Купить ГОСТ Р 57441-2017 — бумажный документ с голограммой и синими печатями. подробнее
Распространяем нормативную документацию с 1999 года. Пробиваем чеки, платим налоги, принимаем к оплате все законные формы платежей без дополнительных процентов. Наши клиенты защищены Законом. ООО "ЦНТИ Нормоконтроль"
Наши цены ниже, чем в других местах, потому что мы работаем напрямую с поставщиками документов.
Устанавливает термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров интегральных микросхем, включая гибридные микросхемы, многокристальные модули и микросборки. Термины и буквенные обозначения, установленные стандартом, рекомендуются для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу действия работ по стандартизации и (или) использующих результаты этих работ.
Переиздание. Август 2018 г.
1 Область применения
2 Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров
Алфавитный указатель терминов на русском языке
Дата введения | 01.08.2017 |
---|---|
Добавлен в базу | 01.01.2018 |
Актуализация | 01.01.2021 |
04.04.2017 | Утвержден | Федеральное агентство по техническому регулированию и метрологии | 257-ст |
---|---|---|---|
Разработан | АО РНИИ Электронстандарт | ||
Разработан | АО ЦКБ Дейтон | ||
Издан | Стандартинформ | 2017 г. | |
Издан | Стандартинформ | 2018 г. |
Чтобы бесплатно скачать этот документ в формате PDF, поддержите наш сайт и нажмите кнопку:
ГОСТР
57441—
2017
ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ТЕХНИЧЕСКОМУ РЕГУЛИРОВАНИЮ И МЕТРОЛОГИИ
НАЦИОНАЛЬНЫЙ
СТАНДАРТ
РОССИЙСКОЙ
ФЕДЕРАЦИИ
Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров
Издание официальное
Москва Стандарти нформ 2017
1 РАЗРАБОТАН Акционерным обществом «Российский научно-исследовательский институт «Электронстандарт» (АО «РНИИ «Электронстандарт») и Акционерным обществом «Центральное конструкторское бюро «Дейтон» (АО «ЦКБ «Дейтон)
2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 303 «Электронная компонентная база, материалы и оборудование»
3 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 4 апреля 2017 г. №257-ст
4 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ
Правила применения настоящего стандарта установлены в статье 26 Федерального закона от 29 июня 2015 г. № 162-ФЗ «О стандартизации в Российской Федерации». Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего года) информационном указателе «Национальные стандарты», а официальный текст изменений и поправок — в ежемесячном информационном указателе «Национальные стандарты». В случае пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет опубликовано в ближайшем выпуске информационного указателя «Национальные стандарты». Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в информационной системе общего пользователя — на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (www.gost.ru)
© Стандартинформ, 2017
Настоящий стандарт не может быть полностью или частично воспроизведен, тиражирован и распространен в качестве официального издания без разрешения Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии
121 коэффициент влияния нестабильности источников питания на напряжение смещения нуля;
Квп и. п (KSVR): Отношение приращения напряжения смещения нуля к вызвавшему его приращению напряжения источника питания.
122 коэффициент умножения частоты; KyMHf {KMPYf): Отношение частоты выходного сигнала к частоте входного сигнала.
123 коэффициент деления частоты; Kflenf {KDtv^: Отношение частоты входного сигнала к частоте выходного сигнала.
124 коэффициент подавления сигнала между каналами; Кпод (KDon): Отношение переменной составляющей коммутируемого входного напряжения открытого канала к переменной составляющей выходного напряжения на любом другом закрытом канале.
125 коэффициент ослабления синфазных входных напряжений; Кос сф (Kcmr): Отношение коэффициента усиления напряжения к коэффициенту усиления синфазных входных напряжений.
126 коэффициент гармоник; Kr (Kh): Отношение среднеквадратического напряжения суммы всех, кроме первой, гармоник сигнала к среднеквадратическому напряжению суммы всех гармоник.
127 коэффициент нелинейности амплитудной характеристики; Кнл. д(Ап/а): Наибольшее отклонение значения крутизны амплитудной характеристики относительно значения крутизны амплитудной характеристики, изменяющейся по линейному закону.
128 коэффициент неравномерности амплитудно-частотной характеристики; Кнр АЧ И™): Отношение максимального значения выходного напряжения к минимальному значению в заданном диапазоне частот полосы пропускания.
129 коэффициент полезного действия; г| (г|): Отношение выходной мощности микросхемы к потребляемой мощности.
130 коэффициент разделения каналов; Кразд (KdNC): Отношение выходного напряжения активного канала микросхемы (с сигналом на входе) к выходному напряжению пассивного канала микросхемы (при отсутствии входного сигнала).
131 коэффициент передачи; Кпер (Кир): Отношение приращения значения выходного напряжения к приращению значения входного напряжения.
132 коэффициент шума; Кш (Fn): Отношение среднеквадратического напряжения шумов на выходе к среднеквадратическому напряжению шума источника входного сигнала в заданной полосе частот.
133 коэффициент преобразования; Knp6(G): Отношение приращения параметра выходного сигнала к вызвавшему его приращению параметра входного сигнала.
134 температурный коэффициент входного тока; а/вх (а/,): Отношение изменения входного тока к вызвавшему его изменению температуры окружающей среды (корпуса).
135 температурный коэффициент разности входных токов; аД/вх (а //0): Отношение изменения разности входных токов к вызвавшему его изменению температуры окружающей среды (корпуса).
136 температурный коэффициент напряжения смещения нуля; а 1/см (аUlo): Отношение изменения напряжения смещения нуля к вызвавшему его изменению температуры окружающей среды (корпуса).
137 температурный коэффициент опорного напряжения; aUon (аUREF): Отношение изменения выходного напряжения к вызвавшему его изменению температуры окружающей среды (корпуса).
138 температурный коэффициент выходного напряжения; а 1/ВЬ|Х (аUQ): Отношение изменения выходного напряжения к вызвавшему его изменению температуры окружающей среды (корпуса).
139 коэффициент стоячей волны на входе; Кст BX(SH/R,): Отношение напряженности электрического поля в максимуме к напряженности электрического поля в минимуме стоячей волны входного сигнала.
140 коэффициент стоячей волны на выходе; Кст ВЬ|Х (SWR0): Отношение напряженности электрического поля в максимуме к напряженности электрического поля в минимуме стоячей волны выходного сигнала.
141 коэффициент сглаживания пульсаций; Kcr(KRR): Отношение амплитудного значения пульсаций входного напряжения заданной частоты к амплитудному значению пульсаций выходного напряжения той же частоты.
Параметры частоты
142 частота входного сигнала; fBX (f;): —
143 частота выходного сигнала; fBblx (fD): —
144 частота генерирования; fr(fg): —
145 частота следования импульсов тактовых сигналов; fT(fc):—
7
147 частота единичного усиления; f| (f|): Частота, на которой коэффициент усиления напряжения (при разомкнутой цепи обратной связи) равен единице.
148 частота полной мощности; fp (fp): Частота, на которой значение максимального выходного напряжения уменьшается на 3 дБ от значения на заданной частоте.
149 полоса пропускания; (BW): Диапазон частот, в пределах которого коэффициент усиления
снижается не более чем на 3 дБ по сравнению с коэффициентом усиления на заданной частоте в пределах заданного диапазона.
150 центральная частота полосы пропускания; f4 (fc): Частота, равная половине суммы нижней и верхней граничных частот полосы пропускания микросхемы.
151 нижняя граничная частота полосы пропускания; fH (fL): Наименьшее значение частоты, на которой коэффициент усиления напряжения уменьшается на 3 дБ от значения на заданной частоте.
152 верхняя граничная частота полосы пропускания; fB (fH): Наибольшее значение частоты, на которой коэффициент усиления напряжения уменьшается на 3 дБ от значения на заданной частоте.
153 частота среза; fcp3 (fco): Частота, на которой коэффициент усиления напряжения при разомкнутой цепи обратной связи уменьшается от значения на заданной частоте на 3 дБ.
154 диапазон частот; Af(Af): Диапазон частот, в котором значение коэффициента преобразования остается в пределах, установленных в ТУ.
155 динамический диапазон по напряжению; Д1/дин (AUdyn): Отношение максимального значения напряжения к минимальному значению напряжения.
156 дрейф выходного напряжения; AUBblxt(AU0(t)): Наибольшее значение относительного изменения выходного напряжения в течение заданного интервала времени.
157 дрейф опорного напряжения; &Uont(AUREF(t)): Наибольшее значение относительного изменения опорного напряжения в течение заданного интервала времени.
158 дрейф выходного тока; А/ВЬ|Х((Д/0^): Наибольшее значение относительного изменения выходного тока в течение заданного интервала времени.
159 скорость нарастания выходного напряжения; УШых (SR): Отношение изменения выходного напряжения от уровня 0,1 до уровня 0,9 к времени его нарастания при воздействии на вход микросхемы импульса прямоугольной формы.
160 максимальная скорость нарастания выходного напряжения; Уивых макс (S/?max): Отношение изменения выходного напряжения отуровня 0,1 до уровня 0,9 к времени его нарастания при воздействии на вход микросхемы импульса прямоугольной формы максимального входного напряжения.
161 нормированная электродвижущая сила шума; £ш н (EnW): Отношение напряжения шума на выходе микросхемы в заданной полосе частот к произведению коэффициента усиления на квадратный корень из полосы частот измеряемого шума.
162 диапазон автоматической регулировки усиления; UApy (AGC): Отношение максимального значения коэффициента усиления напряжения к минимальному его значению при изменении входного управляющего напряжения в заданных пределах.
163 порог чувствительности; S(S): Наименьшее значение входного сигнала, при котором коэффициент преобразования принимает заданное значение.
164 индукция срабатывания; Вср (Вор): Наименьшее значение индукции внешнего магнитного поля, при котором происходит переход выходного напряжения от одного устойчивого состояния к другому.
165 индукция отпускания; Вотп (Вгр): Наибольшее значение индукции внешнего магнитного поля, при котором происходит переход выходного напряжения от одного устойчивого состояния к другому.
166 крутизна проходной характеристики; Sn (SrR): Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного напряжения в заданном электрическом режиме.
167 отношение сигнал/шум; Nclul (Nn): Отношение эффективного значения выходного напряжения, содержащего низкочастотные составляющие, соответствующие частотам модулирующего напряжения, к эффективному значению выходного напряжения при немодулированном сигнале в определенной
полосе частот.
168 фазовый сдвиг интегральной микросхемы; фс (ф0): Разность между фазами выходного и входного сигналов микросхемы на заданной частоте.
169 фазовая ошибка; фош (фегг): Среднеквадратическое отклонение фазы выходного напряжения от значения фазы заданного входного сигнала.
время включения 85
время восстановления 106
время выборки 103
время выключения 86
время задержки включения 88
время задержки выключения 89
время задержки распространения при включении 90
время задержки распространения при выключении 91
время задержки распространения при переходе из состояния «Выключено» в состояние высокого уровня 93
время задержки распространения при переходе из состояния «Выключено» в состояние низкого уровня 95
время задержки распространения при переходе из состояния высокого уровня в состояние «Выключено» 92
время задержки распространения при переходе из состояния низкого уровня в состояние «Выключено» 94
время нарастания входного сигнала 96
время нарастания выходного сигнала 98
время переключения 87
время преобразования 110
время регенерации 112
время сохранения сигнала 107
время спада входного сигнала 97
время спада выходного сигнала 99
время удержания 105
время успокоения выходного напряжения 111
время установления входных сигналов 104
время установления выходного напряжения 109
время хранения информации 108
время цикла 100
время цикла записи информации 101
время цикла считывания информации 102
диапазон автоматической регулировки усиления 162
диапазон по напряжению динамический 155
диапазон частот 154
длительность сигнала 113
длительность сигнала высокого уровня 115
длительность сигнала низкого уровня 114
дрейф выходного напряжения 156
дрейф выходного тока 158
дрейф опорного напряжения 157
емкость аналогового входа 81
емкость аналогового выхода 82
емкость входа/выхода 80
емкость входная 77
емкость выходная 78
емкость между аналоговыми выходом и входом 84
емкость нагрузки 79
емкость управляющего входа 83
индукция отпускания 165
индукция срабатывания 164
коэффициент влияния нестабильности источников питания на напряжение смещения нуля 121
коэффициент входного тока температурный 134
коэффициент выходного напряжения температурный 138
коэффициент гармоник 126
коэффициент деления частоты 123
коэффициент напряжения смещения нуля температурный 136
9
коэффициент нелинейности амплитудной характеристики 127
коэффициент неравномерности амплитудно-частотной характеристики 128
коэффициент опорного напряжения температурный 137
коэффициент ослабления синфазных входных напряжений 125
коэффициент передачи 131
коэффициент подавления сигнала между каналами 124
коэффициент полезного действия 129
коэффициент преобразования 133
коэффициент разделения каналов 130
коэффициент разности входных токов температурный 135
коэффициент сглаживания пульсаций 141
коэффициент стоячей волны на входе 139
коэффициент стоячей волны на выходе 140
коэффициентумножения частоты 122
коэффициентусиления мощности 119
коэффициентусиления напряжения 117
коэффициентусиления синфазных входных напряжений 120
коэффициентусиления тока 118
коэффициент шума 132
крутизна проходной характеристики 166
мощность в режиме хранения потребляемая 71
мощность входная 67
мощность выходная 68
мощность потребляемая 66
мощность потребляемая динамическая 70
мощность рассеиваемая 69
напряжение автоматической регулировки усиления 31
напряжение входное 4
напряжение высокого уровня в состоянии «Выключено» 24
напряжение высокого уровня входное 6
напряжение высокого уровня выходное 22
напряжение высокого уровня пороговое входное 9
напряжение выходное 20
напряжение гистерезиса 14
напряжение дифференциальное входное 17
напряжение дифференциальное выходное 25
напряжение задержки автоматической регулировки усиления 32
напряжение изоляции 33
напряжение коммутируемое 27
напряжение низкого уровня в состоянии «Выключено» 23
напряжение низкого уровня входное 5
напряжение низкого уровня выходное 21
напряжение низкого уровня пороговое входное 8
напряжение ограничения входное 18
напряжение опорное 28
напряжение остаточное 29
напряжение отпускания 13
напряжение питания 1
напряжение питания в режиме ожидания 3
напряжение питания в режиме хранения 2
напряжение покоя входное 19
напряжение покоя выходное 26
напряжение пороговое входное 7
напряжение пульсаций источника питания 34
напряжение сигнала программирования 11
напряжение сигнала стирания 10
напряжение синфазное входное 16
напряжение смещения нуля 15
напряжение срабатывания 12
напряжение шума 30
нестабильность по напряжению 37
нестабильность по току 38
отношение сигнал/шум 167
ошибка фазовая 169
падение напряжения 35
падение напряжения минимальное 36
период следования тактовых импульсов 116
полоса пропускания 149
порог чувствительности 163
разность входных токов 49
сдвиг интегральной микросхемы фазовый 168
сила шума электродвижущая нормированная 161
скорость нарастания выходного напряжения 159
скорость нарастания выходного напряжения максимальная 160
сопротивление в открытом состоянии 75
сопротивление входное 72
сопротивление выходное 73
сопротивление изоляции 76
сопротивление нагрузки 74
ток автоматической регулировки усиления 64
ток входной 46
ток высокого уровня в состоянии «Выключено» выходной 55
ток высокого уровня входной 48
ток высокого уровня выходной 53
ток выходной 51
ток короткого замыкания 56
ток низкого уровня в состоянии «Выключено» выходной 54
ток низкого уровня входной 47
ток низкого уровня выходной 52
ток потребления 39
ток потребления в режиме хранения 44
ток потребления в состоянии «Выключено» 42
ток потребления динамический 43
ток потребления при выходном напряжении высокого уровня 41
ток потребления при выходном напряжении низкого уровня 40
ток пробивной входной 50
ток режимный 65
ток стирания 45
ток утечки 57
ток утечки высокого уровня на входе 60
ток утечки высокого уровня на выходе 63
ток утечки на входе 58
ток утечки на выходе 61
ток утечки низкого уровня на входе 59
ток утечки низкого уровня на выходе 62
частота входного сигнала 142
частота выходного сигнала 143
частота генерирования 144
частота единичного усиления 147
частота коммутации 146
частота полной мощности 148
частота полосы пропускания граничная верхняя 152
частота полосы пропускания граничная нижняя 151
частота полосы пропускания центральная 150
частота следования импульсов тактовых сигналов 145
частота среза 153
11
УДК 001.4:621.382.8:006.354 ОКС 01.040.01
31.200
Ключевые слова: микросхемы интегральные, параметры, термины, определения, буквенные обозначения
БЗ 3—2017/29
Редактор Я.В. Кожаринова Технический редактор В.Н. Прусакова Корректор Е.Д. Дульнева Компьютерная верстка И.А. Налейкиной
Сдано в набор 05.04.2017. Подписано в печать 24.04.2017. Формат 60 х 84^. Гарнитура Ариал. Уел. печ. л. 1,86. Уч.-изд. л. 1,68. Тираж 33 экз. Зак. 638.
Подготовлено на основе электронной версии, предоставленной разработчиком стандарта
Издано и отпечатано во ФГУП «СТАНДАРТИНФОРМ», 123995 Москва, Гранатный пер., 4. www.gostinfo.ru info@gostinfo.ru
1 Область применения...................................................1
2 Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров..............1
Алфавитный указатель терминов на русском языке.................................9
Установленные в настоящем стандарте термины расположены в систематизированном порядке, отражающем систему понятий в области электрических параметров интегральных микросхем.
Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.
Для каждого установленного термина приведено отечественное буквенное обозначение электрического параметра и его определение (в скобках приведено международное буквенное обозначение параметра).
Приведенные определения можно, при необходимости, изменять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в нихтерминов, указывая объекты, входящие в объем определяемого понятия. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в настоящем стандарте.
В случаях, когда в термине содержатся все необходимые и достаточные признаки понятия, определение не приводится и вместо него ставится прочерк.
В пределах одного документа рекомендуется использовать одну систему обозначений — отечественную или международную.
IV
НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров
Integrated circuits.
Terms, definitions and letter symbols of electrical parameters
Дата введения — 2017—08—01
Настоящий стандарт устанавливает термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров интегральных микросхем, включая гибридные микросхемы, многокристальные модули и микросборки (далее — микросхемы).
Термины и буквенные обозначения, установленные настоящим стандартом, рекомендуются для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу действия работ по стандартизации и (или) использующих результаты этих работ.
Параметры напряжения
1 напряжение питания; Uni{UCCi): Напряжение /-го источника питания, обеспечивающего работу микросхемы в заданном режиме.
При мечание — / — порядковый номер источника питания.
2 напряжение питания в режиме хранения; Unxp{Uccs): Напряжение питания, необходимое для хранения информации.
3 напряжение питания в режиме ожидания; Un ож {Uccw): —
4 входное напряжение; UBX (Uj): —
5 входное напряжение низкого уровня; UBX н {UIL): Напряжение низкого уровня на входе микросхемы.
6 входное напряжение высокого уровня; UBX в (1//н): Напряжение высокого уровня на входе микросхемы.
7 входное пороговое напряжение; Unop вх (Un): Наибольшее (наименьшее) напряжение на входе, при котором не происходит переход микросхемы из одного устойчивого состояния в другое.
8 входное пороговое напряжение низкого уровня; Unop вх н (1//71): Наибольшее напряжение низкого уровня на входе, при котором не происходит переход микросхемы из одного устойчивого состояния в другое.
9 входное пороговое напряжение высокого уровня; Цпорвхв (UITH): Наименьшее напряжение высокого уровня на входе, при котором не происходит переход микросхемы из одного устойчивого состояния в другое.
10 напряжение сигнала стирания; UCT(UERA): Напряжение на выводе «Стирание», обеспечивающее удаление информации.
11 напряжение сигнала программирования; Unp (UPR): Напряжение на выводе «Программирование», обеспечивающее изменение информации.
Издание официальное
12 напряжение срабатывания; Усрб (1/;тр): Наименьшее постоянное напряжение на входе, при котором происходит переключение выхода микросхемы из одного устойчивого состояния в другое.
13 напряжение отпускания; UOTn (U,TN): Наибольшее постоянное напряжение на входе, при котором происходит переключение выхода микросхемы из одного устойчивого состояния в другое.
14 напряжение гистерезиса; Угист {Uh): Разность между напряжением срабатывания и напряжением отпускания.
15 напряжение смещения нуля; UCM {Ulo): Постоянное напряжение, которое должно быть приложено к входу, чтобы выходное напряжение было равно нулю или другому заданному значению.
16 входное напряжение синфазное; 1/сф вх (UIC): Напряжение между каждым из сигнальных входов микросхемы и общим выводом, амплитуды, фазы и временное распределение которых совпадают.
17 входное напряжение дифференциальное; Удф вх (UID): Напряжение между инвертирующим и неинвертирующим входами.
18 входное напряжение ограничения; t/orp вх (Ullim): Входное напряжение, при котором отклонение от линейности выходного напряжения превышает установленную величину.
19 входное напряжение покоя; У0вх {UIQ): Напряжение на входе микросхемы при отсутствии входного сигнала.
20 выходное напряжение; Увых {UQ): Напряжение на выходе микросхемы в заданном режиме.
23 напряжение низкого уровня в состоянии «Выключено»; Увыкл н (UOZL): Напряжение низкого уровня, подаваемое на выход микросхемы, находящейся в состоянии «Выключено».
Примечание — Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе.
24 напряжение высокого уровня в состоянии «Выключено»; Увыкл B{UOZH): Напряжение высокого уровня, подаваемое на выход микросхемы, находящейся в состоянии «Выключено».
Примечание — Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе.
25 выходное дифференциальное напряжение; Удф Bblx{UOD): Напряжение между инвертирующим и неинвертирующим выходами.
26 выходное напряжение покоя; и0вых (UOQ): Напряжение на выходе микросхемы при отсутствии входного сигнала.
27 коммутируемое напряжение; Уком (Us): Напряжение, подаваемое на коммутирующий элемент микросхемы.
28 опорное напряжение; Uon(UREF): Постоянное напряжение с заданными требованиями поточности и стабильности его значения.
29 остаточное напряжение; Uoct(4js): Падение напряжения на открытом (включенном) коммутирующем элементе при протекании через него коммутируемого тока заданной величины.
30 напряжение шума; Уш (Un): Напряжение на выходе микросхемы в заданной полосе частот при входном напряжении, равном нулю.
31 напряжение автоматической регулировки усиления; UApy(UAGl;): Напряжение на управляющем входе микросхемы, обеспечивающее регулировку коэффициента усиления в заданных пределах.
32 напряжение задержки автоматической регулировки усиления; Узд дру (UAGCd): Наибольшее абсолютное значение напряжения на управляющем входе микросхемы, при котором ее коэффициент усиления остается неизменным.
33 напряжение изоляции; Уиз (Ulso): Напряжение, которое может быть приложено между входной и выходной изолированными цепями микросхемы, при котором сохраняется ее электрическая прочность.
34 напряжение пульсаций источника питания; Unn п (Uccr): Значение переменной составляющей напряжения источника питания на выводах питания микросхемы, при котором параметры микросхемы удовлетворяют заданным требованиям.
35 падение напряжения; Упд (Uol): Разность между входным и выходным напряжением микросхемы в заданном режиме.
36 минимальное падение напряжения; Упд мин (Uolmin): Наименьшее значение падения напряжения в заданном режиме, при котором параметры микросхемы соответствуют установленным значениям.
37 нестабильность по напряжению; АЧи (dUu): Изменение выходного напряжения при изменении входного напряжения.
38 нестабильность по току; АУ, (dUj): Изменение выходного напряжения при изменении выходного тока.
2
ГОСТ P 57441—2017
Параметры тока
39 ток потребления; /пот (/сс): Ток, потребляемый микросхемой от источника питания.
40 ток потребления при выходном напряжении низкого уровня; /пот н (/CCL): Ток, потребляемый микросхемой от источника питания при выходном напряжении низкого уровня.
41 ток потребления при выходном напряжении высокого уровня; /пот в (/ссн): Ток, потребляемый микросхемой от источника питания при выходном напряжении высокого уровня.
42 ток потребления в состоянии «Выключено»; /пот выкл (/ccz): Ток, потребляемый микросхемой в состоянии «Выключено» на выходе.
Примечание — Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе.
43 динамический ток потребления; /пот. дин (1Ссо): Ток, потребляемый микросхемой от источника питания при переключении с заданной частотой.
44 ток потребления в режиме хранения; /пот (/ccs): Ток, потребляемый микросхемой в режиме хранения информации.
45 ток стирания; lcrp(lERA): Ток, протекающий в цепи вывода «Стирание» микросхемы.
46 входной ток; /вх (/,): Ток, протекающий во входной цепи микросхемы в заданном режиме.
47 входной ток низкого уровня; /вх н (lIL): Ток, протекающий во входной цепи микросхемы при входном напряжении низкого уровня.
48 входной ток высокого уровня; /вх в (/;н): Ток, протекающий во входной цепи микросхемы при входном напряжении высокого уровня.
49 разность входныхтоков; Д/вх(/;о): Разность значений токов, протекающих через инвертирующий и неинвертирующий входы в заданном режиме.
50 входной пробивной ток; /вх прб (/;в): Входной ток при максимальном напряжении на входе микросхемы, не вызывающем необратимых процессов в микросхеме.
51 выходной ток; /ВЬ|Х (/0): Ток, протекающий в выходной цепи микросхемы в заданном режиме.
52 выходной ток низкого уровня; /ВЬ|Х н (lOL): Ток, протекающий в выходной цепи микросхемы при выходном напряжении низкого уровня.
53 выходной ток высокого уровня; /ВЬ|Х в (/он): Ток, протекающий в выходной цепи микросхемы при
выходном напряжении высокого уровня.
54 выходной ток низкого уровня в состоянии «Выключено»;/выкл h(/qzl): Выходной ток микросхемы, выход которой находится в состоянии «Выключено», при подаче на измеряемый выход заданного напряжения низкого уровня.
Примечание — Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе.
55 выходной ток высокого уровня в состоянии «Выключено»;/выкл B(/OZH): Выходной ток микросхемы, выход которой находится в состоянии «Выключено», при подаче на измеряемый выход заданного напряжения высокого уровня.
Примечание — Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе.
56 ток короткого замыкания; /кз (/os): Выходной ток при замыкании выхода микросхемы на общий вывод (на вывод питания).
57 ток утечки; (/L): Ток в цепи микросхемы при закрытом состоянии цепи и заданных режимах на остальных выводах.
58 ток утечки на входе; /^ вх (//L): Ток во входной цепи микросхемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах.
59 ток утечки низкого уровня на входе; /рт вх н (lILL): Ток утечки во входной цепи микросхемы при входных напряжениях в диапазоне, соответствующем низкому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах.
60 ток утечки высокого уровня на входе; вх в (lILH): Ток утечки во входной цепи микросхемы при входных напряжениях в диапазоне, соответствующем высокому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах.
61 токутечки на выходе; вых (/OL): Ток в выходной цепи микросхемы при закрытом состоянии выхода и заданных режимах на остальных выводах.
62 токутечки низкого уровня на выходе; ВЬ|Х н (/OLL): Токутечки при закрытом состоянии выхода, при напряжении на выходе в диапазоне, соответствующем низкому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах.
3
63 ток утечки высокого уровня на выходе; 1^ ВЬ|Х в (l0LH)-- Ток утечки при закрытом состоянии выхода, при напряжении на выходе в диапазоне, соответствующем высокому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах.
64 ток автоматической регулировки усиления; /дру (/AGC): Ток, протекающий через регулирующий вход микросхемы и обеспечивающий регулировку коэффициента усиления в заданных пределах.
65 режимный ток; /р (lR): Постоянный ток, устанавливаемый внешним источником в цепи питания для обеспечения заданных параметров.
66 потребляемая мощность; Рпот(РСс): Мощность, потребляемая микросхемой от источника питания в заданном режиме.
67 входная мощность; Рвх (Р;): Мощность, потребляемая микросхемой от источника входного сигнала для обеспечения заданной мощности на нагрузке.
68 выходная мощность; РВЬ|Х (Р0): Мощность, выделяемая на нагрузке в заданном режиме.
69 рассеиваемая мощность; Ррас (Ptot): Мощность, рассеиваемая микросхемой, работающей в заданном режиме.
70 динамическая потребляемая мощность; Рпот дин (Рссо): Мощность, потребляемая микросхемой от источника питания в режиме переключения с заданной частотой.
71 потребляемая мощность в режиме хранения; Рпот хр (Pccs): Мощность, потребляемая микросхемой от источника питания в режиме хранения.
72 входное сопротивление; /?вх (/?,): Отношение приращения входного напряжения микросхемы к приращению активной составляющей входного тока при заданной частоте сигнала.
73 выходное сопротивление; /?ВЬ|Х (/?0): Отношение приращения выходного напряжения микросхемы к приращению активной составляющей выходного тока при заданной частоте сигнала.
74 сопротивление нагрузки; RH (/?L): Суммарное активное сопротивление внешних цепей, подключенных к выходу микросхемы.
75 сопротивление в открытом состоянии; /?отк (/?ON): Отношение падения напряжения между входом и соответствующим выходом микросхемы к току, протекающему через этот выход, в заданном режиме.
76 сопротивление изоляции; /?из (/?;so): Сопротивление между входной и выходной изолированными цепями микросхемы.
77 входная емкость; СВХ(С,): Отношение емкостной реактивной составляющей входного тока микросхемы к произведению синусоидального входного напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты.
78 выходная емкость; СВЬ|Х (С0): Отношение емкостной реактивной составляющей выходного тока микросхемы к произведению синусоидального выходного напряжения, вызванного этим током, и его круговой частоты.
79 емкость нагрузки; Сн (CL): Суммарная емкость внешних цепей, подключенных к выходу микросхемы.
80 емкость входа/выхода; СВХ/ВЬ|Х (С//0): Значение емкости объединенного входа/выхода, равное отношению емкостной реактивной составляющей входного или выходного тока микросхемы к произведению круговой частоты и синусоидального входного или выходного напряжения при заданном значении частоты сигнала.
81 емкость аналогового входа; Свх ан (Cs): Отношение емкостной реактивной составляющей тока, протекающего через аналоговый вход микросхемы, к произведению синусоидального напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты при закрытом канале (каналах).
82 емкость аналогового выхода; СВЬ|Х ан (CD): Отношение емкостной реактивной составляющей тока, протекающего через аналоговый выход микросхемы, к произведению синусоидального напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты при закрытом канале (каналах).
4
ГОСТ P 57441—2017
83 емкость управляющего входа; Свх упр (С;с): Отношение емкостной реактивной составляющей тока, протекающего через управляющий вход микросхемы, к произведению синусоидального напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты при закрытом канале (каналах).
84 емкость между аналоговыми выходом и входом; СВЬ|Х/ВХ ан (CDS): Отношение емкостной реактивной составляющей тока, протекающего между аналоговым выходом и аналоговым входом микросхемы, к произведению синусоидального напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты при закрытом канале (каналах).
Временные параметры
85 время включения; fBKJ1 (fon): Интервал времени между уровнем 0,5 управляющего напряжения микросхемы и заданным уровнем выходного напряжения в режиме включения.
86 время выключения; fBblKJ1 (toff): Интервал времени между уровнем 0,5 управляющего напряжения микросхемы и заданным уровнем выходного напряжения в режиме выключения.
87 время переключения; tnep(tiran): Интервал времени между уровнем 0,5 управляющего напряжения микросхемы и заданным уровнем выходного напряжения в режиме переключения.
88 время задержки включения; f3fl вкп (tDHL): Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровнях 0,1 или на заданном уровне напряжения.
89 время задержки выключения; t ВЬ|КЛ (tDLH): Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровнях 0,9 или на заданном уровне напряжения.
90 время задержки распространения при включении; *зд р вкл (fPHL): Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровне 0,5 или на заданном уровне напряжения.
91 время задержки распространения при выключении; #зд р выкл (tPLH)\ Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровне 0,5 или на заданном уровне напряжения.
92 время задержки распространения при переходе из состояния высокого уровня в состояние
«Выключено»; f3fl p13(fPHZ): Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения высокого уровня к напряжению в состоянии «Выключено», измеренный на заданном уровне напряжения.
Примечание — Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе.
93 время задержки распространения при переходе из состояния «Выключено» в состояние высокого уровня; f3fl p31 (tPZH): Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения в состоянии «Выключено» к напряжению высокого уровня, измеренный на заданном уровне напряжения.
Примечание — Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе.
94 время задержки распространения при переходе из состояния низкого уровня в состояние
«Выключено»; f3fl р03 (tPLZ): Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения низкого уровня к напряжению в состоянии «Выключено», измеренный на заданном уровне напряжения.
Примечание — Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе.
95 время задержки распространения при переходе из состояния «Выключено» в состояние низкого уровня; f3fl р30 (tPZL): Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения в состоянии «Выключено» к напряжению низкого уровня, измеренный на заданном уровне напряжения.
Примечание — Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе.
96 время нарастания входного сигнала; fHap вх (tLH): Интервал времени нарастания амплитуды входного сигнала микросхемы от уровня 0,1 до 0,9 от заданного значения.
97 время спада входного сигнала; fcn вх (tHL): Интервал времени убывания амплитуды входного сигнала микросхемы от уровня 0,9 до уровня 0,1 от заданного значения.
5
98 время нарастания выходного сигнала; fHap ВЬ|Х (fr): Интервал времени нарастания амплитуды выходного сигнала микросхемы от уровня 0,1 до уровня 0,9 от заданного значения.
99 время спада выходного сигнала; fcn ВЬ|Х (ff): Интервал времени убывания амплитуды выходного сигнала микросхемы от уровня 0,9 до уровня 0,1 от заданного значения.
100 время цикла; f4(fcy): Длительность периода сигналов на одном из управляющих входов, в течение которого микросхема выполняет одну из функций.
101 время цикла записи информации; f3n (fcvw): Интервал времени, равный периоду сигнала на одном из входов, в течение которого микросхема осуществляет запись информации.
102 время цикла считывания информации; fC4 (tCYR): Интервал времени, равный периоду сигнала на одном из входов, в течение которого микросхема осуществляет считывание информации.
103 время выборки; fB (tA): Интервал времени, измеренный на заданных уровнях, между подачей сигнала на управляющий вход и получением на выходе сигнала информации при условии, что все остальные необходимые сигналы поданы.
104 время установления входных сигналов; fycT {tsu): Интервал времени между началом сигнала на заданном входе и последующим активным переходом на другом заданном входе.
105 время удержания; fy (fH): Интервал времени, в течение которого сигнал удерживается на заданном входе после переключения сигнала на другом заданном входе.
106 время восстановления; fBOC (fREC): Интервал времени между окончанием заданного сигнала на выводе микросхемы и началом заданного сигнала в следующем цикле.
107 время сохранения сигнала; tcx(tv): Интервал времени, втечение которого выходной сигнал является достоверным или в течение которого входной сигнал должен оставаться достоверным.
108 время хранения информации; fxp (fSG): Интервал времени, в течение которого микросхема в заданном режиме хранит информацию.
109 время установления выходного напряжения; fycT(y (fs): Интервал времени с момента достижения выходным напряжением уровня 0,9 до момента последнего пересечения выходным напряжением заданной величины.
110 время преобразования; fnp6 (fc): Интервал времени от момента заданного изменения сигнала на входе до появления на выходе соответствующего параметра сигнала.
111 время успокоения выходного напряжения; fycnU (ffof): Интервал времени с момента достижения выходным импульсом прямоугольной формы уровня 0,5 до момента последнего пересечения выходным напряжением микросхемы заданной величины.
112 время регенерации; #per {tREF): Интервал времени между началом последовательных сигналов, предназначенных для восстановления уровня в ячейке динамической памяти до его первоначального значения.
113 длительность сигнала; t(#w): Интервал времени между заданными уровнями при нарастании и спаде импульса.
114 длительность сигнала низкого уровня; тн(^): Интервал времени от момента перехода сигнала из состояния высокого уровня в состояние низкого уровня до момента его перехода из состояния низкого уровня в состояние высокого уровня, измеренный на заданном уровне напряжения.
115 длительность сигнала высокого уровня; тв(^н): Интервал времени от момента перехода сигнала из состояния низкого уровня в состояние высокого уровня до момента перехода его из состояния высокого уровня в состояние низкого уровня, измеренный на заданном уровне напряжения.
116 период следования тактовых импульсов; Гт (Гс): Интервал времени между началами или окончаниями следующих друг за другом периодических импульсов, измеренный на заданном уровне напряжения.
117 коэффициентусиления напряжения; Куи(Ду): Отношение приращения выходного напряжения к приращению входного напряжения.
118 коэффициент усиления тока; Ку, (А;): Отношение приращения выходного тока к приращению входного тока.
119 коэффициент усиления мощности; КуР (Др): Отношение приращения выходной мощности к приращению входной мощности.
120 коэффициент усиления синфазных входных напряжений; Ку сф (Аис): Отношение приращения выходного напряжения к приращению синфазного входного напряжения.
6