Товары в корзине: 0 шт Оформить заказ
Стр. 1
 

71 страница

563.00 ₽

Купить официальный бумажный документ с голограммой и синими печатями. подробнее

Официально распространяем нормативную документацию с 1999 года. Пробиваем чеки, платим налоги, принимаем к оплате все законные формы платежей без дополнительных процентов. Наши клиенты защищены Законом. ООО "ЦНТИ Нормоконтроль".

Наши цены ниже, чем в других местах, потому что мы работаем напрямую с поставщиками документов.

Способы доставки

  • Срочная курьерская доставка (1-3 дня)
  • Курьерская доставка (7 дней)
  • Самовывоз из московского офиса
  • Почта РФ

Настоящий стандарт устанавливает термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров интегральных микросхем.

Термины и буквенные обозначения, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу работ по стандартизации или использующих результаты этих работ.

Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации, предназначенной для экспортных поставок

Утратил силу в РФ
Действие завершено 31.07.2017

Показать даты введения Admin

Страница 1

i1

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ

ТЕРМИНЫ, ОПРЕДЕЛЕНИЯ И БУКВЕННЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ

ГОСТ 19480-89 (СТ СЭВ 1817-88, СТ СЭВ 4755-84, СТ СЭВ 4756-84)

I p. 10 коп. БЗ 12-89/1048

Издание официальное

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО УПРАВЛЕНИЮ КАЧЕСТВОМ ПРОДУКЦИИ И СТАНДАРТАМ М о с к N а

Страница 2

УДК 621.382.82:001.4:006.354    Группа    Э00

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

.МИКРОСХСМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ

Термины, определении и буквенные обозначения электрических параметров

Integrated circuits. Terms, definitions and letter symbols o( elcctrical parameter*

ГОСТ

19480-89

(CT СЭВ I8I7-S8. CT СЭВ 4755-84, CT СЭВ 4756-84)


ОКСТУ 6301

Дата введения 01.01:»!

Настоящий стандарт устанавливает термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров интегральных микросхем.

Термины и буквенные обозначения, установленные настоящим стандартом, обязательны лля применения во всех видах документации й литературы, входящих в сферу работ по стандартизации или использующих результаты этих работ.

Международные буквенные обозначения обязательны лля применения в технической документации, предназначенной для экспортных поставок.

1.    Стандартизованные термины с определениями и буквенные обозначения приведены в табл. I.

2.    Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.

Применение терминов — синонимов стандартизованного термина не допускается. Недопустимые к применению термины-синонимы ены в табл. 1 в качестве справочных и обозначены пометой

2.1.    Для отдельных стандартизованных терминов в табл. 1 приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования.

2.2.    Приведенные определения можно, при необходимости, изменять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая обт>екты. входящие 8 объем определяемого понятия. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в данном стандарте.

Издание официальное ★

Перепечатка воспрещена

ig Издательство стандартов, 1990


Страница 3

С. 2 ГОСТ 19480-89

2.3.    В случаях, когда в термине содержатся все необходимые и достаточные признаки понятия, определение не приведено и в графе «Определение» поставлен прочерк.

2.4.    В табл. I в качестве справочных приведены иноязычные эквиваленты для ряда стандартизованных терминов на английском (Е) и французском (F) языках.

3.    Алфавитные указатели содержащихся в стандарте терминов на русском языке и их иноязычных эквивалентов приведены в табл. 2—4.

4.    Методика образования буквенных обозначений производных параметров приведена в приложении.

5.    Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма— светлым, а недопустимые синонимы — курсивом.

Таблица I

Бухьшиов обози*««мие

Терм»

OTfclfrCT-

КИ1.Г.С

между

народно*

Опмелгвие

ОБЩИЕ ПОНЯТИЯ

ной микросхемы

Параметр

X

X

Величина, характеризующая свойства или режимы работы интегральной микросхемы

2 Номинальное значение параметра интегральной микросхемы

Номинальное значение параметра

X mix

Хаат

Значение параметра интегральной микросхемы, заданное в нормагипио-техин-ческой документации и являющееся исходным для отсчета отклонений

3. Дийпаюи значений параметра интегральной микросхемы

Диапазон значений параметра

ах

Область, в которую укладываются значения параметров исех интегральных микросхем данного типа или партии однотипных интегральных микросхем при заданном уровне доверительной вероятности

4. Допустимый диапазон значений параметра интегральной микросхемы

Допустимый диапазон значений параметра

жи

Разброс значений параметра интегральной микросхемы, указанной в нормативно-технической документации

5. Отклонение параметра интегральной микросхемы

Отклонение параметра

АХ

Разность между действительным значением параметра интегральной микросхемы к его номинальным значением

Страница 4

ГОСТ 10484-89 С 3

Продолжен ие табл. I

Термин

Бухэеакос

отечест-

лепное

М*ЖЛУ-а вроде о*

Определение

6. Относительно* отк

Д А’это

_

Отношение отклонения

лонение параметра ин

параметра интегральной

тегральной микросхемы

Относительное откло

микросхемы к его номи

нальному значению

нение параметра

7. Напряжение (ток)

А\щр

Напряжение (юк) уп»

управления интегральной

равляющее функциональ

микросхемы

ным назначением интег

Напряжение (ток) уп

ральной микросхемы

равления

8. Температурный ко-

а*

«* -

Отношение именекля па

•ффиииеит параметра ин

раметра интегральной мик

тегральной микросхемы

росхемы к вызвавшему его

Температурный коэф

изменению температуры ок

фициент параметра

- \

ружающей среды

9 Нестабильность па

A'Yact

Отношение относительно

раметра интегральной

го отклонения параметра

микросхемы

интегральной микросхемы

Нестабильность пара

к вызвавшему его дестаби

метра

лизирующему фактору

10. Максимальное зна

A'mn

Ап,»1

Наибольшее значение па

чение параметра интег

раметра интегральной мик

ральной микросхемы

росхемы, при котором за

Максимальное значе

данные параметры соот

ние израметра

ветствуют заданным значениям

П. Минимальное зна

V

• ml»

А л||

Наименьшее зиачеиве па

чение параметра интег

раметра интегральной мик

ральной микросхемы

росхему при котором за

Минимальное значение

данные параметры соогвет

параметра

ствуют заданным значениям

ПАРАМЕТРЫ. ОБЩИЕ ДЛЯ ЦИФРОВЫХ И АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

12.    Напряжение питания интегральной микросхемы

U.

U сс

Ux

I/o

Напряженке питания

13.    Вхохиое напряжение интегральной микросхемы

U*

У,

Входное напряжение

14.    Выходное напря-жение интегральной микросхемы

Выходное напряжение

Значение напряжения на выводах питания интегральной микросхемы

Напряжение на входе интегральной микросхемы о заданном режиме

Напряжение на выходе интегральной микросхемы в заданном режиме


2-1628

Страница 5

С. 4 ГОСТ 19480-89

Продолжение табл. I

Бжееимое обови*чеиве

Терм «и

ОТСЧКТ"

пенное

межху-

иарохме*

Оврехеленв*

15. Напряжение сра

С/ерб

01Т+

Наименьшее постоянное

батывания иэтпральной

UITP

напряженке ка входе, при

микросхемы

котором происходит пере

Напряжение ерзбаты

ход интегральной микро

вамия

схемы из одного устойчивого состояния в другое

16. Напряжение отпу

и0

Uir-

Наибольшее постоянное

скания интегральной

U,T N

напряжепне на входе, при

микросхемы

котором происходит пере

Напряжение отпуска

ход интегральной микро

ния

схемы из одного устойчивого состояния н другое

17. Входной ток ин

/.X

h

Ток, протекающий во

тегральной микросхемы

входной цепи интегральной

Входной ГОК

микросхемы в заданном режиме

18 Выходной ток ин

/,-«

Ток. протекающий в це

тегральной микросхемы

пи нагрузки интегральной

Выходной ток

микросхемы в заданном режиме

19. Так утечки интег

^гг

Л

Ток о цели интегральной

ральной микросхемы

микросхемы при закрытой

Ток yfeiKH

состоянии цепи н заданных

режимах на остальных выводах

20 Ток потребления

! пог

/ос

Ток, потребляемый интег

интегральной микросхе

ральной микросхемой от ис

мы

точников питания в задан

Ток потребления

ном режиме

21. Ток короткого »а-

/к,

Го*

Выходной ток интеграль

-мыкания интегральной

ной микросхемы при зако

микросхемы

роченном выходе

Ток короткого замы

кания

Е. Short-circuit ciment

P. Cour.-mt dccourt-cir-

euit

22. Потребляемая мощ

Р пот

Рсс

Мощность, потребляемая

ность интегральной мик-

интегральной микросхемой.

.росхемы

работающей в заданном ре

Потребляемая мот-

жиме, от соответствующего

«ость

источника питания

23. Рассеиваемая мощ

Рр.е

Лм

Мощность, рассеиваемая

ность интегральной мик

интегральной микросхемой,

росхемы

работающей в заданном

Рассеиваемая мощ

режиме

ность

Страница 6

ГОСТ IMM-89 С. 5

Прооолчеиие табл. I

Пуккииисв оболиочмив

Т«МШ

отечествен ио«

MfXiy-

пгродаос

Определение *

24 Входное сопротивление интегральном микросхемы

Входное сопротивление

/?ь«

Ri

Оп'ошен.н' приращения входного напряжения интегральной микросхемы к приращению ахтипиой составляющей входного тока при заданной частоте сиг нала

25 Выходное сопротивление интегральной микросхемы

Выходное сопротивление

R*ui

Ro

Отношение приращения выходного напряжения интегральной микросхемы к вызвавшему его приращению активной составляющей выходного тока при заданной частоте сигнала

20 Сопротивление нагрузки интегрально? микросхемы

Сопротивление нагрузки

R,

Я L

Суммарное активное сопротивление внешних ценой . подключенных к выходу интегральной микросхемы

27. Входная емкость интегральной микросхемы

Входная емкость

С,х

Cl

Отношение емкостной реактивной составляющей входного тока интегральной микросхемы к произведению синусоидального входного напряжения. вызвавшего этот -rose, и его круговой частоты

28. Выходная емкость интегральной микросхемы

Выходная емкости

С» MI

Co

Отношение емкостной ре-активной составляющей выходною тока интегральной микросхемы к проитведе-кию синусоидального вы-ход1юго напряжения, вызванного »тим током, н его круговой частоты

29. Емкость нагрузки интегральной микросхемы

Емкость нагрузки

с.

Q

Суммарная емкость внешних цепей, подключенных к выходу интегральной микросхемы

30. Время нарастания сигнала интегральной микросхемы Время нарастании си-гизла Е. Rise lime G. Temps <ie croissance

U

Интервал времени нарастания сигнала от уровня 0.1 до момента, когда выходной сигнал интегральной микросхемы впервые достигнет заданного значения, близкого к его окончательному значению при ступенчатом изменении уровня входного сигнала

2*

Страница 7

С. в ГОСТ 19480-89

Продолжение табл. /

Буквенное обозначение 1

Термин

отечест

венное

между нарядим |

Определение

31. Время спада сигнала интегральной микросхемы

В1>емя спада сигнала

E.    Fall time

F.    Temps de decrois-6a nee

/е«

и

Интервал времени спала сигнала от уровня 0.S до момента, когда выходной сигнал интегральной микросхемы впервые- достигнет заданного значения, близкого к его окончательному чиачени» при ступенчатом изменении уровня входного сигнала

32. Длительность фронта входного сигнала интегральной микросхемы

Длительность фронта входного сигнала

Та

Интервал времени нарастания амплитуды импульса входного енгнзла интегральной микросхемы от уровня 0,1 до уровня 0,9 ог номинального значения

33. Длительность спада входного сигнала интегральной микросхемы

Длительность спада входного сигнала

Те в

— . Интервал времени убыва-' ияя амплитуды импульса пходиого Снгсяла питч1 ральной микросхем v от уровня 0.0 до уровня 0.I от номинального значения

31. Чувствительность интегральной микросхемы

Чувствительность

S

Наименьшее значение входного напряжения, при котором электрические па паметры интегральной микросхемы соответствуют заданным значениям

ПАРАМЕТРЫ. ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ

АНАЛОГОВЫХ

ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

SS. Входное напряжете покоя интегральной микросхемы

Входное напряжение покои

и<„

U,о

Постоянное напряжение на входе интегральной микросхемы с яевчлюченным входом или с нулевым входным сигналом

36. Выходное напряжение покоя интегральной микросхемы Выходно-2 напряжение вокоя

Ulnux

Uo о

Постоянное напряженке на выходе иетсгрялыюЛ микросхемы с кевключен-ныи входом или с нулевым входным сигналом

37. Коммутируемое напряжение интегральной микросхемы

Напряжение коммутируемое

У*

Напряжение, подаваемое на вход коммутирующего элемента интегральной микросхемы

Страница 8

ГОСТ IMS0-89 С. 7

Продолжение табл. /

Буквемхое обозигчеиие

Опррдален*»


ТйрММВ


отявег-в**<ио*


между*

паромов


Ом


иа



£Л.

U |с


U.


U


и,


6'ds


р«>


ho


Л/,


AaV


38    Напряжение смешения нуля интегральной микросхемы

Напряжение смещения нуля

Е. Input offset voltage

F Tension dc dcta'age

39    Напряжение шума ид выходе интегральной микросхемы

Напряжение шума на выходе

E.    Output noise volta

К*

F.    Tension fie bruit on soriie

40    Приведенное ко «ходу напряжение hi у- , ма интегральной микросхемы

Приведенное ».о входу . напряжение шума

41    Синфазные вход- f пые напряжения нигсг- | ральной микросхемы

Синфазные входные напряжения

42. Входное напряжение ограничения интегральной микросхемы

Входное напряжение ограничения


43.    Остаточное напряжение интегральной микросхемы

Остаточное напряжение

44.    Разность входных токов интегральной микросхемы

Разность входных токов

45 Средний входной ток интегральной микросхемы

Средний входной ток


Отношение напряжения собстве iiio/o шума на выходе интегральной микросхемы при заданных условиях к коэффициенту усиления напряжения Напряжения между каждым из входов интегральной микросхемы и общим выводом, амплитуды, фазы и пнемецкое распределение которых совпадают Наименьшее значение входного напряжения интегральной микросхемы, при котором отклонение от линейности выходного напряжения превышает установленную величину Напряжение между входом и выходом интегральной микросхемы при включенном канале н заданном значении коммутируемого тока

Разность значений токов, протекающих через дифференциальный вход интегральной микросхемы з заданном режиме Среднее квадратическое значение входных токов интегральной микросхемы


Постоянное напряжение, которое должно быть приложено хо входу иктег-ральноА микросхемы, чтобы выходное напряжение было равж> нулю пли другому заданному значению Напряжение собственного шума на выходе интегральной V1HKPOCXCMU


Страница 9

С. 8 ГОСТ IMHO—89

Продолжение табл. 1

Бухвсвмое обеаавчсаие

Тсрмих

отет останов

между

народное

Оар«дмешм

46 Комму тируемый

Лил

Ток протекающий через

ток интегральной микро

коммутирующий элемент

схемы

интегральной микросхемы а

Коммутируемый го«

t

замкнутом состоянии ключа

47. Выходная мощ

Ро

Мощность, выделяемая

ность интегральной мик

на нагрузке интегральной

росхемы

микросхемы в зэдзнвом ре

Выходная мощность

жиме

48 Нижняя граничная

In

К

Наименьшее значение ча

частота полосы пропус

стоты. на которой коэффи

кания интегральной мик

циент усиления напряже

росхемы

ния инктрзльной микросхе

Нижняя граннчнзя ча

мы уменьшается на 3 дБ

стота полосы пропуска

от значения па заданной

ния

частоте

•19 Верхняя граничная

!.

Наибольшее значение ча

частота полосы пропус

стоты. на которой коэффи

кания интегральной мик

циент усиления напряжения

росхемы

интегральной микросхемы

Верхняя граничная ча

уменьшается на 3 дБ от

стота полосы пропуска

значения иа заданной ча

ния

стоте

50 Частот» коммута

/мои

1*

Частота, с котооой интег

ции интегральной мик

ральная микросхема комму

росхемы

тирует ток

Частота коммутации

51. Центральная часто

1.

Частота, равная полу

та полосы пропускания

сумме нижней и верхней

интегральной микросхе

граничных частот полосы

мы

пропускания интегральной

Центральная частота

микросхемы

полосы пропускания

Диапазон часгог. и пре

52. Полоса пропуска

А/

ВХР

ния интегральной микро

делах которого коэффи

схемы

циент усиления интеграль

Полоса пропускания

ной микросхемы не падает ниже 3 дБ по сравнению с усилением иа заданной частоте внутри этого диапазона

53 Полоса задержива

Л/»д

Ait

Диапазон частот меж

ния интегральной микро

ду верхней и нижней ча

схемы

стотами полосы задержи

Полоса задерживания

вании интегральной микросхемы

Страница 10

ГОСТ 19480 -89 С 9

Продолжение табл. I

(iyiM«Hoe овоммчемн*

Термин

Ot*4tCT-

ocniioe

МСЖД/'

МАРОЛИОО

Опрслг.княе

54. Нижняя частота полосы задерживания HHit-i ральноЯ микросхемы

Нижняя частота полосы задерживания

/»«•■

Ail

Наименьшее значение частоты, на которой коаффи-циент усиления интегрэль-ной микросхемы уменьшается п заданное число раз от значения на заданной частоте

55. Верхняя частота полосы задерживания интегральной микросхемы

Верхняя частота полосы задержиоаиия

Imj

Ian

Наибольшее значение частоты. ка которой коэффициент усиления интегральной микросхемы уменьшается в заданное число раз от значения на заданной частоте

56 Частота единичного усиления интегральной микросхемы

Частота единичного усиления Ндп. Полоса единичного усиления

Е Frequency of unity (open loop) amplification r Frequence pour (‘amplification unite 57. Частота входного сигналя интегральной микросхемы Частота входного сигнала

/.

/.

Частота, на которой модуль коэффициента усиления напряжения интегральной микросхемы при разомкнутой цепи обратной связи равен единице

/.I

h

Частота, на которой производят измерение параметров интегральной микросхемы ила ес эксплуатацию

58 Частота генерирования интегральной микросхемы

Частота генерирования

it

1.

59 Время успокоения интегральной микросхемы

Время успокоения

E.    Ripple time

F.    Temps de vacille-ment

flip

Интервал времени с момента достижения выходным напряжением интегральной микросхемы уровня 0.9 до момента последнего пересечения выходным напряжением заданного

60. Время задержки импульса интегральной микросхемы

Время задержхи

E.    Delay time

F.    Temps de delai

t,A

1

*

t*

уровня Интервал времени между нарастаниями входного и выходного импульсов интегральной микросхемы, измеренный на уровне 0.1 или на заданном "уровне напряжения или тока

Страница 11

С. 10 ГОСТ t»4R0— 69

Продс.хжение табл. /

Букв«во* обадеачекке

7*PMIUI

отвчест.

ммнех

между

жвроамо*

Опр«яслеаме

61. Коэффиинсит усилении напряжения интегральной микросхемы

Коэффициент усиления

К, и

Ли

Отношение выходного напряжения интегральной микросхемы к входному напряжению

НСПрЯЖСНИЯ

62. Коэффициент усиления тохи интегральной микросхемы

Коэффициент усилении

Кг,

А,

Отношение выходного тока интегоальиой микросхемы к входному току

тс* а

03 Коэффиииетгт усиления МОЩНОСТИ ИНТ1Г> ральной микросхемы

Коэффициент усиления

Ар

Отношение выходной мощности интегральной микросхемы к входной мощности

МОЩНОСТИ

64. Коэффициент усиления синфазных входных напряжений интегральной микросхемы Коэффициент усиления синфазных входных напряжений К Common-mode voltage .■>mplification

F. Amplification en tensio* en mode cominui)

Лис

Отношение выходного напряжения интегральной микросхемы к синфазному входному напряжению

65. Коэффициент ослабления синфазных входных напряжений ии-тефальчой микросхемы

Коэффициент ослабле* ПНЯ СЯИфа:«НЫХ входных напряжений К Common-mode rejects ratio

F. Taux de rejection en mode coir.mun

Kct.t»

/Семи

Отношение коэффициента усиления напряжения интегральной микросхемы к кочффнциеигу усиления синфазных входных напряжений

G6. Коэффициент влияния настабильности источников питания на напряжение смещения нуля интегральной микросхемы Коэффициент влияния нестабильности источников питания иа напряжение смещения нуля

к,,,.

1

/Сиги

Отношение приращения напряжения смещения нуля интегральной микросхемы к вызвавшему его приращению напряжения источника питания

Страница 12

ГОСТ l»480-SS С. II

Продолжение табл. I

Бушмвое овомачзди*

Термин

ot*4*o>

»«иио*

между-

ииролво*

Определение

СТ Коэффициент уси

КцЧЧ>

Луо

Отношение изменения зна

ления дифферсициально-

чения выходного напряже

го сигнала по напряже

ния интегральной микро

нию иятегральной мик

схемы к изменению значе

росхемы

ния напряжения на диффе

Коэффициент усиления

ренциальном входе в задан

дифференциального сиг

ном режиме

нала по напряжению

Е. Dificrential-mode

voltage amplification

F. Amplification en

tension en mode d:Kiren-

tic!

68. Коэффициент гар

кг

Отношение среднего квад

моник интегральной мик

ратического чвпряжения

росхемы

суммы всех, кроме первой.

Коэффициент гармо

гармоник сигнала интег

ник

ральной микросхемы н среднему квадратическому напряжению суммы всех гармоник

G9. Лиана юн автома

О'агу

AGC

Отношение наибольшего

тической регулировки

значении коэффициента уси

усиления интегральной |

ления напряжения интег

микросхемы

ральной микросхемы к наи

Диапазон АРУ

меньшему его значению при изменении входного напряжения в заданных пределе*

70. Скорость нараста

Vv IUI

•Suomish»

Отношение изменения вы

ния выходного напряже

ходного напряжения с уров

нии интегральной микро

ня 0.1 до уровня 0.9 к вре

схемы

мени его нарастания при

Скорости нарастания

воздействии на вход интег

выходного напряжении

ральной микросхемы им

Иди. Скорость отсле

пульса напряжения прямо

живания

угольной фирмы

71. Коэффициент нря-

к.

_

Отношение полосы частот

моугольиосги амплитуд

интегральной микросхемы

но-частотной характери

ка уровне 0.01 или 0.С01 к

стики интегральной мик

полосе пропускания на

росхемы

уровне 0.7

Коэффициент прямо

угольное™ АЧХ

72. Козффиииеиг пуль

Кч

...

Отношение амплитудного

саций интегральной мик

значения напряжения пуль

росхемы

Коэффициент пульсаций

саций интегральной микросхемы F л качению постоян

но:! составляющей напряжения

Страница 13

С. 12 ГОСТ 1 *480-89

Продолжение табл. I

Ьушеияое o«ostu*«H*o

Термин

отечест

венное

между

народное

Определение

73 Коэффициент умножения частоты интегральной микросхемы

Коэффициент умножения частоты

•Купи /

Отношение частоты выходного сигнала интегральной микросхемы к частоте входного сигнала

74 Коэффициент деления частоты интегральной микросхемы

Коэффициент деления

К»*,

Отношение частоты входного сигнала интегральной микросхемы к частоте выходного сигнала

час.оты 75. Крутизна преобразования интегральной микросхемы

Крутизна преобразования

Sax*

Отношение выходного тока смесителя к вызвавшему его приращению вход-того напряжения при Заданном напряжении гетеродина интегральной микросхемы

ПАРА,МЕТРЫ. ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ОПЕРАЦИОННЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ И КОМПАРАТОРОВ НАПРЯЖЕНИЯ

76- Максимальное выходное напряжение интегральной микросхемы

Максимальное выходное напряженке

Unix в»

и O.B.I

77. Напряжение шума интегральной микросхемы

Напряжение шума

иш

ип

78. Эффективное напряжение шума интегральной микросхемы

Эффективное напряжение шума

U га>0Р

79. Размах шума интегральной микросхемы

Размах шума

д иш

Haw

Выходное напряжение интегральной микросхемы при заданном сопротивлении нагрузки и напряженки входного сигнала, когда его прнращеиие не вызывает нрирашевия выходного напряжения Напряженке на выходе интегральной микросхемы в заданной полосе частот при входном напряжении, равном нулю Отношение шума на выходе, выраженного в эф-фиктивных значениях напряжения в заданной полосе частот, к коэффициенту усиления интегральной микросхемы Разность между максимальными значениями пиков шума противоположного знака в заданной полосе частот на выходе интегральной микросхемы.

Страница 14

ГОСТ 19480-89 С. 13

Продолжение табл. I

Ь>кк«п>о« о4овя*ч»ми*

Терпки

отечесг-IX* II ДОС

между пароля с*

Оярелмевяе

повторяющихся » -сданном интервале времени при входном напряжении, равном нулю

«0 Нормированная электродвижущая сила шума интегральной микросхемы

Нормированная ЭДС

шума

£ш В

Се»

Отношение напряжения шума на выходе интегральной микросхемы в заданной полосе час ют при включении между общим выводом и выводами входов резисторов, сопротивление которых стремится к кулю, к произведению коэффициента усиления на квадратный корень нз полосы измеряемого шума

81. Нормированный ток шума интегральной микросхемы

Нормированный ток шума

/а М

Отношение напряжения шума иа выходе интегральной микросхемы в заданной паюсе частот при вх.тючении УСЖДУ ог-шим выводом II выводами входов резисторов ладанного сопротивлении к произведению коэффициента усиления из квадратный корень из полосы и «меряемого шума

82. Максимальная скорость нарастания выходного напряжения интегральной микросхемы

Максимальная скорость нарастания иыход-кого напряжения

Vr tut им

SR

Отношение изменения выходного шпряжения с уровня 0.1 до уровня 0,9 к времени его нарастания при воздействии нз вход интегральной микросхемы импульса прямоугольной формы максимальною входного напряжения

S3. Частота среза интегральной микросхемы

Частота среза

E.    Open-loop cut-off frequency

F.    Frequence dr coup tire en boucte ouverte

/ер»

/со

Частота, на которой модуль коэффициента усиления напряжения нитеграль-ной микросхемы при разомкнутой пени обратной связи уменьшается ДО 0707 значения на заданной частоте

Я-t. Частота полной мощности иитегралыюй микросхемы

Частот а полной МОЩ-НОСГ.)

ft

ft

Частота, на которой значение максимального выходною напряжения интегральной микросхемы

Страница 15

С 14 ГОСТ 19480-89

Продолжение 7обл. 1

Вгкямшо* обемаясаи*

Термин

отечест-

ьеяно*

между

народное

Определение

уменьшается на 3 дБ от значения на заданной частоте

85 Время успокоения выходного напряжения интегральной микросхемы

Время успокоения выходного напряжения

tyeav

Время с момента достижения входным импульсом прямоугольной формы уровня 0.5 до момента последнего пересечения выходным напряжением интегральной микросхемы заданной величины

8G Коэффициент разделения каналов интегральной микросхемы

Коэффициент разделения каналов

Кр*»а

Ci NG

Отношение выходного напряжения интегральной микросхемы с сигналом на входе к выходному напряжению интегральной микросхемы при отсутствии входного сигнала

87. Временной «оэф-фиииснт входного тока интегральной микросхемы

Временной коэффициент входною гока

V/m

YiBiOBn

Отношение изменения входного гока интегральной микросхемы х вызвавшему его иэменению времени

88 Временной коэффициент разности входных токов интегральной микросхемы

Временной коэффициент разности входных токоз

Т*/»*

VllO

Отношение изменения разности входных токов интегральной микросхемы к вызвавшему его изменению времени

89. Временной коэффициент напряжения смещения нуля интегральной микросхемы

Временной коэффициент напряжения смешения нуля

YtCM

Yoxo

Отношение изменения напряжения смещения нуля интегральной микросхемы к вызвавшему его изменению времени

ПАРАМЕТРЫ. ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ АНАЛОГОВЫХ УСИЛИТЕЛЕН НИЗКОП. ПРОМЕЖУТОЧНОЙ И ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ

90 Диапазон входных напряжений интегральной микросхемы

Д (/*

Диапазон входных напряжений Е. input voltage operating range

Интервал значений входного напряжения интегральной микросхемы 07 минимального значения до максимального


Страница 16

ГОСТ IB4S0-H9 С 15

Продолх сние т<*вл I

Термин

F Domaine de foncli* onr.enient <le la tension d'entrfe

91.    Напряжение aeio-матнческой регулнрогки усиления интегральной микросхемы

Напряжение АРУ

92.    Напряжение задержки автоматической регулировки усиления интегральной микросхемы

Напряжение задержки

АРУ

93.    Напряжение пульсаций источника питания интегральной микросхемы

Напряжение пульсаций источника питания

94.    Ток автоматической регулировки усиления интегральной микросхемы

Ток А1>У

95 Частота резонанса интегральной микросхемы

Частота резонанса

96.    Частота квазнре-зоианса интегральной микросхемы

Частота квазнрезонаи

са

97.    Диапазон регулировки коэффициента усиления напряжения (тока. мощности) интегральной микросхемы

Диапазон регулировки коэффициент усиления напряжения (тока, мощное™)

Буквенное обози

отечест-

оСИ псе

между-

■ародное

Улрг

U А сс

t/,« ЛРУ

ил осе

иип..

U<c,

!\ру

Uac

(0

/.

/. I»

AKju

ААг

SK„

ДЛ|

A/C, р

Д.4*

Огределсеие

Напряжение из регулирующее входе интегральной и.кроехсмы, обеспечивающее регулировку коэффициента усиления о заданных I редела* Наибольшее абсолютное знаке г ни напряжения на управляющем входе интегральной микросхемы, при котором се коэффициент усиления остается неизменным

Значение переменной со-стаалхюшей н.прн-гния источника питания на выводах питания шгтеграль-ной микросхемы

Ток, протекающий через регулирующий вход интегральной микросхемы и о6есиечиваю!ЦиЯ регулировку коэффициента усиления в заданных пределах Частота, на которой коэффициент усилении интегральной микросхемы принимает максимальное значение

Частота, на которой коэффициент усиления ян тегральной микросхемы принимает минимальное значение Отношение максимального значения коэффициента усиления напряжения (тока. мощности) к минимальному значению коэффициента усиления напряжения (тока, мощности) при воздействии на интегральную микросхему управляющею электрического сигнала


Страница 17

С 16 ГОСТ 19480-89

Продолжение табл. I

Ьукгсяиое оОо»«вч«яна

Тармяи

отечеет-

между-

Определенно

oeunc«

влроднос

98 Динамический диа

д и„п

уо

Отношение максимально*

пазон по напряжению

го значения выходного на

интегральной микросхе

пряжения интегрально.; мик

мы

росхемы к минимальному

Динамический диапа

значению выходного нап

зон но напряжению

ряжения

99 Коэффициент не

/с., А

Лвц

I (аиСолыже отклонение

линейности амплитудной

значении кру 1нзны а миля

характеристики интег

гудной характеристики ин

ральной микросхемы

тегралы >ок микросхемы от

Коэффициент нелннсй-

носительно лначении кру

ности амплитудной ха

тизны амплитудной харак

рактеристики

теристики. изменяющейся по

линейному закону

100. Коэффициент не

Ппр.ДЧ

A FM

Отношение максимального

равномерности амплитуд

значения выходного напря

но-частотной характери

жения интегральной микро

стики интегральной мик

схемы к минимальному зна

росхемы

чению в заданном диапазо

Коэффициент неравно

не частот полосы пропус

мерности АЧХ

кания. выраженное в дс-цябеллах

101. Коэффициент шу

Кт

F.

Отношение среднего Квад

ма интегральной микро

ратического напряжения

схемы

шумов на ныходе интег

Коэффициент BJVMC

ральной микросхемы к среднему квадрлгичсскому налря/кемнк» шума источнике входного сигнала п заданном ао:осе частот

102. Коэффициент ин

Кщ.ш

»л

Отношение средней квад

термодули ционных иска

ратической амплитуды м>-

жений интегральной мик

лсО.иш:: «чжллых частот к

росхемы

амплитуде высокочастотного

Коэффициент ннтер-

колебания на выходе интег

миду.'еициоиных искаже

ральной микросхемы, выра

ний

женное в процентах

103 Коэффициент по-

п

1\

Отношение выходной

дезного действия интег

мощности интегральной пик*

ральной микросхемы

росхсмы к потребляемой

Коэффициент полезно

мошиосги

го действия

104 Крутизна проход

5„

Str

Отношение исходного то

ной характеристики ин

ка к оызпавшему его вход

тегральной микросхемы

ному напряжению в задан

Крутизна проходной

ном v.eKTpiHCCKOM режиме

характеристики

интеграл:-нон микросхемы

Страница 18

ГОСТ 19480 -W С. IZ

Продолжение табл. /'

Ьжшмшсс обозначение

Термин

отечест-

аедиое

*ежду-

паролям

Oap«X«MlUM

1(!б Ошошенне сигнал/шум интегральной микросхемы

Отношение Сигнал/шум

к

Отношение эффективного значения выходного напряжения интегральной микросхемы. содержащего только низкочастотные составляющие. соответствующие частотам модулирующего напряжения. к эффективному значению пыходного мапря-женин ирк смодулированном емпмле в определенно?! полосе частот

106 Фазовый сдвиг интегральной микросхемы

Фа «>вый сдвиг Идя C'Jum.’ фи$

фе

Фо

Разность между фазами выходного н входного сигналов интегральной микросхемы на заданной частоте

ПАРАМЕТРЫ. ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ .МИКРОСХЕМ НЕПРЕРЫВНЫХ СТАБИЛИЗАТОРОВ НАПРЯЖЕНИЯ И ТОКА

107 Диапазон выходных напряжений и («игральной микросхемы

Диапазон выходных напряжений

Е Output voltage operating range

F. Doma:ne de foncti-onnement de la tension de sortie

108.    Напряжение считывании обратной связи интегральной микросхемы

Напряжение считывания обратной связи

E.    Feedback sense voltage

F Tension de lecture de centre-rfaetion

109.    Опорное напряжение интегральной микросхемы

и»

U BEF

Опорное напряжение 11. Reference voltage

F.    Tension de reference

Интервал эиачечлй выходного напряжения интегральной микросхемы or минимального значения до максимального, прн котором электрические параметры не выходят за установленные нормы

Von я

Напряжение, являющееся функцией выходного напряжения н используемое с внешними элементами или без mix для управления обратной связью интегральной микросхемы

Напряжение, с которым сравнивается напряжение считывания обратной связи в целях контроля за интегральной микросхемой


Страница 19

с. 18 ГОСТ I94S0—S9

Прэдолжпш* 7сбл. 1

Б упрямое *6е»Я1дениг

Определенна


Т«ЭМЯМ


ow«c г-

^ениое


улжят-

■иродиоч?


L'«x


U


ля Ш!о


'•I


ГО!


fnu


/К!


Г.»>с г


К V Six 1


Ki'SlXi


Ш Время восстановления но напр* женин» интегрально*» МИчрОСхе* мы

Время постановления по напряжению

Г. Input transient voltage rernvrry time F. Тепмя «‘л rccouvre fnent cic I;* tension tran-sitoirr a ? entree

115.    Время восстаиов-лени и по току интег-ральной микросхемы

Время восстановления по гоку

С. Input transient current recovery time

F. Temps <ic recouvre-mcnt du courant transi-toire A I'entrte

116.    Взаимная нестабильность no напряжению интегральной мик--лэсхечы


ПО. Падение ндпря-женин на шипральном микросхеме

Падение напряжения

III. Минимальное падение напряжения на ми-теградьчой микросхеме

Млин м.« льное п аде ки р напряжения


112 Ток холостого хода интегральной микросхемы Ток холостого хода II) Время roroa:ioct:i интеграл* чой микросхемы

Бремя ivrnnaoni


Разность между вводным и выходным напряжением интегральной микросхемы в заданном режиме

Наименьшее значение падения наир прения на интегральной микросхеме, при котором параметр интегральной микросхемы удовлетворяет заданным требованиям

Ток потребления интегральной микросхемы при отсутствии нагрузки на выходе

Интервал времени гд м.у-мепта подачи вхедиогн n<v пряжения до момента, после которого параметры интегральной микросхемы удовие г яг*;, п аот    а а да и и к ч

требованиям

Ишерва.1 времени от момента С У :СЧЧ'% >.0 I -чЧ-иенпя полного напри Кения iihK'* (с.’НлюЛ Kiiuji.i.xe-мы до >: дм сита. >огда •>лечение выаодного напряжения в последний раз ало-.гит о заданный нитей*.м выходных напряжения, t'-держащяй в себе ко ночи** 'Я1ЭЧСГШС

Интервал времени от момента ступенчатого иле-чекпя выходного тока интегральной микросхемы ло момента, когда шачение выходного г*пряяч.иия г* последний раз вхотиг в И.ДДВНЫЙ интервал пиход-I 1-ы.х напряжений. оперла-тих и себе конечное значение

Относительная изменение • аиач'чгл ini о.г;п*о н.тря-. жен:»* ои.пл vuhj^i мн-> I гокэпаДько;; интегральной


Страница 20

ГОСТ 19480—S9 С. 19

Терния

Продолжение табл. I

Букделпм «хУмвачеиие

от*«»ст-

межху-

Определение

ntimoe

П»РОД*0«

Взаимная нестабильность по напряжению

Kims:

117. Взаимная нестабильность 'по току интегральной микросхемы

Взаимная яестабиль-иость оо току

Kvt

Кс

И 8. Нестабильность по напряжению интегральной микросхемы

Нестабильность по напряжению

Кю

К,

J19 Нестабильность по току интегральной микросхемы

Нестабильность по

току

Kv

120. Нестабильность по нагрузке интегральной микросхемы

Нестабильность по па-rpywe микросхемы при изменении ВХОДНОГО ИЛИ выходного нэппяжсння иа другом канале, приведенное к I В изменения входного напряжения. при отсутствия других дагтабилкзируюшнх факторов Относительное изменение значения выходного напряжения одного канала многоканальной ннтегррлыюй микросхемы при изменении выходного топа из другом канале, приведенное к ! А. нтменоикя выходного тока, пои отсутствии других дестабилизирующих факторов

Относительное изменение I значения выходного напряжения пли тока интегральной микросхемы прп изменении входного напряжения. приведенное к 1 В изменения входного напряжения. при отсутствии других дестабилизирующих факторов

Огиосятсльчос и»«еиеш!с значения выходного напряжения интегральной миипо-схемы при изменении пы-ходпого тока, прнпедешюе к 1 Л изменения выход:ч>го тока, при отсутствии дпу гих    дестабилизирую:!',» ,г

факторов Относительное изменение I зитеиня выходного тохл интегральной микросхемы язи изменении сопроткапе-ннп нагрузки, приведемио< < к 1 Ом изменения сочро-тн.тлеиия ксгрузкп, при отсутствии других дестабилизирующих фохторов


3—162$

Страница 21

С 20 ГОСТ 19480-89

Продолжение табл. /

Бтхвеияо* обозначение

Термин

отечест

венно*

м«МУ-

И«(И)ЛИО«

Определение

121 Ко»ффяциеиг стабилизации входною напряжения интегральной микросхемы

Коэффициент стабилизации входного напряжения Е. input stabilization coefficient Г. Coefficient de stabilisation cn (onction de la tension d'entrcc

122. Коэффициент ста

Хот си К'ст и.*

Ksi

Отношение относительного изменения выходного напряжения или тока интегральной микросхемы к заданному относительному изменению входного напряжения при отсутствии других дестабилизирующая факторов ,

билизация нагрузки интегральной микросхемы

Коэффициент стабилизации нагрузки

E.    Load stabilization coefficient

F.    Coelficienl dc stabilisation со fonction de U charge

K«t в

Kso

Отношение относительного изменения выходного напряжения интегральной микросхемы к заданному относительному изменению выходного тока при отсутствии других дестабилизирующих факторов

123. Коэффициент стлжжикания пульсаций интегральной микросхемы

Коэффициент сглажн-w»*** пульсаций

•Е. Ripple rejection ratio

F. Taux de rejection de Fondulation rfeiducllc

*«Г

/Спя

Отношение амплитудного значения пульсаций входного напряжения заданной частоты интегральной микросхемы к амплитудному значению пульсаций выходного напряжения той же частоты

424. Дрейф выходного напряжения интегральной микросхемы

Дрейф выходного напряжения

Е. Output vo!taffe drift

vF. Derive de la tension de sortie

АЬ’ьих

АЫоси

Наибольшее значение относительного изменения выходного напряжения интегральной микросхемы в течение заданного интервала времени при отсутствии других дестабилизирующих факторов

125. Дрейф выходного тока интегральной микросхемы

Дрейф выходного тока

E.    Output current drift

F.    Derive du courant 4c sortie

Д/iuiI

А/о<«>

Наибольшее значение относительного изменения выходного тоха интегральной микросхемы в течение заданного интервала времени при отсутствии других дестабилизирующих факторов

Страница 22

ГОСТ 19480-89 С. 21’ Продолжение табл. I

Бук«иное и6ом*Ч1'И**

Термин

оммя»

менос

между

народное

Определение

126 Температурный коэффициент выходного тока интегральной микросхемы

Температурный коэффициент выходного тока

Uibui

«10

Отношение относительного изменения выходного тока к рмэвовшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды или корпуса ори отсутствии других дестабмднзи руюиых факторов

ПАРАМЕТРЫ. ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ! УПРАВЛЕНИЯ ИМПУЛЬСНЫМИ СТАБИЛИЗАТОРАМИ НАПРЯЖЕНИЯ

127.    Напряжение гистерезиса интегральной микросхемы

Напряжение гистерезиса    ,

128.    Мапряже:»*» синхронизации интетрал.. («й микросхемы

Напряжение синхронизации

129. Полоса захвата синхронизации интегральной микросхемы

Полоса захвата синхронизации

130. Коммутируемая мощность интегральной микросхемы

Коммутируемая мот- •

«ОСТЬ    |

1

Kui

131 Коэффициент передачи интегральной микросхемы

Коэффициент передачи

I

Uu 1 Разность между напряжением срабатывания и на-Япряжением отяусканкя лн-Vоградыюй микросхемы

Ur

и*

Напряжение, подаваемое на синхронизирующий вход интегральной микросхемы, при котором рабочая частота интегральной микросхемы равна или кратна Частоте напряжения синхронизации Максимальное от коек тельное отклонение собственной частоты коммутации or частоты синхронизирующего сигнала, при котором обеспечивается работа интегральной микросхемы «а частоте снихро-ии.офуюшего си г и.1 л а

Значение мощности, определяемое как произвел с мне коммутируемого наира-Жсчия на среднее квадр-.. тнческое значение комму' тируемого тока, в заданном режиме интегральной микросхемы Отношение абсолютного значения изменения выходного напряжения усилителя рассогласования йотегрпль-иой микросхемы к абсолютному изменению входного напряжения


3*

Страница 23

С. 22 ГОСТ 19480-89

Продолжение табл. I

Буквенное ободеачемяе

Тернии

отечест

между-

Определение

венно*

иаволное

ПАРАМЕТРЫ. ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ КОММУТАТОРОВ И КЛЮЧЕЙ

и.


U


тар и


IL


(Д-рр.а


£/»

LS

LD

'IL


/ «к


'CCL


132.    Управляющее напряжение низкого уровня интегральной микросхемы

Управляющее напряжение низкого уровня

133.    Управляющее напряжение высокого уровня интегральной микросхемы

Упрааляюшее напряжение высокого уровня

134.    Ток утечки аналогового входа интегральной микросхемы

Ток утачка аяалогово го и хода

133 Ток утечки аиа-лотового выхода интегральной микросхемы

Ток утечки аналогового выхода

130. Входной ток низкого уровни управляю* mere напряжения интегральной микросхемы

Входной точ низкого урозня управляющего напряжения

13~ Входной ток высокого уровня управляющего напряжения интегральной микросхемы

Входной ток высокого уровня управляющего напряжения

138. Ток потребления при низком уровне управляющего напряжения интегральной микросхемы

Ток потребления при низком уровне управляющего напряжения


Максимальное абсолютное значение напряжении на управляющем входе, обеспечивающее разомкнутое состояние ключа интегральной микросхемы Минимальное абсолютное значение напряжения на управляющем входе, обеспечивающее замкнутое состояние ключа интегральной микросхемы Постоянный ток, протекающий через аналоговый вход (входы) интегральной микросхемы при закрытом канале (каналах) Постоянный ток, протекающий через аналоговый выход (выходы) интегральной микросхемы пун закрытом канале (каналах)

Постоянный ток. проте-. кающий    через управляю-

1 щи»! вход (входы) интегральной    микросхемы при

подаче на него (mix) уп-I равляющего напряжения низкого уровня Постоянный ток. протекающий    через управляю

щий вход (входы) интегральной    микросхемы при

подаче на "него (них): уп равняющего напряжения высокого уровня

Постоянный ток. протекающий через вывод (выводы) питания интегральной микросхемы при подаче на управляющий вход (входы) управляющего напряжения низкого уровня


Страница 24

ГОСТ 19480-89 С. 23

Продолжение табл. I

Буквенное о&э>ыач«ии«

Терния

отечест

венное

И*ЖАУ-

иародио*

Определение

139. Ток потребления

!аогл

/ссы

Постоянный ток. проте

при высоком уровне уп

кающий мере.» вывод (вы

равляющего напряжения

воды) питания интеграль

интегральной микросхе

ной микросхемы, при пода

мы

че на управляющий вход

Ток потребления при

(входы) управляющего на

высоком уровне управ

пряженка высокого уровня

ляющего напряжении

140. Сопротивление в

Ron

Ron

Отношение падения на

открытом состоянии ин

пряжения между аналого

тегральной микросхемы

Сопротивление в от

вым выходом и аналого

вым входом интегральной

крытом СОСТОЯНИИ

микросхемы к вызвавшему его току пра включенном канале

141. Время включения

t„л

too

Интервал времени между

интегральной микросхе

. уровнем 0.о управляющего 1 напряжения интегральной

мы

Время включения

микросхемы к заданным уровнем выходного напряжения в режиме включения

142. Время выключе

•>икп

loll

Интервал времена между

ния интегральной микро

уровнем 0Л управляющего

схемы

напряжения интегральной

Время выключения

микросхемы и заданным уровнем выходного напряжения а режиме выключения

143. Время переклю

*««►

flw»

ilincpea.j времени между

чения интегральной мик

уровнем 0.5 управляющего

росхемы

напряжения интегральной

Время переключения

микросхемы и заданным уровнем выходного напряжения п режиме параллельного переключения

144. Амплитуда выб

л

Oda

Максимальная амплитуда

росок напряжения на

выбросов напряжения на

аналоговом выходе ин

аналоговом выходе интег

тегральной микросхемы

рально ft микросхемы, рабо

Амплитуда выбросов

тающей и режиме переклю

напряжения на аналого

чения ири отсутствии ком

вом выходе

мутнруемого напряжения

145. Емкость управ

^ох.гпр

Cl

Отношение емкостной ре-

ляющего входа интег

акптвмой егхгтавляющей то

ральной микросхемы

ка. протекающего через уп

Емкость управляющего

равляющий вход, интег

входа

ральной микросхемы, к произведению синусоидального напряжения, вызвавшего

Страница 25

С. 24 ГОСТ 19480-89

Продолжение табл. I

Тсрмва

оте*1«сд*

между

народно*

Ояродымн*

ЭТОТ ток. н его круговой частоты при закрытом канале (каналах)

146. Емкость аналогового входа инициальной микросхемы

Емкость аналогового входа

С» as

С.

Отношение емкостной реактивной составляющей тока. протекающего через аналоговый вход интегральной микросхемы, к произведению синусоидального напряжения. вызвавшего этот ток. и его круговой частоты при закрытом канале (каналах)

147. Емкость аналогового выхода ингеграль-ной микросхемы

Емкость аналогового выхода

Си

Отношение емкостной реактивной составляющей тока. протекающего через аналоговый выход интегральной микросхемы, к произведению синусоидального напряжения. вызвавшего этот теж, и его круговой частоты при закрытом канале (каналах)

14S Емкость между аналоговыми выходом и входом интегральной микросхемы

Емкость между авв

ЛОГоВЫМИ аиходом н входом

Сим х/ш ,Д||

Cjts

Отношение емкостной реактивной составляющей тока. протекающего между аналоговым эыходом и диалоговым входом интегральной микросхемы, к произведению синусоидального напряжения. витавшего Этот ток, н его круговой чистоты л рн закрытом канале (Квпалкх)

149 Частота уираваи-юще.о напряжения mi-тс(|>алыюА микросхемы

Частота уирзвлякнце-го напряжении

/»ПР

/i

ЧлСТОта напр»ж1т,ы на управляют!.ем вход, интегральной МНКЛОСХ(-М;{ при здламкоЛ скпажиост», при которой значения чыходио-го напряжения нн4«гли и высокого уровней уммрг-эорягот заданным ?на юыням

150 Коэффициент подавления сагняла разомкнутым ключом интегральной микросхемы

Коэффициент подавления сигнала разомкнутым ключом

Кплл И

KiMt

Отношение переменной 'составляющей выходного напряжении закрытого канала интегральной микросхемы к переменной составляющей коммутируемого напряжения

Страница 26

ГОСТ 19480-89 С. 25

Продолжение табл. I

1>уке«яное обозмаовикв

Тйрмни

отсчест-

0«НМО«

иежау-

яароано«

Определение

151 Коэффициент подавления сигнала между каналами интегральной микросхемы

Коэффициент полявле-нии сигнала между ка-налами

Касх

Коса

Отношение переменной составляющей коммутируемого напряжения открытого кайма интегральной микросхемы к переменной составляющей выходного напряжения на любом другом закрытом канале при отсутствии на мм коммутируемого напряжения

152. Коэффициент передачи по напряжению интегральной микросхемы

Коэффициент передачи по напряжению

К.

К»

Отношение напряжении на выходе интегральной микросхемы к заданному значению комму1ируемиго напряжения при включенном канале

ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ЦИФРОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

И


Ucci


at


I — по-источни-


и,


и.


IL


• X


и*..,


£/гн


155. Входное напряжение высокого урояия интегральной микросхемы

Входное напряжение высокого уровня


154. Входное напряжение низкою уровня интегральной микросхемы

Входное напряжение низкого уровня


153. Напряжение j-ro источника питания интегральной микросхемы

Напряжение <-го источника питания


Капряжсние / го источника питания, обеспечивающего работу интегральной микросхемы о ладанном режиме.

Примечание, рядковый номер ка. <—1—*

Напряжение низкого уров-ня на входе интегральной микросхемы.

Примечание. Напряжение нилкого уровня — наименее положительное (наиболее отрицательное) напряжение

Напряжение высокого уровня на выходе интегральной микросхемы.

Примечание. Напряжение высокого уровня — наиболее положительное (наименее отрицательное) напряжение


Страница 27

С 26 ГОСТ 19480-39

Продолжение табл. 1

Вухмяяов овомммм*

ТЧаиии

отехест-

oeiuicc

мыклу-

■»раано«

Определение

156. Прямое падение напряжения на дитм-звонном диоде интегральной микросхемы

Прямое падеиие напряжения на автязвон-НОМ ДИОДС

U.,

Ucvi

Напряжение на входе нн-KTpMMoti микросхемы при заданном значении входного тока через защитный диод

157. Выходное напряжение высокого уровня интегральной микросхемы

Выходное напряжение высокого уровня

"i«

Uoa

158. Выходное напряжение низкого уровня интегральной микросхемы

Выходное напряжение низкого уровня

(Лиг

^OL

159. Ток потребления i-ro источника питания интегральной микросхемы

Ток потреблеячя i го источника витания

Inorl

/са

Ток, потребляемый интегральной микросхемой от i-ro источника питания в заданном режиме

160. Динамический го* потребления интегральной микросхемы

Динамический ток по-

тйсЛлсния

! вог.на

/осс

Ток потребления интегральной микросхемы в режиме переключения

)f*J. Входной ток низкою уровня интегральном микросхемы

Входной ток низкого уровня

/*

'их

'it

Входной гох при входном напряжении низкого уровня интегральной микросхемы

1G2. Входной ток высокого уровня интегральной микросхемы

Входной юх пысокого Vровня

>1

/ill

Входной 70S при входном напояженин пысокого уровня интегральной микросхемы

163. Выгодной ток высокого уровня интегральной микросхемы

Выходной ток высоко го уровня

/1

он»

1 он

Выходной ТОК при выходном напряжении высокого уровни интегральной микросхемы

1(И. Выходной ток низкого уровня интервальной микросхемы

Выходкой ток тихого уровня

г°

'■MX

'oi

Выходной ток при выходам напряжения низкого уровня интегральной микросхемы

Страница 28

ГОСТ 1М80—89 С. 27

Продолжение табл. 1

Г»> кискиоо оболкйчемие

Термин

OTCQCCT*

вскис*

между

народное

Определения

165. Выходной ток в

/|.М1.«МКЛ

lot

Выходной гок интеграль

состоянии «Выключено»

ной микросхемы с 7ремя

интегральной микросхе

состояниями на выходе

мы

при выключенном состоя

Выходной ток в со

нии выхода

стоянии «Выключено*

166. Выходной TOKHHJ-

м

fOlL

Выходной ток в состоя

вого уроним В состоянии

'иых.лылл

нии «Выключено» интег

«Выключено» интеграль

ральной микросхемы при

ной микросхемы

подаче на измеряемый оы-

Выходной ТОК НИЗКО

ход заданного напряжения

го уровня в состоянии

низкого уровня

«Выключено»

167. Выходной ток вы

смМл.»1|к4

has

Выходной ток в состоя

сокого уропия в состоя

нии «Выключено» интег

нии «Выключено» ин

ральной микросхемы при

тегральной микросхемы

подаче на йчмсрясмыИ вы

Выходной !ОК высоко

ход ладанного напряжения

го уровня в состоянии

высокого уровня

«Выключено»

168. Так утечки на

/yj «а

'|L

Ток во входной непн ин

«ходе интегральной мик

тегральной микросхемы при

росхемы

закрытом состоянии входа

Ток утечки на входе

и заданных режимах на

169. Ток утечки на

остальных выводах

lOL

Ток а выходной цепи ин

выходе интегральной

тегральной микросхемы при

микросхемы

закрытом состоянии выхо

Ток уточки на выходе

да и заданных пежимах на остальных выводах

170. Ток утечки низ

' ут.»х

/ILL

Тох утечки во входной

кого уровня на входе

цепи интегральной микро

интегральной микросхе

схемы при входных напря

мы

жениях в диапазоне, соот

Ток утечки низкого

ветствующем низкому уров

уровне на входе

ни?. и при заданных режимах на остальных выводах

171. Ток утечки высо

/>

'yr.tx

flLH

Ток угечкн во входной

кого уровня на входе

цепи интегральной микро

нтегралыюй микросхе

схемы при входных на

мы

пряжениях в диапазоне, со

Ток утечки высокого

ответствующем высокому

уровня ил «ходе

уровню, н при заданных

режимах на остальных выводах

Страница 29

С 28 ГОСТ 19480-89

Продолжение табл. I

Бувделнос обозначение

Определение


отсч«ет*

»**пое


межлу-

нароягос


OLL


ут.вмх


r0LH


)7.1МХ


Рса


t-


.1.0


HL


TLH


tcA


174. Потребляемая мощность i-го источника питания интегральной микросхемы

Потребляемая mow |«м-гь i го источника питания

175 Время перехода при включении интегральной микросхемы

Время перехода при включении


173. Ток утечки высокою урокмя на выходе интегральной микросхемы

Тик утечки высокого уровни на выходе


172 Ток утечки низкого уровня на выходе интегральной .микросхемы

Ток утечки низкого уровня на выходе


176 Время перехода при выключении интегральной микросхемы

Время перехода при выключении


177. Время выбора ин-те1ральной микросхемы

Время выбора


Интервал времени, в течение которого напряжение на выходе интегральной микросхемы переходит от напряжения высокого уровни к напряжению ии.нсосо уровни, измеренный на уровнях 0.1 н 0.9 или на заданных значениях напряжении

Интервал времени, в течение которого напряжение на выходе интегральной микросхемы переходит от напряжения низкогх> уровня к напряжению высокого уровня. измеренный на уровнях 0.1 и 0J9 или на заданных значениях напряжения

Иигсрвя* времени между подачей на вход сигнала выбора интегральной микросхемы и получением на выходе сигналов информации


Т<ж утечки интегральной микросхемы при закрытом состоянии выходя при напряжении на выходе в диапазоне. соответствующем низкому уровню. и при заданных режимах на остальных выводах Ток утечки интегральной микросхемы при накрытом состоянии выхода, при напряжении на выходе н диа-пи*оие. соответствующем высокому уровню. И При заданных режимах из остальных выводах Мощность, потребляемая интегральной микросхемой в заданном режиме, от <-го источника питания


Страница 30

ГОСТ 19480-89 С 29

Продолжение табл. I

Кукьяико* оЗоэшчея*#

Т«фыив

отечест-

вемно*

м*жд У* народно*

178 Время сохранения

/V

Интервал вэемеги. в те

сигнала интегральной

чение которого ВЫХОДНОЙ

микросхемы

сигнал является достовер

Время сохранения

ным яиш в геенне которо

F. Valid lime

го входной сигнал должен

Г. TVrrns Л* validation

оставаться достоверным

1Г9 Время хранения

*я»

f*o

Интервал времени, о те

информации интеграль

чение которого интеграль

ной микросхемы

ная микросхема п задан

Время хранения ин

ном режиме эксплуатации

формации

сохраняет- информацию

1^0 Время установле

(

t*v

Интервал времени меж

ния входных сигналов

ду началом сигнала но за

интегральны? микроскс-

данном выводе входа и по-

мы

следующим активным пере

Время установления

!~4

ходом иа другом заданном

входных сигналов

ниноде входа

Г Sd-кр lime

——

Г. Temps cl о ргёрат я li

on

181 Вр^мя иикла ин

Л: у

Длительность периода

тегральной микросхемы

сигналов на одном hi уп

ВрСУЯ 1!ЛХЛ1

равляющих входов, в те

Г Cycle time

чение которой интеграль

F Temps de cycle

ная микросхема выполняет

18*2. Время восстанов

одну на фумкмяЛ

г.

/rkt

Интервал времени меж

ления интегральной мик

ду окончанием жданного

росхемы

сигнала на выводе интег

Bpew.j восстановления

ральной микросхемы и началом заданного сигнала

183 Время тлдержки

следующего доела

fPHL

Интервал времена меж

распр'х траиенвя при

ду входным п выходным

включении интегральной

импульсами при переходе

микросхемы

напряжения па выходе ни

Время задержки рас

тегральной микросхемы от

пространения при вклю-

напряжения высокого уров

чепнн

ня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровне 0.5 или на задан

184 Время задержки

ных значениях напряжения

/0.1 • л.р

^PUt

Интервал времени между

распространения при

входным и выходным им*

выключении интрадь-

пульсами при переходе на

ной микросхемы

пряжения на выходе ин

Время задержки рас

теграл ьион микросхемы от

пространения при вык

напряжения низкого уров

лючении.

ня к напряжению высокого

Страница 31

С. 30 ГОСТ 1МЗД-~&9

Продолжение табл. 1

Бухдеилгое обооиечегае

Термин

отечестве* гтое

между

народное

Определение

уровня. измеренный на

уровне 0.5 или на задан

,1.0 ».а

ных значениях напряжения

!8Г>. Время задержки

*DHL

Интервал времени между

пключения интегральной

-**

входным и выходным им

микросхемы

пульсами при переходе на

Время задержки вклю

пряжения из выходе ин

чения

тегральном микросхемы от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уроиня, измеренный на уровне 0.1 или на заданных значениях напряжения

186 Время задержки

Л1

(DLH

Интервал времени между

выключения интеграль

входным и выходным им

ной микросхемы

пульсами при переходе на

Время задержки вы-

пряжении на выходе ин

вклюпения

тегральной микросхемы от напряжения низкого у ров* ня к напряжению высокого уровня. измеренный на уровне 0.9 или на заданных значениях напряжения

187. Длительность сиг

X

lw

Интервал времени меж

нала интегральной мик

ду заданными контрольны

росхемы

ми точками по фронтам им

Длительность сигнала

пульса интегральной микросхемы

188. Длительность сиг

Т°

*WL

Интервал времени от мо

нала низкого уровня ин

мента перехода сигнала ин

тегральной микросхемы

тегральной микросхемы иэ

Длительность сигнала

состояния высокого уровня

тпкого уровня

s состояние низкого уров ия до момента его перехода из состояния низкого уровня в состояние пысо-кого уровня, намеренный иа заданном уровне напряжения

189 Длительность сиг

Т*

/*и

Интервал времени от мо

нала высокого урояня

мента перехода сигнала ин

интегральной микросхе

тегральной микросхемы иэ

мы

состояния низкого уровня

Длительность сигнала

и состояние высокого уров

высокого уровня

ня до момента перехода его нз состояния высокого уроиня в состояние «никого уровня, намеренный иа заданном уровне напряжения

Страница 32

ГОСТ 1МЙ0-8» С. 31

Продолжение табл. I

Букжеапос обоммтепие

>

Термин

отечест

между

Определение

венное

народное

190. Частота следова

fT.

_

нии импульсов тактовых

сигналов интегральной

микросхемы

Частота следования

импульсов тактовых сиг

палов

191 Период следова

т.

Тс

Иигерпгм времени мс>«-

ния импульсов тактовых

ду началами или оконча

сигналов интегральной

ниями следующих дру за

микросхемы

другом импульсов тактовых

Период следования им

сигналов интегральной мик

пульсов тактом ых сиг

росхемы, измеренный яа

налов

Заданном уровне напряжения

192. Помехоустойчи

^ом

Ml

Абсолютное значение [.из

вость при нижом уров

ПО»

ноет и между максимальным

не сигнала интегральной

вхолиым напряжением низ

микросхемы

кого уровня и максималь

11омехоуого!1чи1К1Сть

ным выходным напряже

при пианом уровне сиг

нием низкого уровня ин

нал а

тегральной микросхемы

193. Помехоустойчи

(S*

Afu

Абсолютное значение раз

вость при высохом уров

ПОМ

ности между минимальным

не сигнала интегральной

входным напряжением вы

микросхемы

сокого уровня и минималь

11омехоустойчивость

ным выходным напряже

при высоком уровне сиг

нием высокого уровня ин

нала

тегральной микросхемы

594 Емкость входа/

Ci.j/«MX

Cj/o

Значение емкости объеди

выхода интегральной

ненного входа/выхода, рав

микросхемы

Емкость входа/выхода

ное отношению емко.:ги»й

реактивной составляющей входного или выходного тока интегральной микросхемы х произведению круговой частоты на синусоидальное входное или выходное напряжение при заданном значении частоты сигнала

ПАРАМЕТРЫ. ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ЭЛЕМЕНТОВ ЛОГИЧЕСКИХ И СХЕМ ЦИФРОВЫХ УСТРОЙСТВ

]% Выхсшюс поро- {/*паы, говос напряжение высо-    Р-в

кого уровня иитегряль-иой микросхемы

Наименьшее значение напряжения высокого уровня вэ выходе интегральной микросхемы при пороговом напряжении на входе


Страница 33

С 32 ГОСТ 19480-89

Продолжение гибл I

Bvkmbho* пбомичеиис

Оярсделспвс

Термин

tfi

^пор.вмх


и,


ОТ1.


t;l *- II


i/тти


ичр.вх


г.-0

иор.»х


и,


1TI.


1/м.вЛ


U, К


SI.DP4


СС1


'нот


Выходное пороговое ' напряженке высокого i уровня

! 96 Выходное поро- [ говос напряжение низкого уровня интегральной микросхемы

Выходное пороговое напряжение низкого уровня

197. Входное пороговое напряжение высокого уровня интегральной микросхемы

Входное пороговое напряжение высокого уровни

196. Входное пороговое напряжение низкого уровня иип-1 ральноГ: микросхемы

Входное пороговое напряжение НИ.1КОГО уровня

199. Входное напряжение блокировки ни- I тегральной микросхемы

Входное напряжение I Рокировки

200    Входной пробив- | мой ток интегральной микросхемы

Входной прочийной ток

201    Ток потребления выходного напряжения низкого уровня интегральной микросхемы

Ток потреблении выходного напряжения низкого уровня


Наименьшее значение напряжения высокого уровня на входе интегральной микросхемы, при котором происходи* переход интегральной микросхемы и:» одного устойчивого состояния в другое Наибольшее значение из* пряжения тихого уровня на входе интегральной микросхемы. при котором происходит переход нмгегрзль-ной микросхемы из одного устойчивого состояния в другое

Наименьшее значение напряжения на входе интегральной микросхемы при заданном значении входчо-ю тока

I Входной то* при макси-• мальком напряжении на 1 входе интегральной микросхемы. не вызывающем необратимых процессов в микросхеме Ток. лотре&зяемиЛ интегральной микросхемой от источника питания, при выходном напряжении низкого уровня


Наибольшее значение напряжения нпзкого уровня на выходе интегральной микросхемы при пороговом напряжении иа входе


I

I

Страница 34

ГОСТ 19460- 89 С. 33

Продолжение табл. I

Букаскиэд обозначение

0«р«дсдееше


Термин


отсдест-

иенкос


ксжат-

вододиое


'Jot


/ecu

/сслу


< UQT.Cp


Рсслл

hxv


ix v «р

/1.3

v»4.p


bar.


t0.i

Г54.Р


‘PLZ


,3.1

Sa.p


fazu


201 Средняя потреб- . лясмая мощность иктсг- t ральиой микросхемы

Средняя потребляем зя I мощность

20». Среднее время задержки распространения ИКТв рольной микросхемы

Среднее врем н задержки распространения

206. Время задержки распространения при переходе и» состояния высокою уровня в состояние «Выключено»


202.    Ток потребления выходного напряжения высокого уровня интегральной микросхемы

То* потребления выходного напряжения высокого уровня

203.    Средний юк потребления интегральной микросхемы

Средний ток потребления


208. Время задержки распространения при переходе из состояния «Выключено» в состояние высокого уровня


207. Время задержки распространения при переходе из состояния низкого уровня в состояние «Выключено»


Ток. равный полусумме токои, потребляемых интог-i рллькой vnxnocxCMOfl от не-. W-HI*ft* ГИТЯИИЯ в дчух ! ризл г:: их устойчивых ей-Г-чанНЯХ ( MoiUHtX Те. равная ПО.|у-I сумме мощностей. потребляемых интегральной мнк-! pOCXeMOtl or ИЬГСИИШЯОВ пи-■Тйнмя в двух различных * устойчивых состояниях Интервал времени, равный полусумме времен задержки распространения сигнала при включении и выключении интегральной микросхемы Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения па выходе интегральной микросхемы от напряжении высокого уровня к напряжению в состоя-внп «Выключено»

Интервал времени между входным н выходным импудмями ори переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения низкого уровня к напряжению и состоянии «Выключено»

Интервал времени между входным И выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения в состоянии «Выключено* к напряжению высокого уровня


Ток. потребляемый интегральной микросхемой от источника uni а кия. при выходном напряжении высокого \ jKlMllfl


Страница 35

С. 34 ГОСТ 19480-89

Продолжение табл. I

Буквенное обэдяачеяка

Тернии

отечествен иос

мечу»

карздасс

Оор-гдвлоии*

209. Время задержки распространения при переходе из состояния «Выключено» п состоя-ииг низкого уровня

,3.0

ЗЛ.Р

rPZL

Интервал ирсмсш! между входным и выходным импульсами при переходе напряжения аа выходе интегральной микросхемы от напряжения в состоянии «Выключено* к напряжению низкого уровня

210. Рабочая частота интегральной микросхемы

Рабочая частота

1

/

Частота сигнала, подаваемого иа вход интегральной микросхемы ври заданных скважности и условиях на других входах, при которой на выходе обеспечиваются заданные уровни напряжений

211. Коэффициент разнесения по выходу интегральной микросхемы

Коэффициент разветвлении но выходу

N

Число единичных нагрузок, которое можно одновременно подключить к выходу интегральной микросхемы.

Примечание. Единичной нагрузкой ивля ется один вход основного логического элемента данной серии интегральных микросхем

212. Коэффициент 061-сииненкя по входу интегральной микросхемы

Коэффициент оГя^ди-14'МНЯ по входу

Коб

Si

Число входов интегральной микросхемы, по кого-рым реализуется логическая функция

ПАРАМЕТРЫ. ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ МИКРОПРОЦЕССОРНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

213 Напряжение ми- I жгятора при заданном ! токе инжектора интгг- , рал mi ой микросхемы

U.

U с

Напряжение инжектора при заданном тохе шоксктора

Страница 36

ГОСТ 19480-89 С. 35

Продолжение табл I

Бухпсихое обозначение

Т*рм»и

OTS4CCT-

млхду-

Определение

пгиаоо

илродное

v»x «ах

ILitm


и,


в< mln

//I

в* mln


U\ II mla


U,


if*

w иш mil


01.BUX


и'


(•'oil Oil.


inlii


fa


I • и и


214. Максимальное сходное напряжение низкого уровня интегральной микросхемы

Максимально* входное напряжение пнэкого уровня 215 Максимальное ■ходкое напряженке высокого уровня интегральной микросхемы Максимальное входное напряжение высокого уровня 216. Минимальное входное напряжение низкою уровня интегральной микросхемы .Минимальное входное напряжение низкого уровня 217 Минимальное входное напряжение высокого уровня иитеграль. ной микросхемы Минимальное входное напояжеине высокого уровня 218. Максимальное выходное напряжение низкого уровня интегральной микросхемы Максимальное выход-иое напряжение низкого уровня Э19. Минимальное вы холчое напряжение высокого уровня ипгеграль-пой микросхемы Минимальное выходное напряжение высоко, го уровня 220. Ток инжектора интегральной микросхемы

Ток инжектора


Наибольшее положительное или наименьшее отрицательное значение напряжения из допустимого диапазона входных напряжений низкого уровня ингсг рэльной микросхемы Наибольшее положительное или наименьшее отрицательное значение напряжения из допустимого диапазона входных напряжений высокого уровня интегральной микросхемы Наименьшее положительное или наибольшее отрицательное значение напряжения из допустимого диапазона входных напряжений низкого уровня интегральной микросхемы Наименьшее положительное или наибольшее отрицательное значение напряжения кз допустимого диапазона входных напряжений высокого уровня интегральной микросхемы Наибольшее положительное или наименьшее отрицательное значение напряжения да допустимого диапазона выходных напряжений низкого уровня интегральной микросхемы Наименьшее положительное или наибольшее Ъгри-цэтельяое значение напряжения из допустимого диапазона выходных напряжений высокого уровня ингег. ральиой микросхемы Ток в цепи вывода питания. необходимый для работы интегральной микросхемы в заданном режиме


Страница 37

С. 36 ГОСТ 19480-89

Продолжение iобл. I

Twin

Буквенное обеэивчеяи*

Оарммма*

вт#ч«ст-

игизде

между-

napn.\iic«

22!. Тон потреблении в состоянии «Выключено» интегральной микросхемы

То> П01реблсния » состоянии «Выключено»

Icci

Тох потребления интегральной микросхемы при закрытом состоянии выхода.

Примечание Тер. мин используют лля схем с тремя состояниями на выходе

ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ

222. Напряжение пи- ' танив и режиме хранении интегральной микро- , схемы Напряжение питания в режиме хранения 22-1. Напряжение сиг    У ««.я

нала входной информации интегральной мииро- ' схемы Напряжение сигнала входной информации 221. Напряжение ни»-кого уровня сигнала входной информаиии интегральной микросхемы Напряжение тихого уровня сигнала входной информации

и.

DIL

225.    Напряжение высо-    у!

У»1П

U DO

иого уровня сигнала ■ w входной информации им-гегральной микросхемы

Напряжение высокого уровня сигнала входной информации

226.    Напряжение сиг (Д, нала выходной информаиии интегральной микросхемы

Напряжение сигнала выходной информации

I Напряжение лоточника питания, необходимое для хранения информации интегральной микросхемы

Наибольшее или наименьшее .значение напряжения на входе счгиалй информации, обеспечивающее аиод информации ь интегральную микросхему

Наибольшее значение напряжения Н1ПКОГО уровня на входе сигнала информаиии. обеспечивающее ввод информации в ни т ральную микросхему

Наименьшее значение напряжения высокого уровня на входе сигнала информации. обсслсчимюшее ввод информации в интегральную микросхему

Напряжение на выходе сигнала информации интегральной микросхемы


Страница 38

ГОСТ 19480-89 С. 37 Продолжение табл. I

Ьукаеаис* обозначение

Терки

отечест

венное

межат-

народное

Оамдилеии*

227. Напряжение ииз-

и0

V00I.

Напряжение из выходе

«ого уровни сигнала вы

ил» я ■ m

Сигнала информации интег

ходной информации нн-

ральной микросхемы, соот

тральной микросхемы

ветствующее низкому уров

Напряжение низкого

ню

уровня сигнала выход

ной информации

228. Напряжение выго-

ы\

w ц>> • ••

U»on

Напряжение на выходе

кого уровня сигнала вы

"I* • • »«

сигнала информации интег

ходной информации ин

ральной микросхемы, соот

тегральной микросхемы

ветствующее высокому

Напряжение высокого

уровню

уровня сигнала выходной

информации

t/wn

229 Напряжение сиг

и,.

Наибольшее или наимень

нала ляпис*1 интеграль

шее значение напряжения

но® микросхемы

на входе сигнала записи,

Напряжение сигнала

при котором выполняется

записи

запись информации в интег

L<w

ральную микросхему

210. Напряжение низ

Наибольшее значение иа-

кого уровня сигнала за

Иряжеиня низкого уровня

писи интегральной мик

ня входе сигнала записи.

росхемы

при котором выпачнястся

Напряжение низкого

запись информации в интег

уровня сигнала записи

и\п

V wnn

ральную микросхему

231 Напряжение высо

Наименьшее значение на-

кого уровня сигнала за

пряжения высокого уровня

писи интегральной мик

на входе сигнала записи.

росхемы

при котором выполняется

Напряжение высокого

операция записи информа

уровня сигнала записи

ции в интегральную микро

схему

2.12 Напряжение сиг

Uyo

Наибольшее или наимень

нала считывания интег

шее значение напряжения

ральной микросхемы

1 на входе сигнала счигыва-

Напряжение сигнала

иня. обегпечипэюше© считы

считывания

вание информации из ин

^RDL

тегральной микросхемы

233. Напряжение низ

' Наибольшее значение на

кого уровня сигнала счи

Ьт

пряжения низкого уровня

тывания интегральной

на входе сигнала считыва

микросхемы

ли. обеспечивающее считы

Напряжение низкого

вание информации из интег

уровня СИГИ>.iа считыва

ральной микросхемы

ния i

1

1

Страница 39

С 3S ГОСТ 19480-89

Продолжение табл. I

Тсрден

234.    Напряженке лысо кого уровня сигнала считывания интегральной микросхемы

Напряжение высокого уровня сигнала считывания

235.    Напряжение сигнала разрешения интегральной микросхемы

Напряжение сигнала разрешения

236.    Напряжение низкого уровня сигнала разрешения интегральной микросхемы

Напряжение низкого уровня сигнала разрешения

237.    Напряжение высокого уровня сигнала разрешения интегральной микросхемы

Напряжение высокого уровня сигнала разрешения

238.    Напряжение сигнала алреса интегральной микросхемы

Напряжение сигнала адреса

239 Напряжение низ кого уровня сигнала адреса интегральной микросхемы

Напряжение низкого уровня сигнала адреса

240. Напряжение высокого уроиня сигнала адреса интегральной микросхемы

Напряжение высокого уровня сигнала адреса

Букяеяяс* обоименне

огечлет-

вепм

между

народно*

vU

Ь'вРН

и.

Ucs.

f;CEL

t/сЕЯ

и.

UA

и\

Ч\

Уап

Определение

Наименьшее значение на* пряжеиня аыссч ого уровня на входе сигнала считывания. обеспечивающее считывание информации из интегральной микросхемы

Наибольшее или наименьшее значение напряжения на входе сигнала разрешения. обеспечивающее выполнение интс-градыюй микросхемой заданной функции Наибольшее значение напряжения НИЗКОГО уровня на входе сигнала разрешения. обеспечивающее выполнение интегральной мнкро-схемой заданной функции

Наименьшее значение напряжения высокого уровня иа входе сигнала разрешения, обеспечивающее выполнение интегральной микросхемой заданной фута: и и

Наибольшее или наименьшее значение напряжения аа входе сигнала адреса, обеспечивающее обращение к определенной ячейке интегральной микросхемы Наибольшее значение напряжения низкого уровня иа входе сигнала адреса, обеспечивающее обращение к определенной ячейке интегральной микросхемы Наименьшее значение напряжения высокого уровня на входе сигнала адреса, обеспечивающее обращение к определенной ячейке интегральной микросхемы


Страница 40

ГОСТ 19480-89 С. 39

Продолжение табл. !

Б/хвснлое обозначение

Тсрмка

отечест

.ч сжду-

Ol1pra**CHItC

венное

U

зп|сч

^WR.RD


Г/°

v .40,‘СЧ


WR/RDL


и\


и'м,

и..


U cs


U


и


CSL


п.м


«*,


Ось к


и,


Uc


241.    Напряжение сигнала записьччитываиис интегральной микросхемы

Напряжение сигнала запись-считывание

242.    Напряжение низкого уровня сигнала запись-считывание интегральной микросхемы

Напряжение низкого fровня сигнала запись-ечнтыванке

243.    Напряжение высокого уровня сигнала за-пись-считываиис интегральной микросхемы

Напряжсмис выоокого уровня сигнала запись-считмнение

244.    Напряжение сигнала выбора интегральной микросхемы

Напряжение сигнала выбора

245 Напряжение низкого уровня сигнала выбора ' интегрально# микросхемы

Напряжение низхого уровня сигнала выбора

246.    Напряжение высокого уровня сигнала выбора интегральной микросхемы

Напряжение высокого уровня сигнала выбора

247.    Напряжение тактового сигнала интегральной микросхемы

Наяряжеиие тактового сигнала


Наибольшее или наименьшее знэчение напряжения на выэоде сигнала запись-считывание интегральной микросхемы, обеспечивающее выполнение функции записи или считывания Наибольшее значение напряжения па ^wix>ac сигнала запись-считывание ни теградьной микросхемы, обеепечииаюшее выполнение функции записи или считы» |ианнх

Наименьшее значение напряжения высокого уровня на выводе сигнала запнсь-гчитьтвкис интегральной

МНКрОСЛСМЫ. обССЛСЧНПЛХ»*

nice выполнение функции МП йен иди считывания Наибольшее или наименьшее значение напряжения на входе сигналя выбора интегральной микросхемы

Наибольшее значение напряжения кииного уровня на входе сигнала выбора интегральной микросхемы


Наибольшее или наименьшее значение напряжения на входе тактового сигнала, обеспечивающее работу интегральной микросхемы в определенный «кгердзл времени


Наименьшее значение напряжении высокого уровня на входе сигнала п:.'См>ра интегральной микросхемы


Страница 41

С. 40 ГОСТ 19480-89

Продолжение табл. I

Буквепяпо обоаплчсияс

Теэигв

отечест-

йсппсе

межху-

ПО РОДЯ Of

Определение

248. Напряжение сигнала выбора адреса столбцов Hinei ральиой ’ микросхемы

Напряженке сигнала выбора адреса столбцов

и,л. к

Уел*

Напряжение па входе сигнала выбора адрес» столбцов интегральной микросхема

249. Напряжение низ кого уровня chi нала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы

Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса столбцов

250 Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы

Напряжение высокого у;«юня сигнала выбора адреса столбцов

^CASL

Напряженке на входе сигнала выбора адреса столб» аов интегральной микросхемы. соответствующее низкому уровню

Vl..n

t'c дан

Напряженке во входе сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы. соответствующее высокому уровню

251. Напряжение сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы

Напряженно сигнала зыйооа адреса строк 252 Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса строк

if».»«

Okas

Напряжение нл входе сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы

^.,с

^RASt

Напряжение ьа входе сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы. соответствующее низкому уровню

253 Напряжение пы-:окого уровня сигнада выбора адреса строк интегральной микросхемы

Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса строк

^.с

1/rash

Напряжение на входе сигнала выбора адреса гтрок интегральной микросхемы. соответствующее вы* сокому уровню

254 Напряженно сиг-чала стирания интегральной микросхемы

Напряжение сигнада стирания

Уот

Уев a

Наибольшее или наименьшее значение напряжения ка выводе сигнала «стира* яие* интегральной микросхемы. оГк-спе-шваюшес стирание информации

Страница 42

ГОСТ 19480-80 С 41

Продолжение табл. 1

Термин

255. Напряжение сигнала про» раммироваиин интегральной микросхемы

Напряжение сигнала прс-грзммнроваиия

256.    Ток потребления в режиме хранения интегральной микросхемы

Ток потребления в рс жиме хранения

257.    Ток сигнала вход ной информации интегральной микросхемы

Ток сигнала входной информации

258.    Ток низкого уровня сигнала входной информации интегральной микросхемы

Ток низкого уровни сигнала входной информации

259.    Ток высокого уровня сигнала входной информации интегральной микросхемы

Ток высокого уровня входной информации

2*10 Ток сигнала вы ходной информации интегральной микросхемы

Ток сигнала выходной информации

261. Ток низкого урон ни сигнала выходной информации интегральной микросхемы

Ток низкого уровня сигнала выходной информации

262 Ток высокого уровня сигнала выходной информации интегральной микросхемы

Буыеяиос овоидчепие

отечест

венное

между

народвое

Uan

Upn

/ no;,if

lecs

/...

/от

С,

Л)И.

/•

*их.а

/»1И

/аы«.|

Id о

'llMX.ll

Л»0

'bui.ii

к

о

а

Определение

Наибольшее или наименьшее значение напряжения на иывохе ci.rua.ia программирования ингстраль-ноЛ микросхемы, обеспечивающее тиснение информации в программируемых запоминающих vcipoficr-вах с перепрограммировав и нем

Ток. потребляемый интегральной микросхемой от источника или источников лягания в режиме хранения информации

Ток в цепи сигналя входной информации интегральной микросхемы

Ток в цепи сигнала входной информации интегральной микросхемы, соответствующий низкому уровню

Ток в цепи сигнала а\од-гюй информации интегральной микросхемы, соответствующий аисокому уровню

Ток в цени сигнала выходной информации интегральной микросхемы

Ток в цепи сигнала выходной информации интегральной микросхемы, соответствующий низкому уровню

Ток в цепи сигнала выходной информации интегральной микросхемы, соответствующий высокому уровню


Страница 43

С. 42 ГОСТ 19480-89

П родолжение табл. I

Букэсаное ободе**еиде

Т«рмии

</Т**1еСТ»

MCX1V-

Определена*

ьеиаос

иародиос

Ток высокого уровня

сигнала выходной инфор

мации

263 Ток сигнал* запи

и

/ W К

Ток в цепи сигнала запи

си интегральной микро

си интегральной микросхе

схемы

мы

Ток сигнала записи

264. Ток сигнала счи-

1ьч

/*D

Ток в иеяи сигнала счи

тыкания интегральной

тывания интегральной мик

микросхемы

росхемы

Ток сигнала считыва

ния

265. Ток сигналя алре-

и

и

Ток в цели сигнала адре

:а интегральной микро

са интегральной микросхе

схемы

мы

То* сигнала адреса

26G. Ток сигнала за

ХЧ

Тох в цепи сигнала за

кись-считывание иитег-

пись считывание интеграль

ральиой микросхемы

ной микросхемы в задан

Ток сигнала запись-

ном режиме

считывание

207. Ток сигнала вы

и*

Jen

Тох в цепи сигнала выбо

бора интегральной мик

ра нигегрзльной микросхе

росхемы

мы

Ток сигнала выбора

2№. Ток низкого уров

'CSL

Ток в цепи сигнала выбо

ня по входу выбора ин

ра интегрально» микросхе

тегральной микросхемы

мы. соответствующий низко

Тох низкого уровня ПО

му уровню

иходу выбора

269. Ток высокого

!'

/с* Q

Тох в цепи сигнала выбо

уровни по входу выбора

в.м

ра интегральной микросхе

интегральной микросхе

мы. соответствующий высо

мы

кому уровню

Ток высокого уровня

по вхоху набора

270. Ток сигнала раз

/,

let.

Ток в цели сигнала раз

решения интегральной

решения интегральной мик

микросхемы

росхемы

Ток сигнала разреше

ния

271 Ток сигнала сти

/с1Р

/кил

Ток в цепи сигнала сти

рание интегральной

рания интегральной микро

микросхемы

схемы

Ток сигнала стирания

272. Ток тактового сиг

Тох в цепи импульсного

нала интегральной мик

питания интегральной мик

росхемы

росхемы динамических за

Тох тактового сигнала

поминающих устройств

Страница 44

ГОСТ 19480-89 С. 43

Продолжение табл. I

Буш««яо« обюиачеямс

Т>»иин

!!

между-

■ АРОЛМОС

Определяя*

273. Ток сигнала выбо

/».««

/СЛ8

Ток в цепи сигнала вы

ра адреса столбцов ин

боре адреса столбцов ин

тегральной микросхемы

тегральной микросхемы

Ток сигнала выбора

адреса столбцов 274. Ток сигнала выбо

/в AS

Ток я цепи сигнала вы

ра адреса строк интег

бора адреса строк интег

ральной микросхемы

ральной микросхемы

Ток сигнала выбора

адреса сгр<ж 275 Динамическая по

Р «от.я»»

Рссо

Потребляемая мощность

требляемая мощность ин

интегральной микросхемы п

тегральной микросхемы

Заданном динамическом ре

Динамическая потреб

жиме

ляемая МОЩНОСТЬ

276 Потребляемая

^ПИ.1>

Pecs

Потребляемая мощность

мощность в режиме хра

интегральной микросхемы в

нения интегральной мик

режиме хранения от источ

росхемы

ников питания

Потребляемая мощ

ность п режиме хране

ния

277. Время оыборхи

и

Интервал времени между

интегральной микросхе

подачей на яход интеграль

мы

ной микросхемы заданного

Время выборки

сигнала и получением на

R Access time

выходе сигналя информации

Г. Temps d'acccs

ори условии, что все остальные необходимые сигналы поданы

278. Время удержания

tu

Интервал времен*. в тече

сигнала интегральной

ние которого сигнал удер

микросхемы

живается из заданном вы

Времи удержания

воде входа после активного

Е. Hold time

перехода на другом задан

F Temps de mainiien

ном выводе входа

279. Время цикла за

fno

ic У»

Интервал времен*. рзя-

писи информации интег

<ный периоду гпшяла на од-

ральной микросхемы

(НОМ И.» (1 ХОДОВ. В TO-ICHI!*-

Время записи инфор

которого интегральнее мик

мации

росхема осуществляет за

2S0. Время цикла счи

пись информации

t.n

<ств

Интервал времени. р.г»-

тывания информации ин

ный периоду сигнала на од

тегральной микросхемы

ном из входов, в течение

Время считывания

которого интегральная микросхема осуществляет считывание информации

Страница 45

С. 44 ГОСТ 19480-89

Продолжение габл. 1

Теомян

Буквенное

отечест-

аекпое

обо1я»ч«вие

мгжлу-

*асюдчс<

Олс*л«л*к«*

281. Время регенера-щи интегральной микросхемы

Время регенерации К. Refresh lime interval P. Intervals de temps de rairatchtssement

^РВГ

/икг

Интервал премени между началом последовательных сигналов, предназначенных для восстановления уровня в ячейке динамической интегральной микросхемы до его первоначального значения

Страница 46

ГОСТ I94S0-89 С 45 Таблица 1

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ

Номгр термина

Гсрияя

Амплитуда выбросом напряжения на аналоговом выходе Амплитуда выбросок напряжения на аналоговом выходе интегральной микросхемы

141

144

!41

141

142 I -42 162 IS2 114

114

115 115 177 177 277 277 113 113 186

185

186 130 во 60

205 183

183

184

г 84

209

208

206

207

205

279

30

30

143 143

Время включения

Время включения интегральной микросхемы

Время выключения

Время выключения интегральной микросхемы

Время восстановления

Время восстановления интегральной микросхемы

Время восстановления по напряжению

Время восстановления но напряжению интегральной микросхемы

Время восстановления по току

Время восстановления по току ишегральной микросхемы

Время выбора

Время пыбора интегральной микросхемы

Время выборки

Время выборки интегральной микросхемы

Время готовности

Время готовности интегральной микросхемы

Время задержки включения

Время задержки включения интегральной микросхемы

Время задержки выключения

Время задержки выключения интегральной микросхемы

Время «адержкк

Время задержки пмпульса интегральной микросхемы

Время задержки распространения интегральной микросхемы

среднее

Время задержки распространения при включении Время задержки распространения при включении интегральной микросхемы

Время задержки распространения при выключении Время задержки распространения при выключении интегральной микросхемы

Врем» задержки распространения при переходе из состояния

«Выключено» в состояние низкого уровня

Время задержки распространения при переходе из состояния

«Выключено* в состояние высокого уровня

Время задержки распространения ери переходе из состояния

высокою уровня в состояние «Выключено»

Время ладержки распространения при переходе из состояния низкого уровня в состояние «Выключено»

Время задержки распространен!!!? среднее Время записи информации Время иарастамия сигнала

Время нарастания сигнала интегральной микросхемы

Время переключения

Время переключения интегральной микросхемы »

Страница 47

С. 46 ГОСТ 19480-89

Продолжение табл. 2

Номер термина

Термин

Время перехода при включении

175

175 !76

176

ж

as»

178

178 31 31

Ш

278

278 Ъ9 59

Ж

180

13Э

179 179 181

279 131

2S0

69

69

*J

90

107

407

3

4

3

4 93

97

97

9*

97

97

Время перехода при включении кшегральной микросхемы

Время перехода при выключении

Бремя перехода при выключении интегральной микросхемы

Время регенерации

Время регенерации интегральной микросхемы

Время сохранения

Время сохранения сигнала интегральной микросхемы

Время спада сигнала

Времи слада сигнала интегральной микросхемы

Время считывания Время удержания

Вр«мя удержания интегральной микросхемы

Время успокоения

Время успокоения интегральной микросхемы

Время успокоения выходного напряжения Время успокоения выходного напряжения интегральной микросхемы

Время установления входных сигналов

Время установления «годных сигналов интегральной микросхемы

Время хранения информации

Время хранения информации интегральной микросхемы

Время цикла

Время ццяла записи информации интегральной микросхемы Время цикла интегральной микросхемы

Время цикла считывания информации интегральной микросхемы 4

Диапазон автоматической регулировки усилении интпраль-иой микросхемы

Диапазон АРУ

Диапазон входных напряжений

Диапазон входных напряжений интегральной микросхемы

Д'1а':а)011 выходных напряжений

Диапазон выходных напряжений интегральной микросхемы Диапазон значений параметра Лимпязоя .значений параметра допустимый Диапазон значений параметра интегральной микросхемы Диапазон значений параметра интегральной микросхемы допустимый

Диапазон по напряжению динамический

Диапазон по напряжению интегральной микросхемы динамический

Диапазон регулировки коэффициента усиления мощности Диапазон регулировки коэффициента усиления мощности интегральной микросхемы

Диапазон регулировки коэффициента усиления напряжения Диапазон регулировки коаффиииента усиления напряжения интегральной микросхемы

Диапазон регулировки коэффициента усиления тока

Страница 48

ГОСТ IМЯО—89 С. 47

Продолжение табл. 2

Howep термина

Термам

Диапазон ре1улироаки коэффициента усиления тока интегральной микросхемы

97

1в?

1S9

!Й9

187

188

33

за

32

42

124

124

125 125 !46

146

147 147 194 !Э4

27

28 27

гл

20

29

:»»

149

345

145

.10

11

О

10

м

2

66

«6

37

Длительность сигнала Длительность сигнала высокого уровня

Длительность сигнала высокого уровня интегральной микросхемы

Длительность сигнала интегральной микросхемы

Длительность сигнала низкого уровня    '

Длительность сигнала низкою уровня интегральной микросхемы

Длительность спала входного сигнала

Длительность спада входного сигнала интегральной микросхемы

Длительность фронта входного сигнала

Длительность фронта входного сигнала интегральной микросхемы

Дрейф выходного напряжения

Дрейф выходного напряжения интегральной микросхемы

Дрейф выходного тока

Дре£ф выходного то»;а интегральной микросхемы

Емкость аналогового входа

Емкость аналогового входа интегральной микросхемы

Емкость аналогового выхода

Емкость аналогового выхода интегральной мнхросхемы

Емкость входа/выхода

Емкость входа/выхоаа интегральной микросхемы

Емкость входная Емкость выходная

Емкость интегральной мнкросхемы входная Емкость интералыюй микросхемы выходная

Емкость нагрузка

Емкость натружи иитегралыюй микросхемы

Емкость между аналоговыми выходом н входом Емкость межау аналоговыми выходом и входом интегральной микросхемы

Емкость улре^яхнцего входа

Емкость управляющего входа интегральной микросхемы Значение параметра интегральной микросхемы максимальное Значение параметра интегральной микросхемы минимальное Значение параметра интегральной микросхемы номинальное

Значение параметра максимальное Значение параметра минимальное Значение параметра номинальное

Козффицнен г влияния нестабильности источников питания ка напряженке смещения нуля

Коэффициент влияния нестабильности источников питания на напряжение смещения нуля интегральной микросхемы

Коэффициент входного тока временной Коэффициент входного тока интегральной микросхемы временной

87

Страница 49

С. 48 ГОСТ 19480-89

Продолжены* ?а6л. 2

Ноиер термина

Терния

Коэффициент выходного тока интетральной микросхемы температурный

126

126

68

68

74

74

102

102

Й9

99

99

100

100 212 212

65

66

8

8

131

131

1>2

1 >2 151

151

1.т0

160

ilW

103

71 • »

72 72

211

211

вб

86

88

Коэффициент выходного тока температурный Коэффициент гармоник

Коэффициент гармоник интегральной микросхемы Коэффициент деления частоты,

Коэффициент деления частоты интегральной микросхемы Коэффициент интерыодулиикоиных искажений Коэффициент ннтермодуляцнониых искажений интегральной микросхемы

Коэффициент напряжения смещения нуля временной Коэффициент напряжения смещения нуля интегральной микросхемы временной

Коэффициент нелинейности амплитудной характерисш/и Коэффициент нелинейности амплитудной характеристики ии-тетральной микросхемы

Коэффициент неравномерности амплитудно-частотной характеристики интегральной микросхемы

Коэффициент неравномерности АЧХ Коэффициент объединения по входу

Коэффициент объединения но входу интегральной микросхемы Коэффициент ослабления синфазных входных напряжений Коэффициент ослабления синфазных входных напряжений интегральной микросхемы

Коэффициент параметра интегральной микросхемы температурный

Коэффициент параметра температурный Коэффициент передачи

Коэффициент передачи интегральной микросхемы

Коэффициент передачи по напряжению

Коэффициент передачи по напряжению ннторальной микросхемы

Коэффициент подавления сигнала между каналами Коэффициент подавления сигнала между каналами интегральной микросхемы

Кг>э1|хЬнш1снт подавления сигнала ргмвмхнушч ключом Коэффициент подавления сигнала разомкнутым ключом интегральной микросхемы

Ко»|>фш>пепт полезного действия

Коэффициент полезного действия интегральной микросхемы Коэффициент мрямоу!ольности амплитудно-частотной характеристики интегральной микросхемы

Коэффициент прямоугольное™ АЧХ Коэффициент пульсаций

Коэффициент пульсаций интегрально! микросхемы

Коэффициент разветвления по выходу

Коэффициент разветвления по выходу интегральной микросхемы

Коэффициент разделения каналов

Коэффициент разделения каналов интегрально! микросхемы

Коэффициент разности входных токов времеяной

Страница 50

ГОСТ 1М80-89 С. 49

Продолжений гаОл. 2

Номер тер и ил»

Тври»я

Коэффициент разности пходиых токов интегральной микросхемы временной

88

123

123

121

121

122

122

73

73

67

67

63

63 61

61

64

64

62

62

ю:

101

75

75

104

104

276

276

47

47

ЬЭО

22

275

204

23

174

174

130

22

275

Коэффициент сглаживания пульсаций

Коэффициент сглаживания пульсаций интегральной микросхемы

Коэффициент стабилизации входного напряжения Коэффициент стабилизации входного напряжения интегральной микросхемы

Коэффициент стабилизации нагрузки

Коэффициент стабилизации нагрузки интегральной микросхемы

Коэффициент умножения частоты

Коэффициент умножения частоты интегральной микросхемы

Коэффициент усиления дифференциального сигнала по напри жонию    ■

Коэффициент усиления дифференциальною сигнала по на- | пряжению интегральной микросхемы

Хо»ффицнснт усиления мощности    I

Коэффициент усилении мощности интегральной микросхемы

Коэффициент усилении нлпряження

Коэффициент усиления напряжения интегральной микросхемы

Коэффициент усиления синфазных входных напряжений Коэффициент усилении синфазных входных напряжений интегральиой микросхемы

Коэффициент усиления тока

Коэффициент усиления ток» интегральной микросхемы

Коэффициент шуме

Коэффициент шума интегральной микросхемы

Крутизна преобразования

Крутизна преобразования интегрально! микросхемы

Крутизна проходной характеристики

Крутизна проходной характеристики интегральной микросхемы

Мощность в режиме хранения интегральной микросхемы потребляемая

Мощность п режиме хранения потребляемая Мощность иы ходка и

Мощность интегральной микросхемы выходная Мощность ■'птегралыюй микросхемы коммутируемая Мощность интегральной микросхем» потребляемая Мощность интегральной микросхемы потребляемая липами-

•:еская

Мощность интегральной микросхемы потребляемая средняя Мощность интегральной микросхемы рассеиваемая Мощность i-ro источника питания интегральной микросхемы потребляемая

Мощность f-ro источника питания потребляемая Мощность коммутируемая Мощность потребляемая Мощность потребляемая динамическая

Страница 51

С. 50 ГОСТ 19480-89

Пр&долхсние табл. 2

Термин

Номер термин*

Мощность потребляемая средняя Мощность рассеиваема»

204

23

91

91

199

199

УЗ 155 2 iJ> 21? 157 219

155

215

237

157

219

137

195

533

197

195

240

МС

22/.

225

2-1G

250

250

252

253

24G

228

Напряжение автоматической регулировки усиления интегральной микросхемы

Напряжение АРУ Напряжение блокировки входное

Напряжение блокировки интегральной микросхемы входное

Напряжение входное

Напряжение высокого уровня входное

Напряженке высокого уровня входное максимальное

Напряжение нысокого уровня входное минимальное

Напряжение высокого уровня выходное

Напряжение высокого уровня выходное минимальное

Напряжение высокого уровня интегральной микросхемы

входное

Напряжение нысокого уровня интегральной микросхемы входное максимальное

Напряжение высокого уровня интегральной микросхемы входное минимальное

Напряжение высокого уровня интегральной микросхемы выходное

Напряжение нысокого уровни интегральной микросхемы выходное минимальное

Напряженно высокого уровня интегральной микросхемы пороговое входное

Напряжение высокого уровня интегральной микросхемы пороговое выходное

Напряжение высокого уровня интегральной микросхемы управляющее

Напряжение высокого уровня пороговое входное Напряжение высокого уровня пороговое выходное Напряжение высокого уровня сигнала адреса Напряжение высокого уровня сигнала адреса интегральной микросхемы

Напряжение высокого уровня сигнала входной информации Напряжение высокого уровня сигнала входной информации интегральной микросхемы

Напряжение высокого уровня сигнала выбора Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса столбцов

Напряжение высокого уровня сигнала выбор* адреса столбцов интегральной микросхемы

Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса строк Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса арок интегральной микросхемы

Напряжение высокого уровня сигнала выбора интегральной мяхросхемы

Напряженно высокого уровня сигнала выхоигоГг информации Напряжение высокого уровня сигнала выходной информации интегральной микросхемы

228

Страница 52

ГОСТ 19480-89 С. SI

Продолжение табл. 2

Терния

Номер термина

Напряжение высокого уровня сигнала записи

Напряжение высокого уровня сигнала записи интегральной

231

микросхемы

231

Напряженке высокого уровяя сигнала запись-считывание Напряжение высокого уровня сигнала запись-считывание ин

243

тегральной схемы

243

Напряжение высохого уровня сигнала разрешения Напряжение высокого уровня сигнала разрешения интеграль

237

ной микросхемы

237

Напряжение высокого уровня сигнала считывания Напряжение высокого уровня сигнала считывания интеграль

234

ной микросхемы

234

Напряжение высокого уровня управляющее

133

Напряжение выходное

14

Напряжение выходное максимальное

76

Напряжение гистерезиса

127

Напряжение гистерезиса ннте'рлльной микросхемы Напряжение задержки автоматической регулироики усиления

127

интегральной микросхемы

92

Напряжение задержки АРУ

&*>

Напряженке инжектора при заданном rove инжектора Напряжение инжектора при заданном токе инжектора интег

213

ральной микросхемы

2:з

Напряжение интегральной микросхемы входное

13

Напряжение интегральной микросхемы эыходное Напряжение интегральной микросхемы выходное максималь

14

ное

76

Напряжение интегральной микросхемы коммутируемое

37

Напряженке интегральной микросхемы опорное Напряжение интегральной микросхемы остаточное

109

43

153

153 37

154 214

21С

153 2*8

154 214

2! 6

218

Напряженке /-го источника питания

Напряжение г-го источника питания nnreipa липой микросхемы

Напряжение коммутируемое Напряжение низкого уровня входис*

Напряжение низкого уровня входное максимальчое Напряжение низкого уровня входное минимальное Напряжение низкого уровня выходное Напряжение низкого уровня выходное максимальное Напряжение низкою уровня интегральной микросхемы входное

Напряжение низкого уровня интегральной микросхемы входное максимальное

Напряжение низкого уровня интегральной микросхемы входное минимальное

Напряжение ииткого уровня интегральной микросхемы выход нос

Напряжение низкого уровня интегральной

микросхемы вы

ходное максимальное

Страница 53

С. 52 ГОСТ I«480—8»

Пр&Юлжениг табл. 2

Tv'pmiM

Номер термин»

Напряженке низкого уровня митральной микросхемы пороговое входное

!98

!96

П2

198

:-9б

239

209

224

224

245

245

249

219

262

252

227

227

230

230

242

242

236

236

233

233

132

42

42 509

43 116 16 52

222

Напряжение низкого уровня интегральной микросхемы пороговое иыходное

Напряжение низкого уровня интегральной микросхемы уп-

Bi ваяющее

злряжеяие низкого уровня пороговое входное Напряжение низкого уровня пороговое выходное Напряжение низкого уровня сигнале адреса Напряжение низкого уровня сшиала адреса интегральной микросхемы

Напряжение низкого уровня сигнала входной информации

Напряжение низкого уровня сигнала входной информации

ните ральмой микросхемы

Напряжение низкого уровня сигнала выбора

Напряжение низкого уровня сигнала выбора митральной

микросхемы

Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса столбцов

Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы

Напряжение вязкого уровня сигнала выбора адреса строх Напряжение низкого уровня сигнала яыбора алрсса строк интегральной микросхемы

Напряжение низкого уровня сигнала выхоли ой информации

Напряжение низкою уровня сигнала выходной информации

интегральной микросхемы

Напряжете низкого уровня сигнола записи

Напряжение низкою уровня сигнала записи интегральной

микросхемы

Напряженке низкого уровня сигнала запись-считывание Напряжение низкого уровня сигнала гапись-счизывание интегральной микросхемы

Напряжение низкого уровня сигнала разрешения Напряжение низкого уровня сигнала разрешения интеграль- 1 ной микросхемы    ;

Напряжение низкого уровня сигнала считывания Напряжение низкого уровня сигнала считывания ной микросхемы

Напряжение i«mor« уровня управляющее Напряжение ограничения входное Напряжение ограничения интегральной микросхемы Напряжение опорное Напряжение остаточное Напряжение отпускания

входное

Напряжение отпускания интегральной микросхемы Напряжение питания Напряжение питания в режиме хранения Напряжение питания в режиме хранения интегральной мик росхемы

222

Страница 54

ГОСТ I«480-89 С. 53

Продолжение табл. 2

Номер тср.ч ни*

Герикк

Напряжение питания интегральной микросхемы

12

35

36

35

36

92

93

238

248

223

223

г и

248

218

25»

251 241 220

226

229

229

241

241

255

255

235

235

254

254

232

252 128 128

38

38

15

15

108

108

247

247

Напряжение покоя входвое Напряжение покои выходное

Напряжение покоя интегральной микросхемы входное Напряжение покоя интегральной микросхемы выходное

Напряженке пульсаций источника питания Напряжение пульсаций источника питания интегральной микросхемы

Напряжение сигнала адреса

Напряжение сигнала адреса интегральной микросхемы

Напряжение сигнала входной информации Напряжение сигнала входной информации интегральной микросхемы

Напряжение сигнала выбора

Напряжение сигнала выбора адреса столбцов

Напряжение сигнала выбора адреса столбцов интегральной

микросхемы

Напряжение сигнала выбора адреса ctpox Напряженке сигнала выбора адреса строк шие'ральной микросхемы

Напряжение chi нала выбора ннт*1 ральной микросхемы Напряжение сигнала выходной информации Напряжение сигнала выходной информации hhici ральной микросхемы

Напряжение сигнала записи

Напряжение сигнала записи HHieiральной микросхемы

Напряжение сигнала запись-считывание Напряжение сигнала эапись-считывание интегральной микросхемы

Напряжение сигнала программирования

Напряжение chi нала про1раммироиаиня интегральной микросхемы

Напряжение сигнала разрешения

Напряжение сигнала разрешения интегральной микросхемы

Напряжение сигнала стирания

Напряжение сигнала стирания интегральной микросхемы

Напряжение сигнала считывания

Напряжение сигнала считывания интегральной микросхемы

Напряжение синхронизации

Напряжение синхронизации интегральной микросхемы

Напряжение смсшеян» нуля

Напряжение смешения нуля интегральной микросхемы

Напряжение срабатывания

Напряжение срабатывания интегральной микросхемы

Напряжение считывания обратной связи

Напряжение считывания обратной связи интегральной микросхемы

Напряжение такгового сигнала

Напряжение тактовою сигнала интегральной микросхемы

Напряженке управления

Страница 55

С. 5-1 ГОСТ 19480-89

Продолжение табл. 2

Номер термвк»

rtpunn

Напряжение управления интегральной микросхемы

7

77

77

78 39

39 *0

40 7Я

41 41

9

120 ! 2Э 11* 116 118

llfi

119

117

119

II?

5

в

С

105

Ю>

110

ill

155

156 ПО

111

J

О

191

191

56

ЗЙ

33

129

129

Напряжение шума

Напряжение шума интегральной микросхемы Напряжение шума интегральной микросхемы эффективное

Напряжение шума на выходе

Напряжение шума на выходе интегральной микросхемы

Напряжете шума, приведенное ко входу Напряжение шума, приведенное ко входу митральной мик оосхемы

Напряжение шума эффективное Напряжения входные синфазкие

Напряжения интегральной микросхемы входные синфазные

Ht стабильность параметра

Нестабильность параметра интегральной микросхемы    (

Нестабильность по нагрузке

Нестабильность по нагрузке интегральной микросхемы

Нестабильность по напряжению Нестабильность по нагряжеккю взаимная Нестабильность по напряжению интегральной микросхемы Нестабильность по напряжению интегральной микросхемы ) взаимная

Нестабильность по току    I

Нестабильность ао току взаимная    I

Нестабильность по току интегральной микросхемы Нестабильность по току интегральной микросхемы взаимная i

Стхлонеппе параметра

Отклонение параметра интегральной микросхемы

Отклонение параметра иитс!ральноЙ микросхемы относи- |

тельное

Отклонение параметра относительное Отношение сигнал/шум

Отношение сигиал/шум интегральной микросхемы

Паление напряжения

Падение напряжения минимальное

Падение напряжения на аитизвониом диоде интегральной I микросхемы прямое    I

Падение напряжения на авгнзвоииом диоде прямое    ,

Падение напряжения на интегральной микросхеме    ,

Падение напряжения на интегральной микросхеме минимальное

Параметр

Параметр имторальной микросхемы

Период следования импульсов тактовых сигналов Период следования импульсов тактовых сигналов иктеграль ной микросхемы

Полоса единичного упиения Полоса задерживания

Полоса задерживания интегральной микросхемы

Полоса захвата синхронизации

Полоса захвата сиихронизаиии иитетральиой микросхемы

Страница 56

ГОСТ 1 $1480-89 С. W

Продолжение 706.1. 2

Термин

Номер терикн»

Полоса пропускания

52

Полоса пропускания интегральной микросхемы

5-?

Помехоустойчивость при высоком уровне

193

Помехоустойчивость при высоком уровне интегральной мик

росхемы

Помехоустойчивость при низком уровне

г 93 192

Помехоустойчивость при низком "уровне интегральной микро

схемы

192

Размах шума

79

Размах шума интегральной микросхемы

79

Разность входных токов

44

Разность входных токов интегральной микросхемы

44

Сдвиг интегральное микросхемы фазовый

106

Сдвиг фаз

106

Сдвиг фазовый

100

Сила шума интегральной микросхемы электродвижущая нор

мированная

so

Скорое-ь нарастании выходного напряжения

70

Скорость нарастания выходного напряжения интегральной

микросхемы

70

Скорость нарастания выходного напряжения интегральной

микросхемы максимальная

82

Скорость нарастания выходного напряжения иаксимальчая

82

Скорсчгь отслеживания

70

Сопротивление в открытом состоянии

140

Сопротивление в открытом состоянии интегральной микро

схемы

110

Сопротивление входное

24

Сопротивление выходное

23

Сопротивление интегральной микросхемы входное

21

Сопротивление интегральной микросхемы выходное

55

Сопротивление нагрузки

26

Сопротивление нагрузки иитегралыюЛ микросхемы

26

Ток автоматической регулировки усилении интегральной мик

росхемы

91

Ток АРУ

94

Ток в состоянии «Выключено* выходной

км

Ток в состоянии «Выключено» интегральной микросхемы вы

ходной

165

Ток входной

17

Ток входной пробивной

200

Ток входной срсдиий

45

Ток высокого уровня в состоянии «Выключено» выходной

167

Ток высокого уровня в состоянии «Выключено» интегральной

микросхемы выходной

ig;

Ток высокого уровня входной

162

Ток высокого уровня выходной

163

Ток высокою уровня интегральной микросхемы входной

162

Ток высокого уровня интегральной микросхемы выходной

'.63

Ток высокою уровня по входу выбора

2$9

Страница 57

С 56 ГОСТ 10480-89

Продолжение табл. 2

Кокер термки*

Термин

Ток высокого уровня по входу выбора интегральной микросхемы

269

239

239

262

262

137

137

18

220

220

17

200

45

16

Ю

40

2!

21

•1G/J

166

151

I-.1

IM

268

206

258

258

261

261

136

136

20

2У>

«6

22-1

22!

2<12

Ток высокого уровня сигнала входной информации Ток высокого уровня сигнала входной информации интегральной микросхемы

Ток высокого уровня сигнала выходной информации Ток высокого уровни сигнала выходной информации интегральной микросхемы

Ток высокого уровня управляющего напряжения -.подпой Ток высокою уровня управляющего напряжения интегральной микросхемы выходной

Ток выходной Ток инжектора

Ток инжектора интегральной микросхемы

Ток интегральной микросхемы входной

Ток интегральной микросхемы входной пройивной

Ток интегральной микросхемы ичоцной средний

Ток интегральной микросхемы выходной

Ток интегральной микросхемы коммутируемый

Ток коммутируемый

Ток KopoiKoro замыкания

Ток короткою замыкания интегральной микросхемы

Ток низкого уровня в состоянии «Выключено» выходной Ток низкого уровни в состоянии «Выключено» интегральной микросхемы выходной

Ток И51‘КОГО уровня сходной Ток ИПЗХОГО уровня выходной

Ток HitiKoro уровня ичтегряльной микросхемы входной Ток шиною уровня интегральной микросхемы выходной

Ток НИЗКОГО уровня по входу выбора

Ток ннтого уровня но входу выбора интегральной микросхемы

Ток низкого уровня сигнала входной информации Ток низкого уровня с шкал а входной информации интегральной микросхемы

Ток низкого уровня сигнала выходной информации Ток низкого уровня ею нала выходной информации интегральной микросхемы

Ток низкого уровня управляющего напряжения? входной Ток низкого уровня управляющего напряжения интегральной микросхемы входной

Ток потребления

Ток потребления в режиме хранения

Ток потребления в режиме хранения интегральной микросхемы

Ток потребления а состоянии «Выключено»

Ток потребления ■ состоянии «Выключено» ин тральной микросхемы

Ток по!ребления выходного напряжения высокого уровня

Страница 58

ГОСТ 19480-89 С. 57

Продолжение табл. 2

Терпка

Номер термина

Тон потребления выходного напряжения высокого уровня ин

202

тегральной микросхемы

Ток потребления выходного напряжения низкого уровня

201

Ток потребления выходного напряжения низкого уровня ин-

201

торальной микросхемы

Тох потребления динамический

16!)

Ток потребления интегральной микросхемы

Ток потребления интегральной микросхемы динамический

160

Ток погреблеиин «• го источника питания

159

Ток погребления i-го источника питании интегральной микро

схемы

159

Ток потребления при высоком уронне управляющего напря

139

жения

Ток потребления при высоком уровне управляющего напря

139

жения интегральной микросхемы

Ток потребления при вязком уровне управлявшего напряже

138

ния

Ток потребления при низком уровне управляющею напряже

ния интегральной микросхемы

138

Ток потребления средний

203

Ток потребления интегральной микросхемы средний

20."?

Ток сигнала адреса

265

Ток сшнала адреса интегральной микросхемы

265

Ток сигнала выбора

267

Ток сигнала выбора интегральной микросхемы

267

Ток сигнала выбора адреса столбцов

273

Ток сигнала выбора адреса столбцов интегральной микро

схемы

273

Ток сигнала выбора адреса сгрок

271

Ток сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы

274

Тох сигнала входной информации

257

Ток сигнала входной информации khici ряльипй микросхемы

257

Ток сигнала выходной информации

260

Ток сигнала выхооной информации интегральной микросхемы

260

Ток енгиала записи

263

Ток сигнала записи интегральной микросхемы

263

Ток сигнала .запись-счишванис

26*5

Ток сигнала запись-считывание интегральной микросхемы

266

Ток сигнала разрешения

270

Ток сигнала разрешения интегральной микросхемы

?70

Тох сигнала стираная

271

Ток сигнала стирании интегральной микросхемы

27!

Ток енгиала считывания

261

Ток сигнала считывания интегральной микросхемы

26»

Ток тактового сигнала

272

Ток тактового сигнала интегральной микросхемы

272

Ток управления

(7

Тох управлении интегральной микросхемы

7

Ток утечки

19

Ток утечки аналогового входа

134

Страница 59

С. 58 ГОСТ 19430-89

Продолжение табл 2

Тсрикн

Номер тернвпв

Ток угечкн аналогового входа интегральной микросхемы

134

135 135 171

171 173

173

19

164

168

169

169

170

170

172

172

112

112

б:

8!

57

57 Г.8

58 56 56

210

90

90

50

50

84

84

5-5

55

54

54

49

48

49 48

Ток угечкн аналогового выхода

Ток утечки аналогового выхода интегральной микросхемы

7<>х уте-жч высокого уровня на входе

Ток утечки высокого уровня на входе интегральной микросхемы

Т-ж угечкг высокого уровня на выходе

Ток утечки г-ыеокого уровня на выходе интегральной микросхемы

Ток утечки интегральной микросхемы

Ток утечки на входе

Тэк утечки на входе интегральной микросхемы

Ток "утечки на выходе

Ток утечки на выходе интегральной микросхемы

Ток ут«>:кк низкого    уровня    на    входе

Ток утечки ниткою    уровня    на    входе интегральной    микросхе

мы

То;: утечки низкого    уровня    и.1    выходе

]ок утечки низкого    уровня    на    выходе    интегральной    микро

схемы

Ток холостого хода

Ток холостою хола интегральной микросхемы

Точ шума нор^чроганмый

1ох шума инторальчой микросхемы нормированный

Частота входного сигнала

Частота входного ctu мала интегральной микросхемы

Частота гснс-рироизяия

Частота генерирования интегральной микросхемы

Частота единичного усиления

Частота единичного усиления интегральной микросхемы Частота интегральной микросхемы рабочая

Часто-? хвдзирезоаанса

Частота коазирезоианса интегральной микросхемы

Частота коммутации

Частота коммутации интегральной микросхемы

Частота полной мощности

Частота полной мощности интегральной микросхемы

Частотя полосы задерживания верхняя

Частота полосы задерживания интегральной микросхемы верхняя

Частота полосы задерживания интегральной микросхемы ияжная

Частота полосы задерживания нижняя Частота полосы пропускания граннчяаЯ верхняя Частот» полосы пропускания граничная нижняя Частота полосы пропускания нитеградьной микросхемы граничная верхняя

Частота полосы пропускания интегральной микросхемы граничная нижняя

Страница 60

ГОСТ I N80-69 С. 59

Продолжение таб./. 2

ТврмВЯ    (    Номер    тсрмви*

I

Частота полосы пропускания интегральной микросхемы центральна»    I    51

Частота полосы пропускания центральная    $)

Частота рабочая    210

Частота резонанса    95

Частота резонанса интегральной микросхемы    I    95

Частота следования    нмпульсоз тактовых сигналов    I    190

Частота следования    импульсов тактовых сигнале» нитеграль- I

ной микросхемы    >    190

Частота среза    &}

Частота среза интегральной микросхемы    83

Частота управляющего напряжения    149

Частота упрапляющего напряжения интегральной микросхемы    149

Чувствительность    31

Чувствительность нптсгралы'.оЛ микросхемы    34

ЭДС шума нормированная    «0

|

Страница 61

С. во ГОСТ 19480-89

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ

Таблииа 3

Номер npumi

Термин

Acccss time

277 65 64

181

60

67

31

•108

56

278

121

115

114

90

'122

60

125

»

124

107

109

281

123

59

ЗЭ

180

21

178

Common-mode rejection ratio Common mode voltage amplification Cycle t»me Delay time

Differential-mode voltage amplification Fall time

Feedback sense voltage

Frequency of unity (open ioop) amplification

Hold time

Input offset voltage

Input stabilization coefficient

Input transient current recovery time

Input transient voltage recovery time

Input voltage operating range

Load stabilization coefficient

Open-loop cut-off frequency

Output current drift

Output noise voltage

Output voltage drift

Output voltage operating range

Reference voltage

Refresh time interval

Ripple rejection ratio

Ripple time

Rise xime

Set-up time

Short-circuit current

Valid time

Страница 62

ГОСТ 19480-89 С 61

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫКЕ

Таблица 4

Houcp термине

Герино

Amplification ел tension СП mode commun

64

67

122

121

21

.124

125

90

107 S3 56

281

65 123 277

30 181

31 60

27$

180

114

115 59

178

39

38

108 109

Amplification en tension en mode dilferentiel

Coefficient dc stabilisation en fonction de la charge

Coefficient de stabilisation en fonction de la tension d'entree

Courant de court-circuit

Derive de la tension de sortie

Di-rive du courant de sortie

Domairte de fonctionnemenl de la tension d'entree

Domains dc fonctionnwnent <le la tension de sortie

Frequence de coupure en boucle ouverte

Frequence pour ("amplification unite

Intervallc de temps de rairalchissement

Taux de rejection en mode commun

Taux de rejection de l'ondulation rfesiduclle

Temps d'aectfs

Temps dc croissance

Temps de cycle

Temps de dccroissance

Temps de delai

Temps de maintien

Temps dc preparation

Temps de reeourement de la tension transitoire & I'entrt*

Temps dc recouvrement du courant transitoire a I'enirte

Temps de vacillement

Temps de validation

Tension de bruit en sortie

Tension de decalage

Tension de iecture de contre-rtaction

Tension de r6f6rence

Страница 63

С. 62 ГОСТ I'M АО—89

ПРИЛОЖЕНИЕ

Справочное

МЕТОДИКА ОБРАЗОВАНИЯ БУКВЕННЫХ ОБОЗНАЧЕНИИ ПРОИЗВОДИМЫХ ПАРАМЕТРОВ МИКРОПРОЦЕССОРНЫХ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ .МИКРОСХЕМ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ

1. Для буквенных обозначений производных параметров испо.-ьчуют следующий способ записи: Хг,;

где X — буквенное обозначение параметра, установленное настоящим стандартом;

у. г — подстрочные индексы буквенных обозначений входных и (или) выходных сигналов, приведенных в табл. 5;

•. j — цифровые индексы соответствующих входов и (или) выходов, равные 0, 1. 2, 3... п, где л — число входов и (или) выходов.

При однозначном понимании допускаются следующие сокращенные формы Записи: ^    Xyl    А1

Таблица 5

Обоэвапскке

Наим'мсмяив направления переход» сигнала

отечесгееиио*

М*ЖЛУ*»р»ДЯО*

Для перехода из состояния низкого уровня

в состояние высокого уровня

о:

LH

Для перехода из состояния высокого уров

ня в состояние низкого уровня

10

HL

1

Данный способ записи используют для микропроцессорных интегральных микросхем.

Для обозначений временных параметров сигналов необходимо использовать следующий способ записи: fAl(0C-DS)i\

где 1л — вид временного параметра;

i—порядковый номер параметре (1,2... л);

В — наименование сигнала в соответствии с перечнем, приведенным в табл 6. состояние которого изменяется первым;

С — направление перехода сигнала В;

D — наименование сигнала в соответствия с перечнем, праведсяным в табл. 6, состояние которого изменяется последним, т. е. в конце врсмевиого интервала;

Е— направление перехода сигнала D;

F — дополнительная информация в соответствии с перечнем, приисдсн* ным в табл. 9.

Для направления перехода сигнала С и Е используют обозначения в соответствии с 7абл. 5.

При однозначном понимании допускается первый ивпскс в обозначении направления перехода сигвала С н Е опускать.

Страница 64

ГОСТ 19480-89 С. «

Таблица S

Наименование сиги ела

Обозначение

СИГНАЛЫ. ОБЩИЕ ДЛЯ МИКРОПРОЦЕССОРНЫХ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ

а

А

В.М

CS

эп

WR

сч

RD

г

С

р

CF.

J0.C4

VVR/RD

ад

AD

1.    Адрес

2.    Выбор микросхемы

3.    Запись

4.    Считывание (чтение)

5.    Тактовый б Разрешение

7.    Запись-считывание

8.    Адрес-данные

СИГНАЛЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ МИКРОПРОЦЕССОРНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

9    Авария источника питания

а.и.п

PSB

а. с л

Р\В

я.с.л

AS

асх

Л SYS

вс

REC

SM

EXT

К1

BQ1

К2

BQ2

вых

О

вх

1

6.1

ОЕ

в дм

SV

вдш

MS

ВС

REC

вч

SUB

Г11

GEN

гт

RA

ГС

GRS

д

D

ял

D1V

1

DEC1

-2

DEC2

дс

AC

311 р

RQ

ям

BR

зве

HG

ЗА

DR

iX

TR

зи

SI

+1

INC1

+2

INC2

+1/-I

1 КС 1 /DEC 1

И СП

PF

10    Авария сети питания

11    Арифметический сдвиг

12.    Асинхронный

13.    Вектор М. Внешний

15.    Вывод для подключения квзриевого резонатора

16.    Выход

17.    Вход

18.    Ь.чохирозха

19.    Ведомый

20.    Ведущий

21.    Восстановление

22.    Вычитенде

23.    Генерация 2^. Готовность

25.    Графический символ

26.    Данные

27.    Деление

28.    Декремент I

29.    Декремент 2 40. Доступ Л. Запрос

32.    Заем 43. Зависание 34. Задатчик

33.    Захват

36.    Змз*

37.    Инкремент 1

38.    Инкремент 2

39.    Инкремент 1/Декреыеит 1

40.    Исполнитель

Страница 65

С. 6-1 ГОСТ 19480-е»

Продолжение таСл. 6

Н*ииено»аиио сигнал»

06з»иа*енг*


мгжлуиародпис

41.    Ииорукцня (команда»

1NS

В

BUSY

АК

END

CODE

LSI!

LOP

MR

MK

MOP

MINS

1.SB

MP1.X

MPLY

MX

MN

STINS

N ЛАК I NR

NMK

7.

WT

HLT

RVM

OP

AN

ER

CR

СГ

T

AC К

DMA

RP

CN

PS 11

PR

R

INR

ST

P

EX

SPCR

ZR

RGINS

MO

ROM INS RI SR SH

км

КВ

К.ИТ

КВ

к

код

Л.С

л о

ыр

мс

МОП

мк

мл

мвж

«же

щах

Ш1П

НК

н.мк

м.пр

нул

жд

ост

об.х

оп

ото

от

ПС

IIII

нч

п

оп

ПОТ

прд П.1 ПТ | пи Ир пск п

рш

рпс

р.а

р.к

реж

р.мк

рез

сбр

сд

42.    Канал (шина)

43.    Канал занят

44.    Квитирование

45.    Конец <6 Код

47.    Логический едниг

48.    Логическая операция 49 Маркер

50.    Маскирование

51.    Микрооперация

52.    Микрокоманда W. Младший

64.    Множитель 55. Множимое

56 Максимальный

57. Минимальный

58- Начало исполнения команды

59.    Начало исполнения микрокоманды

60.    Немаскируемое прерывание

61.    Нуль

62.    Ожидание

63.    Осганоп

6! Обратный ход 61). Операция 66 Ответ

67.    Ошибка

68.    Перенос

69.    Переполнение 7й Передача

7!. Подтверждение

72.    Прямой доступ к памяти

73.    Повтор

74.    Продолжение

75 Предварительный заряд

76.    Приоритет

77.    Прием

78.    Прерываем

79.    Пуск

80.    Порт

81.    Расширение

62 Распространение перенос*

83.    Равенство нулю

84.    Регистр команд

65.    Режим

86.    Регистр микрокоманд

87.    Результат 68 Сброс ffi. Сдвиг

Страница 66

ГОСТ 19480-М С. 65

Продолжение табл. 6

Обыаачезкв

11.1г.меаоо*име сагяала

OTtWCTWUHO*

«еждуиарегпое

90. Сдвиг влево

СД.Л

SHL

91. Сдвиг вправо

сд.п

SHR

92. Синхронизация

с

SYN

93. Состояние

сс

SA

94 Строб

ст

ST

95. Сложение

сл

SM

96. Строка

стр

R

97. Следующий

ела

NEXT

9S. Стек

ск

SK

99 Старший

ср

MSB

100. Средний

сд

ML

101. Тактовый вход

т. в

Cl

102. Тактовый выход

тяых

СО

103. Тестирование (проверка)

т

TEST

101. Условие

уел

СС

I05 Условный бит (Флаг)

ус.6

PL

1Св. Управление

упр

CN

107 Ускоренный перенос

уск.п

RCR

108. Установка в состояние п

уст

Sn

109. Умножение

умн

MPl.

110. Управление

У

CO

111. Цикл

цкл

CY

112. Циклический сдвиг

ц.сд

CYSH

ИЗ. Чтение

чт

RD

114. Фаза

'!>

F

11& Экран

»

RT

СИГНАЛЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ

116. Выбор адреса строки

в.а.с.

RAS

117 Выбор адреса столбив

ад.к

CAS

118. Входная информация

BX.ll

D

119. Выходная информация

вых и

Q

120. Входная/выходная информация

вх и/пых и

DQ

121. Запись-считывание

зп/сч

WR

122. Разрешение выхода

F вых

ОЕ

123. Программирование

прг

PR

2. Для микросхем с тремя состояниями па выходе для направления перехода сигнала С и Е используют обозначения в соответствии с табл. 7.

Страница 67

а 66 гост ittto—«9

Таблица 7

Обсо^ачекие

Наиуеиомииа напрам*ихя перехода сигнала

межл>-

нарсдлое

ОТСЧСС7ЛСЛЛОС


Для перехода нз третьего состояния в состояние высокого уровня Для перехода нз состояния высокого уровня в тр«гъе состояние Для перехода из состояния низкою уровни в третье состояние Для перехода из третьего состояния в состояние ни.» кого урони я

Э1

ZN

13

HZ

ез

LZ

30

ZL

При однозначном понимании допускается использовать сокращенные формы записи для временных параметров сигналов:

А ( В - D)* *А (В)

3. Примеры обозначения производных параметров и их буквенных ибозиа чеиии приведены в табл. 8.

Страница 68

Таблица 8

Наммеяовввхе параметра

л

Vj

х>

Прока заднее оОсовачекие

*ri. *1 *#А(В-р>*

nrti tents-нов

между-

«а^эдеое

от»ч «станов

между*

иардоое

отечественное

мелдуна|к*п>ое

,1, Входное напряжение низкого уродил сигнала прерывания

и*..

^.L

INR

и>...»

^IL INR

2. Выходное напряжение высокого уровня сигнала синхронизации третьего хакала

U',

Uob

с.кнЗ

SYN,ВЗ

^•ul.c nail

WoH SrN ВЗ

3. Макеям а льное входное напряжение высокого уровня сигнала маскирования Ьго разряда

v\.

Чи

max ме1

max МК!

С/1*! mai net

^.H m»x MKI

4. Время установления сигнала квитирования «Приято > отл оситедьно сигнала сВыдача»

<т.

к

(кп-вд)

(TR-RCAK)

fjTCIKB -в*)

/SU< TR-RCAK)

5. Время сохранения сигнала адреса относительно сигнала данных

(Д*)

(D-A)

сх(д-а)

fU(D A>

Страница 69

С 68 ГОСТ I94&0-S9

Таблица 9

Режим работы

Букаеякое сЛозквчсиие

огсчестаеняие

международное

Зим

WR

Считывание

сч

RD

Сигнал я ие- за п нсь

сч/зп

RI)/\VR

Запись-считывание

зл/сч

WR/RD

Счигываик»: по сграницзм

СЧ.С1Р

Р '

Слоговый режим

t.l.p

N

Запас* во страницам

ЗП.С1р

PW

Считымнкс-моаификаиия-зэпись

«М.И.5П

RAW

Регенерация

рг

RPF

Прогрмыированис

ирг

PR

Странке

1 г

ER |

Страница 70

ГОСТ 19480-Re С. «*

ИНФОРМАЦИОН НЫЕ ДАННЫЕ

1.    РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Министерством электронной ipo-мышленности СССР

РАЗРАБОТЧИКИ

Jl. Р. Хворостьян, В. Ф. Марушкнн, Е. Ф. Мещанкян, Ю. В. Назаров, Л. С. Жирякова

2.    УГВВРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением

Государственного комитета СССР по управлению качеством продукции и стандартам от 21.12.89 № 3960

3.    Срок перкой проверки — 199Г» г., периодичность проверки — 5 лет

4.    Стандарт соответствует Публикациям МЭК 748—1, МЭК 748—2, МЭК 748-3 в части терминов, определений и буквенных обозначений параметров и СТ СЭВ 1817—S8, СТ СЭВ 4755—84, СТ СЭВ 4756—84

5.    ВЗАМЕН ГОСТ 19480-74

Страница 71

У

Редактор Я А. Кчгочкима Технический редактор О. //. Никитин Корректор Л1. С. КаОашот

Cjciik) и наб. 14.0г.» Подп a r.tt. 22.05.90 1А ус* и. .т 1Л- уел кр Он. 5.7;1 уч.-ичд к. Гир. 19000    Цпм Щ. |Л v

Ордса* «Знак rioxtTi» Ичатдеьствп стандартов, 12«в7. Моек**, ГСП. ИопплмгигжкиЛ п«рм 3 Тип. «МоскоосяиА пг«нгми>:> Motr.aa, Лидии пер. 6. Зек ltk3S

Заменяет ГОСТ 19480-74