49

Напряжение шума ФЭПП    87

Напряжение эмиттер—база фототранзистора пробивное    107

Напряжение эмиттер—коллектор фототранзистора пробивное    108

Неравномерность чувствительности ФЭПП по элементу    142

Нестабильность сопротивления ФЭПП    143

Нестабильность темпового тока ФЭПП    1+4

Нестабильность ФЭПП световая    147

Нестабильность чувствительности ФЭПП    145

Область спектральной чувствительности ФЭПП    87

Окно фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения входное    46

Окно ФЭПП входное    46

Площади ФЭПП фоточувствнгсльная эффективная    88

Подложка фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения    45

Подложка ФЭПП    45

Поле зрения ФЭПП эффективное    90

Порог    78

Порог н единичной полосе частот    79

Порог удельный    80

Порог чувствительности ФЭПП    78

Порог чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот    79

Порог чувствительности ФЭПП радиационный    83

Порог чувствительности ФЭПП удельный    80

Прибор полупроводниковый фоточувствительный    I

Приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический    2

Приемник излучения    полупроводниковый фотоэлектрический гетеродинный    8

Приемник излучения    полупроводниковый    фотоэлектрический иммерсионный    9

Приемник излучения    полупроводниковый    фотоэлектрический координатный    7

Приемник излучения    полупроводниковый    фотоэлектрический многоспсктральный    4

Приемник излучения    полупроводниковый    фотоэлектрический мною элементный    6

Приемник излучения    полупроводниковый    фотоэлектрический одноэлементный    5

Приемник излучения    полупроводниковый фотоэлектрический охлаждаемый    20

Прочность изоляции ФЭПП электрическая    52

p-i-n фотодиод    12

Разброс значений параметров многоэлементною ФЭПП    101

Распределение чувствительности но элементу ФЭПП    192

Режим короткого замыкания фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения    36

Режим короткого замыкания ФЭПП    36

Режим ОГ    30

Режим ограничения флуктуациями числа фотонов фона фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения    29

Режим оптическою гетеродинною приема фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения    39

Режим оптического гетеродинного приема ФЭПП    39

Режим оптической генерации фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения    30

Режим ОФ    29

Режим работы фотодиода лавинный    33

159

Страница 27

С. 27 ГОСТ 21934-83

Режим работы фототранзистора с плавающей базой    35

Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения с согласованной нагру зкой 38 Режим работы ФЭПП с согласованной нагру зкой    38

Режим ТГ    31

Режим термической генерации фотоэлектрического полупроводниковою приемника излучения    31

Режим фотогальваническнй    34

Режим фотодиодный    32

Режим холостого хода фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения    37

Режим холостого хода ФЭПП    37

Сканнсгор полупроводниковый фотоэлектрический фоточувсгвигельный    25

Сопротивление координатного фотодиода выходное    131

Сопротивление фотодиода последовательное    %

Сопротивление фотодиода при нулевом смешении    S6

Сопротивление ФЭПП световое    57

Сопротивление ФЭПП статическое    54

Сопротивление ФЭПП темновое    55

Сопротивление ФЭПП электрическое дифференциальное    53

Спектр напряжения шума ФЭПП    171

Спектр тока шума ФЭПП    170

Способность ФЭПП обнаружительная    81

Способность ФЭПП обнаружительная удельная    82

Температу ра выхода на режим оптической генерации    148

Ток базы фототранзнсгора общий    121

Ток базы фототранзистора темновой    111

Ток коллектора фототранзистора общий    119

Ток коллектора фототранзнсгора темновой    109

Ток коллектор-база фототранзнсгора обшнй    123

Ток коллектор-база фототранзистора темновой    113

Ток коллектор-эмиттер фототранзистора обшнй    122

Ток коллектор-эмиттер фототранзнсгора темновой    112

Ток фогосигнала ФЭГ1П    62

Ток ФЭПП общий    60

Ток ФЭП 11 темновой    58

Ток шума ФЭПП    76

Ток эмиттер-база фототранзнсгора темновой    114

Ток эмиттер - коллектор фототранзнсгора темновой    115

Ток эмиттера фоготран зистора обшнй    120

Ток эмипера фототранзистора темновой    110

Точка координатного фотодиода нулевая    130

Точность нодтержания рабочего напряжения лавинного фотодиода    134

Угол зрения ФЭП 11 плоский    89

Устройство с внутренней коммутацией фогоприемное многоэлсмснтиос    23

Устройство с разделенными каналами фогоприемное много-элементное    22

Устройство фогоприемное    3

Устройство фогоприемное гибридное    28

Устройство фогоприемное многосиектральнос    24

Устройство фогоприемное монолитное    27

Устройство фогоприемное одноэлементное    21

Устройство фогоприемное охлаждаемое    26

Фотодиод    11

Фотодиод инжскционный    16

Фотодиод лавинный    15

Фотодиод с барьером Шоггки    13

Фотодиод с гетеропереходом    14

Фоторезистор    10

Фототок базы фототранзнсгора    118

Фотогок коллектора фототранзистора    116

Фотогок ФЭПП    59

Фотогок эмиттера фототранзнсгора    117

Фототранзнстор    17

Фототраизисгор биполярный    19

Фототранзистор полевой    18

160

Страница 28

ГОСТ 21934-83 С. 28

ФПУ    3

ФГ1У гибридное    28

ФПУ многоснсктральнос    24

ФПУ монолитное    27

ФПУ одноэлементное    21

ФПУ охлаждаемое    26

ФПУ с внутренней коммутацией    многоэлементное    23

ФПУ с разделенными каналами многоалементное    22

ФЭПП    2

ФЭПП гетеродинный    8

ФЭПП иммерсионный    9

ФЭПП координатный    7

ФЭПП многосискгральный    4

ФЭПП многоэлементный    6

ФЭПП одноэлементный    5

ФЭПП охлаждаемый    20

Характеристика дрейфа нулевой точки координатного фотодиода температурная    187

Характеристика координатного фотодиода координатная    190

Характеристика коэффициента умножения лавинною фотодиода вольтовая    161

Характеристика напряжения фотосигнала ФЭПП энергетическая    163

Характеристика напряжения шума ФЭПП вольтовая    159

Характеристика напряжения шума ФЭПП температурная    184

Характеристика напряжения шума ФЭПП фоновая    176

Характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот температурная    185

Характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот фоновая    177

Характеристика светового сопротивления ФЭПП температурная    179

Характеристика светового сопротивления ФЭПП фоновая    173

Характеристика статического сопротивления фоторезистора энергетическая    164

Характеристика темнового сопротивления ФЭПП температурная    180

Характеристика темнового тока ФЭПП температурная    181

Характеристика тока шума ФЭПП вольтовая    158

Характеристика тока шума ФЭПП температурная    183

Характеристика тока шума ФЭПП фоновая    175

Характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП вольтовая    160

Характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП температурная    186

Характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП фоновая    178

Характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП частотная    172

Характеристика фоторезистора лижсоиичсская    165

Характеристика фототока ФЭПП энергетическая    162

Характеристика фототраншегора вольт-амперная входная    155

Характеристика фототранзнетора вольт-амперная выходная    156

Характеристика фототранзнетора энергетическая входная    167

Характеристика фототранзнетора энергетическая выходная    168

Характеристика ФЭПП вольт-амперная    154

Характеристика ФЭПП люксамисрная    166

Характеристика ФЭПП нормированная переходная    188

Характеристика ФЭПП нормированная переходная обратная    189

Характеристика чувствительности ФЭПП вольтовая    157

Характеристика чувствительности ФЭПП спектральная    151

Характеристика чувствительности ФЭПП спектральная абсолютная    152

Характеристика чувствительности ФЭПП спектральная относительная    153

Характеристика чувствительности ФЭПП температурная    182

Характеристика чувствительности ФЭПП угловая    193

Характеристика чувствительности ФЭПП фоновая    174

Характеристика чувствительности ФЭПП частотная    169

Частота ФЭПП предельная    94

Число элементов ФЭПП    97

Чувствительность фототранзнетора    вольтовая    125

Чувствительность фототранзнетора    токовая    124

Чувствительность ФЭПП    63

Чувствительность ФЭПП вольтовая    69

161

Страница 29

С. 29 ГОСТ 21934-83

Чувствительность ФЭГ1П дифференциальная    73

Чувствительность ФЭПП импульсная    74

Чувствительность ФЭПП интегральная    70

Чувствительность ФЭПП    к    облученности    66

Чувствительность ФЭПП    к    освещенности    67

Чувствительность ФЭПП    к    потоку излучения    64

Чувствительность ФЭПП    к    световому потоку    65

Чувствительность ФЭПП монохроматическая    71

Чувствительность ФЭПП статическая    72

Чувствительность ФЭПП токовая    68

Шаг элементов ФЭПП    98

Элемент ((югочувствительный    40

Элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения иммерсионный    44

Элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения фоточувствительный    40

Элемент ФЭПП иммерсионный    44

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА НЕМЕЦКОМ ЯЗЫКЕ

Abfallzeit der normierter Umkchrttbergangskennlinie    92

Abhdngigkcit der Empfindlichkcit von dcm Hintergrundslrahlungsfluss    174

Abhdngigkcit der cqiiivalcntcn Rauschleistung im Einheitsfrcqucnzband von dcm Hintcrgrundslrahlungslcistung    177

Abhangigkeit der Photoelektrischen Signalspannung von dem Strahlungsfluss    163

Abhdngigkcit der Rauschspannung von dem Hintcrgrundstrahlungsfluss    176

Abhangigkeit der spcziftschcn Nachweisfthigkeit von dcm Hintergrundstrahlungsfluss    178

Abhdngigkcit dcs Hellwidcrstands von dcm Hintcrgrundstrahlungsfluss    173

Abhdngigkcit dcs innercn Widcrstands von der Bcleuchtungsstdrkc    165

Abhdngigkcit dcs Photostroms von dcm Strahlungsfluss    162

Abhdngigkcit dcs Photostroms von der Belcuchtungsstdrkc    166

Abhdngigkcit des Rauschstroms von dem Hintcrgrundstrahlungsfluss    175

Absolute spektrale Empfmdlichkcitskcnnlime    152

Ansprechempfindlichkcit    63

Ansticgszeit dcr normierten Obergangskcnnlinic    91

Aperturblcndc des Photocmpfdngcrs    47

Aquivalentc Rauschleistung    78

Aquivalente Rauschleistung im Einheitsfrcqucnzband    79

Ausgangs-Strom-Spannungs-Kcnniinie    156

Basisdunkclst rom    111

Basisfotostrom cincs Phototransistors    118

Basisgesamtstrom eines Phototransistors    121

Basisspannung    104

Beleuchtungsstdrkecmpfindlic hkeit    67

Bcstrahlungsstarkeempfindlichkcit    66

Bctricbsspannung    49

Betricbsspannungsabhiingjgkcit der    Empfindlichkcit    157

Betricbsspannungsabhdngigkeit dcr    Nachweisfdhigkeit    160

Betricbsspannungsabhfingigkcit der    Rauschspannung    159

Betriebsspannungsabhangigkcit des    Rauschstromes    158

Betncbsspannungsabh&ngigkcit dcs    Verviclfachungsfaktoni dcr Lawinenphotodiode    161

Bipolarphototransistor    19

Differentiellc Empfindlichkcit    73

DilTerentieller clcktrischcr Widerstand    53

Dunkclstrom    58

Dunkelstromvcrstdrkungsfaktor der Lawinenphotodiode    132

Dunkelwiderstand    55

Durchbruchspannung elner Photodiode    50

Durch Hintcrgrundquantenfluktuation begrenzter Zustand des Photoempfilngcrs    29

Dynamischcr Bercich    141

Effcktiver Gesichtsfcldniumwinkcl    90

Effcktivfilichc des Filhlelemcnts    88

Einclemcntphotocmpftnger    5

162

Страница 30

Eingangs-Strom-Spannungs-Kcnnlinic Einstellzeit dcr nonnicrtcn Obergangskcnnlink*

Emitter-Basis-Dunkclstrom eincs Phototransistors Emittcr-Basis-Durchbruchspannung cines Phototransistors Emittcrdunkclstrom


Emittcrgesamtstrom eines Phototransistors Emitter-Kollcktor-Dunkclstrom eincs Phototransistors Emitter-Kollektor-Durchbruchspannung eincs Phototransistors Emitterphotostrom cines Phototransistors Emittcrspannung

EmpfindlichkcitsoberfiAchcnvertcilung

Empfindlichkcitswinkclvcrtcilung

Fldchcnunglcichmissigkcit dcr Empfindlichkcit

Frcqucnzgang der Empfindlichkeit

Fuhlclcmcntcnabstand

Fiihlelcmcntcnanzahl

Gckiihlter Photocmpfiinger

Gcsamtenipt'indlichkcit

Gcsamtstrom

Gcsamtverlustleistung

Gcsichtsfeldwinkcl

Grcnzfrequcnz

Halblciterphotoclcmcnt

Hcllwiderstand

Immcrsionsphotocmpffingcr

Impulscmpfindlichkcit

Injcktionsphotodiodc

InstabititalskocfTizicnt der Empfindlichkeit Instabilittttskocffizicnt dcs Dunkclstromcs InstabilitiitskocfiPizicnt des Widcrstandes Isoiationsfcstigkeit Kapazit.it

Kollcktor-Basis-DunkcLstrom eincs Phototransistors Kollcktor-Basis-Durchbruchspannung cines Phototransistors Kollcktor-Basis-Gcsamtstrom cines Phototransistors Kollektordunkclstrom

Kollcktor-Emitter-Dunkclstrom eincs Phototransistors Kollcktor-Emitter-Durchbruchspannung cincs Phototransistors Kollcktor-Emittcr-Gcsamtstrom cincs Phototransistors Kollektorfotostrom cincs Phototransistors Kollektorgesamtstrom cincs Phototransistors Kollcktorspannung

Konstanthaltungsgcnauigkeit dcr Bctricbsspannung

Kurzschlussbetricb dcs Photocmpfiingcrs

Kurzwcllcngrcnzc

Langwcllcngrcnzc

Lawinenphotodiodc

Lecrlaulbetricb dcs Photocmpfiingcrs

Lichtcmpfindlichcs Element cincs Photocmpfiingcrs

LichtinstabilitAt

Lichtstromcmpfindlichkcit

Maximal zul&ssige Spannung

Maximal zuldssigc Vcrlustlcistung

Monochromatischc Empfindlichkeit

M u It ispektralphotoc mpftnger

Nachwcisfdhigkcit

Normicrte Obergangscharaktcristik

Normierte Umkchnibcrgangscharaktcristik

Nullpunktdrifi

Nullpunktwidcrstand cincr Photodiode Nullvorspannungsbctriebswcisc dcr Halblciterphotovoltzcllc

1641-    163

Страница 31

С. 31 ГОСТ 21934-83

Ortsempfindlichcr Photoempfangcr

Parameterstrcuung

Photodiode

Photodiode mit HcteroUbcrgang

Photoclektrischcr Kopplungsfaktor

PhotocmpllingcranschlusN

Photocmpfangerbctrichswcise bci Anpassung

Pho<ocmpftngcrbetricbswcisc bci Ubcrlagcrungscmpfang

PholocmpPangereingangsfcnster

Photoempfdngcrgchausc

Photoempftngcrimmersionselemcnt

Phtoempfindlichcs Halblcitcrbauelcmcnt

PhotolcldclTckttransisfor

Photosignal strom

Photostrom

Photostromvcrstdrkungsfaktor

Photostromvcrviclfachungsfaktor

Phototransistor

Phototransistorbctriebswcisc mit oflcner Basis

Photowidc island

Pin- Photodiode

Rastcrmass

Rauschspannung

Rausc hspan nungsspc kt mm

Rausc hstrom

Rausc list romspckl rum

Rcihcnwiderstand cincr Photodiode

Rclativcr Verstiirkungsfaktor

Relative spectral Empfindlichkcitskennlinie

Schichttrager des Photocmpftngcrs

Sc hottkv-Photodiode

Spannungsempfindlichkeit eines Phototransistors Spektrale Empfmdlichkeit Spektralcr Empfidlichkeitsbercich

Sperrvorspannungsbetriebsweise der Halbleitcrphotovoltzcllc

Spe/iflsche dquivalcnte Rauschlcistung

Spc/ifischc Nachweisfihigkcit

Statischc Empfindlichkcit

Statischer Widcrstand

Stcilheit dcr Lux-Ohm-Kcnnlinie

Strahlungsflussobhiingigkcit des statischen Widcrstands

Strahlungsflu|k'mpfmdlichkcit

Stromempfindlichkeit

Stromempfmdlichkcit eines Phototransistors Strom-Spannung- Kennlinie Temperaturkoeffizicnt dcr Bctriebsspannung TempcraturlcocOizient des Photostromes

Tcmpcraturvcrlauf dcr &quivalenten Rauschlcistung im Einhcitsfrequenzhand

Tcmpcraturvcrlauf dcr Empfindlichkcit

Tempcraturvcriauf der Nullpunktdrift

Tcmpcraturvcrlauf dcr Rauschspannung

Tempcraturvcrlauf dcr spczifischen Nachvvcislahigkeil

Tcmpcraturvcrlauf des Dunkcktroms

Tcmpcraturvcrlauf des Dunkclwidcrstands

Tcmpcraturvcrlauf des Hclhvidcrstands

Tcmpcraturvcrlauf des Rauschstroms

Triigcrlawincn/.ustand der Photodiode

Obcrlagcrungsphotocmpftnger

Lnabhdngigc Bctriebszcit

Verstiirkungsfaktor der Injcktionsphotodiodc

Viclclcmcnlphotocmpftngcr

WellenlSnge dcr maximalen Spcktralempfindhchkcit

164

Страница 32

ГОСТ 21934-83 С. 32

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ

Absolute spectral-rcsponse characteristic    152

Angular field of view    89

Avalanche mode of photodiode operation    33

Avalanche photodiode    15

Back-biased mode of photovoltaic detector operation    32

Background limited photodetector    29

Base dart; current    111

Base photocurrcnt of a phototransistor    118

Base total current of a phototransistor    121

Base voltage    104

Bias detectivity characteristic    160

Bias multiplication factor characteristic of the avalanche photodiode    161

Bias noise current characteristic    158

Bias noise voltage characteristic    159

Bias voltage response characteristic    157

Bipolar phototransistor    19

BLIP    33

Breakdown voltage of a photodiode    50

Capacitance    95

Collector-base breakdown voltage of a phototransistor    106

Collector-base dark current of a phototransistor    113

Collector-base total current of a phototransistor    123

Collector dark current    109

Collcctor-cmitter breakdown voltage of a phototransistor    105

Collcctor-emitter dark current of a phototransistor    112

Collcctor-cmitter total current of a phototransistor    122

Collector photocurrcnt of a phototransistor    116

Collector total current of a phototransistor    119

Collector voltage    102

Cooldown time    149

Cooled detector    20

Current responsivity    68

Current responsivity of the phototransistor    124

Currcnt-voltage characteristic    154

Cut-off frequency    94

Dapk current    58

Dark current multiplication factor of the avalanche photodiode    132

Dark currcnt-tempcrature characteristic    181

Dark current unstability coefficient    144

Dark resistance    55

Dark resistance-tcmperature characteristic    180

Decay time of the normalized inverse transfer characteristic    92

Detectivity    81

Detector aperture stop    47

Detector-film base    45

Detector optical immersion element    44

Detector sensitive element    40

Detector terminal    41

Detector window    46

Differential electrical resistance    53

Differential responsivity    73

Dynamic range    141

Effective area of the responsive element    88

Effective weighted solid angle    90

Element number    97

Element spacing    99

Emitter-base breakdown voltage of a phototransistor    107

Emitter-base dark current of a phototransistor    114

Emitter-collector breakdown voltage of a phototransistor    108

165

1648-203

Страница 33

С. 33 ГОСТ 21934-83

Emiltcr-collccior dark current of a phototransistor    115

Emitter dark current    110

Emitter photocurrcnt of a phototransistor    117

Emitter total current of a phototransistor    120

Emitter voltage    103

Reid effect phototransistor    18

Figure of merit straggling    101

Floating-base phototransistor operation    35

Frequency response characteristic    169

Heterodyne detector    8

Heterodyne reception mode of detector operation    39

Hetcrojunction photodiode    14

llluminance-resistance characteristique slope    75

Illumination responsivity    67

Immersed detector    9

Independent operating time    150

Injection photodiode    16

Injection photodiode gain    136

Input current-voltage characteristic    155

Insulating strength    52

Irradiance responsivity    66

Light unstability    147

Long wavelength limit    86

Luminous flux responsivity    65

Matched impcdance mode of detector operation    38

Maximum admissible power dissipation    139

Maximum admissible voltage    51

Monochromatic responsivity    71

Multi-band photodetector    4

Multi-element detector    6

NEP-background radiant flux characteristic    177

NEP-tempcrature characteristic    185

Noise current    76

Noise current-background radiant flux characteristic    175

Noise current spectrum    170

Noise current-tcmpcrature characteristic    183

Noise equivalent power    78

Noise equivalent power of the background limited infrared photodctcctor (BLIP)    83

Noise voltage    77

Noise voltage-background radiant flux characteristic    176

Noise voltage spectrum    171

Noise voltage-tcmperature characteristic    184

Normalized inverse transfer characteristic    189

Normalized transfer characteristic    188

Opcn-circuit mode of detector operation    37

Operating voltage    49

Operating voltage constant keeping accuracy    134

Operating voltage temperature coefficient    135

Output currcnt-voltagc characteristic    156

Peak spectral response wavelength    84

Photoconductive cell    10

Photocurrcnt    59

PhotocurTent gain factor    126

Photocurrent-illuminance characteristic    166

Photocurrcnt multiplication factor    133

Photocurrent-radiant flux characteristic    162

Photocurrcnt-tcmperature coefficient    146

Photodetector package    43

Photodiode    11

Photoelectric coupling coefficient    100

Photoelectric semiconductor detector    2

Photoelectric signal current    62

166

Страница 34

ГОСТ 21934-83 С. 34

Photoelectric signal voltage

Photoelectric signal voltage-radiante flux characteristic

Photosensitive semiconductor device

Phototransistor

Pin-photodiode

Pitch

Position-sensitive detector

Pulse rcsponsivity

Radiant flux rcsponsivity

Radiant power-static resistance characteristic

Relative gain

Resistance-illuminance characteristic Resistance under illumination

Resistance under illumination-background radiant flux characteristic Resistance under illumination-tempcrature characteristic Resistance unstability coefficient Response unstability coefficient

Rcsponsivity

Rcsponsivity-background radiant flux characteristic Rcsponsivity directional distribution Rcsponsivity surface distribution Rcsponsivity-tcmperaturc characteristic Rise time of the normalized transfer characteristic Sc hot Iky- Ba rric r- Photodiode Short-circuit mode of detector operation Short-wavclcngth limit Scncs resistance

Set-up time of the normalized transfer characteristic Single-element detector Spacing response non-uniformity Specific detectivity

Specific detectivity-background radiant flux characteristic

Specific detectivity frequency dependence

Specific dctcctivity-tcmperature characteristic

Specific noise equivalent power

Spectral sensitivity

Spectral sensitivity range

Static resistance

Static rcsponsivity

Total current

Total power dissipation

Total rcsponsivity

Unit frequency bandwidth noise equivalent power Voltage rcsponsivity

Voltage rcsponsivity of the phototransistor Zero-bias mode of photovoltaic detector operation Zero-bias resistance of a photodiode Zero drift

Zero drift-tempcrature characteristic

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫКЕ

Aire efficace de ('element detecteur Angle d'ouverturc Angle solidc cftlcace Boilicr du detecteur Branchement du detecteur Capacity

Caractcristiquc courant-tension Caractcristiquc courant-tension d'entrie Caractcristiquc courant-tension dc sortie

167

I6iK*

Страница 35

С. 35 ГОСТ 21934-83

Caractcristique dc frequence dc la rCponsc Caractcristique dc sensibilite spcclralc absoluc Caractcristique dc transmission inverse normalisec Caractcristique dc transmission normalisce Cellule photoinductive Coefficient dc couplage photoClectrique Coefficient de 1 'instability dc la rcponsc Coefficient de I'instabilitC dc resistance Coefficient dc I'instabilitC du courant d'obscuritc Coefficient de temperature dc tension de rCgime Coefficient dc temperature du photocourant Courant de bruit

Courant de signal photoClectrique Courant d'obscuritc

Courant d'obscuritc collccteur-base dc phototransistor Courant d'obscuritc collecteur-cmcttcur dc phototransistor Courant d'obscuritc dc base Courant d’obscuritC d'cmettcur Courant d'obscuritc du collectcur Courant d'obscuritc Cmetteur-base dc phototransistor Courant d'obscuritc Cmettcur-collectcur dc phototransistor Courant total

Courant total collcclcur-basc de phototransistor

Courant total collecteur-Cmctteur dc phototransistor

Courant total de base de phototransistor

Courant total d’Cmctteur de phototransistor

Courant total du collectcur dc phototransistor

DCtecteur к CICmcnt unique

Dctcctcur a immersion

DCtecteur a semi-conducteur photoClcctrique

DCtectcur hCtCrodync

DCtectcur multiple

DCtect ivit с

DCtcctivitc rcduite

Diaphragmc d'ouverturc du dCtcctcur Dispersion dc figure dc monte Dispositif semiconductcur photoscnsible Dissipation totalc dc puissance Distribution directionnelle dc la rcponsc Distribution supcrficicllc dc la rcponsc DurCe d’operation autonome Ecartcmcnt

Element a immersion du dCtecteur Element sensible du dCtecteur Espaccmcnt des Clements

Factcur dc multiplication dc courant d'obscuritc dc photo-diode .i avalanche Faclcur dc multiplication dc photocourant FcnCtrc du dCtecteur

Fonctionncment du dCtecteur й circuit ouvcrt

Fonctionncmcnt du dCtecteur a court-circuit

Frequence dc coupure

Gain de photocourant

Gain dc photodiode Л injection

Gain rclatif

Gammc dynamiquc

InstabilitC lumineusc

Longueur d'ondc dc la sensibilite spectralc maximale Nombre dcs Clements Non-uniformitC de la rCponsc spatialc Part sensible spectralc

Pente dc caractCristiquc Cclaircment-rCsistancc Photocourant

168

Страница 36

Photocourant dc base dc phototransislor PhotocouranI d’emcttcur dc phototransistor Photocourant du collcctcur dc phototransistor Photodetccteur a plusicurs gammcs Photodetccteur refroidi Photodiode

Photodiode a avalanche Photodiode d'injcction Phototransistor


Phototransistor a cffct dc champ Phototransistor bipolairc Pin-photinliodc

Puissancc dissipcc maxi male admissible Puissance equivalcntc au bruit

Puissance equivalcntc au bruit dans unc bandc passante dcs    frequences    unitaires

Puissancc equivalcntc au bruit du philra detcctcur

Puissance reduite equivalcntc au bruit

Regime dc fonctionncmcnt du detcctcur d'operation

Regime dc fonctionncmcnt du detcctcur du resistance dc charge

Regime dc fonctionncmcnt du detcctcur photovoltaique

Regime dc fonctionnement du detcctcur photovoltaique au    contrctcnsion    dc    polarisation

Regime du phototransistor dc basis fiottantc

Regime photodetccteur infrarouge limite par Ic rayonncmcnt ambiant Reponse

Reponse & I'eclaircmcnt encrgetiquc

Reponse a reclaircnrcnt lumincux

Reponse au flux encrgetiquc

Reponse au flux lumincux

Reponse differenticlic

Reponse d'impulsions

Reponse cn courant

Reponse cn courant du phototransistor

Reponse cn tension

Reponse cn tension du phototransistor Reponse globale Reponse monochromatiquc Reponse statiquc

Resistance differenticlic eicctriquc

Resistance d'obscurite

Resistance du point /его de photodiode

Resistance senc

Resistance sous eclaircment

Resistance statiquc

Rigidite d’isolcmcnt

Scnsibilite spectralc

Spectre dc la tension de bruit

Spectre du courant de bruit

Temps dc dcsccntc dc caracteristiquc dc transmission inverse normalise Temps dc montce dc caracteristiquc de transmission normalisee Temps d'etablissemcnt dc caracteristiquc de transmission normalisee Tension dc base Tension de bruit

Tension dc claquagc collecteur-base dc phototransistor

Tension de claquagc collccteur-cmettcur de phototransistor

Tension dc claquagc dc photodiode

Tension dc claquagc emettcur-basc dc phototransistor

Tension dc claquagc emctteur-collectcur dc phototransistor

Tension d’emcttcur

Tension dc regime

Tension de service

Tension de signal photoeicctriquc

Tension du collcctcur

Tension maximalc admissible

(Измененная редакция. Мзм. № 1).

169

Страница 37

С. 37 ГОСТ 21934-83

ПРИЛОЖЕНИЕ I Справочное

ОБЩИЕ ПОНЯТИЯ, ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ В ОБЛАСТИ ФОТО ЭЛ Е КТ Р И Ч ЕС К И Х ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИЕМНИКОВ ИЗЛУЧЕНИЯ И ФОТОПРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВ

Термин

Пояснение

I. Электромагнитное и мучение

2. Оптическое излучение

3.    Ультрафиолетовое излучение

4.    Видимое излучение

5.    Инфракрасное изучение

6.    Равновесное излучение

7.    Немоду.тированное излучение

8.    Модулированное излучение

9.    Фотоэлектрический эффект Фотоэс|>фект

10.    Внутренний фотоэлектрический эффект

Внутренний эффект

11.    Эффект проводимости

12.    Фотогальваническнй эффект

13.    Фотопроводимость

14.    Собственная фотопроводимость

15.    Примесная фотопроводимость

16.    Фотоэлекгродвижушая си,та Фото-ЭДС

17.    Фотосигнал

Процесс испускания электромагнитных волн.

Примечание. Под термином «электромагнитное излучение» следует понимать также и уже излученные электромагнитные волны.

Электромагнитное излучение, характеризующееся длинами волн, расположенными в диапазоне 5* 10—10“J м.

Примечание. В указанном диапазоне электромагнитные волны наиболее эффективно изучаются оптическими методами, для которых характерно формирование направленных потоков электромагнитных волн с помощью оптических систем Оптическое излучение, характеризующееся длинами волн, расположенными в диапазоне 5 • Ю~9—4- 10~т м

Оптическое излучение, характеризующееся длинами волн, расположенными в диапазоне 4 • 10—7,6 • 10“7 м

Оптическое излучение, характеризующееся длинами волн, расположенными в диапазоне 7,6- 10"7—10~3 м

Электромагнитное излучение, испускаемое физической системой, находящейся в термодинамическом равновесии

Излучение, не изменяющееся во времени за период его измерения

Излучение, изменяющееся во времени с помощью модуляторов

Процесс полного или частичного освобождения заряженных частиц в веществе в результате поглощения фотонов

Перераспределение электронов по энергетическим состояниям в твердых телах в результате поглощения фотонов

Изменение электрического сопротивления полупроводника, обусловленное внутренним фотоэлектрическим эффектом

Возникновение ЭДС в электронно-дырочном переходе либо тока при включении перехода в электрическую цепь, происходящее в результате разделения фотоносителей электрическим полем, обусловленным неоднородностью проводника.

Примечание. Под термином «фотоноситсли» оедует понимать носители электрического заряда, генерированные в полупроводнике под действием оптического излучения Свойство вещества и зменять спою электропроводность под дей-ствием оптического излучения

Фотопроводимость полупроводника, обусловленная генерацией нар электрон проводимости — дырка проводимости, возникающей под действием оптического излучения

Фотопроводимость полупроводника, обуслоатенная ионизацией атомов лонорной и (или) акцепторной примесей, возникающей под действием оптического излучения

Электродвижущая сила, возникающая в полупроводнике на р—п переходе под действием оптического излучения Реакция приемники! на оптическое излучение


ПРИЛОЖЕНИЕ 2 Справочное

ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ О СООТВЕТСТВИИ ГОСТ 21934-83 И СГ СЭВ 2767-80

Пп. 10, 11, 17 ГОСТ 21934-83 соответствуют пп. 1.5.8. 1.5.10. 1.5.11 СТ СЭВ 2767-80.

170

Заменяет ГОСТ 21934-76 ГОСТ 22899-78