Товары в корзине: 0 шт Оформить заказ
Стр. 1
 

42 страницы

747.00 ₽

Купить ГОСТ Р 57436-2017 — бумажный документ с голограммой и синими печатями. подробнее

Распространяем нормативную документацию с 1999 года. Пробиваем чеки, платим налоги, принимаем к оплате все законные формы платежей без дополнительных процентов. Наши клиенты защищены Законом. ООО "ЦНТИ Нормоконтроль".

Наши цены ниже, чем в других местах, потому что мы работаем напрямую с поставщиками документов.

Способы доставки

  • Срочная курьерская доставка (1-3 дня)
  • Курьерская доставка (7 дней)
  • Самовывоз из московского офиса
  • Почта РФ

Устанавливает термины и определения понятий в области полупроводниковых приборов. Термины, установленные стандартом, рекомендуются для применения во всех видах документации и литературы в области полупроводниковых приборов, входящих в сферу работ по стандартизации и (или) использующих результаты этих работ. Стандарт предназначен для применения предприятиями, организациями и другими субъектами научной и хозяйственной деятельности независимо от форм собственности и подчинения, а также федеральными органами исполнительной власти Российской Федерации, участвующими в разработке, производстве и применении полупроводниковых приборов в соответствии с действующим законодательством.

  Скачать PDF

Переиздание. Август 2018 г.

Оглавление

1 Область применения

2 Термины и определения

Алфавитный указатель терминов на русском языке

Алфавитный указатель терминов на немецком языке

Алфавитный указатель терминов на английском языке

Алфавитный указатель терминов на французском языке

Приложение А (справочное) Термины и определения общетехнических понятий

Показать даты введения Admin

Стр. 1
стр. 1
Стр. 2
стр. 2
Стр. 3
стр. 3
Стр. 4
стр. 4
Стр. 5
стр. 5
Стр. 6
стр. 6
Стр. 7
стр. 7
Стр. 8
стр. 8
Стр. 9
стр. 9
Стр. 10
стр. 10
Стр. 11
стр. 11
Стр. 12
стр. 12
Стр. 13
стр. 13
Стр. 14
стр. 14
Стр. 15
стр. 15
Стр. 16
стр. 16
Стр. 17
стр. 17
Стр. 18
стр. 18
Стр. 19
стр. 19
Стр. 20
стр. 20
Стр. 21
стр. 21
Стр. 22
стр. 22
Стр. 23
стр. 23
Стр. 24
стр. 24
Стр. 25
стр. 25
Стр. 26
стр. 26
Стр. 27
стр. 27
Стр. 28
стр. 28
Стр. 29
стр. 29
Стр. 30
стр. 30

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ТЕХНИЧЕСКОМУ РЕГУЛИРОВАНИЮ И МЕТРОЛОГИИ

НАЦИОНАЛЬНЫЙ

( стандарт ( ) РОССИЙСКОЙ

ФЕДЕРАЦИИ

ГОСТ Р 57436— 2017

ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Термины и определения

Издание официальное

Москва

Стандартинформ

2017

Предисловие

1    РАЗРАБОТАН Акционерным обществом «Российский научно-исследовательский институт «Электронстандарт» (АО «РНИИ «Электронстандарт») совместно с Акционерным обществом «Центральное конструкторское бюро «Дейтон» (АО «ЦКБ «Дейтон»)

2    ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 303 «Изделия электронной техники, материалы и оборудование»

3    УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 4 апреля 2017 г. № 249-ст

4    ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ

Правипа применения настоящего стандарта установлены в статье 26 Федерального закона от 29 июня 2015 г. № 162-ФЗ «О стандартизации в Российской Федерации». Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего года) информационном указателе «Национальные стандарты», а официальный текст изменений и поправок — в ежемесячном информационном указателе «Национальные стандарты». В случае пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет опубликовано в ближайшем выпуске ежемесячного информационного указателя «Национальные стандарты». Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в информационной системе общего пользователя — на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (www.gost.ru)

©Стандартинформ. 2017

Настоящий стандарт не может быть полностью или частично воспроизведен, тиражирован и распространен в качестве официального издания без разрешения Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии

II

ГОСТ P 57436—2017


50    полевой транзистор с управляющим р-n переходом:    de

sperrschicht-feldeffektfransistor junction-gate field-effect transistor

transistor ё effet de champ ё junction de grille

isolierschicht-feldeffekt-transistor; IGFET insulated-gate field-effect transistor

transistor a effet de champ a grille isole

N-kanal-feldeffekttranssistor N-channel field-effect transistor

transistor ё effet de champ ё canal N

P-kanal-feldeffekttranssistor P-channel field-effect transistor

transistor a effet de champ ё canal P

feldeffekttransistor mit metalloxid-halbleiter metal-oxide-semiconductor field effect transistor transistor a effet de champ meta l-oxyde-semicond ucteurs

feldeffekttransistor mit

metall-halbleiter

MIS-transistor

transistor ё effet de champ

metal-semiconducteurs

Полевой транзистор, имеющий один или несколько затворов, электрически отделенных от канала р-n переходом, смещен- еп ным в обратном направлении.

fr

51    полевой транзистор с изолированным затвором: По- de

левой транзистор, имеющий один или несколько затворов, электрически изолированных от канала.    еп

fr

52    N-канальный полевой транзистор: Полевой транзистор, de

у которого канал проводимости N-типа.    еп

fr

53    Р-канальный полевой транзистор: Полевой транзистор, de

у которого канал проводимости P-типа.    еп

fr

54 полевой транзистор типа металл-оксид-полупрово- de дник; МОП-транзистор: Полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоляционного слоя еп между каждым металлическим затвором и каналом используется оксид.    -

feldeffekttransistor mit SCHOTTKY-barriere field-effect transistor with Schottky barrier transistor ё effet de champ ё Ьатёге de Schottky

feldeffekttransistor vom verarmungstyp depletion type field-effect transistor

transistor ё effet de champ ё appauvrissement

55 полевой транзистор со структурой металл-диэлек- de трик-лолулроводник; МДП-транзистор: Полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоляцион- gn ного слоя между каждым металлическим затвором и проводящим каналом используется диэлектрик.

56    полевой транзистор с барьером Шоттки: Полевой тран- de

зистор. имеющий один или несколько затворов, которые выполнены в виде барьерного контакта типа Шоттки.    еп

fr

57    полевой транзистор обедненного типа: Полевой тран- de

зистор. имеющий проводимость канала при нулевом смещении затвор-исток, в котором проводимость канапа можно еп снизить, подавая напряжение затвор-исток необходимой полярности и величины.    .

7


ГОСТ P 57436—2017

de    fe Ideffe ktt га nsistor vom

anreicherungstyp en enhancement type field-effect transistor fr transistor a effet de champ a enrich issement

de    zweirichtungstransistor;

bidirektionaler transistor en    bidirectional transistor

fr    transistor bidirectionnel

58 полевой транзистор обогащенного типа: Полевой транзистор, имеющий нулевую проводимость при нулевом напряжении затвор-исток, канал которого может стать проводящим при подаче напряжения затвор-исток соответствующей полярности.

feldeffekt bipolarer-schalttransi-stor; feldeffekt-schalttransistor field-effect bipolar switching transistor:

field-effect switching transistor transistor a commutation bipolaire a effet de champ; transistor a commutation bipolaire

transistorletrode tetrode transistor transistor t6trode

59 симметричный биполярный [полевой] транзистор: Биполярный [полевой] транзистор, сохраняющий свои электрические характеристики при взаимной замене в схеме включения выводов эмиттера или истока и коллектора или стока.

60 переключательный биполярный [полевой] транзи- de стор: Биполярный [полевой] транзистор, обладающий сравнительно большим электрическим сопротивлением в закры- еп том состоянии и минимальным — в открытом, способный переходить из одного состояния в другое за короткий интервал времени.    .

de

thyristor

еп

thyristor

fr

thyristor

de

thyristordiode

еп

diode thyristor

fr

thyristordiode

de

riickwarts sperrende thyristordiode

еп

reverse blocking diode thyristor

fr

thyristordiode bloqu6 en inverse

de

ruckwarts leitende thyristordiode

en

reverse conducting diode thyristor

fr

thyristor diode passant en inverse

de

zweirichtungs-thyristor-diode; doppeltgerichtete thyristordiode: diac

en

bidirectional diode thyristor; diac

fr

thyristordiode bidirectionnel: diac

61 тетродный транзистор: Четырехэлектродный транзи- de стор. имеющий два отдельных базовых электрода и два ба- еп зовых вывода.    .

62    тиристор: Полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями, имеющий три или более перехода, который переключается из закрытого состояния в открытое и наоборот.

63    диодный тиристор (динистор): Тиристор, имеющий два вывода, через которые протекает как основной ток. так и ток управления.

64    диодный тиристор, не проводящий в обратном направлении: Диодный тиристор, который при обратном напряжении не переключается, а находится в обратном непроводящем состоянии.

65 диодный тиристор, проводящий в обратном направлении: Диодный тиристор, который при обратном напряжении не переключается, а проводит большие токи при напряжениях. сравнимых по значению с прямым напряжением в открытом состоянии.

66 симметричный диодный тиристор (диак): Диодный тиристор. который переключается как в прямом, так и в обратном направлениях.

8

ГОСТ P 57436—2017


67    триодный тиристор (тринистор): Тиристор, имеющий de

три вывода: два основных и один управляющий.    еп

fr

68    триодный тиристор, не проводящий в обратном на- de правлении: Триодный тиристор, который при обратном напряжении на аноде не переключается, а находится в обрат- еп ном непроводящем состоянии.

fr

69    триодный тиристор, проводящий в обратном направ- de

пении: Триодный тиристор, который при отрицательном анодном напряжении не переключается, а проводит большие еп токи при напряжениях, сравнимых по значению с прямым напряжением в открытом состоянии.    f


70 симметричный триодный тиристор (триак): Триодный    de

тиристор, который при подаче сигнала на его управляющий вывод включается как в прямом, так и в обратном налравле- еп ниях.

fr


71 запираемый тиристор: Тиристор, который переключа- de ется из открытого состояния в закрытое и. наоборот, путем подачи на управляющий вывод управляющих сигналов соот- еп ветствующей полярности.    .


72    тиристор с инжектирующим управляющим электродом p-типа: Тиристор, у которого управляющий электрод соединен с p-областью, ближайшей к катоду, который переводится в открытое состояние путем подачи на управляющий вывод положительного по отношению к катоду сигнала.

73    тиристор с инжектирующим управляющим электродом п-типа: Тиристор, у которого управляющий электрод соединен с п-областью, ближайшей к аноду, который переводится в открытое состояние при подаче на управляющий вывод отрицательного по отношению к аноду сигнала.

74    лавинный триодный тиристор, не проводящий в обратном направлении; лавинный тиристор: Тиристор с заданными характеристиками в точке минимального напряжения пробоя, предназначенный для рассеивания в течение ограниченной длительности импульса мощности в области пробоя вольт-амперной характеристики обратного непроводящего состояния.

75    несимметричный тиристор: Триодный тиристор с обратной блокировкой, номинальное обратное напряжение которого ниже номинального напряжения в закрытом состоянии.


de

еп

fr

de

еп

fr

de

еп

fr


thyristortriode triode thyristor thyristor triode

riickwarts sperrende thyristortriode reverse blocking triode thyristor

thyristor triode bloqu6 en inverse

riickwarts leitende thyristortriode reverse conducting triode thyristor

thyristor triode passant en inverse

zweirichtungs-thyristortriode;

triac

bidirectional triode thyristor; triac

thyristor triode bidirectionnel; triac

ausschaltthyristor; GTO-thyristor turn-off thyristor thyristor blocable

kathodenseitig steuerbarer thyristor P-gate thyristor thyristor P

anodenseitig steuerbarer thyristor N-gate thyristor thyristor N

lawine reverse riickwarts avalanche reverse blocking triode thyristor thyristor triode a avalanche Ыосиё en inverse


de

еп

fr


asymmetrischer thyristor asymmetrical thyristor thyristor asym6trique


9


ГОСТ P 57436—2017

de

ел

fr

de

ел

fr

de

ел

fr

76 комбинированно-выключаемый тиристор: Тиристор, выключаемый с помощью тока управления при одновременном воздействии обратного анодного напряжения.

77    импульсный тиристор: Тиристор, имеющий малую длительность переходных процессов и предназначенный для применения в импульсных режимах работы.

gemischte-ausschatten

thyristor

mixed-off thyristor thyristor mixte-arr6t

impuls thyristor pulsed thyristor thyristor signal

optoelektronisches halbleiter-bauelement optoelectronic device dispositif opto6lectronique

halbleiterstrahler semicondictor photocoupler radiator

radiator £ semiconducteurs

optoelektronische displays optoelectronic display photo6lectrique affichage

halbleiter-zeichen-display semiconductor character display

semiconducteurs de caract6res d'affichage

der empfanger strahlung

optokoppler

receiver radiation

photocoupler

le r£cepteur radiation

optocoupler

lichtemittierende diode; LED light-emitting diode; LED diode 6lectroluminescente; DEL

halbleiter-analoge anzeige semiconductor analog indicator

semiconducteurs analogiques en dicator

infrarotemittierende diode; IRED

infrared-emitting diode diode infrarouge

de

ел

fr

de

en

fr

de

en

fr

de

en

fr

78    оптоэлектронный полупроводниковый прибор: Полупроводниковый прибор, излучающий или преобразующий электромагнитное излучение или чувствительный к этому излучению в видимой, инфракрасной и (или) ультрафиолетовой областях спектра, или использующий подобное излучение для внутреннего взаимодействия его элементов.

79    (полупроводниковый) излучатель: Опто электронный полупроводниковый прибор, преобразующий электрическую энергию в энергию электромагнитного излучения.

80    оптоэлектронный дисплей: Полупроводниковый излучатель, предназначенный для отображения визуальной информации.

81

полупроводниковый (знакосинтезирующий) индикатор:

Активный знакосинтезирующий индикатор, в котором используется явление инжекционной электролюминесценции.

(ГОСТ 25066-91. статья 15]

82 (полупроводниковый) приемник излучения: Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, преобразующий энергию электромагнитного излучения в электрическую энергию от излучателя и работающего в паре с ним.

83 светоизлучающий диод; СИД: Полупроводниковый диод,    de излучающий энергию в видимой области спектра в результа- еп те электрической стимуляции и рекомбинации электронов и дырок.

84    полупроводниковый экран: Полупроводниковый при- de бор, предназначенный для использования в устройствах еп отображения информации и состоящий из светоизлучающих диодов, расположенных рядами по вертикали и горизонтали ^ экрана.

85    инфракрасный излучающий диод; ИК-диод: Светоизлу- de чающий диод, который испускает инфракрасное излучение.

еп

fr

ГОСТ P 57436—2017


86    полупроводниковый лазер: Полупроводниковый при- de бор, который излучает энергию когерентного излучения с еп помощью индуцированной эмиссии за счет рекомбинации . электронов и дырок.

87    лазерный диод: Полупроводниковый диод, который из- de лучает когерентное оптическое излучение, являющееся ре- еп зультатом рекомбинации проводящих электронов и дырок fr при возбухщении электрическим током, превышающим пороговое значение тока диода.

88    лазерно-диодный модуль: Модуль, содержащий наряду de с лазерным диодом средства для автоматической оптической еп и (или) тепловой стабилизации выходного источника излуче- ff. ния.


halbleiler-laser semiconductor laser laser ё semiconducteurs

lazerdiode laser diode diode laser


laser-dioden modul laser-diode module laser a diode module


89

фоточувствительный полупроводниковый прибор: Полупроводниковый прибор, чувствительный к электромагнитному излучению в видимой, инфракрасной и (или) ультрафиолетовой областях спектра.

(ГОСТ 21934-83. статья 1)


de

ел

fr


90 (полупроводниковый) фотоэлектрический детектор:    de

Полупроводниковый фоточувствительный прибор, электрическое сопротивление (проводимость) которого изменяется еп при освещении.


fr


lichtempfindliche gerat halblei-terdiode

semiconductor photosensitive device

photosensible appareil emi-conducteurs

photoelektrischer halbleiterempfenger semiconductor photoelectric detector;

photoelectric detector r6cepteur photo6lectrique ё semiconducteur, r6cepteur photoSlectrique


91

фоторезистор: Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, принцип действия которого основан на эффекте фотопроводимости.

(ГОСТ 21934-83. статья 10)


de

еп fr

92

de еп fr


photowiderstand; photoleit-fahige halbleiterzelle photoresistor photor6sistance


фотодиод: Полупроводниковый диод с р-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом, в котором поглощение излучения, происходящее в непосредственной близости перехода, вызывает фотогальванический эффект.

(ГОСТ 21934-83. статья 11)

93_

лавинный фотодиод: Фотодиод с внутренним усилием, принцип действия которого основан на явлении ударной ионизации атомов фотоносителями в сильном электрическом поле.

(ГОСТ 21934-83. статья 15]


photodiode

photodiode

photodiode


de

ел

fr


lawinen-photodiode a valance photodiode photodiode a avalanche


и


94

фототранзистор: Транзистор, в котором используется фотоэлектрический эффект [ГОСТ 21934—«3. статья 17)

de

еп

fr

phototransistor

phototransistor

phototransistor

95 фототиристор: Тиристор, предназначенный для переклю-

de

photothyristor

чения посредством воздействия оптическим излучением.

еп

photothyristor

fr

photothyristor

96 фотопроводящая ячейка: Полупроводниковый прибор, в

de

photoleitfdhiger zelle

котором используется эффект фотопроводимости.

еп

photoconucting celt

fr

cellule photoconducteur

97 фотовольтовая ячейка: Полупроводниковый прибор, в

de

photoelement; photovoltaische

котором используется фотовольтовый эффект.

zelle

еп

photovaltic cell

fr

cellule d effet photovoltaique

98 оптопара: Оптоэлектронный полупроводниковый прибор.

de

optokoppler

состоящий из излучателя и приемника излучения, между ко-

en

photocoupler optocoupler

торыми имеется оптическая связь и обеспечена электрическая изоляция.

fr

photocoupleur; optocoupleur

99 резисторная оптопара: Оптопара с приемником излуче-

de

widerstandoptokoppler

ния. выполненным на основе фоторезистора.

en

resistive optocoupler

fr

optocoupleur r£sistif

100 диодная оптопара: Оптопара с приемником излучения.

de

diode optokoppler

выполненным на основе фотодиода.

en

diode photocoupler

fr

optocoupleur diode

101 дифференциальная диодная оптопара: Диодная опто-

de

differenz diode optokoppler

пара, в которой два близких по определяющим параметрам

en

difference diode photocoupler

фотодиода принимают световой поток от одного излучателя.

fr

optocoupleur diode diff6rentiel

102 транзисторная оптопара: Оптопара с полупроводнике-

de

transistor optokoppler

вым приемником излучения, выполненным на основе фото-

en

transistoroptocoupler

транзистора.

fr

optocoupleur transistor

103 тиристорная оптопара: Оптопара с приемником излуче-

de

thyristoroptokoppler

ния. выполненным на основе фототиристора.

en

thyristor optocoupler

fr

optocoupleur thyristor

104 оптопреобразователь: Оптоэлектронный полупрово-

de

optische wandler

дниковый прибор с одним или несколькими р-п переходами.

en

optoconverter

работающими в режиме передачи и (или) приема оптического излучения.

fr

optoconvertisseur

105 прибор на эффекте Холла: Полупроводниковый прибор.

de

halleffekt-bauelement

работающий на основе физического явления возникновения

en

hall effect device

разности потенциалов между краями проводящей пластинки, помещенной перпендикулярно линиям внешнего магнитного

fr

dispositif £ effet hall

поля, и протекании вдоль указанной пластинки тока.

ГОСТ P 57436—2017

Содержание

1    Область применения.................................................................1

2    Термины и определения...............................................................1

Алфавитный указатель терминов на русском языке........................................15

Алфавитный указатель терминов на немецком языке.......................................20

Алфавитный указатель терминов на английском языке.....................................24

Алфавитный указатель терминов на французском языке....................................28

Приложение А (справочное) Термины и определения общетехнических понятий.................32

Введение

Установленные в настоящем стандарте термины расположены в систематизированном порядке, отражающем систему понятий в области полупроводниковых приборов.

Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.

Нерекомендуемые к применению термины-синонимы приведены в круглых скобках после стандартизованного термина и обозначены пометкой «Нрк».

Заключенная в круглые скобки часть термина может быть опущена при использовании термина во всех видах документации, входящих в сферу действия работ по стандартизации, при этом не входящая в скобки часть термина образует его краткую форму.

Наличие квадратных скобок в терминологической статье означает, что в нее включены два термина. имеющие общие терминоэлементы.

В алфавитном указателе данные термины приведены отдельно с указанием номера статьи,

В стандарте приведены иноязычные эквиваленты стандартизованных терминов на немецком (de). английском (еп) и французском (fr) языках.

Термины и определения общетехнических понятий, необходимые для понимания текста стандарта, приведены в приложении А.

Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткие формы — светлым, синонимы — курсивом.

IV

НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ


ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ Термины и определения

Semiconductor devices Terms and definitions


Дата введения — 2017—08—01


1 Область применения

Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий в области полупроводниковых приборов.

Термины, установленные настоящим стандартом, рекомендуются для применения во всех видах документации и литературы в области полупроводниковых приборов, входящих в сферу работ по стандартизации и (или) использующих результаты этих работ.

Настоящий стандарт предназначен для применения предприятиями, организациями и другими субъектами научной и хозяйственной деятельности независимо от форм собственности и подчинения, а также федеральными органами исполнительной власти Российской Федерации, участвующими в разработке. производстве и применении полупроводниковых приборов в соответствии с действующим законодательством.


2 Термины и определения


Виды полупроводниковых приборов


1

полупроводниковый прибор (semiconductor device): Устройство, основные электрические характеристики которого обусловлены потоком носителей зарядов внутри одного или более полупроводниковых материалов.

(ГОСТ IEC 60050-151-2014. статья 151-13-63]

2 мощный полупроводниковый прибор: Полупроводниковый прибор, предназначенный для применения в силовых цепях электротехнических устройств с рассеиваемой мощностью более 1.5 Вт


de

еп

fr


halbleiterbauelement semiconductor device dispositif a semiconducteurs


de en fr

3 полупроводниковый блок: Совокупность лолупроводни- de ковых приборов, соединенных по определенной электриче- еп ской схеме и собранных в единую конструкцию, имеющую fr более двух выводов.


halbleiter-power-gerSt semiconductor power device semiconducteurs dalimenta-tion de I'appareil

halblerter-einheit semiconductor assembly bloc de semiconducteur


Издание официальное


ГОСТ P 57436—2017

satz von halbleiterbauelemen-ten

semiconductor assembly set s6rie de dispositifs semi-со nducteurs

diskretes halbleiterbauelement discrete semiconductor device: discrete device discret dispositif a semi-со nducteurs

halblerterdiode: diode semiconductor diode: diode

diode £ semiconducteurs; diode

mischerdiode mixer diode diode m6langeuse

halbleiter-detektordiode: detektordiode detector diode diode d6tectrice

halbleiter-gleichter diode

semiconductor rectifier diode;

rectifier diode

diode de redressement a

semiconducteurs;

diode de redressement

lawinen gleicbrichter diode avalanche rectifier diode diode de redressement d avalanche

halbleiter-gleichter diode mit kontrollierbare avalanched-urchbruch

controlled-avalanche rectifier diode

diode de redressement d semiconducteurs de rupture en avalanche controlee; diode de redressement de rupture en avalanche controlee

4 набор полупроводниковых приборов: Совокупность по- de лупроводниковых приборов, собранных в единую конструкцию. не соединенных электрически или соединенных по од- еп ноименным выводам.    -

5 дискретный (полупроводниковый) прибор: Полупрово- de дниковый прибор, предназначенный для выполнения эле- еп ментарной функции, в котором не могут быть выделены отдельные функциональные компоненты.    .

6 (полупроводниковый) диод: Полупроводниковый при- de бор с двумя выводами, имеющий несимметричную вольт- еп амперную характеристику.

Примечание — Если не указано особо, этим термином обозна- fr чают приборы с вольт-амперной характеристикой, типичной для единичного р-п перехода

7    смесительный диод: Полупроводниковый диод, предна- de значенный для преобразования входящих высокочастотных еп сигналов в сигнал, частота которого отлична от частоты вхо- fr дящих сигналов.

8    детекторный (полупроводниковый) диод: Полупрово- de дниковый диод, предназначенный для детектирования сигна-

ла-    еп

fr

9 выпрямительный (полупроводниковый) диод: Полу- de проводниковый диод, предназначенный для преобразования еп переменного тока.

fr

10    лавинный выпрямительный диод: Выпрямительный de полупроводниковый диод с заданными характеристиками еп минимального напряжения пробоя, предназначенный для ^ рассеяния в течение ограниченной длительности импульса мощности в области пробоя вольт-амперной характеристики.

11    выпрямительный полупроводниковый диод с контро- de лируемым лавинным пробоем: Выпрямительный полупроводниковый диод с заданными характеристиками максимального и минимального напряжения пробоя р-n перехода, еп предназначенный для работы в установившемся режиме в области пробоя р-п перехода обратной ветви вольт-амперной . характеристики.

2

ГОСТ P 57436—2017


12 выпрямительный (полупроводниковый) столб: Сово- de купность выпрямительных полупроводниковых диодов, соединенных последовательно и собранных в единую конструк- еп цию, имеющую два вывода.

halbeiter-gleichrichterbaugrup-

ре

semiconductor rectifier stack: rectifier stack

bloc de redressement semi-

conducteur;

bloc de redressement

gleichrichter halbleiter block; gleichrichter block semiconductor rectifier assembly

assemblage de edressement a semiconducteurs; assemblage de edressement

begrenzerdiode limiting diode diode de limitation

frequenzvetvielfacherdiode frequency-multiplication diode diode pour multiplication de fr6quence

produzent halbleiterdiode generation semiconductor diode; generation diode producteur diode a semiconducteurs; producteur diode

halbleiterimpulsdiode pulse semiconductor diode; pulse diode diode d'impulsion shalten halbleiterdiode switching semiconductor diode;

switching diode commutation diode a semiconducteurs; commutation diode

Schottky-diode Schottky barrier diode diode a Ьагпёге Schottky; diode Schottky

kapazitatsdiode; kapazitatsvariationsdiode variable-capacitance diode diode a capacity variable

fr

13 выпрямительный (полупроводниковый) блок: Полу- de проводниковый блок, собранный из полупроводниковых выпрямительных диодов.    еп

fr

14    ограничитель (полупроводниковый) напряжения;    de

ПОН: Полупроводниковый диод, предназначенный для огра- еп ничения амплитуды импульсов перенапряжения.    ^

15    умножительный диод: Полупроводниковый диод, пред- de

назначенный для умножения частоты входного сигнала.    еп

fr

16    генераторный (полупроводниковый) диод: Полупрово-    de

дниковый диод, предназначенный для преобразования энер-    еп

гии постоянного электрического поля в энергию электромагнитных колебаний.    .

17    импульсный (полупроводниковый) диод: Полупро- de водниковый диод, предназначенный для применения в им- еп пульсных режимах работы.

fr

18    коммутационный (полупроводниковый) диод: Полу- de проводниковый диод, предназначенный для коммутации вы- еп сокочастотных цепей.

fr

19 диод Шоттки: Полупроводниковый диод, выпрямитель- de ные свойства которого обоснованы созданием выпрямляю- еп щего слоя (барьера) на границе металла и полупроводника. .

20 варикап: Полупроводниковый диод, действие которого ос- de новано на зависимости емкости его р-n перехода от обратного напряжения, предназначенный для применения в качестве еп элемента с электрически управляемой емкостью.    .

3


ГОСТ P 57436—2017


21 параметрический (полупроводниковый) диод (Нрк. ва- de рактор): Варикап, предназначенный для применения в диа-    еп

пазоне сверхвысоких частот в параметрических усилителях.

fr


parametrischer halbleiterdiode parametric semiconductor diode: parametric diode param£trique diode a semi-conducteurs; param^trique diode


22 шумовой диод: Полупроводниковый диод, являющийся de источником шума с заданной спектральной плотностью в еп определенном диапазоне частот.    .


stichhattiger diode noise diode diode bruit


23    туннельный диод: Полупроводниковый диод, имеющий р-n переход, в котором возникает туннельный эффект, приводящий к появлению отрицательной дифференциальной проводимости на определенном участке прямой ветви вольт-амперной характеристики.

24    обращенный диод: Полупроводниковый диод на основе полупроводника с критической концентрацией примеси, в котором проводимость при обратном напряжении вследствие туннельного эффекта значительно больше, чем при прямом напряжении, а пиковый ток и ток впадины приблизительно равны.

25    сверхвысокочастотный полупроводниковый диод;

СВЧ-диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования и обработки СВЧ-сигналов.

Примечание — СВЧ-сигнал — сигнал с частотой более 300 МГц

26    переключательный диод: Сверхвысокочастотный полупроводниковый диод, предназначенный для быстрого перехода от состояния высокого полного сопротивления к состоянию низкого полного сопротивления и, наоборот, в зависимости от полярности подаваемого напряжения.

27    точечный диод (Нрк. точечно-контактный диод). Полупроводниковый диод с точечным р-n переходом.


de

еп

fr


de

еп

fr


de

еп

fr


de

еп

fr


tunneldiode tunnel diode diode tunnel


28 плоскостной диод: Полупроводниковый диод с плоскостным р-n переходом.


29    диод с накоплением заряда: Импульсный полупроводниковый диод, накапливающий заряд при протекании прямого тока и обладающий эффектом резкого обратного восстановления при подаче обратного напряжения.

30    лавинно-пролетный диод: Полупроводниковый диод, работающий в режиме лавинного размножения носителей заряда при обратном смещении электрического перехода, предназначенный для генерации сверхвысокочастотных колебаний.


de

en

fr

de

en

fr

de

en

fr

de

en

fr


unitunneldiode unitunnel diode: backward diode diode inverse

UHF-halbeiteriode microwave diode diode en hyperfr6quences

halbeitererscrialtdiode gating diode diode de commutation

halbeiterspitzediode point contact diode diode a pointe

halbeiterfiachendiode junction diode diode a jonction

gespeicherte ladung diode snap-off diode diode charge

lawinenlaufzeitdiode impact avalanche-transit time diode

diode a avalanche a temps de transit


4


ГОСТ P 57436—2017


31 инжекционно-пролетный диод: Полупроводниковый de диод, работающий в режиме инжекции носителей заряда в еп область запорного слоя, предназначенный для генерации сверхвысокочастотных колебаний.    .


32    сигнальный диод: Диод, предназначенный для выделения или обработки информации, содержащейся в электрическом сигнале, который изменяется со временем и может быть по виду аналоговым или цифровым.

33    диод Ганна: Полупроводниковый диод, действие которого основано на появлении отрицательного объемного сопротивления под воздействием сильного электрического поля, предназначенный для генерации и усиления сверхвысокочастотных колебаний.

34    диод быстровосстанавливающий: Полупроводниковый диод со временем восстановления обратного сопротивления не более 5 нс.

35    модуляторный диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для модуляции высокочастотных сигналов.


de

еп

fr

de

еп

fr


BARITT-diode barrier-injection and transittime diode

diode f a temps de transit д Ьагтгёге injected

signal diode signal diode signal diode

Gunn diode Gunn diode diode Gunn


36    обратный диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для защиты тиристорного выпрямителя от перенапряжений обратной полярности, возникающих на нем в течение выключенного состояния за счет переходных процессов в схеме применения.

Примечание — Обратный диод подключается к выходу тиристорного выпрямителя между основными электродами

37    СВЧ ограничительный диод: Полупроводниковый диод с быстрым переходом из состояния высокого полного сопротивления в состояние низкого сопротивления и, наоборот, в зависимости от уровня поданной на диод СВЧ мощности.

Примечание — При работе на сверхвысоких частотах диод обладает соответственно высоким или низким полным сопротивлением, что позволяет ограничивать (или подавлять) нежелательную СВЧ энергию

38    СВЧ переключательный диод: Полупроводниковый диод с быстрым переходом из состояния высокого полного сопротивления в состояние низкого сопротивления и, наоборот. в зависимости от постоянного напряжения смещения или тока, поданного на диод.

Примечание — При работе на сверхвысоких частотах диод обладает соответственно высоким или низким полным сопротивлением. что обеспечивает либо прохождение СВЧ-сигналов. либо их прерывание,


de

еп

fr

de

еп

fr

de

en

fr


de

en

fr


de

en

fr


hochwiederkehiend diode

fast-recovery diode

diode d r6tablissement rapide

halbleitermodulatordiode modulator diode diode modulatrice

rticken diode reverse diode inverse diode


mikrowelle begrenzung diode microwave limiting diode micro-ondes diode limiteuse


mikrowelle schaltdioden microwave switching diode micro-ondes diode de commutation


5



39    (полупроводниковый) стабилитрон (Нрк. Зенеровский de диод): Полупроводниковый диод, напряжение на котором со- еп храняется с определенной точностью при протекании через f(. него тока в заданном диапазоне, и предназначенный для стабилизации напряжения.

40    диодный регулятор напряжения: Полупроводниковый de

диод, на выводах которого возникает практически постоянное еп напряжение в заданном диапазоне токов.    .


41    транзистор: Полупроводниковый прибор, способный создавать усиление электрической мощности и имеющий три или более вывода.

42    биполярный транзистор: Полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими переходами и тремя или более выводами, усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда.

Примечание — Работа биполярного транзистора зависит от носителей обеих полярностей

43    бездрейфовый транзистор: Биполярный транзистор, в котором перенос неосновных носителей заряда через базы осуществляется в основном посредством диффузии.

44    дрейфовый транзистор: Биполярный транзистор, в котором перенос неосновных носителей заряда через базы осуществляется в основном посредством дрейфа.

45    плоскостной транзистор: Биполярный транзистор с плоскостными переходами.


de

еп

fr

de

еп

fr


halbeiter-Z-diode voltage reference diode diode de tension de reference

voltage-regulator diode voltage-regulator diode la tension r6gulateur a diode

transistor

transistor

transistor

bipolarer transistor

bipolar junction transistor

transistor bipolaire


46    лавинный транзистор: Биполярный транзистор, действие которого основано на использовании режима лавинного размножения носителей заряда в коллекторном переходе.

47    биполярный транзистор с изолированным затвором

(IGBT транзистор. Нрк. БИМОП транзистор): Биполярный транзистор с управляющей структурой металл-окисел-лолу-проводник.


48 униполярный транзистор: Транзистор, функционирование которого основано на носителях зарядов одной полярности.


de

еп

fr

de

еп

fr

de

en

fr

de

en

fr

de

en

fr

de

en

fr


49 полевой транзистор (Нрк канальный транзистор): По- de лупроводниковый прибор, усилительные свойства которого еп обусловлены переносом основных носителей заряда, проте- ff кающим через канал и управляемый электрическим полем.

Примечание — Действие полевого транзистора обусловлено носителями заряда одной полярности


diffusiontransistor diffusion transistor transistor a diffusion drifttransistor drift transistor transistor en derive

flachentransistor junction transistor transistor a jonctions lawinentransistor avalance transistor transistor a avalanche

bipolartransistor gatedielektrikum insulated-gate bipolar transistor

bipolaire di6lectrique

unipolarer transistor unipolar transistor transistor unipolaire

feldeffekttransistor field-effect transistor transistor a effet de champ


6