Товары в корзине: 0 шт Оформить заказ
Стр. 1
 

71 страница

563.00 ₽

Купить ГОСТ 19480-89 — официальный бумажный документ с голограммой и синими печатями. подробнее

Официально распространяем нормативную документацию с 1999 года. Пробиваем чеки, платим налоги, принимаем к оплате все законные формы платежей без дополнительных процентов. Наши клиенты защищены Законом. ООО "ЦНТИ Нормоконтроль".

Наши цены ниже, чем в других местах, потому что мы работаем напрямую с поставщиками документов.

Способы доставки

  • Срочная курьерская доставка (1-3 дня)
  • Курьерская доставка (7 дней)
  • Самовывоз из московского офиса
  • Почта РФ

Устанавливает термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров интегральных микросхем. Термины и буквенные обозначения, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу работ по стандартизации или использующих результаты этих работ. Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации, предназначенной для экспортных поставок.

  Скачать PDF

Заменяет ГОСТ 19480-74

Рекомендуется использовать ГОСТ Р 57441-2017 (ИУС 8-2017)

Действие завершено 01.08.2017

Оглавление

Общие понятия

Параметры, общие для цифровых и аналоговых интегральных микросхем

Параметры, характерные для аналоговых интегральных микросхем

Параметры, характерные для интегральных микросхем операционных усилителей и микросхем операционных усилителей и компараторов напряжения

Параметры, характерные для интегральных микросхем аналоговых усилителей низкой, промежуточной и высокой частоты

Параметры, характерные для интегральных микросхем непрерывных стабилизаторов напряжения и тока

Параметры, характерные для интегральных микросхем управления импульсными стабилизаторами напряжения

Параметры, характерные для интегральных микросхем коммутаторов и ключей

Параметры, характерные для цифровых интегральных микросхем

Параметры, характерные для интегральных микросхем элементов логических и схем цифровых устройств

Параметры, характерные для микропроцессорных интегральных микросхем

Параметры, характерные для интегральных микросхем запоминающих устройств

Алфавитный указатель терминов на русском языке

Алфавитный указатель терминов на английском языке

Алфавитный указатель терминов на французском языке

Приложение Методика образования буквенных обозначений производимых параметров микропроцессорных и интегральных микросхем запоминающих устройств

Показать даты введения Admin

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ

ТЕРМИНЫ, ОПРЕДЕЛЕНИЯ И БУКВЕННЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ

БЗ 12—89/1048

ГОСТ 19480-89 (СТ СЭВ 1817-88, СТ СЭВ 4755-84, СТ СЭВ 4756-84)

Издание официальное

в

о

з:

о


о.


ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО УПРАВЛЕНИЮ КАЧЕСТВОМ ПРОДУКЦИИ И СТАНДАРТАМ Москва

УДК 621.382.82:001.4:006.354    Группа    Э00

ГОСТ 19480-89

(CT СЭВ 1817—88, CT СЭВ 4755—84, CT СЭВ 4756—84)

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ

Термины, определения и буквенные обозначения

электрических параметров

Integrated circuits Terms, definitions and letter symbols of electrical parameters

ОКСТУ 6301

Дата введения 01.01.91

Настоящий стандарт устанавливает термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров интегральных микросхем.

Термины и буквенные обозначения, установленные Настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу работ по стандартизации или использующих результаты этих работ.

Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации, предназначенной для экспортных поставок.

1.    Стандартизованные термины с определениями и буквенные обозначения приведены в табл. 1.

2.    Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.

Применение терминов — синонимов стандартизованного термина не допускается. Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в габл. 1 в качес!ве справочных и обозначены пометой «Ндп».

2.1.    Для отдельных стандартизованных терминов в табл. 1 приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования.

Издание официальное ★

2.2.    Приведенные определения можно, при необходимости, изменять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем определяемого понятия. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в данном стандарте.

Перепечатка воспрещена

(6) Издательство стандарте, 1990

Буквенное обозначение

Термин

отечест

венное

между

народное

Определение

61. Коэффициент усиления напряжения интегральной микросхемы

Коэффициент усиления напряжения

Куи

Ли

Отношение выходного напряжения интегральной микросхемы к входному напряжению

62. Коэффициент усиления тока интегральной микросхемы

Коэффициент усиления тока

Кп

Ai

Отношение выходного тока интегральной микросхемы к входному току

63. Коэффициент усиления мощности интегральной микросхемы

Коэффициент усиления мощности

Кур

Ар

Отношение выходной мощности интегральной микросхемы к входной мощности

64. Коэффициент усиления синфазных входных напряжений интегральной микросхемы

Коэффициент усиления синфазных входных напряжений

E.    Common-mode voltage amplification

F.    Amplification en ten si о и en mode commun

^у.сф

А ис

Отношение выходного напряжения интегральной микросхемы к синфазному входному напряжению

65. Коэффициент ослабления синфазных входных напряжений интегральной микросхемы

Коэффициент ослабления синфазных входных напряжений

E.    Common-mode rejection ratio

F.    Taux de rejection en mode commun

Кос.сф

Kcmr

Отношение коэффициента усиления напряжения интегральной микросхемы к коэффициенту усиления синфазных входных напряжении

66. Коэффициент влияния настабильности источников питания на напряжение смещения нуля интегральной микросхемы Коэффициент влияния нестабильности источников питания на напряжение смещения нуля

^вл.я.н

Ksvn

Отношение приращения напряжения смещения нуля интегральной микросхемы к вызвавшему его приращению напряжения источника питания

Термин

69. Диапазон автоматической регулировки усиления интегральной микросхемы

Диапазон АРУ

Буквенное обозначение

отечест

венное

между

народное

Ayf/ДИф

A VD

Кг

Къ

Uavy \

AGC

Vи ВЫ!

SuOM(SR)

Кп

Кол

G7. Коэффициент усиления дифференциального сигнала по напряжению интегральной микросхемы

Коэффициент усиления Дифференциального сигнала по напряжению Е. Differential-mode voltage amplification F. Amplification en tension cn mode differen-tiel

68. Коэффициент гармоник интегральной микросхемы

Коэффициент гармоник

70.    Скорость нарастания выходного напряжения интегральной микросхемы

Скорость нарастания выходного напряжения

Ндп. Скорость отслеживания

71.    Коэффициент пря-моугольности амплитудно-частотной характеристики интегральной микросхемы

Коэффициент прямоугольное™ АЧХ

72.    Коэффициент пульсаций интегральной микросхемы

Коэффициент пульсаций

Определение

Отношение изменения значения выходного напряжения интегральной микросхемы к изменению значения напряжения на дифференциальном входе в заданном режиме

Отношение среднего квадратического напряжения суммы всех, кроме первой, гармоник сигнала интегральной микросхемы к среднему квадратическому напряжению суммы всех гармоник

Отношение наибольшего значения коэффициента усиления напряжения интегральной микросхемы к наименьшему его значению при изменении входного напряжения в заданных пределах

Отношение изменения выходного напряжения с уровня 0,1 до уровня 0,9 к времени его нарастания при воздействии на вход интегральной микросхемы импульса напряжения прямоугольной формы

Отношение полосы частот интегральной микросхемы на уровне 0,01 или 0,001 к полосе пропускания на уровне 0,7

Отношение амплитудного значения напряжения пульсаций интегральной микросхемы к значению постоянной составляющей напряжения


Продолжение табл. 1

Буквенное обозначение

Термин

отечест-

между

Определение

венное

народное

73. Коэффициент ум-

Кумп f

_

Отношение частоты вы

ножения частоты интег-

ходного сигнала интеграль

ральной микросхемы

ной микросхемы к частоте

Коэффициент ум ноже-

входного сигнала

ния частоты

74. Коэффициент деле-

^дел /

Отношение частоты вход

ния частоты интеграль-

ного сигнала интегральной

ной микросхемы

микросхемы к частоте вы

Коэффициент деления

ходного сигнала

частоты

75. Крутизна преобра-

5Прб

Отношение выходного то

зования интегральной

ка смесителя к вызвавше

микросхемы

му его приращению вход

Крутизна преобразо-

ного напряжения при за

вания

данном напряжении гетеродина интегральной микросхемы

ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

ОПЕРАЦИОННЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ

И КОМПАРАТОРОВ НАПРЯЖЕНИЯ

76. Максимальное вы

£^вых шах

^Отах

Выходное напряжение

ходное напряжение ин

интегральной микросхемы

тегральной микросхемы

при заданном сопротивле

Максимальное выход

нии нагрузки и напряже

ное напряжение

нии входного сигнала, когда его приращение не вызывает приращения выходного напряжения

77. Напряжение шума

■Um

Un

Напряжение на выходе

интегральной микросхе

интегральной микросхемы в

мы

заданной полосе частот при

Напряжение шума

входном напряжении, равном нулю

78. Эффективное на

£Ап.эфф

Un eff

Отношение шума на вы

пряжение шума интег

ходе, выраженного в эф

ральной микросхемы

фективных значениях на

Эффективное напряже

пряжения в заданной поло

ние шума

се частот, к коэффициенту усиления интегральной мик

росхемы

79. Размах шума ин

Д£/ш

l/npp

Разность между макси

тегральной микросхемы

мальными значениями пи

Размах шума

ков шума противоположного знака в заданной по

лосе частот на выходе ин

тегральной микросхемы.

ГОСТ 19480-89 С. 13

Продолжение табл. 1

Буквенное обозначение

Термин

отечест

венное

между

народное

Определение

80. Нормированная

£ш.Н

£nN

повторяющихся в заданном интервале времени при входном напряжении, равном нулю

Отношение напряжения

электродвижущая сила шума интегральной микросхемы

Нормированная ЭДС

шума

81. Нормированный ток

Лин

AiN

шума на выходе интегральной микросхемы в заданной полосе частот при включении между общим выводом и выводами входов резисторов, сопротивление которых стремится к нулю, к произведению коэффициента усиления на квадратный корень из полосы измеряемого шума Отношение напряжения

шума интегральной микросхемы

Нормированный ток шума

82. Максимальная ско

Vи яых шах:

SR

шума на выходе интегральной микросхемы в заданной полосе частот при включении между общим выводом и выводами входов резисторов заданного сопротивления к произведению коэффициента усиления на квадратный корень из полосы измеряемого шума

Отношение изменения вы

рость нарастания выходного напряжения интегральной микросхемы

Максимальная скорость нарастания выходного напряжения

83. Частота среза ин

/срз

/со

ходного напряжения с уровня 0,1 до уровня 0,9 к времени его нарастания при воздействии на вход интегральной микросхемы импульса прямоугольной формы максимального входного напряжения Частота, на которой мо

тегральной микросхемы

Частота среза

E.    Open-loop cut-off frequency

F.    Frequence de coupu-re en boucle ouverte

84. Частота полной

fp

fp

дуль коэффициента усиления напряжения интегральной микросхемы при разомкнутой цепи обратной связи уменьшается до 0,707 значения на заданной частоте

Частота, на которой зна

мощности интегральной микросхемы

Частота полной мощности

чение максимального выходного напряжения интегральной микросхемы

Буквенное обозначение

Термин

отечест

венное

между

народное

Определение

85. Время успокоения

^УСП17

t tot

уменьшается на 3 дБ от значения на заданной частоте

Время с момента дости

выходного напряжения интегральной микросхемы

Время успокоения выходного напряжения

86. Коэффициент раз-

Краэд

CdNC

жения входным импульсом прямоугольной формы уровня 0,5 до момента последнего пересечения выходным напряжением интегральной микросхемы заданной величины

Отношение выходного на

деления каналов интегральной микросхемы

Коэффициент разделения каналов

87. Временной коэф

Y/BI

YIBKIB2)

пряжения интегральной микросхемы с сигналом на входе к выходному напряжению интегральной микросхемы при отсутствии входного сигнала Отношение изменения

фициент входного тока интегральной микросхемы

Временной коэффициент входного тока 88. Временной коэф

Тд/вх

Yiio

входного тока интегральной микросхемы к вызвавшему его изменению времени

Отношение изменения раз

фициент разности входных токов интегральной микросхемы

Временной коэффициент разности входных токов

89. Временной коэф

Yucm

Yuio

ности входных токов интегральной микросхемы к вызвавшему его изменению времени

Отношение изменения на

фициент напряжения смещения нуля интегральной микросхемы

Временной коэффициент напряжения смещения нуля

пряжения смещения нуля интегральной микросхемы к вызвавшему его изменению времени

ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ АНАЛОГОВЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ НИЗКОЙ, ПРОМЕЖУТОЧНОЙ И ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ

АС/,

AUt

90. Диапазон входных напряжений интегральной микросхемы

Диапазон входных напряжений Е. Input voltage operating range

Интервал значений входного напряжения интегральной микросхемы от минимального значения до максимального


F. Domaine de foncti-onnement de la tension d’entree

U АРУ

91. Напряжение автоматической регулировки усиления интегральной микросхемы

UЗД АРУ

Напряжение АРУ

92.    Напряжение задержки автоматической регулировки усиления интегральной микросхемы

Напряжение задержки

и

АРУ

11 л. п

93.    Напряжение пульсаций источника питания интегральной микросхемы

/ару

Напряжение пульсаций источника питания

94.    Ток автоматической регулировки усиления интегральной микросхемы

h

Ток АРУ

95.    Частота резонанса интегральной микросхемы

/к0

Частота резонанса

96.    Частота квазирезонанса интегральной микросхемы

Частота квазирезонан-

Буквенное обозначение

Термин

отечест

венное

между

народное

Определение


U AGC

U AGCd

Uccr

/AGC

ДА и ДА / ДА р

АКуи

AKyi

АКур

са

97.    Диапазон регулировки коэффициента усиления напряжения (тока, мощности) интегральной микросхемы

Диапазон регулировки коэффициента усиления напряжения (тока, мощности)

Напряжение на регулирующем входе интегральной микросхемы, обеспечивающее регулировку коэффициента усиления в за* данных пределах Наибольшее абсолютное значение напряжения на управляющем входе интегральной микросхемы, при котором ее коэффициент усиления остается неизменным

Значение переменной составляющей напряжения источника питания на выводах питания интегральной микросхемы

Ток, протекающий через регулирующий вход интегральной микросхемы и обеспечивающий регулировку коэффициента усиления в заданных пределах

Частота, на которой коэффициент усиления интегральной микросхемы принимает максимальное зна-чение

Частота, на которой коэффициент усиления интегральной микросхемы принимает минимальное значение Отношение максимального значения коэффициента усиления напряжения (тока, мощности) к минимальному значению коэффициента усиления напряжения (тока, мощности) при воздействии на интегральную микросхему управляющего электрического сигнала


Термин


Буквенное обозначение


отечест-    между-

венное    народное


Определение


98.    Динамический диапазон по напряжению интегральной микросхемы

Динамический диапазон по напряжению

99.    Коэффициент нелинейности амплитудной характеристики интегральной микросхемы

Коэффициент нелинейности амплитудной характеристики

100.    Коэффициент неравномерности амплитудно-частотной характеристики интегральной микросхемы

Коэффициент неравномерности АЧХ

101.    Коэффициент шума интегральной микросхемы

Коэффициент шума


102.    Коэффициент интермодуляционных искажений интегральной микросхемы

Коэффициент интермодуляционных искажений

103.    Коэффициент полезного действия интегральной микросхемы

Коэффициент полезного действия

104.    Крутизна проходной характеристики интегральной микросхемы

Крутизна проходной характеристики


A U дин


К


нл.А


Аир. ач


Кт


Кя.„


S


п


A U dyn


Ап


Арм


Fn


ad


Л


Отношение максимального значения выходного напряжения интегральной микросхемы к минимальному значению выходного напряжения

Паи большее отклонение значения крутизны амплитудной характеристики интегральной микросхемы относительно значения крутизны амплитудной характеристики, изменяющейся по линейному закону Отношение максимального значения выходного напряжения интегральной микросхемы к минимальному значению в заданном диапазоне частот полосы пропускания, выраженное в де-цибеллах Отношение среднего квадратического напряжения шумов на выходе интегральной микросхемы к среднему квадратическому напряжению шума источника входного сигнала в заданной полосе частот Отношение средней квадратической амплитуды колебаний боковых частот к амплитуде высокочастотного колебания на выходе интегральной микросхемы, выраженное в процентах Отношение выходной мощности интегральной микросхемы к потребляемой мощности


Stk


Отношение выходного тока к вызвавшему его входному напряжению в заданном электрическом режиме интегральной микросхемы


ГОСТ 19480-89 С. 17

Продолжение табл. 1

Буквенное обозначение

Термин

отечест

венное

между

народное

Определение

105 Отношение сиг-нал/шум интегральной микросхемы

Отношение сигнал/шум

^с'ш

А/п

Отношение эффективного значения выходного напряжения интегральной микросхемы, содержащего только низкочастотные составляющие, соответствующие частотам модулирующего напряжения, к эффективному значению выходного напряжения при немодулирован-ном сигнале в определенной полосе частот

106. Фазовый сдвиг интегральной микросхемы

Фазовый сдвиг Иди. Сдвиг фаз

Фс

Фо

Разность между фазами выходного и входного сигналов интегральной микросхемы на заданной частоте

ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ НЕПРЕРЫВНЫХ СТАБИЛИЗАТОРОВ НАПРЯЖЕНИЯ И ТОКА

107.    Диапазон выход- Д£/„ы* ных напряжений интегральной микросхемы

Диапазон выходных напряжений

E.    Output voltage operating range

F.    Domaine de foncti-onnement de la tension de sortie

108. Напряжение счи-    — тыванин обратной связи интегральной микросхемы

Напряжение считывания обратной связи

E.    Feedback sense voltage

t/REP

F.    Tension de lecture de centre-react ion

109. Опорное напря-    (J0n жение интегральной микросхемы

Опорное напряжение

E.    Reference voltage

F.    Tension de reference

f/oBN    Интервал значений вы

ходного напряжения интегральной микросхемы от минимального значения до максимального, при котором электрические параметры не выходят за установленные нормы

Uял    Напряжение,    являющееся

функцией выходного напряжения и используемое с внешними элементами или без них для управления обратной связью интегральной микросхемы

Напряжение, с которым сравнивается напряжение считывания обратной связи в целях контроля за интегральной микросхемой


111. Минимальное падение напряжения на интегральной микросхеме Минимальное падение напряжения

112 Ток холостого хода интегральной микросхемы

t ГОГ

Ток холостого хода

113. Время готовности интегральной микросхемы

/

Время готовности

КОС Г

111. Время восстановления но напряжению интегральной микросхемы

Время восстановлення по напряжению

E.    Input transient voltage recovery time

F.    Temps do recouvre-■merit de la tension tran-sitoire a I’entree

ОС I

115.    Время восстановления по току интегральной микросхемы

Время восстановления по току

E.    Input transient current recovery time

Продолжение табл. 1

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечесг-

венное

между

народное

ПО. Падение напряжения на интегральной микросхеме

Падение напряжения

V пд

Разность между входным и выходным напряжением интегральной микросхемы в заданном режиме

U

пд min

I St

t RU

^RI

К U N I N 2

К IT NlN2

F.    Temps de recouvre-ment du courant transi-toire a l’entrce

116.    Взаимная нестабильность по напряжению интегральной микросхемы

Наименьшее значение падения напряжения на интегральной микросхеме, при котором параметр интегральной микросхемы удовлетворяет заданным требованиям

Ток потребления интегральной микросхемы при отсутствии нагрузки на выходе

Интервал времени от момента подачи входного напряжения до момента, после которого параметры интегральной микросхемы удовлетворяют заданным требованиям

Интервал времени от момента с:улепчатого изменения входного напряжения интегральной микросхемы до момента, когда значение вы х од н о го 11 а п ря ж е -ни я в последний раз входит в заданный интервал выходных напряженки, с о -держащий в себе конечное значение

Интервал времени от момента ступенчатого изменения выходного тока интегральной микросхемы до момента, когда значение выходного напряжена я в последний раз входит в заданный интервал выходных напряжений, содержащих в себе конечное значение

Отио с и тельно г и зм е неми е

значения выгодного напряжения одного канала многоканальной иптегральной



Продолжение табл. I

Буквенное обозначение

Термин

отечест

между

Определение

венное

народное


Взаимная нестабильность по напряжению


117. Взаимная нестабильность по току интегральной микросхемы

Взаимная нестабильность по току


XlNlNS


118. Нестабильность ки по напряжению интег-ральной микросхемы    А{/

Нестабильность по напряжению


119. Нестабильность по току интегральной микросхемы

Нестабильность по току


К,


Kin]n 2


К от


Кю


120. Нестабильность по нагрузке интегральной микросхемы

Нестабильность по нагрузке


Э—1628


микросхемы при изменении входного или выходного напряжения на другом канале, приведенное к 1 В изменения входного напряжения, при отсутствии других дестабилизирующих факторов Относительное изменение значения выходного напряжения одного канала многоканальной интегральной микросхемы при изменении выходного тока на другом канале, приведенное к 1 А. изменения выходного тока, при отсутствии других дестабилизирующих факторов

Относительное изменение значения выходного напряжения или тока интегральной микросхемы при изменении входного напряжения, приведенное к 1 В изменения входного напряжения, при отсутствии других дестабилизирующих факторов

Относительное изменение значения выходного напряжения интегральной микросхемы при изменении выходного тока, приведенное к 1 А изменения выходного тока, при отсутствии других дестабилизирующих факторов

Относительное изменение значения выходного тока и нтег р а ль но й    м и к р осх см ы

при изменении сопротивления нагрузки, приведенное к 1 Ом изменения сопротивления нагрузки, при отсутствии других дестабилизирующих факторов


С, 2 ГОСТ 19480-89

2.3.    В случаях, когда в термине содержатся все необходимые и достаточные признаки понятия, определение нс приведено и в графе «Определение» поставлен прочерк.

2.4.    В табл. 1 в качестве справочных приведены иноязычные эквиваленты для ряда стандартизованных терминов на английском (В) и французском (F) языках.

3.    Алфавитные указатели содержащихся в стандарте терминов на русском языке и их иноязычных эквивалентов приведены в табл. 2—4.

4.    Методика образования буквенных обозначений производных параметров приведена в приложении.

Таблица 1

Буквенное обозначение

Термин

отечест

между

Определение

венное

народное


ОБЩИЕ ПОНЯТИЯ

1. Параметр интегральной микросхемы

Параметр

X

X

2. Номинальное значение параметра интегральной микросхемы

Номинальное значение параметра

X Ш)М

А лот

3. Диапазон значений параметра интегральной микросхемы

Диапазон значений параметра

ьх

4. Допустимый диапазон значений параметра интегральной микросхемы

Допустимый диапазон значений параметра

Мд»

5. Отклонение параметра интегральной микросхемы

Отклонение параметра

АХ

5.    Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма — светлым, а недопустимые синонимы — курсивом-.

Величина, характеризующая свойства или режимы работы интегральной микросхемы

Значение параметра интегральной микросхемы, заданное в нормативно-технической документации и являющееся исходным для отсчета отклонений Область, в которую укладываются значения параметров всех интегральных микросхем данного типа или партии однотипных интегральных микросхем при заданном уровне доверительной вероятности Разброс значений параметра интегральной микросхемы, указанной в нормативно-технической документации

Разность между действительным значением параметра интегральной микросхемы и его номинальным значением

Продолжение табл. 1

Буквенное обозначение

Термин

отечест

венное

между

народное

Определение

121. Коэффициент ста-

Кеч UbX

Ksi

Отношение относительно

бнлизации входного напряжения интегральной микросхемы

Коэффициент стабилизации входного напряжения

E.    Input stabilization coefficient

F.    Coefficient de stabilisation en fonction de la tension d’entree

122. Коэффициент ста-

KqtUbx

го изменения выходного напряжения или тока интегральной микросхемы к заданному относительному изменению входного напряжения при отсутствии других дестабилизирующих факторов

билизацин нагрузки интегральной микросхемы

Коэффициент стабилизации нагрузки

E.    Load stabilization coefficient

F.    Coefficient de stabilisation en fonction de la charge

Кст н

Kso

Отношение относительного изменения выходного напряжения интегральной микросхемы к заданному относительному изменению выходного тока при отсутствии других дестабилизирующих факторов

123. Коэффициент сглаживания пульсаций интегральной микросхемы

Коэффициент сглаживания пульсаций

E.    ^Ripple rejection ratio

F.    Taux de rejection de Fondulation residuelle

Кот

<Krr

Отношение амплитудного значения пульсаций входного напряжения заданной частоты интегральной микросхемы к амплитудному значению пульсаций выходного напряжения той же частоты

Д24. Дрейф выходного напряжения интегральной микросхемы

Дрейф выходного напряжения

E.    Output voltage drift

F.    Derive de la tension 6e sortie

ALBbix

AtAxti

Наибольшее значение относительного изменения выходного напряжения интегральной микросхемы в течение заданного интервала времени при отсутствии других дестабилизирующих факторов

125. Дрейф выходного тока интегральной микросхемы

Дрейф выходного тока fE. Output current drift F. Derive du courant ie sortie

ВМХ t

A/o(t>

Наибольшее значение относительного изменения выходного тока интегральной микросхемы в течение заданного интервала времени при отсутствии других дестабилизирующих факторов

ГОСТ 19480-89 С. Z

Продолже}ше табл. 1

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечест

венное

между

народное

6. Относительное отк-

АХотн

т

Отношение отклонения

лонение параметра ин-

параметра интегральной

тегральной микросхемы

микросхемы к его номи

Относительное откло-

нальному значению

нение параметра

7. Напряжение (ток)

Х>пр

Напряжение (ток) уп

управления интегральной

равляющее функциональ

микросхемы

ным назначением интег

Напряжение (ток) уп-

ральной микросхемы

равления

8. Температурный ко-

Ох

ах

Отношение изменения- па

аффициент параметра ин-

раметра интегральной мик

тегральной микросхемы

росхемы к вызвавшему его

Температурный коэф-

изменению температуры ок

фициент параметра

ружающей среды

9. Нестабильность па-

ДХдст

Отношение относительно

раметра интегральной

го отклонения параметра

микросхемы

интегральной микросхемы

Нестабильность пара

к вызвавшему его дистаби

метра

лизирующему фактору

10. Максимальное зна

X” max

Хщах

Наибольшее значение па

чение параметра интег

раметра интегральной мик

ральной микросхемы

росхемы, при котором за

Максимальное значе

данные параметры соот

ние параметра

ветствуют заданным значе

ниям

11. Минимальное зна

1 min

X mlo

Наименьшее значение па

чение параметра интег

раметра интегральной мик

ральной микросхемы

росхемы, при котором за

Минимальное значение

данные параметры соответ

параметра

ствуют заданным значениям

ПАРАМЕТРЫ, ОБЩИЕ ДЛЯ ЦИФРОВЫХ И АНАЛОГОВЫХ

ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

12. Напряжение пита

и П

Ucc

Значение напряжения на

ния интегральной микро

выводах питания интег

схемы

ральной микросхемы

Напряжение питания

13. Входное напряже

и„

Ui

Напряжение на входе ин

ние интегральной микро

тегральной микросхемы в

схемы

заданном режиме

Входное напряжение

14. Выходное напря

Увых

Uo

Напряжение на выходе

жение интегральной мик

интегральной микросхемы

росхемы

в заданном режиме

Выходное напряжение

2—1628

Продолжение табл. 1

Буквенное обозначение

Термин

отечест

венное

между

народное

Определение

15. Напряжение срабатывания интегральной микросхемы

Напряжение срабатывания

t/срб

Un + £/itp

Наименьшее постоянное напряжение на входе, при котором происходит переход интегральной микросхемы из одного устойчивого состояния в другое

16. Напряжение отпускания интегральной микросхемы

Напряжение отпускания

£/отп

Uir~

^ITN

Наибольшее постоянное напряжение на входе, при котором происходит переход интегральной микросхемы из одного устойчивого состояния в другое

17. Входной ток интегральной микросхемы

Входной ток

/.X

Ток, протекающий во входной цепи интегральной микросхемы в заданном режиме

18. Выходной ток интегральной микросхемы

Выходной ток

/вых

Ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме

19. Ток утечки интегральной микросхемы

Ток утечки

/ УТ

'l

Ток в цепи интегральной микросхемы при закрытом состоянии цепи и заданных режимах на остальных выводах

20. Ток потребления интегральной микросхемы

Ток потребления

/дот

/с с

Ток, потребляемый интегральной микросхемой от источников питания в заданном режиме

21. Ток короткого замыкания интегральной микросхемы

Ток короткого замыкания

E.    Short-circuit current

F.    Courant de court-circuit

/кэ

/os

Выходной ток интегральной микросхемы при закороченном выходе

22. Потребляемая мощность интегральной микросхемы

Потребляемая мощность

Р пот

Рсс,

Мощность, потребляемая интегральной микросхемой, работающей в заданном режиме, от соответствующего источника питания

23. Рассеиваемая мощность интегральной микросхемы

Рассеиваемая мощность

Р рас

Plot

Мощность, рассеиваемая интегральной микросхемой, работающей в заданном режиме

ГОСТ 19180-89 С. 5

Продолжение табл. 1

Буквенное обозначение

Термин

отечест

венное

между

народное

Определение

24. Входное сопротивление интегральной микросхемы

Входное сопротивление

RhX

Ri

Отношение приращения входного напряжения интегральной микросхемы к приращению активной составляющей входного тока при заданной частоте сигнала

25. Выходное сопротивление интегральной микросхемы

Выходное сопротивление

Rhkix

Ro

Отношение приращения выходного напряжения интегральной микросхемы к вызвавшему его приращению активной составляющей выходного тока при заданной частоте сигнала

26. Сопротивление нагрузки интегрально# микросхемы

Сопротивление нагрузки

Rb

R L

Суммарное активное сопротивление внешних цепей, подключенных к выходу интегральной микросхемы

27. Входная емкость интегральной микросхемы

Входная емкость

Свх

Ci

Отношение емкостной реактивной составляющей входного тока интегральной микросхемы к произведению синусоидального входного напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты

28. Выходная емкость интегральной микросхемы

Выходная емкость

СнЫ1

Co

Отношение емкоетной реактивной составляющей выходного тока интегральной микросхемы к произведению синусоидального выходного напряжения, вызванного этим током, и его круговой частоты

29. Емкость нагрузки интегральной микросхемы

Емкость нагрузки

си

Суммарная емкость внешних цепей, подключенных к выходу и нтегр альной микросхемы

30. Время нарастания сигнала интегральной микросхемы

Время нарастания сигнала

Е. Rise time G. Temps de croissance

tr

Интервал времени нарастания сигнала от уровня 0,1 до момента, когда выходной сигнал интегральной микросхемы впервые достигнет заданного значения, близкого к его окончательному значению при ступенчатом изменении уровня входного сигнала

2*

Продолжение табл. I

Буквенное обозначение

Термин

отечест

венное

между

народное

Определение

31. Время спада сигнала интегральной микросхемы

Время спада сигнала

E.    Fall time

F.    Temps de decrois-вапсе

^сп

и

Интервал времени спада сигнала от уровня 0,9 до момента, когда выходной сигнал интегральной микросхемы впервые достигнет заданного значения, близкого к его окончательному значению яри ступенчатом изменении уровня входного сигнала

32. Длительность фронта входного сигнала интегральной микросхемы

Длительность фронта входного сигнала

Тф

Интервал времени нарастания амплитуды импульса входного сигнала интегральной микросхемы от уровня 0,1 до уровня 0,9 от номинального значения

33. Длительность спада входного сигнала интегральной микросхемы

Длительность спада входного сигнала

Тсп

Интервал времени убывания амплитуды импульса входного сигнала интегральной микросхемы от уровня 0,9 до уровня 0,1 от номинального значения

34. Чувствительность интегральной микросхемы

Чувствительность

5

Наименьшее значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной микросхемы соответствуют заданным значениям

ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

35. Входное напряжение покоя интегральной микросхемы

Входное напряжение покоя

Uon*

и ю

36. Выходное напряжение покоя интегральной микросхемы Выходное напряжение покоя

^ОВЫХ

Uoq

37. Коммутируемое напряжение интегральной микросхемы

Напряжение коммутируемое

U ком

us

Постоянное напряжение на входе интегральной микросхемы с невключснным входом или с нулевым входным сигналом

Постоянное напряжение на выходе интегральной микросхемы с невключен-ным входом или с нулевым входным сигналом Напряжение, подаваемое на вход коммутирующего элемента интегральной микросхемы

ГОСТ 19480-89 С. 7

Продолжение табл. /

Буквенное обозначение

Термин

отечест

венное

между

народное

Определение

38. Напряжение смещения нуля интегральной микросхемы

Напряжение смещения нуля

В. Input offset voltage F. Tension de decalage

U см

Ою

Постоянное напряжение, которое должно быть приложено ко входу интегральной микросхемы, чтобы выходное напряжение было равно нулю или другому заданному значению

39. Напряжение шума на выходе интегральной микросхемы

Напряжение шума на выходе

E.    Output noise voltage

F.    Tension de bruit en sortie

£Лп.вых

Оп0

Напряжение собственного шума на выходе интегральной микросхемы

40. Приведенное ко входу напряжение шума интегральной микросхемы

Приведенное ко входу напряжение шума

UIII ВЦ

Uln

Отношение напряжения собственного шума на выходе интегральной микросхемы при заданных условиях к коэффициенту усиления напряжения

41. Синфазные входные напряжения интегральной микросхемы

Синфазные входные напряжения

Псф.. вх

Vic

Напряжения между каждым из входов интегральной микросхемы и общим выводом, амплитуды, фазы и временное распределение которых совпадают

42. Входное напряжение ограничения интегральной микросхемы

Входное напряжение ограничения

Ногр.ВХ

V\ lim

Наименьшее значение входного напряжения интегральной микросхемы, при котором отклонение от линейности выходного напряжения превышает установленную величину

43, Остаточное напряжение интегральной микросхемы

Остаточное напряжение

£А>ст

Hds

Напряжение между входом и выходом интегральной микросхемы при включенном канале и заданном значении коммутируемого тока

44. Разность входных токов интегральной микросхемы

Разность входных токов

Л/вХ

^10

Разность значений токов, протекающих через дифференциальный вход интегральной микросхемы в заданном режиме

45. Средний входной ток интегральной микросхемы

Средний входной ток

/вх.ср

/lAV

Среднее квадратическое значение входных токов интегральной микросхемы

Продолжение табл. I

Буквенное обозначение

Термин

отечест-

между

Определение

венное

народное

.

46. Коммутируемый

Л(ОМ

Ток, протекающий через

ток интегральной микро-

коммутирующий элемент

схемы

интегральной микросхемы в

Коммутируемый ток

замкнутом состоянии ключа

47. Выходная мощ-

Риы\

Ро

Мощность, выделяемая

ность интегральной мик-

на нагрузке интегральной

росхемы

микросхемы в заданном ре

Выходная мощность

жиме

48. Нижняя граничная

/■

fh

Наименьшее значение ча

частота полосы пропус-

стоты, на которой 1 оэФфи-

кания интегральной мик-

циент усиления напряже

росхемы

ния интегральной микросхе

Нижняя граничная ча-

мы уменьшается на 3 дБ

стота полосы пропуска-

от значения на заданной

ния

частоте

19 Верхняя граничная

f.

ы

Наибольшее значение ча

частота полосы пропус-

стоты, на которой коэффи

кания интегральной мик-

циент усиления напряжения

росхемы

интегральной микросхемы

Верхняя граничная ча

уменьшается на 3 дБ от

стота полосы пропуска

значения на заданной ча

ния

стоте

50. Частота коммута

/ком

fs

Частота, с которой интег

ции интегральной мик

ральная микросхема комму

росхемы

тирует ток

Частота коммутации 51. Центральная часто

Частота, равная полу

та полосы пропускания

сумме нижней и верхней

интегральной микросхе

граничных частот полосы

мы

пропускания интегральной

Центральная частота

микросхемы

полосы пропускания 52. Полоса пропуска

А/

BW

Диапазон частот, в пре

ния интегральной микросхемы

делах которого коэффициент усиления интеграль

Полоса пропускания

ной микросхемы не падает ниже 3 дБ по сравнению с усилением на заданной частоте внутри этого диа

пазона

53. Полоса задержива

A/i*

Af<

Диапазон частот меж

ния интегральной микро

ду верхней и нижней ча

схемы

Полоса задерживания

стотами полосы задерживания интегральной микро

схемы

Термин


54.    Нижняя частота полосы задерживания интегральной микросхемы

Нижняя частота полосы задерживания

55.    Верхняя частота полосы задерживания интегральной микросхемы

Верхняя частота полосы задерживания

56.    Частота единичного усиления интегральной микросхемы

Частота единичного усиления

Ндп. Полоса единичного усиления

E.    Frequency of unity (open loop) amplification

F.    Frequence pour I’amplification unite

57.    Частота входного сигнала интегральной микросхемы

Частота входного сигнала

58.    Частота генерирования интегральной микросхемы

Частота генерирования

59.    Время успокоения интегральной микросхемы

Время успокоения

E.    Ripple time

F.    Temps de vacille-ment

60.    Время задержки импульса интегральной микросхемы

Время задержки

E.    Delay time

F.    Temps de delai


Буквенное обозначение


отечест-    между-

венное    народное


/зд.н


/зд.в


h


/вх


^усп


/зд


Продолжение табл. 1


Определение


/dL    Наименьшее    значение    ча

стоты, на которой коэффициент усиления интегральной микросхемы уменьшается в заданное число раз от значения на заданной частоте

/ан    Наибольшее    значение    ча

стоты, на которой коэффициент усиления интегральной микросхемы уменьшается в заданное число раз от значения на заданной частоте

fi    Частота, на    которой    мо

дуль коэффициента усиления напряжения интегральной микросхемы при разомкнутой цепи обратной связи равен единице


h


Частота, на которой производят измерение параметров интегральной микросхемы или ее эксплуатацию


/rip    Интервал времени с мо

мента достижения выходным напряжением интегральной микросхемы уровня 0,9 до момента последнего пересечения выходным напряжением заданного уровня

to.    Интервал времени    между

нарастаниями входного и выходного импульсов интегральной микросхемы, измеренный на уровне 0,1 или на заданном уровне напря


жения или тока