Товары в корзине: 0 шт Оформить заказ
Стр. 1
 

37 страниц

487.00 ₽

Купить официальный бумажный документ с голограммой и синими печатями. подробнее

Официально распространяем нормативную документацию с 1999 года. Пробиваем чеки, платим налоги, принимаем к оплате все законные формы платежей без дополнительных процентов. Наши клиенты защищены Законом. ООО "ЦНТИ Нормоконтроль".

Наши цены ниже, чем в других местах, потому что мы работаем напрямую с поставщиками документов.

Способы доставки

  • Срочная курьерская доставка (1-3 дня)
  • Курьерская доставка (7 дней)
  • Самовывоз из московского офиса
  • Почта РФ

Устанавливает термины и определения понятий полупроводниковых приборов.

Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу деятельности по стандартизации или использующих результаты этой деятельности

Действие завершено 31.07.2017

Оглавление

Физические элементы полупроводниковых приборов

Явления в полупроводниковых приборах

Виды полупроводниковых приборов

Элементы конструкции

Алфавитный указатель терминов на русском языке

Алфавитный указатель терминов на немецком языке

Алфавитный указатель терминов на английском языке

Алфавитный указатель терминов на французском языке

Приложение Перечень терминов СТ СЭВ 2767-85, не включенных в настоящий стандарт

Показать даты введения Admin

Страница 1

+-


ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

ТЕРМИНЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ

ГОСТ 15133-77 1СТ СЭВ 2767—85)

Издание официальное

Ц«н« 15 коп.


ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ

Мосиаа

Страница 2

УДК 001.4 : 611.Ш : ШЛЛИ Группа 300 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР ГОСТ ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ Термины ч определенна 15133-77* &сгшсош1ис1аг йс\1«5. Тсгпм ап(1 осИпИким |СТ СЭВ 2767—85) Вимен ОКСТУ 6201 ГОСТ 15Ш—И Постановлением Государственного номн>е?« стандартов Совета Министров СССР от 27 апреле 1977 г. И» 1061 срок введение установлен с 01.07.79 Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике н производстве термины н определения полупроводниковых приборов. Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, учебниках, учебных пособиях, технической и справочной литературе. Стандарт соответствует СТ СЭВ 2767—85. за исключением терминов, указанных в справочном приложении. Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов синонимов стандартизованного термина запрещается. Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в стандарте в качестве справочных и обозначены * Млн». Для отдельных стандартизованных терминов в стандарте приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, когда исключена возможность их различного толкования. В стднлвртс в качестве справочных приведены иностранные эквиваленты на немецком (О), английском (Г.) и французском (Р) языках. В стандарте приведены алфавитные указатели содержащихся в неы терминов на русском языке и их иностранных эквивалентов. Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма — светлым, недопустимые синонимы — курсивом. (Измененная ргдакиия. Изм. .*■ 2). _ Мадаааи* еВПцимивм Перепв-ати» ю<пр««м«« • ПгреизЛзяил (январь 1987 г.) С Изяепехихми М I. 2. 8. тоерждгчпым* в тюте 1980 *. нем* 1982 Поет. М 2544 от 28.06.82. оя/яйр* 1986 I. (МУС 9—80, 10—87. 1-87). С Издательстео стандартов, 1987

Страница 3

Стр. 2 гост та—77 Т«мпи ОэдеДеЛСИК* Физические алсиенты полупроводниковых приборов Электрически* переход I (сред о л О. Е1скгг1»спег СЬегеат; (ЗреггасЫеЫ) Е. аипсМоп Р. а^псИоп 2. Эжнтроиис-аырочиый переход рп СЪегцапс Е. Р-Ы 111ПС1-ОП Р. ^нтсИоп Р14 1 Эл*ктронно-»яе<ироинын переход ■ЬЯ * I - - -1 01 Г>. вп*-ОЪ«капС Е. К-М* 1шкиоп Р. зопсЧоп N■14* 4. Дырочмо-я прочный переход 50' переход вр*-ОЬегв;апе; Е- Р-Р- )игк(>оп Р. дотктюп Р-Р* 5 Резкий переход (). $1сНет СЬегцапе Е. АЬгир! (ипсИоп Р. допсНоп аЬшр!е 6 Плавный «р« «од О. ЫеЬеег Соещапе Р. Огвбеа )ингЧ1оп Р. >оос1юп рас!ие11« 7 ПлоеаостноА переход Г). ПасГтепиЬетеяпв Е. ЗиНасе | и г* Поп Р. »оек1юп де раг .-иНаее в. Точечный переход (К РнпкШЬегцапц Е- Ро»п|еоп1ас1 |ипеНоп Р. ЛогкОоп а оо'пи" Переходим! слой в полуправедника матервале между двумя областям в с различными типами электропроводности ■дат :>■.-• «иаяеииими удедмеоД аде» трнчёсаой проводимости Примечание. Одна и» областей может быть металлом Электрический переход между двумя областями полупроводника, одна из 1о> торых имеет электропроводность -ч-ти-на. в другая р-твоа Электрический переход между двум» областями полупроводника л типа, об-ладаюшнми различными значениями удельной алектрнческой проводимости Элсктрвчесянй переход между двумя обдастямя вюлупроаюдвшаа а-тяиа. облт-дяхяцаии раиичиымв зяачеивямя ул?аъ-иой электрической проводимостм Примечание. В терминах 3 и 4 ■ I» условно обозначает область с более высокой удельной центрической проводимостью Элеятричгсви* передох в котором толщина области аяиаяш вояиевтразия в занеси маачнтельно меньше толщины области простраиетвенирго заряда. Примечание. Под толщиной области) понимают ее размер а направлении градиента концентрации примеси Элеятрмчесхяй вередод. в котором толщи-» области изменения вояцектраачч примеси «равнина с толщиной области • • •..... • заряда ЭлектрическиII переход, у которого ли. нейные размеры, определяющие его площадь, значительно больше толщины Эдевттмгчесимй веред-од. асе размеры которого меньше дарактеригтвчесчой длины, определяющей фпзкч<сиие аро-иессы в переходе я в окружающих сгэ областях.

Страница 4

ГОСТ 11Ш-77 Сто. 3 пиная ПпрсЦ яг1и 9 днфф>1НОИНЫЙ пс ос ход О. Ш^илбмчкг С'!1ст1г*яв Е. п." )) те! г. Р. ЛоаИюа а бШизкид 10. Пламариый мргюд О Рипагйэстцаге; Е. 1". : 1.И .'-!' ' ! Р. ЛопсИоп рЦпвг П. Конверсионный переход V. КопугсчюгийЬец-апв Е. Сопуегцоп (опсиоп Р. 'опсИоп и"е сопуешоп 12. СяоавиоЙ переход Ила ВплалноО переход О 1_с([*пег Гг*гк«пц Е ДИочЫ )ипс1«п Р. ЛснхтМл 111.- 13. Мнаросяаааной переход Ндн. /Лакаимлаёной пгреход О. М|кго1м*сг(ег ОЬегеаяи Е. Мяго-аЛоу )ипе(1оп Р. .1опс11оп ткгоаШе 14. ВырашгнныЙ переход Ндп. Т*м#тый переход О. Оеюеепег ОЬсгяапе Е. Огслп (игитНол Р. Зопс'ии! бе сЮ1»чгке 15. Эвшт аксиальны* переход О. Ер11ах>еиЬет17ап<; Р. - 1> 16 Гетерогенный вереход Гетякнаереход I) гМегоСЬегсапо. Е. Не1е'оцепо115 ]ипс(Ьоп Р. 'опсиоп п*1*Г0В*ч1г 17 Гсииазгениый передал Гоиооереход О. 11оггк>веявг СЬеткапег Е. Ногасятепоиз |ипс|1оп Р. Лопс1юп (ютойёпе 16 Переход Шоттюх О. 5<ею(<ку-СЬе1а;впЕ В. &сЬо«1ку клк'юо Р. 'отхИоп 5сЬоПку Примечание Характсркстнче-ской длиной может быть толщина области пространственного заряда, диффузионная длина и г. д. Электрический переход, полученный в результате диффузия атомов прнмесн а пол упроводиике Диффузионный переход, образованный в результате диффузии прнмеся сквозь отверстие в защитой слое, нанесенном на поверхность полупроводника Электрический переход, образованный в результате конверсии полупроводника, вызванной обратной диффузией принеси в соседнюю область, или активацией а гон он примеси Электрический переход, образованный в результате вплавлення в полупроводник и последующей рекристаллизации металла или сплава, содержащего до-норные н (или) акцепторные прнмесн Сплавной переход, образованный в результате вплавленив на малую глубину слоя металла или сплава, предварительно нанесенного на поверхность полу проиодинка Электрический переход, образованный при выращивании полупроводника из расплава Электрический переход, образованный эшпаксиальпым наращиванием. Примечание Эпитаксиа.тьное наращивание — создание на монокристаллической подложке слоя полупроводника, сохраняющего кристаллическую структуру подложки Электрический переход, образованный в результате контакта поду проводников с различной шириной запрещенной зоиы Электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с одинаковой шириной запрещенной зоны Электрический переход, образованный в результате контакта между металлом и полупроводи!

Страница 5

Стр. 4 ГОСТ 1ИИ— 77 «■«МИМ 19 Выпрямляющий переход В (|ккгизсп(егйЬс',>аг1<: С к\ч 1|(!> 1Т1Ц )11->. !>ог Г. 1опс1)оа гееТезд* 20 Омический вертя оа Пап Лингйчыв коятакт О. Оптчкпег ОЬегвнпя Е. 01 «пк )цпс1(оп Р '" '■ ' "ii '1: i! | ■ 21. Эмиттериый переход 0. ЕгтиетйЬегвзов Е ЕтШее )щк[юо Р. 'СЧК|10С1 (гпеГ.сы И Коллекторный переход О. Ко11ек1сгйЬегеапв; Е Со1кс1ог ]и1кЧоп Р. ,1оп<:11оп со11ес1еиг 23. Дырочная область р-область В 0якй>ИМиопела;еЬ»е1 Е Р-ге4Гк*1 Р- Нгсюп Р 24 Элеятроииая облас1к Л-область О. ЕкИгопепкеЫе1 Е. .Чгеяйнл Р. кевив N 25. Область «обстаеи-сй алектро-(роиодиоетн 1-ОбЛЯГТЬ Иди Собственная облает* 0. I.е|1иПКаеч*1)к1 Е. 1п(г1пгк гсв1оп Г Кецюп ткГш 26. Бают область Баи В ВлИ.ееОМ* 1. Ваье ге«\оп р. Неких) ос Ьа'-г 27. Эмяперная область Эмиттер О. Ет1(1егв*Ь1*1 Е. ЕпчЧег гев'ос р. Йе(юп б'етЮеи! 28 Коллекторная область Коллектор 11 КоИеНочетЫе! Е. Со11есЮ* гецюп Р. Кее1оп ас. со11е*1евт Электрический переход, электрическое сопротивление которого при одном направлении тока больше, чем при другом Электрический переход, электрическое сопротивление которого не зависит от направления тока в заданном диапазоне значений токов Электрический переход между змиг-терной (27)• и базовой (26) областями полупроводникового прибора (62) Электрический переход между базовой (26) и колдекторпЫг (28} областями полу проводникового прибора (62) Область в полупроводнике с преобладающей дырочной злектронроаодностью Область в полупроводнике с прсобта-дакядей алек1роиной электропроаодио-стью Обтаете в полупроводнике, обладающая свойствами собственного подупро-водника Область полупроводникового прибора (62), в которую инжектируются неосновные дли зтой области носители заряда Область полупроводникового прибора (62), назначением которой является ни-жекция носителей заряда в базовую область Область полупроводникового прибора (62), назначением когорой является экстракция носителей из базовой облает • Числа в скобках обозначают порядковый номер терминов, помещенных настоящем стандарте.

Страница 6

гост ти-п сф. 5 29. Активная часть базовой области и. АкЦуег ТеН осе Ва$1«еЫс1м ещез Ыро)агеп Тгдгш5(ог$ Е. Ас(гёе рап о( овзе гедюп Р. Кеяюп ас(л*е ае Ъа-ц- Пассивная часть базовой обда- 30 стя О. Раз-нхег Те«[ овт* Вз&иоеЫ?. 1са ешеа ЫроЬгеп Тгэпш-1огз Е. Разагсе рап о( Ьазе гедоп Р. Кек!оп РавЭлга Ле Ьаас 31. Проводящий канал О Капа! Е. Спаппс! Р. Сапа! 32 Исток & &о»г<с (риеИе) Е- 5оигсе Р. 5оитсо 33. Сток О. Огз)п (Зелке) Е. 1>гяи1 Р. Огат 34. Затвор Г>. Оа1с (Тог) Е. Са(е Р. СП На полупроводникового 36. Структура прибора Структура IX Мгикшг е1пез Ча1ЫеИе-Ьаа- е]етеп(ез Е- "ига Р. 51гис1иге Часть базовой области биподярвоп. транзистора, а которой накопление или рассасывание неосновных носителей заряда ii роил* ходи г за время перемещения их от эмвттериого перехода н коллекторному переходу Часть базовой области биполярного транзистора, в которой для накопления или рассасывании неосновных носителей заряда необходимо арема болыаес. чеяс время их г*гемещс»*и от »мит*тгриого перехода к коллекторному переходу Область полевого транзистора, в которой регулируется поток носителей заряда. Примечании; 1, Данное, понятие не следует смешивать с 'каналом у-гчки>. возникающим в места выхода рп перехода на поверхность кристалла 2. Проводивдий иаиал иоахет быть ■ или р-тввя а зааисимоети от тиаа злектрООрсч-одно^тн подупроиодинт-а Электрод волевого транзистора (100). через который в прсиаодящвй канал втекают носители заряда Электрод полевого транзистора (100). через который и) проводящего капала вытекают носители заряда Электрод полевого транзистора (100), на который подается -мектрнческий сигнал Последс-ытельвоеть гравичашх друг с другом областей полупроводника, различных ио типу »л««тропгх>#одвести вли во значению удельной г. р. вода моста, осихаечнвадоагая выполнение иатувро-водииковым прибором (62) его фунчднй. П римеча ■ а* 1. Примеры структур полупроводниковых при борой: р-Ч; р-я-р; р-г-я; р-П'Р'П и др. 2. В качестве областей могут быть использованы металл и диэлектрик

Страница 7

Сгр. 6 ГОСТ 131»—?7 36. Структура металл—диэлектрик— пол у проводник Структура МДП О. МеЫ)-ОиЛек1пкот-На1Ь1е)-1м&11ик1ит (М)$-$1гик 37. Структура—металл— оииеел-полупроводнкк Структура МОП О. МеиН-ОхкМЫЫекег &!П1[5 Меэаструитура Х>. Ме;аБ1гик1иг Е. М«а-а1гис1и»с Р. 51пв;(иг'-тс5а Обедненный сдай О. \:стагтипо85сп1сЫ Е. Г>ер1е1)оп Тауег Р. Соиспс ос «л'рнМщп Запираюший сдоб Нлп Запорный слой О. Зреггзсгпсл! Е. Ва»пет гефоч |1ауег) Р. Р.ев'юп ое Ья гнёте Обобщенный слой О. Дпге1сЬсгип8*кЫеЫ Е. ЕпгЧелео 1ауег Р. Соиспс сппсТпе Инверсный слой О. 1ПУСГ$10П88СП1СП1 Е. )п>'егз10л 1ауег Г. СоосЬе а"1луег51оп 38 39. 40. 41. 42. Структура, состоящая на последовательного сочетания металла, диэлектрика в полупроводника Структура, состоящая из последовательного сочетания металла, окисла на поверхности полупроводника н полупроводника Структура, имеющая форму выступа, образованного удалением периферийных участков кристалла полупроводника либо наращиванием Слой пмупповойника, в котором концентрация основных носителей заряда меньше разности коикеятраиин ионизованных доноров и акцепторов Обедненный слой между двумя областями полупроводника с различными типами электропроводности или между полупроводником н металлом Слой полупроводника, в котором концентрация основных носителей заряда больше разности концентрации ионизованных доноров к акцепторов Слой у поверхности полупроводника, в котором тип электропроводности отличается ог типа электропроводности в обтемс полупроводника в связи с наличием электрического поля поверхностных состояний, внешнего электрического поля у поверхности или поля нон тактов разности потенциалов Явления в полупроводниковых приборах 43. Прямое направление дда р-п перехода О. ПигсЫаш1Сл1ипв бе» рп- ОЬег(»апьч5 Е. Рога>з1(| аиесИоп (о! а Р-Н шпеИоп) Р. 5еп$ б1гес1 (о'ипе 1опе(:оп Р-(Ч> Направление постоянвосо тока, в котором р п переход имеет наименьшее сопротивление

Страница 8

ГОСТ 151»—77 Стр. 7 Тес-ми* О.-веесл-ччс . 44- Обратное направление для р-п переход* Ь. 5р*1ги:г|ь.п,; ёев рп-СЪсгвзп- Е. Цеуегзе лЧгсеНоп (01 а Р-М инк Поп) Р. бела туегзе (б'ипс доигкиоп Р-Г*> 45. Провой р-п перехода О. ОигепЬгисп Лев- рп-СЬсгелп- Е. В'геакпоясп о( а Р^ |ипс11оп Р. Оавоэге (о"иле |опсЦоп Р.Ч) 46. Электрический пробой р-п ае-вехода Р. ЕкИпьспег ПигелЬтчсЬ, «"е* рп СБе'в»пйг* Е- Р-М ]иос(|0*1 «Йк!г1са1 огеяк- ооч-п р. Си«иа|* е1ее1пци* (сГиое к«к1мх1 РК> 47. Лавинный прибой р ■ пересола О. Ьа-е-наепЛигенЬгисг- ае4 рд- СЬег^лпее! Е. (Р^ {ипсЧиэп) ауаи-пспе вгеакбокп Р С1ао,иавв Г" аеа!алспе ( рп-СЬегвапвеа Е. (Р-К ]и.вс11оп) Икгта! Ьгеак-нагл Р. С13(|иа^е рас еМе! Икгпц'цие 'а'ипе )опсИоп Р-И) 50 Модуляиня толщины базы О. Моби1а*10П бег Ва-гЛаЬгезк Е. Вазе (.гт-.кпе-.а тоаиЫюп Р. МооиШкт б'ера^ззсиг бе Ъа?с Направление постоянного тока, в котором р-п переход имеет наибольшее со-протя влейне Явление резкого увеличения дифференциальной проводимости р-п перехода при достижении обратным напряжением ■током) критического для данного прибора значения. Примечание. Необратимые изменении в переходе ве являются необходимым следствием пробоя Пробой р-п перехода, обусловленный лавинным размножением носителе-! заряда или туннельным эффектом под действием приложенного напряжения Электрический пробой р-п перехода, вызванный лавинным размножением носителей заряда под действием са ною электрического ПОЛЯ Электрический пробой р-п перехода, вызванный туннельным эффектом Пробой р-п перехода, вызванный ростом числа носителей заряда и рс»уль-тате нарушения равновесна между выделяемыми в р-п переходе и отводимым от него теплом Изменение толщины базовой области, вызванное изменением толщины запирающего слоя при изменении значения обратного напряжения, приложенного к коллекторному переходу

Страница 9

Стр. 6 ГОСТ 15*31—Л Тампа ОВмВСЛЧш! 51. Эффект смыкания ) 1дп Прикол баяы О. ОигспегеМепек! Е. Рипся-ШгоиеЬ Р. Репё1га1йЛ1 52 Накопление неравновесны* носителей заряда в базе Накопление заряда и базе О. $рск1кчиле \Оп СЬе1$стш*д- 1айипо5(гй|;сгп ш пег Вдв& Е. №||оп1у еатог аигаве (ид Н:е Ьазе) Р. Лссшпапоп <1е рог1еиг$ сГсхссз бап* !а Ьа&е 53. Рассасывание неравновесных носителей заряда в базе Рассасывание заряда а базе О. АЬЬаи уоп ОЬегзспиа^аа- ипеа1гав;етп 1п <1ег В..,.-. Е. Ехсеэа сагпег пдогрИоп (ш 1пе Ьазе) Р. КЬогрИоп б* рогКигй сп с)еа ОигсМа»з-«1оегэ1апс1е8 «пег На1ЫС|1-егс1|0бе Е. Роптаго' гесотегу Р. 1?есоиУгегоеп1 о'Ггеес 65. Обратное восоаиопление •юлу-проводник ового диода Ь №1еае(Нег51е1|цпв бе» 5регг-в/|бспипбеа ешег НйаШШввТ-аввнва Е. Вететае гесотегу Г Р«ос>ге.ткш «'к 56. Закрытое состояние 1ирн<тор* О. В1осн)ет15Лапа е1пг* в км» Е. ОН-зЫе о! а 1пут(ог Р. Е1а1 Ыоо,и& ае (йугМог Смыкание обедненного слон коллек* торного перехода в результате его расширения на всю толщину базовой области с обедненным слоем «минерного иерею да Увеличение концентрации И величины да рядов, образованных неравновесными носителями заряда в базе в результате увеличении ННИ.СПИНН или а результате генерации носителей заряда Уменьшение концентрации н величины зарядов, образованных неравновесными носителями заряда в баж в результате уменьшении ннжеяцнн нлн в результате ре комбинации Переходный процесс, о течение которою прямое сопротивление перехода под у проводин нового диода устанавливается до постоянного значения по.ле быстрого включения перехода в прямом направлении. Примечание. Под словом «быстрый» в определениях 54 и 55 понимается изменение тока или напряжения эа время, сравнимое или меньшее постоянной времени переходиого процесса установления или восстановления сопротивления Переходный процесс, в течение которого обратное сопротивление перехода полупроводникового диода восстапапон-вастся до постоянного значения после быстрого переключения перехода с прямого направленна на обратное Состояние тиристора (106), соотвег-ствуюшес участку прямой ветви вольт-амперной характеристики между нулевой точкой и точкой переключения

Страница 10

ГОСТ 151 И—77 Стр. 9 Тго»чн Определение 57. Открытое состояние тиристора О, йигс1|1нми> ТпутЫагв Е. Речим- Ыоп 1.1 пв »1в1е тн* в Р. ЕШ Ыоаис бант к зе-пд 10--геттиг бе (ИутЫос 59 Переили>че»ие тиристора О ^пт-кЬакеп «ее» Тх-утЧзтог» Е- &в|)ст>п е1пе» Тгш • ■'- Е. йа(с -сеМпв о! 8 1Ьу-'1б- ш Р. Лтоссчц-е . АинспаИеп е1пев Тп\ги1ог$ Е. Оик (нм-итт/оИ п1 а (Нуга-1ог Р. Реватогеяве бе ШугкМос Состояние тиристора (106), соответствующее ии*ковольтному и низкоомнпму участку пряной ветви вольтамперной дарактеристняи Состой НегкЧа(ипи*аЬаис!е-теп! Е. 5ет копи иски ро«сг аеччсс Р. бшие а зет копи1 нсМиг ^зоиг кик р и 155а псе 64 Полупроводниковый блок Е- $ет1сопс1ш;1ог а^зстЫу Р. АззетЫаее А зсткопбиск-ига 65. Набор полупроводниковых приборов Е. 5епжоп(1ис>ог аззстЫу че1 Прибор, действие которого основано на использовании свойств полупроводника Полупроводниковый прибор, предназначенный для применения в силовых цепях электротехнических устройств Совокупность полупроводниковых приборов, соединенных по определенной электрической схеме и собранных в единую конструкцию, имеющую солее двух выводов Совокупность полупроводниковых приборов, собранных н единую конструкцию, не соединенных электрически или соединенных по одноименным выводам

Страница 11

Стр. Ю ГОСТ 1*133—71 66. Полупроводниковый диод Диод Пап. Полупроводниковый вен-Ти.и> НзШеИепИоо'е Е. Зешкот1ис1ог аЫе Р. Ою4е а мт1согк1ис1еиг5 67. Точечный иод Ндп. Точечно-контактный диод I). Иа1Ыеиег&р1иепакк1е Е. Рот! соп1ас1 «1Ые Р. О\о4е а ро)П1е 68. Плоскостной днод О. Из1оЫегШсЬеп<1<оа,е Е. 'ипсНоп оЧоае Р. ркх1е а 1опс11м 69. Выпрямительный поаупровод- ннковый | ! ВыпрЯМИТеЛЬНЫЙ диод О. На1Ыеиег№слгкЫогс1№а'е Е. 5сШ1Соп<1ис1ог гесИПсг Лоо'е р. йгозе ае гех!гс5!<тсп( 69л. Лавинный выпрямительный анод Е. Ауа1апспе гесИИег ш«к 696 Выпрямительный полупроюя-никовый днод с контролируемым Л1-аннныи пробоем Е. Соп1го1Ы-ауа1апспс гесМЛег «11<к1е 70 Выпрямительный полупроводим-нивовый столб Вы I ■■>!. гглытын с гол б Е 5епт1соя4ис1ог гесК1и>г ■1аск Р. Вкк <** геЛгезмамг: (1 м-писопЛмсиш!) 71 Выпрямительный иолу прояоми- Выпрямительный 6ло* Е. &тко№1ис(ог госНПег м* ветЫу Р. АвмтЫаае бе теогсэлетеп! (а »етнх!«оис1еит») Полупроводниковый прибор с двумя выводами и несимметричной вольта и верной характеристикой. Примечание Если не указано особо, этим термином обозначают приборы с ом от амперной характеристикой, типичной для единичного перехода Полупроводниковый диод с точечным переходом Полупроводниковый днод с плоскостным переходом Полупроводниковый днод. предназначенный дли преобразования переменного тока, включая монтажные и охлаждающие устройства, если он образует с ними одно истое Выпрямительный полупроводниковый диод с заданными характеристиками минимального напряжения пробоя, предназначенный для рассеивания в течение ограниченной длительности импульса мощности в области пробоя вольт амаер-вой характеристики Выпрямительный полупроаодннкопый днод с заданными характеристиками максимального я минимального напряжения пробоя, предназначенный для работы в установившемся режиме в области пробоя обратной ветви вольт-амперной характеристики Совокупность пыпримнтсльвых полупроводниковых диодов, соединенных последовательно и собранных в единую конструкцию, имевшую два вывода Полупроводниковый блок, собранный из выпрямительных им у проводниковых диодов

Страница 12

ГОСТ «133—77 Стр. 11 Тсрнна Определен» 72. Импульсный полу проводин коми дчод Импульсный диод О. На1Ыс11сптро15с11оаС П. &|>па) |1»к1е Г. бкоае <Птри№ол 73- Диод с накоплением заряда С. $пар-о)( (*1ср-гесхпету) (Ко- 74. Туннельный дяод Г>. На1Ь!е1[ег1ш1пс1*и'оае Е. Типлс.1 Ио&е Р. О'обс (иппе! 75. Обращенный диод Ч. На1Ые!(егип|1иппе1(Ио(1е Е. Цп|1ип|м>) (ЬзскшагЛ) «Ноае Р. П|ф.1е 1ПЛ'СГ5С 7Й Сверх вые оиочасготиый поауиро-водчняояый диод СВЧ-ДиОД Э. 1Л1Р 11я1Ыс11Ы10<1е Е- Мн?10«яу* аЫе Р ОЫс «п Ьурег|г«чие>пс« 77. Л а вии но-пролетный диод V. м I 1 ■ • 1л*1пеп1ви|^е|1' й1оо> Е. 1трл<1 ауа1акпе-<агк)-> 1гап- Ы1 Или оюО Р. Ойкк 4 г я (ел?» ое (гап*>1 Иняеаиноиио-врвлетиый диод О." На1ЬЬ1*1ткк1юе>»!*п1ге:'.- иш Е !■ 1- ' .■■ : I 1>ал5)1 »те вюое Р. О1оа> й 1п)«с1юп а 1етра 6г |гяп*|| 79 Переключательный дяод О. На1ЫеНетис1щ11<11о<1е Е. 5»'|1сЫп|1 <Нос1е Р. 01о4е 6* сотт»1а11оп 78. Полупроводниковый диод, имеющий малую длительность переходных про-пессоа в импульсных режимах работы Импульсный полупроводниковый диод, накапливающий наряд при протекании прямого тока и обладающий аффектом редкого обратного восстановлен ья при подаче обратного напряжении, который иснолыуется для формирования импульсов с малым временем нарастания Псауаркнюдииаоаый диод на освой вырожденного полупроводника, в котором туннельный «ффмг приводит к яч> ивлению на иольгамверной аа^автери-стикс прямом явдравления участ- ка отрицательной мффсреишадвлоД вроводммосп Полу проводниковый диод иа сев ж оолуяроаодлим с ирмти-исной ■сиикн-трзивей примеси, в котором ировочн-месть при обратном напряжении вследствие туннельного «ффеита авячнт*л%но больше, чем при прямом напряжении. ■ пиковый «ж и том впадины пркбля-1ительно равны Полупроводниковый дяод, предназначенный для препбра ювания и обработки сверхвысоиочоетотного сигнала Полупроводниковый дяод. работающий в режиме лавинного размножения носителей заряда при обратной смешении электрического перехода н предназначенный для генерации сасрхвысскоча-стотных колебаний Полупроводниковый диод, работающий в режиме нн женин и носителей заряда в область запорного слоя н предназначенный длн генерации енеохвысо-кочастотных колебаний Полупроводниковый диод, имеющий на частоте сигнала низкое сопротивление при прямом смешении и высокое сопротивление —при обратном, презназ-

Страница 13

Сто. 17 ГОСТ 15113-77 Тгрнаа Олрс* Смесительный диод О. Ча\ЪЫШт\$кМ\ойе Е. 5гп11С)1П<1иг1ог 111111т (1<0|)с Г. 0кк1е глс1ап&<1С1>5с Диод Ганва V Ончп-Еи-тсШ Е. Оипп дюЛе Р. ПЫе Оипп 82. Коммутационный полупроводниковый виол Коммутационный лиоа I) На1Ы(|!ег- НР-5спа1«:о(1с 83. Регулируемый ронсгнпный ди- од Е. Р1Н. о;о.!е Р. О.ойе Р1К 84. Детекторный полупроводниковый «во* ЛрТШЮЭВ»** ДИОД О. |1в*Ьан1«с>е»По^и1аЬ»1 ЕМ«с1ог сНоое Г. Он»!? ос1ее1гк;е 4 киисоп- №. Ограничительный иплупровэд-ииковый диод Ограивчи-ттльшй шел О Н..Ч'.- :г-ск'-:п^.м-.-1* Е .Чкго»а\е ПшНшв; бммМ-Р, ОЛое се КтИаНоп о> Ьдрег-1г«циспсс& 86 Умно*, и тельный диод О. >1а1Ь№1сгуеп,(с11агпег4н)'г Е. гЧгыюгм].» 1ог !1го1нисч' ши1- Р. Окк1е ро(о 58 Д-оа Шотти Р. &спо11ку (-ввтег) Л-.оЛг Р. 01оае ое 5сЬо11ну каченный для упраплгшш уровнем мши-ногти сигнала Полупроводниковый диод, л редка значенный для ареобракоакиа аысокоча-стотиыж сигналов ■ сигнал промежуточ» ной частоты Подул рою данное и В диоа. действе Ш второго огрмано ив г »■ и>в*н отраца-!• и. об им я с* о сопротивления под воздействием садыаото влпкричмаого вода, пв«да>а)ввчемвый ЛЛп г**ерааяя -усиленна евсряаькокочаститаи! колеба*. ЯН* ПодупроаюдаакоеыЙ дяил. преаяама-чганы! ала ковшутанян вчвеокочастя-иых цепей Пшу провод аииояый Р-1-Я диод, при* меняемый для регулирования сояротяв-леиия я граме передачи сигнала, вития-ног сииротнядени* ■ второго для высокочастотного сигнала определяется посго-•иным ■■■ >< прямого смешения Полупроводниковый диод, предил м чеиный .чля детектирования сигнала Полупроводниковый диод с лавинным пробоем, предназначенный для ограничения импульсов напряжений Полупроводниковый диод, предназначенный длн умножения частоты Полупроводниковый диод, предназначенный для модуляции высокочастотного сигнала Полупроводниковый дчоа. выпрямительные свойства которого ссноявмы на взаимодействии металла и обедненного слон полупроводника

Страница 14

ГОСТ 1111'—17 Сто. 13 Теп чип Оишамп 89. Ваонкан О. Караг»Ш$сЛоо'е Е. УшЬЫе сарасИапсе одаае Г\ [>'■ ■ сарасИе \апаЬ!е (««{сере) 90. Параметрический лолупронодии- Параметрический анод О. На1Ые|1е1\'агак101(1км1е Е. 5егп1соп(1ис1ог рлгате!пс |атр)тег) о"!о|1е Р \)'ю4ч ! 1 '.пчие |а $еп>1-сопоис1еигв) 91. Полупроводниковый стабили-трои Оаондигрон Идя. Зенгрця(*ий диод О. .•!..':■■'.-.■ м,011е Е. х'оКнес гегегепес бюле р. 0;О||е ое 'епа1оп ое гсЕсгетсе 92. (Исключен, Из*. .* 2). 93- ПояупровоаииноаыЙ шумовой диод О (ШЫо^сггаигспоюое Е. $гн1'н;01н1ис1ог по:50 оЧоас Р. Омэбе а"е опп! 94. Биполярный транзистор Транзистор Р. В1ро1агег ТгапзЫог Е. В1ро1аг 1гап51Мог Р. Тгап5к>1ог ЫроЫге 95. Бс1 дрейфовый транзистор II :1. Диффузионный транзистор I). ОШи1>

Страница 15

Стр. и ГОСТ 11131—'7 т-..--н 90 Плоскостной транзистор Е 'ипсИоп I г* гни (ог Р. ТгамЫог а )опс1Ки1 99 Лавняным тракам тор Е. Л\а!вп11*411 гапмаиж (РЕТ) Е Р*1се11ее1 «апт-Ыо! Р. 1твп11Э1ог а е11е1 ее спатр 101. Полевой транзистор с иммиво-ванным мтвором С. Ре1аеНекИгапм51ог пн( *м :ин*1егп йа(е Е 1п5и1а1есЬе;аи Г'Е1 Р Т.- ! • -' : В с!с еЬятр 4 |п11с твоНе 102 Полевое траяа-стор тяпа м*-I ля л—дявлен трнк—полу йровояня к МДП-трамзнстор О. М1.Ч-1е^екек111апя»!ог (Ч15РЕТ1 Р. МЦИгапайИог Р. |Тап)Ыог-Ш$ 103. Полевой транзистор тяпа **-Т .1 «л .......г.1 по.|\прово.1 ник МОП траычстор О. .405 РеИеЧгкПгагЫИ;* (МО$ РЕТ» Е М05-Наи5й(от Р. 71*гы«ог-М05 101 Симметричный гранами» I) ВМиекПопаНташШот Е В*ик гее Попа1. иапыМог Р. 11ВПА1ЫОГ Ы-'ИгвсИоппс! 105. Тярясюр О Тпугй1ог Е Ткупвих Р. ТЬушТог 100 Дяоанын тнрястор Дни не гор О Тпут1ого1оае Е Г>юйе Нн11$!ог Е ТЬупМог *ЛоОс Оздглглсянс Биполярный транзистор с плоскостными переходами Биполярный транзистор, действие которого основано на использования режима лавинного размножения носите-лей заряда в коллекторном переходе Полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал в управляемый электрическим полем. Примечание. Действие полевого транзистора обусловлено носителями заряда одной полярности Полевой транзистор, имеющий один или несколько затворов, алехтрнчески изолированных ог проводящего канала Полевой транзистор с изолированным затвором, в хотором в качестве илозя-ii «он и ого слоя между каждым металлическим затвором и проводящий каналом используется диэлектрик Полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоляционного сюя между каждым металлически» затвором в проводящим каналом используется окисел Биполярный или полевой транзистор, сохраняющий свои электрические характеристики при взаимной замене в схеме: включения выводов эмиттера или истока и коллектора или стока Полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями, нчсюшнй три или более перехода, который может переключаться н» закрытого состояния в открытое и наоборот Тиристор, имеющий дна вывода

Страница 16

ГОСТ 1ЯИ-71 Ор. 15 107. Диодпын (врястор, ж про вода Лий а ооражоя направлении О. Н«к»й»| ар«1тепо« ТЬч- П110(4МКМ1 Е- Рпггм? (■'..«■■■{ амин? 1Ьу-гИн Р. Тпу»1»и>г бмхиг Ь1(Я}(* СП (тег»» 10Й Дяодими тириста». проаодв-иянВ в обр* том направлении Г>. ЯйснжаМ* кнепас Е Велеч* (оппо.-^рв оЧоо* р. ТпупИиг пкмк раь**н1 -ч» 1ПУ«Г** 109. Симметричный анодный тири-сгор Диан О. г*е1г1'ЬМ11Ви1Ь>т1«1И1Ло-йш Е №-Н1ггс1|ОПэ1 0Юае 1Ьуш-(ог г". Тпуп»101 бюсе Ь(-с1г«11"Г1-пе1 110 Триоаиый (иристар Е Тпобе Нц|Ц1м Р. ТнутМот 1ги*к III. Трмдвый 1ИГЖЮР. не гроас-яящнй • Обратном иаираалеини О. кйсьвлгт» ьреттеЫе ТЬл- гЫоПпобе Е. Рг.п^ ЫосЫлс 1гЫ# 1*1>- Г*»1ог Р. ТпутЫм 1гюо> Ыоаиё еп втйгм 112. ТрнодныЙ тнрнстор, проводящий в Обратном направлении и. Вйскв/атЦ 1в1еп<)« ТЬуп- »{ог1по<1с Е. Кпегае солйисЫле 1г»ое1е (лугЫог Р. Тпупз1от 1г1обе раздал1 еп Глтегм Онредазениа Диодный тнрнстор, который при обратном напряжении не переключается, а находится в обратном непроводящем состоянии Диодный тнрнстор. который при обратном напряжении не переключаем», а проводит большие тони при напряжениях, сравнимых по значению с пр>,ыым напряжением и открытом состоянии Диодный тиристор, способный переключаться как в прямом, тая и ш обратном направлениях Тнрнстор, имеющий три вывода Трнодкый тнрнстор, который при обратном напряжения не переключается, а находится ■ обратном мепровозяшем состояния. Примечание. Для траюаиых тиристоров, не вриводащи! в обоатяом нзвэав-К"»" допуеканлен ври менять герм ни (тиристор*, «с ля нсывмаетеа. асАмюаквость другого толкования Тряодяый тярнетор, который при обратном напряжении не переключается, а провозит большие токм при напряжени-на. сравнимых по значению с прямым напряжением в открытом состоянии

Страница 17

Ср. 16 ГОСТ 151})—77 ТсПчи» 113. с гор Симметричный гр йодный тири- Триак 1>. 2*е1гкМипо,в1пуп$)0г1по-ос К. ВЬдЧгесИоял! 1ГЮ4? 1пуг|- йог; Тпас Р Тпуг1»1от (пасе Ы-тШесиол- пЫ 114. Запираемый тиристор О. АЬэспаИЬлмт ТнугЫог Ё. ТиТП-оН 1П)Т1810Г Р. ТЬугЫог ЫосаЫе 115 (Исключен, Нам. Л* 2). По Тиристор с инжектирующим управляющим электродом р-типа О. Ка1ооУпзе111Е ееЛецеЛег Тпупвюг Е. Р-йВ« 1Ьуп$1ог Р. ТЬугМог Р 47. Тирнегор с инжектирующим управляющим алектродом и-типа О. Апо|1ргн^(Шв ее5'еиег,ег Тпушюг С. М-или: 1пуг1Ыог Р. ТпутЮт N 117в. Лавинный триодомй тиристор, непроводящий ■ обратном направлении Лавинный тирнстор Е. Ауа1апепе гехег$е Ынсктд 1пуп5(ог 476. Комониировапно-выключае-. мый тиристор ИВ. Импульсный тиристор Ё Ри1и 1пут1в(ог р. ТпугНЮг э18па( 119. Ото «лек тронный полупрояод-ниаоаый прибор О Ор1ое1еки< м- 1и • На1Ые|ТетЬаае1еше/п1 Е- &еш1Сопаис1о1 ор(ое(сс'гъ п»с йеУ1се Трподкык тиристор, который при подаче сигнала на его управляющий вывод включается как в прямом;, так н в обратном направления* Тиристор, который может быть переключен и» открытого состояния в закрытое и наоборот путем лодачн на управ-14 юший вывод унрлоляюшнл, сигналов юответстауюшей полярности. Примечание. Отношение мечиио-сгн управление и переключаемой мощности должно быть значительно меньше еаншшы Тиристор, у которого управляющий соединен с р-ооластью Iнижайшей к катоду, который переводится в открытое состояние путем подачи на управляющий вывод положительного по отношению к катоду сигнала Тиристор, у которого управляющий электрод соединен с л-областью, ближайшей к аноду, который переводится в открытое состояние при подаче на управляющий вывод ОТрЦЦаТелЫЮГО но 0Т11О- шенню к аноду сигнала Тиристор с заданными характеристиками в точке минимального напряжения пробоя, п ре да» значенный для раессива-ния ь течение ограниченной длигельпо-сгн импульса мощности в области пробоя вольт-ампер ной к а рак терне тики обратного непроводящего состояния Тиристор, выключаемый с помощью тона управления при одновременном воз-дейсганн обратного анодного напряжения Тиристор, нмеюший малую длительность переходных процессов в предназначенный ал я применения в импульсных режимах работы Полупроводниковый прибор, излучающий или преобразующий электромагнитное излучение или чувствительный к этому излучению в видимой, инфракрасной и (или) ультрафиолетовой областях спектра, млн использующий подобное нз-

Страница 18

ГОСТ 111)1—77 Стр. 17 Р и\*рР>> Е Р»КИ0со11р1гт. Ор1«олр!ег Р. РгкЧосомрм-иГ 121а Реаноорнач оиюпара 1216 Дноаияв опюпдря 121а Траизисгориая оигопорв 12!г. Тиристорная олтопара |21д. (Исключен и л» 3>. !21е. Полупроводниковый нздуча- < 'ель, работающий с физический При- | сипикон 121а—121е (Наедены дополнительно, 122. Светоиэлучающий диод сид О исЫеп1!Е1е.'|1к|>1е (1.1'1)( Е. 11еп1-сп11ишо аЫе 133, 123а. (Исключены, Нам. Л 2). 121. (Исключен, Изм. М I). 125. (Исключен, Нам. Л) г). 126 Полупроводниковый «кран Е. &*т1сопс)исгог апа1ов «по*! са!ог лучение для внутреннего взаиыодейстзая его элементов Оптоэлсктронный полупроводниковый прибор, преобразующий электрическую энергию в энергию электромагнитного излучения По ГОСТ 25066-81 между кото-■ обе- ментом, знстора ментом, од 127. Инфракрасный излучающий аи- И-К диод О. 1пиергик> в инфракрасной области спектра в результате рекомбинации электронов н дырок

Страница 19

Стр. 18 ГОСТ 15111-77 Элементы конструкции 128. Вывод полупроводникового прибора Вывод О. АлкЫиаа е*1*а Н*1Ыет1ет- Ьаийетеп1е» Е- Тетгптгл! (о1 в ьеткоМк- Ео* о'.*») Р. Вот* 129. ОенониоВ ■ыаод под уп ров ОД и и-■ового прибора О- Ваммп*сЫн« е1пе» На!- Ч г I; г ■ 1111 и I «> ■ г I е т: 1е ^ Е. Наш (стпипа) Р. Вогпг рг1пс1ра!е 130. Катодный вывод полувроаод-и ивового прибора Ь КаЦизепквдии е*пеа На№!«1е»*аие1етеп1*4 Е. Са!Ьоо* Мтгв^па! ткоги)нс(о« белке) Р. Са1Ьобс 131. А нолями вывод полупроводникового приоора О. д побелен м-п1и<>з е»лев Н а 11меНе < п а ме1етеп1е$ Е. Дпобс 1егтта1 (о! а ястти- сал)||м-|п( беу(се) Р Дообе 132- Управляю»** вывод оолуоро-воамвовсо при бора Е. Оаи- 1по1 пл1 (о! в «т1- соп й 1>-1о* бел'сс) Р. СпНе 133. Корпус полупроводникового Корпус I). ОеМше еим» Иа1Ые11ег- ' .1- ■■'.....' ■■ Е. Рвская* (ся*е) |о! а &етп1- сопбие1лекгрнческуга цепь Вывод, полупроводникового прибора, к которому прямой ток течет из внешней электрической иепн Вывод полупроводникового прибора через который течет только ток управления Часть конструкции полупроводникового прибора, предназначенная для защиты от воздействия окружающей среды, а также для прксоедпнейия прибора к внешним схемам с помешью выводов Лолу проводниковый прибор, не защч-шейный корпусом и предназначенный для использования в гибридных интегральных микросхемах, герметизируемых Блоках н аппаратуре

Страница 20

ГОСТ 15133-77 Сгр. 19 ТсВИВа Определение 135. Полупроводниковый излучаю- Часть полупроводникового щ жбооа шин элемент отображения информации, состояи га я нэ излучающей поверхности и кон тактов для подключения к электрической схеме 135а. Электрод полупровод киков с- Часта полупроводникового пр нбора. Ю прибора обеспечивающая электрический к 0НТД1Т Е. Е1сс!гоае (о( а зетколпис- между определенной областью по яупро- водичкоиого прибора и выводом (Измененная редакция, Из». .4 1,2 ,3). алфавитный указатель терминов на русском языке Г»аэа 26 Блок выпрямительный 71 Влок полупроводниковый 64 Блох полупроводниковый выпрямительный Варикап Вентиль полупроводниковый 71 оч 68 Включение тиристора 60 Восстановление полупроводникового диода обря!ное 35 Восстановление полупроводникового диода прямое Вывод Вывод пояуароводниковою прибора 54 |оо 123 Вывод полупроводникового прибора анодный 141 Вывод полупроводникового прибора катодный 130 Вывод полупроводникового прибора основной 129 Вывод полупроводникового прибора управляющий 132 Выключение тиристора 61 Гетеропереход 16 Гоио переход 17 Диак 109 Днннстор 106 Диод 1>6 Диод рылрямигельный 69 Диод выпрямительный лавинный Диод Гаша 69а 61 Диод детекторный 84 Диод Зенгровский 91 Днод излучающий инфракрасный 127 ДиОД импульсный 72 Днод инжекцнонно-пролстный 78 Диод коммутационный 82 Диод давинко-пролетный 77 Диод модуляторный 37 Диод обращенный 75 Диод ограничительный *5 Днол параметрический 90 Диод переключательный га Днод плоскостной 68 Диод полупроводниковый • 66

Страница 21

Стр. 20 ГОСТ 15111—Т» Д*11 поц проиоанияоаы. ныпрами1е4ьмый I 'I ■ 11. и;-' п'игч1..)вм.« ае те* гарный 84 Диод нолулрояоаниаоаыи. импульсный 72 Даод вол> провоаиааовый коммутационный 82 Л"'и "|> *\лг-' ш р!инмр>гный 83 Дно» светом муча книян 122 Дяод опомнмш Даод с накоплением авраля 73 Дяод е контролируемым лавинным пробоем полупроводниковый выпрямительный 696 Диод ■лияГ0«1«ие1ор 102 Меластрунтура И Модулвинв (одщннм бааы МОП-транзистор 103 Набор пол у провод чип опт приборов 65 Накопление зьрялв в базе — Накопленяс неравновесны* носителей заряда в базе 52 Направление для р-ч перекола обратное 44 Направление дли р п перса Ода прямое 43 Область базовая 26 Область дырочная 23 Область коллекторная 28 Область собственной нлеятропронолиости -5 ОЛлаеть собственная 25 Область мектройная 24 Область амиттсриан 27 Облаеп- ( 25 Область а 24 Область р 23 Оптонара Оотояара диодная 121 Оегтояара везнстоямая 121а Оатлмара тнристоркан 1216 Оптонара транзисторная 131а Перенамчеиие тиристора 59 Передом ' Переход шпьявмой 12

Страница 22

IIсурм>д выпрямляющий Переч л выращенный Период гетерогенный |1*РГ10| ТОМОТеНИЫ- Переход диффу тноиный Период дырочно-дырочный Переход кодаенщриый Период ночвсрсниочиыЙ //(пик) ■и*я»"*" (■*-■•<•.« Переход ыньрасп.мвиой Переход (ч™1" Переход плавный Лом-ход идандрный Переход плоскостной Переход редкий Переход сплином Лереюд точечный ПгрггоО гянкгмй Переход Шоп.» Переход вяолрнческий Период алевтронпо-дырочны» Переход алевтронночлемропный Переход амнттерний Переход впнтакснадьмыЙ (к ре ход *>•* Переход р-« Переход р-р- Прибор полупроводниковый (ПП| Прибор полупроводниковый бескорпусный Прибор полупроводниковый онтоадеагрониий Прибор полупроводниковый силовой |СПП) Пробе* р-н переходе 11,->"бо* с-'1 перехода лавинный Пробой рп период* тепловой Пробой о-п периода туннельный Пробой о-п перехода адеитричегкнй Прчяол баш Рассасывание заряда ■ базе Рассасывание неравновесных носителей за рада в бале СВЧ-дака СИД Слой запирающий Сд»Л запорный Слой инверсный Слой оЛеаиенный Слой обогащенный Состояние тиристора в обратно*! на и владении непровода Состояние тиристора аа» рытое Состояние тиристора открытое Стабилитрон Стабилитрон полупроводниковый Столб выпрямительный Столб полупроводниковый выпрамитедьный Стящ Струнтура Структура МДП Структура мгталл-диментрян—полупроводник

Страница 23

Стр. 22 ГОСТ 151)1—77 Структура металл—мксса—полупроводник 37 Структура МОП 37 Структура полупроводниковая 134 Структура полупроводникового прибора 35 Тиристор , 105 Тнрнстор диодный 106 Тнрнстор диодный симметричный 109 Тиристор запираемый 114 Тиристор импульсный 116 Тиристор комбинированно-выключаемый 11/6 Тиристор лавинный II7а Тиристор, непроводящий в обратном направлении, диодный 107 Тиристор, непроводящий в обратном направлении, трнодпый II) Тиристор, проводящий в обратном направления, диодный 108 Тярисюр. проводящий в обратном направлении, трнодный 112 Тнрнстор, непроводящий в обратном направлении, трнодный лавинный 117а Тнрнстор с инжектирующим управляющим электродом р-тнпа 116 Тиристоре инжектирующим управляющим электродом п-тин» 117 Тиристор трнодный 110 Тнрнстор трнодный симметричный ИЗ Транзистор 94 Транзистор бездрейфовый 35 Транзистор биполярный 04 Транзистор диффузионный 95 Транзистор дрейфовый 96 Транзистор канальный 100 Транзистор ланииный $9 Транзистор типа металл—окисел—полупроводник полевой 103 Транзистор плоскостной 98 Транзистор полевой 100 Транзистор с изолированным затвором полевой 101 Транзистор симметричный 104 Транзистор типа металл—дналектрик—полупроводник полевой 102 Триод точечно-контактнгхй 97 Транзистор точечный 97 Триак 113 Тринистор ПО Часть базовой области активная 29 Часть базовой области пассивная № Элемент излучающий полупроводниковый 135 Электрод полупроводникового прибора 13-та Эмиттер 27 Эффект смыкания 51 (Измененная редакция, Нам. /6) I. 2). АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА НЕМЕЦКОМ ЯЗЫКЕ АЬЬаи уоп 0Ьег5спи&&1ас)ип2а1га^егп ш пег Вазтз 53 АЬ&спа11Ьагег ТпугЫог 114 АМта'сг ТеИ аез Ваз1эвсЫо1с* екпез Ыро!агеп Тгап;Ыога 29 ЛпооепагйсЫни е 17 ДпгетспегцпеисЫсМ 41 Аи5сп1ивв ешеа 11а!Ые^егЬэие1степ1с5 128 АииспаИеп етс» ТЬуш'ога 61 ВагшапэсМизз ете* Иа1Ыс|(егЬаие!етеп1ез 129

Страница 24

В1а!гек1юпа11тапв1*1ог В|рсчасе1 Тгапм*1ог Вюскктаиаига *1им ТЪунХог» 1>е 1ск1С 1е*1г опсп в»1 Ь * 1 1>1л1п (Зсжьсг Оикаогисп *1е» рп Гк^.щч Г>шсМл*5гкп(илв Ос* рл СЬецгапвез ОигсН1а5!7и$икк1 «1пе» ТпугвЮг* Мш51'||и(п|;ем ое* ОигсЫпмъЮегМат'е* е| Е1еки1ьспег ОигсЬЬшсп аса рп-ОЬегЁапс;« ЕЭД(НхЬс* I 1.-:ц.и а; (ЗгягггклкМ) Е1ек1гопепс;еЬ1с| Еп11Чете*Ь»е| Ею I Нм 1«гв * " аТ Е|н1ах1еиЬегЕ|пВ Са1е (Тог) |>-.1.* еих» Ш1Ък>кгЬл1*кп>*п1с5 г>Ьааа«!с4«* На1Ь|*(и^1*ктт>т»н (м'окелсг СЬ«т*апв ОкКпгкЬ1егйЬ*(в;*пв; Сипп-ЕктепЕ Ре1гМкк11гагЫа1ог (РЕТ) РеЫеНекИгапаЫог ш11 ЦоНегкт Оа1е Г1лсЬсл11апа1а101 рЦспспйЪегрлив На!Ьк1№1Ьаие)етсп| На! Ьк 11сгЬсв («лге»б (Обе Н а :Ь'а*11ег бетоо и! а\о1 А юбг Иа1Ькэ1г^1о<1« Н»:Ьк1!с>!кг*па1М* Нл1Ып'е'в:«кМкЬМ1с!к-5с На1Ьк1>хг-ИР-э<Ги11(а1оск И а I Ьк' нп н] юск На1Ы«1и!г1л)п1|оЛ11аи'1<|1а|0С1С Н а 1 Ыс\Ш I а «г» пс п! ей i; «И о 1ойе Н а iЬ1С11сг i« »1 и л к »Ьа и* кгг*п1 Н а 1Ы* 11е г т I *с по* »о«| в 11а1Ыс1<сгтоаи!а1ог|||оас {ЫЫшеггаигсЫкмк Н|)Ые|1ес«с1|а1Ы1ос1а На1Ые1(ег&рЦгепа)ол> На1ЫеИ»г|1(а1)кг Н а! Ьк11сг111ПГИ"1оиМ)> НаФ1с|ЧаиЛ11иплг!а<>11с Иа1Ы*|1сг» а гак1с*ок-Й На1Ь1е11г1Уеп-:с1испсгс)>с<1с На1Ък ,':):.i-Не1егойЬегиапв Нсктюселст СЬсгеапк 1п(1аю1е1Г1К1паЫс (1РГО) i пу«г51* о лаасМс п 1 Капа!

Страница 25

Стр. 24 гост 13133—77 КазагиаисНойе КаЫашясМиэз е1пез На|Ъ1Ыегааис1тег;[сз Ка'оскпзс!!^ 8е5(«иег1ег ТпутЫог КоИекюгцеЫе! КоНскЮгйЬсгеап^ Копуо &)оп$йЬег0;агц> 1а|Ьпе;**рек1н-гиЧоие иалтелй'игсп&гисп ом рп-СЬсгцзлеез 1лц|пел1гап*»1дг Ые П. .ЧгзэзииМиг Ме1а|!-01е1екСг1кит-11а1Ые11ег-5(гик[иг (М1&-51шк(и() МоШ1 0«1а-11а1Ыс(1ег-51гик1иг (М05-51гик(ит) М1кго1об1ег(ег ОЬе'Еапа М15-Гс1(1е11ск11гапя1510)/ (М15-РЕТ) МооЧНаиоп скг ВзшЪгеКе МО&-Ре1г1е11ек<1гап*1$1ог (.405-РЕТ) пп^-иЬсгвапб: 0!ип1асЬес ОЬегцлпъ Ор1оскк1гоп15сКсг Корр1ст Ор1ог!ск1гоп1»С1)еа Наш1е1(егЬаие1ет«л1 Размуег Г«П без Ва$1»дсЫс1сз е1гв-5 Ыро1агеп ТгапзЫогз Р1апа'йЬсгдалд рп-ОЪегфдпв; рр'-ОЬсгрлпд ГЧшкШЬегцапе НйскийП* кКсгкк ТлугЫогсИоас РйскИ'агЦ кИепое ТЬушкнЫоск нЧ.екиаМз зреггепое ТйугЫогоЧоск КйскшагЧз зреггслае Тпупз1о11г1оое ЗсЬоЧку-ОЬегнзпй Зоигее '(ОиеИе) ЗрскМегипз уоп СЬ«13Слиаз1аЛипез(г%еп1 1п Лег ВазК( ЗрегсММигн* <1с$ рп-ОЬегвяпЕсэ ЗрсггзсНкп! $регаиз1ап1 е1пе* ТнугГмогз $р 1« с п( га пвЫот ЗиЛе: [',[-•. у;,и\,1 ЗкН^сг ОЬсгоапв 51еиеге!еккоое сим* На1Ыс1(егЬаие1етеп1е* 51шк1|1г апсз 1 ЫЬкНегЬаисктспкз Тпегт1ьспег ОигслЬгисп скз рп-ОЬеггаигеэ ТНупМог ТпугЫогакчк ТпупЗ(Ог1гк)дС ТилпсИигспЬгисИ <1ез рп-Щегвапаез иНР-НаШйкгйккк 1>гпзсла11еп ешез ТЬугМогз Уега I т илцгззс 1| к НI \Укасгпег51е11ипв вез Зреггаккгзгэпае). е1пег Нат.ЬкКег&оас 2йпс1еп е!пез Тпупз!ог5 / *с! пс Ы и п д51л >т Ы о га" Ы е ?. <* е 11 к I) I н п ц * 1Ь у гтзI 011 г I об с (Введен дополнительно, Нам. М 2).

Страница 26

гост 15113—77 Стр. 35 алфавитный указатель терминов на английском языке АЬгир! )ипсПоп 5 Лс1«е раг( о! Ьаае рее'оп 29 АНоусо" )ипс!юп 12 Лпоое. 1егт1па| (о| а юпкопйис!» Деллсе) 131 Ага1апсгм; госШкг сНоск 0а А\'а1апс1те геуегае Ыоскилр; (пугШог ЦТа А^а1апспс (гапя'&'ог 99 Вагпег гецкт (1ауег) 40 Вам 1ее'оп Вазе Нискпе&а тойи1а11оп 26 &0 Всат 1са<1 яеткопаисТог оелгке 134 В1о1Г«11опа1 о!оае ОпхЫог № В1а1т«иопв! иапа»9гог 104 Ш-сКгесЫопа! 1гкк1е (пугЫог из В1ро1аг (гап&Ыог У4 ВгсаЬбоап о! а Р^ ]игкИоп 45 Са11нк1е (еггшпа! (о! а аетпкопаисШ аегке) 130 Спапке! * 31 СоНеаог )ипсНоп 22 СоПссГог грЦ10п 28 0.>п:(с11е<1-а\,а1апспс гесШьег а: ой с «№ Сопусг51оп )ипс1к>п II ОеркНоп 1ауег 1МссЮг оЧоас 39 84 ОШччч! |иас(('оп 9 0;Ии410п 1гати»1а1©г 95 РЫс (пугЫог 10$ Ога 1п 33 ОтИХ (оШикс) Клп*|«1ог 96 ЕккЛюое (о! а 5*гшеопаис1ог скуке) 135а ЕпКИег )ипсНоп 21 ЕпиТтег ге#1 оп 2Т ЕпгкЬед 1ауег 41 ЕрИалш! |11пс1юп 15 Е*«» саггкг гезотрИоп (1п 1пе Ьа$е) 53 Р1с1а-с[(«1 (гапаМог 100 Роглага акесИоп (о* а Р-К ]ипсКоп) 43 Рог «а та тексту 54 Са1е 34 Ся1с (спита! (Ы а зеткопс1ис1ог скуке) (32 Са1е ЫдоеНлр; о( а :Ьуп$1ог ео Он« 1итпщц.оН о! а (Пупакм 61 С га бес) \ипсПоп 6 Ого*" ]ипс110п 14 Оипп аЧоое 31 Не1е1оиепоиз )ипсЧол 14 Нотовепоив )илс1к>п 17 1трас1 ауа1анспе(зпа-) (гапаИ Ите оЫе 77 1п1(а-гса-стИ1|пе аЧоск 127 1»)ес11оп- (аш1-) (гапаК Игле с)Ыс 1паи1а1са-еп1е РЕТ 78 101 Мппйс гев1ол 25 1пусг$1оп 1ауег 42 'ипсЬоп 1 зипсИоп <1кч1е

Страница 27

Слр. 24 гост 15133—77 •ипеиоп «ап$151ог Ж Ьщпигтишк «ИоЛе ;■."□> \22 .Ма)п 1ет11па) 129 Ли5а-51гис1иге 38 Мкю-а11оу ]ипс(10п 13 М*1сго»ау« сНоде 76 Мкго»ауе ИтНша о1оос 85 МшомСу сатЧг а(огвр;е*1т 1Ъе Ъазе) 62 МГ$-5<гис1иге 56 М|$-!|апа15Юг 102 М05-з1гис(и(е 37 МОЗ-папЯзЮг 103 N•§310 ы1УГЫ01 117 N-14» ЦтсЧоп 3 х-гсекп 24 01Г-з1а1е о! а 1пугч»1ог 56 0пш1с ^псЦоп 20 Оп-а1а1е о1 а 1пупз1ог 57 ОрЮсоиркг 121 Раскате (сазе) (о( а зеткоп<1ис1ог скуке) 133 Ра$81\с раг! о! Ьаас тсеюп Реа1е 1Ьуш1ог 30 116 И.ю1осоир1ег. 121 Р1\ йоде 83 Р1апаг )ипс1>оп 10 Р•N (ипеНоп (Р-М (ипеиоп) ауа1апспе ЬгеаЫоил 2 47 РгЧ 1ипс(кч1 екскка! Ьгеакаожп 46 (Р-М 1ипс11оп) Чшта! ЬгеаксЫ-п 49 Рт1г1 соп1ас1 дгоде 67 Рот1-еоп1ас*. )ипс1юп 8 Рот1-соп1ае1 (гапаЫог 97 Р-Р*- |ипс<Лоп 4 Р-гев"1оп 23 Ри1зе (пугЫог 118 РипсМптои^п 51 кесШушв дипсИоп Кеуетае ЫосШе ОоЛе 1Ьумэ10Г 19 107 Иел'егзе Ыосктр; *1а1с оГ а 1п>тгх(ог Яел-егае ЫоекШв (гЫе Шупзки Ясл'егм сопбисНпв сКскк- №уп*1ог 58 (II :08 Яеч'егзе сопоисИпя 1иобе (ЬугЫо! 112 Реч-стае бкесЦоп То! а Р-Н )игк(к>п) 44 Яеуепе гесоуегу 5с1«11ку (-Ьаггкг) (Поое .'5 5с1к»11ку )шкЬоп 18 &с1п]|готи1ие1ог апа!ое Ыкакт 126 5ет1сопо*ис1ог азбстЫу 64 5сткоги1ис1ог аязетЫу зе1 65 5еп1колс1ис1ог сЬагас!сг оЧмИпу 120а Зеткопйиски- «Течке 52 Зет |сопб и с 1ог аЧоое и $ет|сопаие1ог 1геаиелсу шоШрисаИоп аюй*а 86 5етпкетаис1ог пикет йоде во &ел11соп<1ис(ог гпекЫаим ОЧоск 87 $еткопоис(ог по<5с 4(00* 93 $егпко<н]ис1ог ор!ое1ес1гопк скуке 119

Страница 28

$ел1 копаис!ог ор1ос1ес»опк «Пагиау Зешкопаш рагэтеШс (атрИПсг) а" юс! в Зеткопо'кс'.ог рМдетШег $сп1П'олиис(ог ро*ег ае\ке 5ет!сопс1»к:1ог гесНЬег аззетЫу ЗсгтсопйисЮг гееШкг бюсЧ $етп(согк1чс1ог гесНиег 5(аек $1дпа1 О) ой г 5пар-о11 (зЧер-гесоуегу) АЫе Зоигее $(гие1иге ЗигГасс (ипсНоп ЯлИсМпв оМойе $*дк!итм> о! а (пуНа1ог Те/л) та! (о! а 5сгл1сопс111с1ог Йеуке) ТЬуп*1ог Тпас I ООС ".!■>! I «О] Типов! с) юс) с Тигп*оН 1Ьупа1ог йпНиппе! (ЬасЬ«ага) акхк у*аг!аЫе сарасИапсс <Ноч1с УоНавс >е(е1епсе «Ноое 2еппег (1ипп«1) ЬгеаНоип (Измененная редакция, Нам. М 2). АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫКЕ ЛссишииКол йе рогкигз а'ехсев <1ап5 1а Ьазе Агоогсаяе с!е 1пуп5(ог Апнк Д»стЬ!айс а 5егп1сопоис1еига В1ос ае гсогез&етея! (а *ел1копаис1еигз) Волк Вогпе рг1пс1ра1е ■ Сапа! С*р»ик Са:гкх1с Оациаее (сГипе ]опс()ол Р-Ы) Оаоиэвс с1ее1под1е ((Типе )опс1!ОП Р>М) С1л111сгс раг е11е( 1псггп1Чис {(Типе )опс<.юл Р-И) СЦ^иаде раг е(к1 2сгтег (1иппе1) Сошти1а|10П <)е 1пуг!$1ог Соиспс ае асркНоп Соцсле итпУсмЮл Соиспс епгкпк Оёзатогевее Йе (ЬугЫог Р1оо> а а\*а!апсЬе а (етрз се 1гап$:( О!ос!е а сарас^е уапзЫе (уагкэре) Эюао а (гцееНоп а (етрз ос (гапзМ 0"«1е а ]ог:е!(ол !).|)чк а рош!с Окик а аеткопо'искига и'о<1а а зегшеопоискигз роит 1ог1е ршазапсе

Страница 29

Стр. 28 ГОСТ 77 1)]|>ае бе ЬпиЧ 93 01оае >1е соттииНол 79 Шоае 11е НппЧаИОп <1с пурсИгёчиспсеа 85 Оюае ае тейгеазетел*. 69 Ойбе 0« ЗсгюИку Ошав ас1«1Псс в зеткопсискигз 88 84 Шоае <1е Ьячхоп бе ге1егепсе 91 Ото* (ЛшриЫоп 72 Ошае стеШке еп Мгагоице 127 ОЫе сп пурсгкгдтиепсез /6 Оюае Оипп *1 ОЫ« тч-епс 75 ОюАе тсип^сше 80 Оюае пккШаике (в ветколоиск-ига) «7 !)!о1!с рагагтмНпаис (а 5сткопс)1К(сшз) 911 ОШв РШ 83 &)вае роиг глиШрКсеНоп с)с (гсоислсс ОМе 1иппе1 86 м ОюрсвИИ ор1СчЧех1гоп|а,11с кткоп<1ие1сиг 119 015гм)5|1|( а зеткопйиссеигз О&ромШ 5ет1с1>пс1ис1сог зала ЬоНкг 62 134 Ога!п 33 ЕЫ Ыояис Лапа к- зела ктгае ое (пугЫог 58 ЕЫ Ь'оси; >1с (пупз1ог м ЕЫ ра$яапг. бе (пупзЮг 57 СпИе 34. 132 аопсИоп 1 ОопсНол аЬгирК 5 Лож Нои а (Ш 1и1*(оп 9 ЛопеЦоп аШё 12 ^пс11оп а роШ1е 8 ЛопсНол соИескит 33 .1опс1к>п де сопуегз1оп и ЗопсНоп бС СГ0155аГКС 14 ■опсЦоп с)е рзг зш1асе 7 .1опс11оп сгпШсиг 31 аопсЧоп срНах1ак 15 ЛопсНйп егабиеПе б 'опсНоя МЙговёЛв 'опстЛоп поток*пе 16 17 ■опсИол ткгоаШё 13 аопсНоп NN 3 ОолсИоп оптгЧие 20 ■опсиоп р1зпаг 10 'опсЦоп Р-И 2 'опакш Р-Р 4 ОпсЦоп гебгезаеизе 19 'опсгюп БсЬоНку 18 Мо(1и1а1кт ДОрмамш <1е Ьаяе 60 РепёПаКоп 5) РЬо1осоир1ег 121 РЬо1оспк1киг а $еткояа№1сш* 120 РссоиУгетеп! акес! 34 Весоиугстсп! туегзе 55 №кт1оп ас1Лс ае Ьазе 39 Ксекчг с!с Ьагпсгс 40 Рек'*"» бе Ьаье 26

Страница 30

Б^оп о> соИсскиг Ксцип «ГслмКМиг Бсцк>л 1п(Г1П1гЧ)и« Йгроп N К<вкИ1 Р <-'.:" ршгус «к Ьааа К<Л«р!.ои <1с ро*1*иг» о'еигЧ ааги 1» Ьие $*щ д!г«1 (а'ми рмк1к» МП 5*ш )т«гм (свое (оекЕюа РХ> 8«мм 5слкЬв| 51пк1цге-М15 &иис(иге-МО& ТЬупаЮг ТЬугЫог ЫослМе ТЬу[1а1ог Люде Ы-Л1г»е1юпгиг1 Тпуп»1©г о(оаг Ынриг «-л 1пу«(» Тпушгог (Иоас раа*м( еп шуегае Тпуг*$1ог N Тяуттйог Р ТЬуИз1ог »1(цд1 ТЬугЫог 1г|см1е ТЪугЫс-Г И 0.1. Ы .Ьм-.'.шг.п, I Тпуг1з1ог 1поое Мсп.и* сл (пусгк ТЬуГ11(0Г II |'.и,..| «л 1пу«Г1С ТгалаиЬм * |Уа!апепс ТгааздЮг * аЧПиаюп ТпаайЬх а •!<•< 6* «Нагар ТгапанШ а еПе! ее евагар а р!!к 1*о1*е Тгапдоим а квк1км ТгапзЫот а ро«п*в Тгапаним Ы-в1гк(к>л1>г1 ТгаПВЫог ■ ; Тгёпв)ь(ог «П ОсНУв Тгапа>»1о1-М15 ТгапаЫст-МОЗ (Намсжинав редакция, Иш. М 2, 3). гост 1513)—77 Стр. 39 28 27 25 ;4 23 30 53 43 Л4 32 35 за 36 »7 105 114 106 100 107 106 117 116 Пч ПО 118 Ш 112 99 П и-Д >01 "» 97 104 94 9Ь 102 [0.1

Страница 31

Стр. 30 ГОСТ 15133—ТТ ПРИЛОЖЕНИЕ Справочное ПЕРЕЧЕНЬ. ТЕРМИНОВ СТ СЗ)В )1М— 81. НЕ ВКЛЮЧЕННЫХ В НДСТОИЦИН СТАНДАРТ I Фот оч) ветви тельные полупроводниковый ариоор. 2. Фогоимтра-кский полу■ роводв юсовы» приемник -злу1ен-« 3. Фотормиетор 4. Фотодиод в, Фототраизистор 6. Фототире гор 7. Туннельный эффект (Введено дополнительно. Нам. Л 2. 3). Редактор В. С. Бабкина Технический редактор Э. В. Д(нтЧй Корректор Г. И. Чуйко Слано а пай. 13.01 *Т Пол"- и на». ОВОв.вТ т.О тел. в. л. 2.0 ус* кр.-отт. I.» уч.н»д. л. Тир.» -.ООО Цена 15 «уч. Ордена «Зала Почета* ([жительство етапдартов. 1233+х Мост. ГСП. НооолпесиснскиВ пев., а. Э. В"'-««4г.аи тяп>;:р»*>и" Иадапяктва стаяя'РТОа. )л. Ммдауго, 2шя. КТО.

Страница 32

Э. Э.ЧГКТРОННЛ.Я ТЕХНИКА. РАДИОЭЛЕКТРОНИКА и свя^ь Группа ЭОО Изменение дь 4 ГОСТ 15133-77 Приборы полупроводниковые. Термины и определения Утверждено н введено в действие Постановлением Государствен к ого комитета ЧХСР по стандартам от 23 Об.вЯ Л 2193 Дата введения 01.12.88 Вводную часть изложить а новое редакции: «Настоящий стандарт устанавливает термины н определения понятий полупроводниковых приборов. Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения, во всех вида* документации и литературы, входящих в сферу деятель-ноегн по стандартизации илп иепольэуюших результаты этой деятельности. Степень соотнетстдия настоящего стандарта СТ СЭВ 2767- 85 приведена ч приложении. 1, Стандартизованные термины с определениямп приведены в табл. I. (Продолжение см. с. 368)

Страница 33

лжение изменения к ГОСТ 1$13&-;77} 2. Для каждого понпгия установлен один стандартизованный тгрмкч. Применение терм иное-синонимов стандартизованного термина не допускается. Недопустимые н применению те-рмииы-скнонины приведены 8 табл. Г в качестве справочных н обозначены пометов «Ндгг» 2.1. Для отдельных стандартизованных терминов в табл. 1 приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их-различкого толкования. 2.3. В табл. I в качестве справочных приведены иноязычные зхвкваленты для ряда стандартизованных терминов на немецком 10), английском (Е), в французской (Р) языках*. 3. Алфавитные указатели содержащихся в стандарте терминон на русском-9.тк" и их иноязычных эквивалентов приведсны в габл. 2—5. 4. Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая фоэма — светлый, а недопустимые синонимы — курсивом», Таблицу дополнить словом: «Таблица I»; I н тн изменять, вводи 1ых о них терминов. в них произвол» указывая объек должны наруша дарте. 1ятич Изменении не шых и данном стан- (Прободения см. с. 369) 96В

Страница 34

(IIродолусение. изменения к ГОСТ 15133-77}' графа «Термин». Термин 120 дополнить краткой формой: ■Излучатель»; графа «Определение». Для термина 121 заменить слова: (излучающего в фотопрнемпого элементов» на «излучателя а приемника излучения»; для терминов 121а — |21г имении, слова: «фотопрнемпого элемента» па> «приемником излучения». Стандарт дополнить терминами — I ЭОб. 121ж. 121з, !27а— 127с и их определениями: 1206. ПолупроволнвковмЙ приемник излучения огноздеитрон-ного прибора Приемник излучения 121ж Дифференииальиая диодная оптопара 121 >. Тиристорняя опюпдря с симметричным выходом 127а Фотодиод О 1 г.. Е. Рполуча геля Тирисмриая оптопара, с симметричны» диодным или триоди ым фототирястором По ГОСТ 21934-83 По ГОСТ 21934-83 Но ГОСТ 21934-83 Тнрнстор, в котором используется фотоэлектрический эффект О птоз-чек тронный вол у проводниковый прибор, состоящий из излучателя и приемника излучения со схемой коммутации аналогового сигнала па выходе Оптоэлскт репный полупроводниковый прибор, состоящий на излучатели и приемника кзлучявня со схемой коммутации тока на выходе ОптозлектропиыЙ коммутатор нагрузки со схемой коммутации по цепям постоянного тока Огпсэлектронный комму г лор нагрузки со схемой коммутации по цепям переменною тока Онтоэ.тсктронный по луп ров од инков ый прибор, состоящий та излучателя и приемника излучения со схемой логического ключа на выходе ' т -I- -■ ■- см. с. 370)

Страница 35

(Продолжение изменения к {'ОСТ 15133~'77) •ПродОАхехие Термин 127к. Линейный оптоэдектронный полупроводниковый прибор 127л. Оятрои 127м. Отражательный октрои <27н. Щелевой октрон 127о. Волстрон 127г. Оптопрсобразователь 127р Линейка опт о «лея тронных полупроводниконых приборов |27е. Матрица оптоэлентронных полупроводниковых прибо. ров Оито(......ни' полу ирово дни новый прибор, состоящий и> дифференциальной оптопары или дв)х диодных гчнопар и ||рслна>ялчснный для преобраюеамик сигналов, шменнннлнхея по анкону непрерывкой функции Олзоалсктронный полу проводниковый прибор, а кончили сщичккаа связь мекд) излучателем и ЩШ/Л инком излучения осуществляется пс- открытому оотяческому каналу Онтрои. в котором приемник И ..!■ КИИ принимает световой п-нок. отраженный от О'ражат.'.тьиой поиерхнпои, расло-тожек-ней иа определением расстоянии от излучат ела Октрои, в ■огорчи между имучателем « приемником излучения для управления световым в со о* ом устававл—а<и свет ом про-ям наем у»! ■«)!■■■ Опто.тектроаиыи а-олуорсашмиовый прибор, в к1-"Г"м оапгчеенаи связь между излучателем в приемником «идъчеиив осу шее повете и пи протяженному оптмчесиоыу каналу. Примечание И пучатель м приемник итл) чалма могут импь схемы •лемршмп* ГО I ■ Отмулектриииин мшу проводниковый прибор с одним i. ш несколькими р—п* пс-реходямп. раб-.-аютнЙ а режиме передачи и (или) приема ш щлучеинн Совокупность имомактронныл полупроводниковых лрпЛор>«1. рас положит их с заданным шагом и* 1(.1И"Я .■имей и Совокуансоь ■-лиолеюройных полупро-воднивовых ■ рнборов. группированных по строкам и столбцам Алфавитный указатель терминов иа русском Языке изложить лицы 2 со следующей голов вяде таб- Тгриин Гоиеп теринпя - Таблицу дополнить терминами (в алфавитном порядке): (Волстрон Излучатель Коммутатор аналогового сигнала оптоэдектронный Коммутатор нагрузки опгоэлектроннмй Коммутатор переменного тока оптомсктрэняыГт 127о 120 127л 127с 127*, (Продолжение г.и с. 37!) 370

Страница 36

(Продолжение изменения к ГОСТ 15133— 77} Продолжение- Тгрмкп Г.'оигр терниил Коммутатор постоянного тока оатоалектронный 127ж Линейка оптозяехтронных полупроводниковых приборов 127р Матрица огпозлектронннх полупроводниковых приборов 127с Октрон . 127л ' Октрон отражательный 127м Октрон щелевой ■ 127к Оптопара диодная дифференциальна я 121* Оптопара с симметричным выходом тирнсторыая 121» О л т опрсобразо аа те ль - 12 7 и Переключатель логк'гЪсинх сигналов ошоэлсигроииын 127п Прибор пол у провозпиковый оитоэлектроиный линейный |27к Приемник излучения 1206 Приемник излучения отозлектронного прибора полупроводниковый 1206 Фотодиод |27а Фотореэжтор 127в Фотохирнстор 127г Фототраизнстор 1276». Алфавитный указатель терминов липы 3 со следующей головкой: немецком языке изложить в виде таб- Номер Таблицу дополнить терминами (в алфавитном порядке): •РоМЫс 127а Ро!о|Ыпз1пг 127г ГЧХ01ГЛП5151ОГ 1276 Ро1о«!|1етв1ап<1 127в». • (Продо.гжение СМ. с. 372'/

Страница 37

I Тер*'" Номер гермим Таблицу дополнить терминами (в алфавитном порядке): «Се11и1с рпо1о1пс'ис||уе 127в РМоотойе 1!7а Рпо1о!пушк.г 127г Рпо1о(глпзв1ог 1276».. Приложение изложить в новой редакции: ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ О СООТВЕТСТВИИ ГОСТ 15133-77 СТ СЭВ 2767-85 Пои.р пункт. ГОСТ Номер пу»"т» СТ СЭВ 1П7-1 2.6 4.61 4.62 (ИУС Ы 10 1988 г.) (Продо.хжени* изменения к ГОСТ ШМ—77). Алфавитный указатель тсрмнлов на английском языке изложить в. вив' таблицы 4 со следующей головкой: _Г 7ср«п> Номер- ТСРМРГ! Таблицу дополнить терминами (в алфавипюм порядке): «Рпо1осоп(1исиуе се)1 127в Рпою<11сч1е 127а Рпо1о1пуг1Мог 127г РовЫгапзЫог _ 127б>. Алфавитный указатель терминов на французском языке изложить а виде таблицы 5 со следующей головкой:
Заменяет ГОСТ 15133-69