Товары в корзине: 0 шт Оформить заказ
Стр. 1
 

37 страниц

487.00 ₽

Купить ГОСТ 15133-77 — официальный бумажный документ с голограммой и синими печатями. подробнее

Официально распространяем нормативную документацию с 1999 года. Пробиваем чеки, платим налоги, принимаем к оплате все законные формы платежей без дополнительных процентов. Наши клиенты защищены Законом. ООО "ЦНТИ Нормоконтроль".

Наши цены ниже, чем в других местах, потому что мы работаем напрямую с поставщиками документов.

Способы доставки

  • Срочная курьерская доставка (1-3 дня)
  • Курьерская доставка (7 дней)
  • Самовывоз из московского офиса
  • Почта РФ

Устанавливает термины и определения понятий полупроводниковых приборов. Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу деятельности по стандартизации или использующих результаты этой деятельности.

  Скачать PDF

Заменяет ГОСТ 15133-69

Рекомендуется использовать вместо ГОСТ 21604-76

Рекомендуется использовать ГОСТ Р 57436-2017 (ИУС 8-2017)

Действие завершено 01.08.2017

Оглавление

Физические элементы полупроводниковых приборов

Явления в полупроводниковых приборах

Виды полупроводниковых приборов

Элементы конструкции

Алфавитный указатель терминов на русском языке

Алфавитный указатель терминов на немецком языке

Алфавитный указатель терминов на английском языке

Алфавитный указатель терминов на французском языке

Приложение Перечень терминов СТ СЭВ 2767-85, не включенных в настоящий стандарт

Показать даты введения Admin

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

ТЕРМИНЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ

ГОСТ 15133-77 1СТ СЭВ 2767—85)

Цена 15 коп.


Издание официальное

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ Москва

УДК 001.4 : 621.382 : 006.354    Группа    Э00

ГОСТ

15133-771 2

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

Semiconductor devices. Terms and definitions

ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ Термины и определения

|CT СЭВ 2767—85)

ОКСТУ 6201

Взамен ГОСТ 15133-69

Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 27 апреля 1977 г. Н9 1061 срок введения установлен

с 01.07.73

Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения полупроводниковых приборов.

Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, учебниках, учебных пособиях, технической и справочной литературе.

Стандарт соответствует СТ СЭВ 2767—85, за исключением терминов, указанных в справочном приложении.

Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов-синонимов стандартизованного термина запрещается. Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в стандарте в качестве справочных и обозначены «Ндп».

Для отдельных стандартизованных терминов в стандарте приведены в качестве справочных краткие формы, которые [разрешается применять в случаях, когда исключена возможность их различного толкования.

В стандарте в качестве справочных приведены иностранные эквиваленты на немецком (D), английском (Е) и французском (F) языках.

В стандарте приведены алфавитные указатели содержащихся в нем терминов на русском языке и их иностранных эквивалентов.

Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма — светлым, недопустимые синонимы — курсивом.

Термин

Определение


66.    Полупроводниковый ДИОД

Диод

Ндп. Полупроводниковый вентиль

D.    Halbleiterdiode

E.    Semiconductor diode

F.    Diode a semiconducteurs

67.    Точечный диод

Ндп. Точечно-контактный диод I>. Halbleiterspitzendiode Е. Point contact diode F- Diode a pointe

68.    Плоскостной диод

D.    Haibleiterflachendiode

E.    Junction diode F- Diode a jonction

69.    Выпрямительный полупроводниковый диод

Выпрямительный диод

D.    Halbleiterleichrichterdiode

Е- Semiconductor rectifier diode

F.    Diode de redressement

69a. Лавинный выпрямительный диод

E.    Avalanche rectifier diode

696. Выпрямительный полупрозод-никовый диод с контролируемым лавинным пробоем

Е. Controlled-avalanche rectifier diode

70,    Выпрямительный полупроводни-никовый столб

Выпрямительный столб

E.    Semiconductor rectifier stack

F.    Bloc de redressement (a se-miconducteurs)

71.    Выпрямительный полупроводниковый блок

Выпрямительный блок

E.    Semiconductor rectifier as--sembty

F.    Assemblage de redressement (a semiconducteurs)

Полупроводниковый прибор с двумя выводами и несимметричной вольтампер-ной характеристикой.

Примечание. Если не указано особо, этим термином обозначают приборы с вольт-амперной характеристикой, типичной для единичного перехода

Полупроводниковый диод с точечным переходом

Полупроводниковый диод с плоскостным переходом

Полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования переменного тока, включая монтажные и охлаждающие устройства, если он образует с ними одно целое

Выпрямительный полупроводниковый диод с заданными характеристиками минимального напряжения пробоя, предназначенный для рассеивания в течение ограниченной длительности импульса мощности в области пробоя вольт-амперной характеристики

Выпрямительный полупроводниковый диод с заданными характеристиками максимального и минимального напряжения пробоя, предназначенный для работы в установившемся режиме в области пробоя обратной ветви вольт-амперной характеристики

Совокупность выпрямительных полупроводниковых диодов, соединенных последовательно и собранных в единую конструкцию, имеющую два вывода

Полупроводниковый блок, собранный из выпрямительных полупроводниковых диодов


72.    Импульсный полупроводниковый диод

Импульсный диод

D.    Halbleiterimpulsdiode

E.    Signal diode

F.    Diode d’impulsion

73.    Диод с накоплением заряда

Е. Snap-off (step-recovery) diode

74. Туннельный диод

D.    Halbleitertunneldiode

E.    Tunnel diode

F.    Diode tunnel

75. Обращенный диод

D.    Halbleiterunitunneldiode

E.    Unitunnel (backward) diode

F.    Diode inverse

76.    Сверхвысокочастотный полупроводниковый диод

СВЧ-диод

D.    UHF-Halbleiterdiode

E.    Microwave diode

F.    Diode en hyperfrequences

77.    Лавинно-пролетный диод

D.    Halbleiterlawinenlaufzeit-diode

E.    Impact avalanche-(and-) transit time diode

F.    Diode a avalance a temps de transit

78.    Инжекционно-пролетный диод

D.    Halbleiterinjektionslaufzeit-diode

E.    Injection- (and-) transit time diode

F.    Diode a injection a temps de transit

79.    Переключательный диод

D.    Halbleiterschaltdiode

E.    Switching diode

F.    Diode de commutation

Полупроводниковый диод, имеющий малую длительность переходных процессов в импульсных режимах работы

Импульсный полупроводниковый диод, накапливающий заряд при протекании прямого тока и обладающий эффектом резкого обратного восстановления при подаче обратного напряжения, который используется для формирования импульсов с малым временем нарастания Полупроводниковый диод на основе вырожденного полупроводника, в котором туннельный эффект приводит к появлению на вольтамперной характеристике при прямом направлении участка отрицательной дифференциальной проводимости Полупроводниковый диод на основе полупроводника с критической концентрацией примеси, в котором пров.оаи-мость при обратном напряжении вследствие туннельного эффекта значительно больше, чем при прямом напряжении, а пиковый ток и ток впадины приблизительно равны Полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования и обработки сверхвысокочастотного сигнала

Полупроводниковый диод, работающий в режиме лавинного размножения носителей заряда при обратном смещении электрического перехода и предназначенный для генерации сверхвысокочастотных колебаний

Полупроводниковый диод, работающий в режиме инжекции носителей заряда в область запорного слоя и предназначенный для генерации сверхвысокочастотных колебаний

Полупроводниковый диод, имеющий на частоте сигнала низкое сопротивление при прямом смещении и высокое сопротивление — при обратном, предназ-


80.    Смесительный диод

D.    Halbleitermischdiode

E.    Semiconductor mixer diode

F.    Diode melangueuse

81.    Диод Ганна

D.    Gunn-EIement

E.    Gunn diode

F.    Diode Gunn

82.    Коммутационный полупроводниковый диод

Коммутационный диод

D. Halbleiter- HF-Schaltdiode

83.    Регулируемый резистивный диод

D.    PIN-Diode

E.    PIN diode

84. Детекторный полупроводнико- Полупроводниковый диод, предназяа-вый диод    ченный    для    детектирования    сигнала

Детекторный диод

D.    Halbleiterdemodulatordiode

E.    Detector diode

F.    Diode deteetrice a semicon-ducteurs


F.    Diode PIN

85.    Ограничительный полупроводниковый диод

Ограничительный диод

D.    Halbleiterbegrenzerdiode

E.    Microwave limiting diode

F.    Diode de limitation de hvper-frequences

86.    Умножительный диод

D.    Halbleitervervielfacherdio le

E.    eSmiconductor frequency multiplication diode

F.    Diode pour multiplication de frequence

87.    Модуляторный диод

D.    Halbleitermodulatordiode

E.    Semiconductor modulator diode

F.    Diode modulatrice (a semi-conducteurs)

88.    Диод Шоттки

D. Schottky-Diode

F. Schottky (-barrier) diode

F, Diode de Schottky

наченный для управления уровнем мощности сигнала Полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования высокочастотных сигналов в сигнал промежуточной частоты Полупроводниковый диод, действие которого основано на появлении отрицательного объемного сопротивления под воздействием сильного электрического поля, предназначенный для генерации и усиления сверхвысокочастотных колебаний

Полупроводниковый диод, предназначенный для коммутации высокочастотных цепей

Полупроводниковый р4‘П диод, применяемый для регулирования сопротивления в тракте передачи сигнала, активное сопротивление которого для высокочастотного сигнала определяется постоянным током прямого смещения

Полупроводниковый диод с лавинным пробоем, предназначенный для ограничения импульсов напряжения

Полупроводниковый диод, предназна ченный для умножения частоты

Полупроводниковый диод, предназначенный для модуляции высокочастотного сигнала

Полупроводниковый диод, выпрямительные свойства которого основаны на взаимодействии металла и обедненного слоя полупроводника


89.    Варикап

D.    Kapazitatsdiode

E.    Variable capacitance diode

F.    Diode a capacite variable (varicape)

90.    Параметрический полупроводниковый диод

Параметрический диод

D.    Halbleitervaraktordlode

E.    Semiconductor parametric (amplifier) diode

F.    Diode parametrique (a serni-conducteurs)

91.    Полупроводниковый стабилитрон

Стабилитрон

Ндп, Зенеровский диод

D.    Halhleiter-Z-Diode

E.    Voltage reference diode

F.    Diode de tension de reference

92.    (Исключен, ИзМ. № 2).

93.    Полупроводниковый шумовой диод

D.    Halbleiterrauschdiode

E.    Semiconductor noise diode

F.    Diode de bruit

94.    Биполярный транзистор Транзистор

D.    Bipolarer Transistor

E.    Bipolar transistor F Transistor bipolaire

95.    Бездрейфовый транзистор

Ндп. Диффузионный транзистор

D.    Diffusionstransistor

E.    Diffusion transistor

F.    Transistor a diffusion

96.    Дрейфовый транзистор

D.    Drifttransistor

E.    Drift (diffused) transistor

F.    Transistor en derive

97.    Точечный транзистор

Ндп. Точечно-контактный диод

D.    Spitzentransistor

E.    Point contact transistor

F.    Transistor a pointe

Полупроводниковый диод, действие которого основано на использовании зависимости емкости от обратного напряжения и который предназначен для применения в качестве элемента с электрически управляемой емкостью Варикап, предназначенный для применения в диапазоне сверхвысоких частот в параметрических усилителях

Полупроводниковый диод, напряжение на котором сохраняется с определенной точностью при протекании через него тока в заданном диапазоне, и предназначенный для стабилизации напряжения

Полупроводниковый прибор, являющийся источником шума с заданной спектральной плотностью в определенном диапазоне частот

Полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими переходами и тремя или более выводами, усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда.

Примечание, работа биполярного транзистора зависит от носителей обеих полярностей Биполярный транзистор, в котором перенос неосновных носителей заряда через базовую область осуществляется в основном посредством диффузии

Биполярный транзистор, в котором перенос неосновных носителей заряда через базовую область осуществляется в основном посредством дрейфа Биполярный транзистор с точечными переходами

98    Плоскостной транзистор

D Flachentransistor Е Junction transistor F Transistor a jonction

99    Лавинный транзистор D Lawmentransistor

E Avalanche transistor F Transistor a a\alanche

100    Полевой транзистор

Ндп Канагтыи транзистор D Feldeffekttransistor (FET) Е Field effect transistor

F. Transistor a effet de champ

101    Полевой транзистор с изолированным затвором

D Feldeffekttransistor nnt iso liertem Gate E Insulated-gate FET F Transistor a effet de champ a grille isolee

102    Полевой транзистор типа металл'—диэлектрик—полупроводник

МДП транзистор D MIS Feldeffekttransistor (MIS FET)

E MIS transistor F Transistor MIS ЮЗ. Полевой транзистор типа металл—окисел—полупроводник МОП транзистор D MOS Feldeflekttransbtor (MOS FET)

Е MOS transistor F Transistor MOS

104    Симметричный транзистор D BidirektionaltransiMor E Bi-directional transistor F Transistor bi direchonnel

105    Тиристор

D Thyristor E Th>ristor F Thyristor

106    Диодный тиристор

Динистор D Thyristordiode E Diode thyristor E Th\ristor diode

Биполярный транзистор с плоскостными переходами

Биполярный транзистор, действие которого основано на использовании режима лавинного размножения носителей заряда в коллекторном переходе Полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемый электрическим полем

Примечание Действие полевого транзистора обусловлено носителями заряда одной полярности Полевой транзистор, имеющий один или несколько затворов, электрически изолированных от проводящего канала

Полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изо!я-ционного слоя между каждым металлическим затвором и проводящим каналом используется диэлектрик

Полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоляционного слоя между каждым металлическим затвором и проводящим каналом используется окисел

Биполярный иди полевой транзистор, сохраняющий свои электрические характеристики при взаимной замене в схеме включения выводов эмиттера или истока и коллектора или стока Полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями, имеющий гри или более перехода, который может переключаться из закрытого состояния в открытое и наоборот Тиристор, имеющий два вывода


ГОСТ 15Ш—77 Стр. 15

Термин

Определение

107. Диодный тиристор, не проводящий в обратном направлении

D.    Ruckwarts sperrende Thv~ ristordiode

E.    Reverse blocking diode thyristor

F.    Thyristor diode bloque en inverse

Диодный тиристор, который при обратном напряжении не переключается, а находится в обратном непроводящем состоянии -

108. Диодный тиристор, проводящий в обратном направлении

D.    Riicjavarts leitende Thyristordiode

E.    Reverse conducting diode thyristor

F.    Thyristor diode passant en inverse

Диодный тиристор, который при обратном напряжении не переключается, а проводит большие токи при напряжениях, сравнимых по значению с прямым напряжением в открытом состоянии

109. Симметричный диодный тиристор

Диак

D.    Zweirichtungsthyristordio-de

E.    Bi-directional diode thyristor

F.    Thyristor diode bi-direction-net

Диодный тиристор, способный переключаться как в прямом, так и в обратном направлениях

110. Триодный тиристор

Тринистор

D.    Thyristordiode

E.    Triode thyristor

F.    Thyristor triode

Тиристор, имеющий три вывода

111. Триодный тиристор, не проводящий в обратном направлении

D.    Ruckwarts sperrende Thv-ristortriode

E.    Reverse blocking triode thyristor

F.    Thyristor triode bloque en inverse

Триодный тиристор, который при обратном напряжении не переключается, а находится в обратном непроводящем состоянии.

Примечание. Для триодных тиристоров, не проводящих в обратном направлении, допускается применять термин «тиристор», если исключается возможность другого толкования

112. Триодный тиристор, проводящий в обратном направлении

D.    Ruckwarts leitende Thy ri-stortriode

E.    Reverse conducting triode thyristor

F.    Thyristor triode passant en inverse

Триодный тиристор, который при обратном напряжении не переключается, а проводит большие токи при напряжениях, сравнимых по значению с прямым напряжением в открытом состоянии

т


ИЗ. Симметричный триодный тиристор

Триак

D. Zweirichtungsthyristortrio-de

£. Bi-directional triode thyristor; Triac

F. Thyristor triode bi-direction-nel

114. Запираемый тиристор

D.    Abschaltbarer Thyristor

E.    Turn-oH thyristor

F.    Thyristor blocable

115.    (Исключен, Изм. № 2).

116.    Тиристор с инжектирующим управляющим электродом р-типа

D.    Katodenseitig gesteuerter Thyristor

E.    P-gate thyristor

F.    Thyristor P

117.    Тиристор с инжектирующим управляющим электродом /г-типа

D.    Anodenseiltig gesteuerter Thyristor

E.    N-gate thyristor

F.    Thyristor N

117a. Лавинный триодный тиристор, непроводящий в обратном направлении

Лавинный тиристор

Е. Avalanche reverse blocking thyristor

1176. Комбинированно-выключае-. мый тиристор

118.    Импульсный тиристор

E.    Pulse thyristor

F.    Thyristor signal

119.    Оптоэлектронный полупроводниковый прибор

D.    Optoelektronisches Halbleiterbauelement

E.    Semiconductor optoelectronic device

Триодный тиристор, который при подаче сигнала на его управляющий вывод включается как в прямом, так и в обратном направлениях

Тиристор, который может быть переключен из открытого состояния в закрытое и наоборот путем подачи на управляющий вывод управляющих сигналов соответствующей полярности.

Примечание. Отношение мощности управления к переключаемой мощности должно быть значительно меньше единицы

Тиристор, у которого управляющий электрод соединен с p-областью, ближайшей к катоду, который переводится в открытое состояние путем подачи на управляющий вывод положительного по отношению к катоду сигнала Тиристор, у которого управляющий электрод соединен с «-областью, ближайшей к аноду, который переводится в открытое состояние при подаче на управляющий вывод отрицательного по отношению к аноду сигнала Тиристор с заданными характеристиками в точке минимального напряжения пробоя, предназначенный для рассеивания в течение ограниченной длительности импульса мощности в области пробоя вольт-амперной характеристики обратного непроводящего состояния Тиристор, выключаемый с помощью тока управления при одновременном воздействии обратного анодного напряжения

Тиристор, имеющий малую длительность переходных процессов и предназначенный для применения в импульсных режимах работы Полупроводниковый прибор, излучающий или преобразующий электромагнитное излучение или чувствительный к этому излучению в видимой, инфракрасной и (или) ультрафиолетовой областях спектра, или использующий подобное из-


F. Dispositif oploelectronique semiconducteur

120.    Полупроводниковый излучатель

D.    Halbleiterstrahler

E.    Semiconductor photoemitter

F.    Photoemetteur a semiconducteur s

120a. Полупроводниковый знакосинтезирующий индикатор

E. Semiconductor character dif-play

121.    Оптопара

D.    Optoelektronischer Koppler

E.    Photocoupler; Optocoupler

F.    Photocoupleur

121a. Резисторная оптопара 1216. Диодная оптопара 121в. Транзисторная оптопара

121г. Тиристорная оптопара

121д. (Исключен, Изм. № 3).

г, Изм. № 1).

Полупроводниковый диод, излучающий энергию в видимой области спектра в результате рекомбинации электронов и дырок

121е, Полупроводниковый излучатель, работающий с физическим приемником

121а—121е. (Введены дополнительно,

122.    Светоизлучающий диод СИД

D,    Lichtemitterdiode (LED)

E.    Light-emitting diode (LED)

123.    123a. (Исключены, Изм. № 2).

124. (Исключен, Изм. № 1).

125. (Исключен, Изм. № 2).

126.    Полупроводниковый экран

Е. Semiconductor analog indicator

127. Инфракрасный излучающий диод

И-К диод

D.    Infrarotemitterdiode (IRED)

E.    Infra-red-emitting diode

F.    Diode emittrice en infrarouge

лучение для внутреннего взаимодейстзня его элементов Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, преобразующий электрическую энергию в энергию электромагнитного излучения

По ГОСТ 25066-81

Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из излучающего и фотоприемного элементов, между которыми имеется оптическая связь и обеспечена электрическая изоляция Оптопара с фотоприемным элементом, выполненным на основе фоторезистора Оптопара с фотоприемным элементом, выполненным на основе фотодиода Оптопара с фотоприемным элементом, выполненным на основе фототранзисто-Р*

Оптопара с фотоприемным элементом, выполненным на основе фототиристора

Полупроводниковый прибор, состоящий из светоизлучающих диодов, расположенных вдоль одной линии и содержащих п строк светоизлучающих диодов, предназначенный для исполъзо-вания в устройствах отображения аналоговой и цифровой информации Полупроводниковый диод, излучающий энергию в инфракрасной области спектра в результате рекомбинации электронов и дырок


Элементы

конструкции

Элемент конструкции корпуса полупроводникового прибора, необходимый для соединения соответствующего электрода с внешней электрической цепью

128.    Вывод полупроводникового прибора

Вывод

D.    Anschluss eines Halbleiter-bauelementes

E.    Terminal (of a semiconductor device)

Вывод, полупроводникового прибора через который протекает основной ток

F.    Borne

129.    Основной вывод полупроводникового прибора

D.    Basisanschluss eines Hal-bleiterbauelementes

E.    Main terminal

Вывод, полупроводникового прибора, от которого прямой ток течет во внешнюю .электрическую цепь

F.    Borne principale

130.    Катодный вывод полупроводникового прибора

D.    Katodenschluss eines Halbleiterbauelementes

E.    Cathode terminal (of a semiconductor device)

Вывод, полупроводникового прибора, к которому прямой ток течет из внешней электрической цепи

F.    Cathode

131.    Анодный вывод полупроводникового прибора

D Anodenanschluss eines Halbleiterbauelementes

E.    Anode terminal (of a semiconductor device)

Вывод полупроводникового прибора через который течет только ток управления

F.    Anode

132.    Управляющий вывод полупроводникового прибора

E.    Gate terminal (of a semiconductor device)

Часть конструкции полупроводниковое го прибора, предназначенная для защиты от воздействия окружающей среды, а также для присоединения прибора к внешним схемам с помощью выводов

F.    Grille

133.    Корпус полупроводникового прибора

Корпус

D.    Gehause eines Halbleiterbauelementes

E.    Package (case) (of a semiconductor device)

Полупроводниковый прибор, не защищенный корпусом и предназначенный для использования в гибридных интегральных микросхемах, герметизируемых блоках н аппаратуре

F.    Capsule

134.    Бескорпусный полупроводниковый прибор

Ндп. Полупроводниковая структура

D.    Gehauseloses Halbleiterbau-element

E.    Beam lead semiconductor device

F.    Dispositif semiconducteur

sans boitier

135. Полупроводниковый излучающий элемент

135а. Электрод полупроводникового прибора

Е. Electrode (of a semiconductor device)

Часть полупроводникового прибора отображения информации, состоящая из излучающей поверхности и контактов для подключения к электрической схеме Часть полупроводникового прибора, обеспечивающая электрический конта сг между определенной областью полупроводникового прибора и выводом


(Измененная редакция, Изм. № 1, 2, 3).

26

71

64

71

89

66

60

35

54

128

123

131 130 129

132 61 16 17

109

106

66

69

69а

81

84 91 127

72

78

82

77

37

75

85 90 /9 68 66

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ

База

Блок выпрямительный

Блок полупроводниковый

Блок полупроводниковый выпрямительный

Варикан

Вентиль полупроводниковый Включение тиристора

Восстановление полупроводникового диода обратное Восстановление полупроводникового диода прямое

Вывод

Вывод полупроводникового прибора

Вывод полупроводникового прибора анодный

Вывод полупроводникового прибора катодный

Вывод полупроводникового прибора основной

Вывод полупроводникового прибора управляющий

Выключение тиристора

Гетеропереход

Гомопереход

Диак

Динистор

Диод

Диод выпрямительный

Диод выпрямительный лавинный

Диод Ганна

Диод детекторный

Диод Зенеровский

Диод излучающий инфракрасный

Диод импульсный

Диод инжекционно-пролетный

Диод коммутационный

Диод лавинно-пролетный

Диод модуляторный

Диод обращенный

Диод ограничительный

Диод параметрический

Диод переключательный

Диод плоскостной

Диод полупроводниковый

Физические элементы полупроводниковых приборов

1. Электрический переход

Переход

D.    Elektrischer Ubergang (Sperrschicht)

E.    Junction

F.    Jonotion

Переходный слой в полупроводнике материале между двумя областями с различными типами электропроводности или разными значениями удельной электрической проводимости.

2.    Электронно-дырочный переход

р-п переход

D.    pn-Ubergang

E.    P-N junction

F.    Jonction P-N

3.    Электронно-электронный переход

переход

D.    nn+-Ubergang

E.    N-N+ junction

F.    Jonction N-N+

4.    Дырочно-дырочный переход р-р+ переход

D.    pp+-Ubergang

E.    Р-Р+ junction

F.    Jonction Р-Р4*

Примечание. Одна из областей может быть металлом

Электрический переход между двумя областями полупроводника, одна из которых имеет электропроводность я-ти-па, а другая р-типа

Электрический переход между двумя областями полупроводника п-типа, обладающими различными значениями удельной электрической проводимости

Электрический переход между двумя областями полупроводника p-типа, обладающими различными значениями удельной электрической проводимости

5. Резкий переход

D.    Steiler Ubergang

E.    Abrupt junction

F.    Jonction abrupte

Примечание. В терминах 3 и 4 «+> условно обозначает область с более высокой удельной электрической проводимостью

Электрический переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси значительно меньше толщины области пространственного заряда.

6.    Плавный переход

D.    Stetiger Ubergang

E.    Graded junction

F.    Jonction graduelle

7.    Плоскостной переход

D.    Flachenubergang

E.    Surface junction

F.    Jonction de par surface

8.    Точечный переход

D.    Punktubergang

E.    Point-contact junction

F.    Jonction к pointe

Примечание. Под толщиной области понимают ее размер в направлении градиента концентрации примеси

Электрический переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси сравнима с толщиной области пространственного заряда

Электрический переход, у которого линейные размеры, определяющие его площадь, значительно больше толщины

Электрический переход, все размеры которого меньше характеристической длины, определяющей физические процессы в переходе и в окружающих его областях.

Стр. 20 ГОСТ 15133-77

Диод полупроводниковый выпрямительный    69

Диод полупроводниковый детекторный    84

Диод полупроводниковый импульсный    72

Диод полупроводниковый коммутационный    82

Диод полупроводниковый ограничительный    85

Диод полупроводниковый параметрический    90

Диод полупроводниковый сверхвысокочастотный    76

Диод резистивный регулируемый    83

Диод светоизлучающий    122

Диод смесительный    80

Диод с накоплением заряда    73

Диод с контролируемым лавинным пробоем полупроводниковый

выпрямительный    696

Диод точечно-контактный    67

Диод точечный    37

Диод туннельный    74

Диод умножительный    86

Диод Шоттки    88

Диод шумовой полупроводниковый    93

Затвор    33

Излучатель полупроводниковый    120

Излучатель, работающий с физическим приемником, полупроводниковый    121е

И-К диод    127

Индикатор знакосинтезирующий полупроводниковый    120а

Исток    32

Канал проводящий    31

Коллектор    28

Контакт линейный    20

Корпус    133

Корпус полупроводникового прибора    133

МДП-транзистор    102

Мезаструктура    38

Модуляция толщины базы    50

МОП-транзистор    103

Набор полупроводниковых приборов    65

Накопление заряда в базе    52

Накопление неравновесных носителей заряда в базе    52

Направление для р-п перехода обратное    44

Направление для р п перехода прямое    43

Область базовая    26

Область дырочная    23

Область коллекторная    28

Область собственной электропроводности    25

Область собственная    25

Область электронная    24

Область эмиттерная    27

Область i    25

Область п    24

Область р    23

Оптопара    121

Оптопара диодная    121

Оптопара резисторная    121а

Оптопара тиристорная    1216

Оптопара транзисторная    121в

Переключение тиристора    59

Переход    1

Переход вплавной    12

Примечание. Характеристической длиной может быть толщина области пространственного заряда, -диффузионная длина и т. д.

9.    Диффузионный переход

D.    Diffundierter Ubergang

E.    Diffused junction

F.    Jonction a diffusion

10.    Планарный переход

D.    Planarubergang

E.    Planar junction

F.    Jonction planar

11.    Конверсионный переход

D.    Konversionsiibergang

E.    Conversion junction

F.    Jonction de conversion

12.    Сплавной переход Ндп. Вплавной переход

D.    Legierter Ubergang

E.    Alloyed junction

F.    Jonction allie

13.    Микросплавной переход Ндп. Микроеплавной переход

D.    Mikrolegierter Ubergang

E.    Micro-alloy junction

F.    Jonction microallie

14.    Выращенный переход Ндп. Тянутый переход

D.    Gezogener Ubergang

E.    Grown junction

F.    Jonction de croissance

Электрический переход, полученный в результате диффузии атомов примеси в полупроводнике

Диффузионный переход, образованный в результате диффузии примеси сквозь отверстие в защитном слое, нанесенном на поверхность полупроводника

15. Эпитаксиальный переход

D.    Epitaxieiibergang

E.    Epitaxial junction

F.    Jonction epitaxiale

Электрический переход, образованный в результате конверсии полупроводника, вызванной обратной диффузией примеси в соседнюю область, или активацией атомов примеси Электрический переход, образованный в результате вплавления в полупроводник и последующей рекристаллизации металла или сплава, содержащего донорные и (или) акцепторные примеси Сплавной переход, образованный в результате вплавления на малую глубину слоя металла или сплава, предварительно нанесенного на поверхность полупроводника Электрический переход, образованный при выращивании полупроводника из расплава

Электрический переход, образованный эпитаксиальным наращиванием.

16.    Гетерогенный переход Гетеропереход

D.    Heteroubergang

E.    Heterogenous junction

F.    Jonction heterogene

17.    Гомогенный переход Гомопереход

D.    Homogener Ubergang

E.    Homogenous junction

F.    Jonction homogene

18.    Переход Шотткн

D.    Sohottky-Ubergang

E.    Sohottky junction

F.    Jonction Schottky

Примечание. Эпитаксиальное наращивание — создание на монокри-сталлической подложке слоя полупроводника, сохраняющего кристаллическую структуру подложки Электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с различной шириной запрещенной зоны

Электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с одинаковой шириной запрещенной зоны

Электрический переход, образований в результате контакта между металлом и полупроводником

Термин

Определение

19.    Выпрямляющий переход

D.    Gleichrichtertibergang

E.    Rechifying junction

F.    Jonction redresseuse

20.    Омический переход Ндп. Линейный контакт

D.    Ohmischer Dbergang

E.    Ohmic junction

F.    Jonction ohmique

21.    Эмиттерный переход

D.    Emitteriibergang

E.    Emitter junction

F.    Jonction emetteur

22.    Коллекторный переход

D.    Kollektortibergang

E.    Collector junction

F.    Jonction collecteur

23.    Дырочная область р-область

D.    Defektelektronengebiet

E.    P-region

F.    Region P

24.    Электронная область

«-область

D.    Elektronengebiet

E.    N-region

F.    Region N

25.    Область собственной электропроводности

t-область

Ндп. Собственная область

D.    Eigenleitungsgebiet

E.    Intrinsic region

F.    Region intrinseque

26.    Базовая область База

D.    Basisgebiet

E.    Base region

F.    Region de base

27.    Эмиттерная область Эмиттер

D.    Emittergebiet

E.    Emitter region

F.    Region d’emMteur

28.    Коллекторная область Коллектор

D.    Kollektorgebiet

E.    Collector region

F.    Region de collecteur

Электрический переход, электрическое сопротивление которого при одном направлении тока больше, чем при другом

Электрический переход, электрическое сопротивление которого не зависит от направления тока в заданном диапазоне значений токов

Электрический переход между эмит-терной (27)3 и базовой (26) областями полупроводникового прибора (62)

Электрический переход между базовой (26) и коллекторной (28) областями полупроводникового прибора (62)

Область в полупроводнике с преобладающей дырочной электропроводностью

Область в полупроводнике с преобзадающей электронной электропроводностью

Область в полупроводнике, обладающая свойствами собственного полупроводника

Область полупроводникового прибора (62), в которую инжектируются неосновные для этой области носители заряда

Область полупроводникового прибора (62), назначением которой является инжекция носителей заряда в базовую область

Область полупроводникового прибора (62), назначением которой является экстракция носителей из базовой области


Термин

29.    Активная часть базовой области

D.    Aktiver Teil des Basisgebietes ernes bipolaren Transistors

E.    Active part of base region

F.    Region active de base

30.    Пассивная часть базовой области

D.    Passiver Teil des Basisgebietes eines bipolaren Transistors

E.    Passive part of base region

F.    Region passive de base

31.    Проводящий канал

D.    Капа!

E.    Channel

F.    Canal

32.    Исток

D.    Source (Quelle)

E.    Source

F.    Source

33.    Сток

D.    Drain (Senke)

E.    Drain

F.    Drain

34.    Затвор

D.    Gate (Tor)

E.    Gate

F.    Grille

35.    Структура полупроводникового прибора

Структура

D.    Struktur eines Halbleiterbau-elementes

E.    Structure

F.    Structure

Часть базовой области биполярного транзистора, в которой накопление или рассасывание неосновных носителей заряда происходит за время перемещения их от эмиттерного перехода к коллекторному переходу

Часть базовой области биполярного транзистора, в которой для накопления или рассасывания неосновных носителей заряда необходимо время большее, чем время их перемещения от эмиттерного перехода к коллекторному переходу

Область полевого транзистора, в которой регулируется поток носителей заряда.

Примечания:

1.    Данное понятие не следует смешивать с «каналом утечки», возникающим в месте выхода р~п перехода на поверхность кристалла.

2,    Проводящий канал может быть ц или p-типа в зависимости от типа электропроводности полупроводника

Электрод полевого транзистора (100), через который в проводящий канал втекают носители заряда

Электрод полевого транзистора (100), через который из проводящего канала вытекают носители заряда

Электрод полевого транзистора (100), на который подается электрический сигнал

Последовательность граничащих друг с другом областей полупроводника, различных по типу электропроводности или по значению удельной проводимости, обеспечивающая выполнение полупроводниковым прибором (62) его функций. Примечания:

1.    Примеры структур полупроводниковых приборов: р-п; р-л-р; р-/-л; р-п-р-п и др.

2.    В качестве областей могут быть использованы металл и диэлектрик


Термин

Определение

36. Структура металл—диэлектрик—полупроводник

Структура МДП D. Metall-Dielektrikum-Halblei-ter-Struktur (MIS-Struktur)

F. MIS-structure F. Structure-MIS

Структура, состоящая из последовательного сочетания металла, диэлектрика и полупроводника

37. Структура—металл—окисел-полупроводник

Структура МОП

D.    Metall-Oxid-Halbleiter-Struk-tur (MOS-Struktur)

E.    MGS'Structure

F.    Structure-MOS

Структура, состоящая из последовательного сочетания металла, окисла на поверхности полупроводника и полупроводника

38.    Мезаструктура

D.    Mesastruktur

E.    Mesa-structure

F.    Structure-mesa

39.    Обедненный слой

D.    Verarmungsschicht

E.    Depletion layer

F.    Couche de depletion

40.    Запирающий слой Ндп. Запорный слой

D.    Sperrschicht

E.    Barrier region (layer)

F.    Region de barriere

Структура, имеющая форму выступа, образованного удалением периферийных участков кристалла полупроводника либо наращиванием Слой полупроводника, в котором концентрация основных носителей заряда меньше разности концентраций ионизованных доноров и акцепторов

Обедненный слой между двумя областями полупроводника с различными типами электропроводности или между | полупроводником и металлом

41.    Обогащенный слой

D.    Anreicherungsschicht

E.    Enriched layer

F.    Couche enrichie

42.    Инверсный слой

D.    Inversionsschicht

E.    Inversion layer

F.    Couche d’inversion

Слой полупроводника, в котором концентрация основных носителей заряда больше разности концентрации ионизованных доноров н акцепторов Слой у поверхности полупроводника, в котором тип электропроводности отличается от типа электропроводности в объеме полупроводника в связи с наличием электрического поля поверхностных состояний, внешнего электрического поля у поверхности или поля контактов разности потенциалов

Явления в полупроводниковых приборах

43. Прямое направление для р-п перехода

D.    Durohlassrichtung des рп-Uberganges

E.    Forward direction (of a P-N junction)

F.    Sens direct (d’une jonction P-N)

Направление постоянного тока, в котором р~п переход имеет наименьшее сопротивление

44.    Обратное направление для р-п перехода

D.    Sperrichtung des pn-Ubergam ges

E.    Reverse direction (of a P-N junction)

F.    Sens inverse (d’une jounction P.N)

45.    Пробой р-п перехода

D.    Durchbruch des pn-Ubergan-

ges

E.    Breakdown of a P-N junction

F.    Ciaquage (d’une jonction P-N)

46.    Электрический пробой р-п перехода

D.    Elektrischer Durchbruch des pn-Uberganges

E.    P-N junction electrical breakdown

F.    Ciaquage eledrique (d’une jonction P-N)

47.    Лавинный пробой р-п перехода

D.    Lawinendurchbruch des pn-Uberganges

E.    (P-N junction) avaianche breakdown

F.    Ciaquage par avalanche (d’une jonction P-N)

48.    Туннельный пробой р-п перехода

D.    Tunneldurchbruch des рл-Dberganges

E.    Zenner (tunnel) breakdown

F.    Ciaquage par effet Zenner (tunnel)

49.    Тепловой пробой р-п перехода

D.    Thermischer Durchbruch des pn-Dber gauges

E.    (P-N junction) thermal breakdown

F.    Ciaquage par effet thermique (d’une jonction P-N)

50.    Модуляция толщины базы

D.    Modulation der Basisbreite

E.    Base thickness modulation

F.    Modulation d’epaisseur de base

Направление постоянного тока, в ко* тором р-п переход имеет наибольшее со* противление

Явление резкого увеличения дифферент циальной проводимости р-п перехода при достижении обратным напряжением (током) критического для данного прибора значения.

Примечание. Необратимые изменения в переходе не являются необходимым следствием пробоя Пробоя р-п перехода, обусловленный лавинным размножением носителей заряда или т>ннельным эффектом под действием приложенного напряжения

Электрический пробой р-п перехода, вызванный лавинным размножением носителей заряда под действием сильного электрического поля

Электрический пробой р-п перехода» вызванный туннельным эффектом

Пробой р-п перехода, вызванный ростом числа носителей заряда в результате нарушения равновесия между выделяемыми в р-п переходе и отводимым от него теплом

Изменение толщины базовой области, вызванное изменением толщины запирающего слоя при изменении значения обратного напряжения, приложенного к коллекторному переходу


51.    Эффект смыкания

Ндп. Прокол базы

D.    Durchgreifeffekt

E.    Punch-through

F.    Penetration

52.    Накопление неравновесных носителей заряда в базе

Накопление заряда в базе

D.    Speicherung von Uberschuss-ladungstragern in der Basis

E.    Minority carrier storage (in the base)

F. Accumation    de porteurs d’exces dans la base

53. Рассасывание    неравновесных носителей заряда в базе

Рассасывание заряда в базе

D.    Abbau von Uberschusslad-ungstragern in der Basis

E.    Excess carrier resorption (in the base)

F.    Resorption de porteurs d’exces dans la base

54.    Прямое восстановление полупроводникового диода

D.    Einschwingen des Durchlass-widerstandes einer Haibleit-erdiode

E.    Forward recovery

F.    Recouvrement direct

55.    Обратное восстановление полу*-проводникового диода

D.    Wiederherstellung des Sperr-widerstandes einer Halbleiter-diode

E.    Reverse recovery

F.    Recouvrement inverse

56.    Закрытое состояние тиристора

D.    Blockierzustand eines Thyristors

E.    Off-state of a thyristor

F.    Etat bloque de thyristor

Смыкание обедненного слоя коллекторного перехода в результате его расширения на всю толщину базовой области с обедненным слоем эмиттерного перехода

Увеличение концентрации и величины зарядов, образованных неравновесными носителями заряда в базе в результате увеличения инжекции или в результате генерации носителей заряда

Уменьшение концентрации и величины зарядов, образованных неравновесными носителями заряда в базе в результате уменьшения инжекции или в результате рекомбинации

Переходный процесс, в течение которого прямое сопротивление перехода полупроводникового диода устанавливается до постоянного значения после быстрого включения перехода в прямом направлении.

Примечание. Под словом «быстрый» в определениях 54 и 55 понимается изменение тока или напряжения за время, сравнимое или меньшее постоянной времени переходного процесса установления или восстановления сопротивления

Переходный процесс, в течение которого обратное сопротивление перехода полупроводникового диода восстанавливается до постоянного значения после быстрого переключения перехода с прямого направления на обратное

Состояние тиристора (105), соответствующее участку прямой ветви вольт-амперной характеристики между нулевой точкой и точкой переключения


57.    Открытое состояние тиристора

D. * Durchlasszustand eines Thy

ristors

E.    On-tate of a thyrisior

R Etat passant de thyristor

58.    Непроводящее состояние тиристора в обратном направлении

D.    Sperrzustand eines Thyristors

E.    Reverse blocking state of a thyristor

F.    Etat bloque dans le sens inverse de thyristor

59.    Переключение тиристора

D.    Umschalten eines Thyristors

E.    Switching of a thyristor

F.    Commutation de thyristor

60.    Включение тиристора

D.    Ziinden eines Thyristors

E.    Gate triggering of a thyristor

F.    Amorcage de thyristor

61.    Выключение тиристора

D.    Ausschalten eines Thyristors

E.    Gate turning-off of a thyristor

F.    Desamorcage de thyristor

Состояние тиристора (105), соответствующее низковольтному и низкоомному участку прямой ветви вольтамперной характеристики

Состояние тиристора (Юб), соответствующее участку вольтамперной характеристики при обратных токах, по значению меньших тока при обратном напряжении пробоя

Переход тиристора (105) из закрытого состояния в открытое при отсутствии тока управления на управляющем выводе

Переход тиристора (105) из закрытого состояния в открытое при подаче тока управления

Переход тиристора (105) из открытого состояния в закрытое при приложении обратного напряжения, уменьшении прямого тока или при подаче тока управления

Виды полупроводниковых приборов



62.    Полупроводниковый прибор (ПП)

D.    Halbleiterbauelement

E.    Semiconductor device

F.    Dispo^sitif a semiconducteurs

63.    Силовой полупроводниковый прибор (СПП)

D.    Halbieiterleistungsbauele-ment

E.    Semiconductor power device

F.    Diode a semiconducteur pour forte puissance

64.    Полупроводниковый блок

E.    Semiconductor assembly

F.    Assemblage a semieonduae-urs

65.    Набор полупроводниковых приборов

E. Semiconductor assembly set

Прибор, действие которого основано на использовании свойств полупроводника

Полупроводниковый прибор, предназначенный для применения в силовых цепях электротехнических устройств

Совокупность полупроводниковых приборов, соединенных по определенной электрической схеме и собранных в единую конструкцию, имеющую более двух выводов

Совокупность полупроводниковых приборов, собранных в единую конструкцию, не соединенных электрически или соединенных по одноименным выводам


1

(Измененная редакция, Изм. № 2).__

Издание официальное    Перепечатка воспрещена

2

Переиздание (январь 1987 г.) с Изменениями № 1, 2, 3, утвержденными в июне 1980 гиюне 1982 г.; Пост. М 2544 от 28,06,82, октябре 1986 г.

(МУС 9-80, 10—82, 1-87).

© Издательство стандартов, 1987

3

Числа в скобках обозначают порядковый номер терминов, помещенных в настоящем стандарте.