Купить ГОСТ 19480-89 — бумажный документ с голограммой и синими печатями. подробнее
Распространяем нормативную документацию с 1999 года. Пробиваем чеки, платим налоги, принимаем к оплате все законные формы платежей без дополнительных процентов. Наши клиенты защищены Законом. ООО "ЦНТИ Нормоконтроль"
Наши цены ниже, чем в других местах, потому что мы работаем напрямую с поставщиками документов.
Устанавливает термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров интегральных микросхем. Термины и буквенные обозначения, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу работ по стандартизации или использующих результаты этих работ. Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации, предназначенной для экспортных поставок.
Рекомендуется использовать ГОСТ Р 57441-2017 (ИУС 8-2017)
Общие понятия
Параметры, общие для цифровых и аналоговых интегральных микросхем
Параметры, характерные для аналоговых интегральных микросхем
Параметры, характерные для интегральных микросхем операционных усилителей и микросхем операционных усилителей и компараторов напряжения
Параметры, характерные для интегральных микросхем аналоговых усилителей низкой, промежуточной и высокой частоты
Параметры, характерные для интегральных микросхем непрерывных стабилизаторов напряжения и тока
Параметры, характерные для интегральных микросхем управления импульсными стабилизаторами напряжения
Параметры, характерные для интегральных микросхем коммутаторов и ключей
Параметры, характерные для цифровых интегральных микросхем
Параметры, характерные для интегральных микросхем элементов логических и схем цифровых устройств
Параметры, характерные для микропроцессорных интегральных микросхем
Параметры, характерные для интегральных микросхем запоминающих устройств
Алфавитный указатель терминов на русском языке
Алфавитный указатель терминов на английском языке
Алфавитный указатель терминов на французском языке
Приложение Методика образования буквенных обозначений производимых параметров микропроцессорных и интегральных микросхем запоминающих устройств
Дата введения | 01.01.1991 |
---|---|
Добавлен в базу | 01.09.2013 |
Завершение срока действия | 01.08.2017 |
Актуализация | 01.01.2021 |
21.12.1989 | Утвержден | Государственный комитет СССР по управлению качеством продукции и стандартам | 3960 |
---|---|---|---|
Разработан | Министерство электронной промышленности СССР | ||
Издан | Издательство стандартов | 1990 г. |
Чтобы бесплатно скачать этот документ в формате PDF, поддержите наш сайт и нажмите кнопку:
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
ТЕРМИНЫ, ОПРЕДЕЛЕНИЯ И БУКВЕННЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ
БЗ 12—89/1048
Издание официальное
в
о
з:
о
о.
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО УПРАВЛЕНИЮ КАЧЕСТВОМ ПРОДУКЦИИ И СТАНДАРТАМ Москва
УДК 621.382.82:001.4:006.354 Группа Э00
(CT СЭВ 1817—88, CT СЭВ 4755—84, CT СЭВ 4756—84)
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ
Термины, определения и буквенные обозначения
электрических параметров
Integrated circuits Terms, definitions and letter symbols of electrical parameters
ОКСТУ 6301
Дата введения 01.01.91
Настоящий стандарт устанавливает термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров интегральных микросхем.
Термины и буквенные обозначения, установленные Настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу работ по стандартизации или использующих результаты этих работ.
Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации, предназначенной для экспортных поставок.
1. Стандартизованные термины с определениями и буквенные обозначения приведены в табл. 1.
2. Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.
Применение терминов — синонимов стандартизованного термина не допускается. Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в габл. 1 в качес!ве справочных и обозначены пометой «Ндп».
2.1. Для отдельных стандартизованных терминов в табл. 1 приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования.
Издание официальное ★
2.2. Приведенные определения можно, при необходимости, изменять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем определяемого понятия. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в данном стандарте.
Перепечатка воспрещена
(6) Издательство стандарте, 1990
Буквенное обозначение | |||
Термин |
отечест венное |
между народное |
Определение |
61. Коэффициент усиления напряжения интегральной микросхемы Коэффициент усиления напряжения |
Куи |
Ли |
Отношение выходного напряжения интегральной микросхемы к входному напряжению |
62. Коэффициент усиления тока интегральной микросхемы Коэффициент усиления тока |
Кп |
Ai |
Отношение выходного тока интегральной микросхемы к входному току |
63. Коэффициент усиления мощности интегральной микросхемы Коэффициент усиления мощности |
Кур |
Ар |
Отношение выходной мощности интегральной микросхемы к входной мощности |
64. Коэффициент усиления синфазных входных напряжений интегральной микросхемы Коэффициент усиления синфазных входных напряжений E. Common-mode voltage amplification F. Amplification en ten si о и en mode commun |
^у.сф |
А ис |
Отношение выходного напряжения интегральной микросхемы к синфазному входному напряжению |
65. Коэффициент ослабления синфазных входных напряжений интегральной микросхемы Коэффициент ослабления синфазных входных напряжений E. Common-mode rejection ratio F. Taux de rejection en mode commun |
Кос.сф |
Kcmr |
Отношение коэффициента усиления напряжения интегральной микросхемы к коэффициенту усиления синфазных входных напряжении |
66. Коэффициент влияния настабильности источников питания на напряжение смещения нуля интегральной микросхемы Коэффициент влияния нестабильности источников питания на напряжение смещения нуля |
^вл.я.н |
Ksvn |
Отношение приращения напряжения смещения нуля интегральной микросхемы к вызвавшему его приращению напряжения источника питания |
Термин
G7. Коэффициент усиления дифференциального сигнала по напряжению интегральной микросхемы Коэффициент усиления Дифференциального сигнала по напряжению Е. Differential-mode voltage amplification F. Amplification en tension cn mode differen-tiel 68. Коэффициент гармоник интегральной микросхемы Коэффициент гармоник 70. Скорость нарастания выходного напряжения интегральной микросхемы Скорость нарастания выходного напряжения Ндп. Скорость отслеживания 71. Коэффициент пря-моугольности амплитудно-частотной характеристики интегральной микросхемы Коэффициент прямоугольное™ АЧХ 72. Коэффициент пульсаций интегральной микросхемы Коэффициент пульсаций |
Определение Отношение изменения значения выходного напряжения интегральной микросхемы к изменению значения напряжения на дифференциальном входе в заданном режиме Отношение среднего квадратического напряжения суммы всех, кроме первой, гармоник сигнала интегральной микросхемы к среднему квадратическому напряжению суммы всех гармоник Отношение наибольшего значения коэффициента усиления напряжения интегральной микросхемы к наименьшему его значению при изменении входного напряжения в заданных пределах Отношение изменения выходного напряжения с уровня 0,1 до уровня 0,9 к времени его нарастания при воздействии на вход интегральной микросхемы импульса напряжения прямоугольной формы Отношение полосы частот интегральной микросхемы на уровне 0,01 или 0,001 к полосе пропускания на уровне 0,7 Отношение амплитудного значения напряжения пульсаций интегральной микросхемы к значению постоянной составляющей напряжения |
Продолжение табл. 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
ГОСТ 19480-89 С. 13
Продолжение табл. 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Буквенное обозначение | |||
Термин |
отечест венное |
между народное |
Определение |
85. Время успокоения |
^УСП17 |
t tot |
уменьшается на 3 дБ от значения на заданной частоте Время с момента дости |
выходного напряжения интегральной микросхемы Время успокоения выходного напряжения 86. Коэффициент раз- |
Краэд |
CdNC |
жения входным импульсом прямоугольной формы уровня 0,5 до момента последнего пересечения выходным напряжением интегральной микросхемы заданной величины Отношение выходного на |
деления каналов интегральной микросхемы Коэффициент разделения каналов 87. Временной коэф |
Y/BI |
YIBKIB2) |
пряжения интегральной микросхемы с сигналом на входе к выходному напряжению интегральной микросхемы при отсутствии входного сигнала Отношение изменения |
фициент входного тока интегральной микросхемы Временной коэффициент входного тока 88. Временной коэф |
Тд/вх |
Yiio |
входного тока интегральной микросхемы к вызвавшему его изменению времени Отношение изменения раз |
фициент разности входных токов интегральной микросхемы Временной коэффициент разности входных токов 89. Временной коэф |
Yucm |
Yuio |
ности входных токов интегральной микросхемы к вызвавшему его изменению времени Отношение изменения на |
фициент напряжения смещения нуля интегральной микросхемы Временной коэффициент напряжения смещения нуля |
пряжения смещения нуля интегральной микросхемы к вызвавшему его изменению времени |
ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ АНАЛОГОВЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ НИЗКОЙ, ПРОМЕЖУТОЧНОЙ И ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ
АС/, AUt 90. Диапазон входных напряжений интегральной микросхемы Диапазон входных напряжений Е. Input voltage operating range |
Интервал значений входного напряжения интегральной микросхемы от минимального значения до максимального |
F. Domaine de foncti-onnement de la tension d’entree U АРУ 91. Напряжение автоматической регулировки усиления интегральной микросхемы UЗД АРУ Напряжение АРУ 92. Напряжение задержки автоматической регулировки усиления интегральной микросхемы Напряжение задержки и АРУ 11 л. п 93. Напряжение пульсаций источника питания интегральной микросхемы /ару Напряжение пульсаций источника питания 94. Ток автоматической регулировки усиления интегральной микросхемы h Ток АРУ 95. Частота резонанса интегральной микросхемы /к0 Частота резонанса 96. Частота квазирезонанса интегральной микросхемы Частота квазирезонан-
U AGC U AGCd Uccr /AGC /о ДА и ДА / ДА р АКуи AKyi АКур са 97. Диапазон регулировки коэффициента усиления напряжения (тока, мощности) интегральной микросхемы Диапазон регулировки коэффициента усиления напряжения (тока, мощности) |
Напряжение на регулирующем входе интегральной микросхемы, обеспечивающее регулировку коэффициента усиления в за* данных пределах Наибольшее абсолютное значение напряжения на управляющем входе интегральной микросхемы, при котором ее коэффициент усиления остается неизменным Значение переменной составляющей напряжения источника питания на выводах питания интегральной микросхемы Ток, протекающий через регулирующий вход интегральной микросхемы и обеспечивающий регулировку коэффициента усиления в заданных пределах Частота, на которой коэффициент усиления интегральной микросхемы принимает максимальное зна-чение Частота, на которой коэффициент усиления интегральной микросхемы принимает минимальное значение Отношение максимального значения коэффициента усиления напряжения (тока, мощности) к минимальному значению коэффициента усиления напряжения (тока, мощности) при воздействии на интегральную микросхему управляющего электрического сигнала |
Термин
Буквенное обозначение
отечест- между-
венное народное
Определение
98. Динамический диапазон по напряжению интегральной микросхемы
Динамический диапазон по напряжению
99. Коэффициент нелинейности амплитудной характеристики интегральной микросхемы
Коэффициент нелинейности амплитудной характеристики
100. Коэффициент неравномерности амплитудно-частотной характеристики интегральной микросхемы
Коэффициент неравномерности АЧХ
101. Коэффициент шума интегральной микросхемы
Коэффициент шума
102. Коэффициент интермодуляционных искажений интегральной микросхемы
Коэффициент интермодуляционных искажений
103. Коэффициент полезного действия интегральной микросхемы
Коэффициент полезного действия
104. Крутизна проходной характеристики интегральной микросхемы
Крутизна проходной характеристики
A U дин
К
нл.А
Аир. ач
Кт
S
п
A U dyn
Ап1а
Арм
Fn
ad
Л
Отношение максимального значения выходного напряжения интегральной микросхемы к минимальному значению выходного напряжения
Паи большее отклонение значения крутизны амплитудной характеристики интегральной микросхемы относительно значения крутизны амплитудной характеристики, изменяющейся по линейному закону Отношение максимального значения выходного напряжения интегральной микросхемы к минимальному значению в заданном диапазоне частот полосы пропускания, выраженное в де-цибеллах Отношение среднего квадратического напряжения шумов на выходе интегральной микросхемы к среднему квадратическому напряжению шума источника входного сигнала в заданной полосе частот Отношение средней квадратической амплитуды колебаний боковых частот к амплитуде высокочастотного колебания на выходе интегральной микросхемы, выраженное в процентах Отношение выходной мощности интегральной микросхемы к потребляемой мощности
Stk
Отношение выходного тока к вызвавшему его входному напряжению в заданном электрическом режиме интегральной микросхемы
ГОСТ 19480-89 С. 17
Продолжение табл. 1 | ||||||||||||||||
|
ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ НЕПРЕРЫВНЫХ СТАБИЛИЗАТОРОВ НАПРЯЖЕНИЯ И ТОКА
107. Диапазон выход- Д£/„ы* ных напряжений интегральной микросхемы Диапазон выходных напряжений E. Output voltage operating range F. Domaine de foncti-onnement de la tension de sortie 108. Напряжение счи- — тыванин обратной связи интегральной микросхемы Напряжение считывания обратной связи E. Feedback sense voltage t/REP F. Tension de lecture de centre-react ion 109. Опорное напря- (J0n жение интегральной микросхемы Опорное напряжение E. Reference voltage F. Tension de reference |
f/oBN Интервал значений вы ходного напряжения интегральной микросхемы от минимального значения до максимального, при котором электрические параметры не выходят за установленные нормы Uял Напряжение, являющееся функцией выходного напряжения и используемое с внешними элементами или без них для управления обратной связью интегральной микросхемы Напряжение, с которым сравнивается напряжение считывания обратной связи в целях контроля за интегральной микросхемой |
111. Минимальное падение напряжения на интегральной микросхеме Минимальное падение напряжения 112 Ток холостого хода интегральной микросхемы t ГОГ Ток холостого хода 113. Время готовности интегральной микросхемы / Время готовности КОС Г 111. Время восстановления но напряжению интегральной микросхемы Время восстановлення по напряжению E. Input transient voltage recovery time F. Temps do recouvre-■merit de la tension tran-sitoire a I’entree ОС I 115. Время восстановления по току интегральной микросхемы Время восстановления по току E. Input transient current recovery time
I St t RU ^RI К U N I N 2 К IT NlN2 F. Temps de recouvre-ment du courant transi-toire a l’entrce 116. Взаимная нестабильность по напряжению интегральной микросхемы |
Наименьшее значение падения напряжения на интегральной микросхеме, при котором параметр интегральной микросхемы удовлетворяет заданным требованиям Ток потребления интегральной микросхемы при отсутствии нагрузки на выходе Интервал времени от момента подачи входного напряжения до момента, после которого параметры интегральной микросхемы удовлетворяют заданным требованиям Интервал времени от момента с:улепчатого изменения входного напряжения интегральной микросхемы до момента, когда значение вы х од н о го 11 а п ря ж е -ни я в последний раз входит в заданный интервал выходных напряженки, с о -держащий в себе конечное значение Интервал времени от момента ступенчатого изменения выходного тока интегральной микросхемы до момента, когда значение выходного напряжена я в последний раз входит в заданный интервал выходных напряжений, содержащих в себе конечное значение Отио с и тельно г и зм е неми е значения выгодного напряжения одного канала многоканальной иптегральной |
ГОСТ 19480-89 С. 19
Продолжение табл. I | ||||||||||||
|
Взаимная нестабильность по напряжению
117. Взаимная нестабильность по току интегральной микросхемы
Взаимная нестабильность по току
XlNlNS
118. Нестабильность ки по напряжению интег-ральной микросхемы А{/
Нестабильность по напряжению
119. Нестабильность по току интегральной микросхемы
Нестабильность по току
Kin]n 2
К от
Кю
120. Нестабильность по нагрузке интегральной микросхемы
Нестабильность по нагрузке
Э—1628
микросхемы при изменении входного или выходного напряжения на другом канале, приведенное к 1 В изменения входного напряжения, при отсутствии других дестабилизирующих факторов Относительное изменение значения выходного напряжения одного канала многоканальной интегральной микросхемы при изменении выходного тока на другом канале, приведенное к 1 А. изменения выходного тока, при отсутствии других дестабилизирующих факторов
Относительное изменение значения выходного напряжения или тока интегральной микросхемы при изменении входного напряжения, приведенное к 1 В изменения входного напряжения, при отсутствии других дестабилизирующих факторов
Относительное изменение значения выходного напряжения интегральной микросхемы при изменении выходного тока, приведенное к 1 А изменения выходного тока, при отсутствии других дестабилизирующих факторов
Относительное изменение значения выходного тока и нтег р а ль но й м и к р осх см ы
при изменении сопротивления нагрузки, приведенное к 1 Ом изменения сопротивления нагрузки, при отсутствии других дестабилизирующих факторов
С, 2 ГОСТ 19480-89
2.3. В случаях, когда в термине содержатся все необходимые и достаточные признаки понятия, определение нс приведено и в графе «Определение» поставлен прочерк.
2.4. В табл. 1 в качестве справочных приведены иноязычные эквиваленты для ряда стандартизованных терминов на английском (В) и французском (F) языках.
3. Алфавитные указатели содержащихся в стандарте терминов на русском языке и их иноязычных эквивалентов приведены в табл. 2—4.
4. Методика образования буквенных обозначений производных параметров приведена в приложении.
Таблица 1 | ||||||||||||
|
ОБЩИЕ ПОНЯТИЯ | |||||||||||||||
|
5. Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма — светлым, а недопустимые синонимы — курсивом-.
Величина, характеризующая свойства или режимы работы интегральной микросхемы
Значение параметра интегральной микросхемы, заданное в нормативно-технической документации и являющееся исходным для отсчета отклонений Область, в которую укладываются значения параметров всех интегральных микросхем данного типа или партии однотипных интегральных микросхем при заданном уровне доверительной вероятности Разброс значений параметра интегральной микросхемы, указанной в нормативно-технической документации
Разность между действительным значением параметра интегральной микросхемы и его номинальным значением
Продолжение табл. 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
|
ГОСТ 19480-89 С. Z
Продолже}ше табл. 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2—1628 |
Продолжение табл. 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Продолжение табл. 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2* |
Продолжение табл. I | ||||||||||||||||||||||||
|
ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
35. Входное напряжение покоя интегральной микросхемы Входное напряжение покоя |
Uon* |
и ю |
36. Выходное напряжение покоя интегральной микросхемы Выходное напряжение покоя |
^ОВЫХ |
Uoq |
37. Коммутируемое напряжение интегральной микросхемы Напряжение коммутируемое |
U ком |
us |
Постоянное напряжение на входе интегральной микросхемы с невключснным входом или с нулевым входным сигналом
Постоянное напряжение на выходе интегральной микросхемы с невключен-ным входом или с нулевым входным сигналом Напряжение, подаваемое на вход коммутирующего элемента интегральной микросхемы
ГОСТ 19480-89 С. 7
Продолжение табл. / | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Продолжение табл. I | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Термин
54. Нижняя частота полосы задерживания интегральной микросхемы
Нижняя частота полосы задерживания
55. Верхняя частота полосы задерживания интегральной микросхемы
Верхняя частота полосы задерживания
56. Частота единичного усиления интегральной микросхемы
Частота единичного усиления
Ндп. Полоса единичного усиления
E. Frequency of unity (open loop) amplification
F. Frequence pour I’amplification unite
57. Частота входного сигнала интегральной микросхемы
Частота входного сигнала
58. Частота генерирования интегральной микросхемы
Частота генерирования
59. Время успокоения интегральной микросхемы
Время успокоения
E. Ripple time
F. Temps de vacille-ment
60. Время задержки импульса интегральной микросхемы
Время задержки
E. Delay time
F. Temps de delai
Буквенное обозначение
отечест- между-
венное народное
/зд.н
/зд.в
h
/вх
/г
^усп
/зд
Продолжение табл. 1
Определение
/dL Наименьшее значение ча
стоты, на которой коэффициент усиления интегральной микросхемы уменьшается в заданное число раз от значения на заданной частоте
/ан Наибольшее значение ча
стоты, на которой коэффициент усиления интегральной микросхемы уменьшается в заданное число раз от значения на заданной частоте
fi Частота, на которой мо
дуль коэффициента усиления напряжения интегральной микросхемы при разомкнутой цепи обратной связи равен единице
h
Частота, на которой производят измерение параметров интегральной микросхемы или ее эксплуатацию
/rip Интервал времени с мо
мента достижения выходным напряжением интегральной микросхемы уровня 0,9 до момента последнего пересечения выходным напряжением заданного уровня
to. Интервал времени между
нарастаниями входного и выходного импульсов интегральной микросхемы, измеренный на уровне 0,1 или на заданном уровне напря
жения или тока