УДК 6J1.382.3.081.8:006.354    Группа    Э29

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ТРАНЗИСТОРЫ

Метод измерения коэффициента передачи тока

Transistors. Method for measuring current transfer coefficient

Лостаноалением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 14 июня 1974 г. № 1478 срок введения установлен

с 01.01.76

Проверен в 1984 г. Постановлением Госстандарта от 29.01.85 N9 184 срок действия продлен

до 01.01.91

Несоблюдение стандарта преследуется по закону

Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы малой мощности и устанавливает метод измерения коэффициента передачи тока h_ne (отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания выходной цепи по переменному току).

Общие условия при измерении коэффициента передачи тока должны соответствовать требованиям ГОСТ 18604.0-83.

1. АППАРАТУРА

1.1.    Измерительные установки, в которых используются стрелочные приборы, должны обеспечивать измерение с основной погрешностью в пределах ±5% от конечного значения рабочей части шкалы и в пределах ±10 % в начале рабочей части шкалы.

Для измерительных установок с цифровым отсчетом основная погрешность измерения должна быть в пределах ±5% от измеряемого значения ±1 знак младшего разряда дискретного отсчета.

1.2.    Приборы, измеряющие постоянную составляющую тока эмиттера и коллектора, могут быть включены на любом участке цепи, где протекают указанные токи.

1.3.    Показания электронного измерителя напряжения (ЭИН), вызванные пульсацией напряжения источников питания измеряе-

Издание официальное    Перепечатка    воспрещена

★

Стр. 2 ГОСТ 18604.7-74

мого транзистора, а также внутренними и внешними наводками в схеме при отсутствии измеряемого сигнала, должны быть не более 2% шкалы.

1.4.    Измерение коэффициента передачи тока производят на малом переменном сигнале. Амплитуду сигнала сяитают достаточно малой, если при уменьшении амплитуды генератора в два раза, значение измеряемого параметра изменяется менее, чем на величину основной погрешности измерения.

1.5.    Измерение параметра h_2Xe производят при включении транзистора по схеме с общим коллектором по переменному току и по схеме с общей базой по постоянному току на любой частоте в диапазоне 50—1500 Гц.

Примечание. Верхняя граница частотного диапазона намерения для транзисторов с частотой f_T (f _а )<5С0 кГц должка быть не более 1СОО Гц.

1.6.    Значение тока эмиттера/в или коллектора / с и напряжения на коллекторе Uс указывают в стандартах или другой технической документации, утвержденной в установленном порядке, на транзисторы конкретных типов.

1.7.    Необходимость применения защиты транзистора от паразитных автоколебаний указывают в стандартах или другой технической документации, утвержденной в установленном порядке, на транзисторы конкретных типов.

В приложении к данному стандарту представлены примеры рекомендуемых специальных схем подключения транзисторов для защиты от паразитных автоколебаний.

2. ПОДГОТОВКА К ИЗМЕРЕНИЮ

2.1.    Структурная электрическая схема для измерения hue должна соответствовать указанной на чертеже.

2.2.    Основные элементы, входящие в схему, должны соответствовать требованиям, указанным ниже.

2.2.1.    Значение входного сопротивления прибора ЭИН должно превышать значение сопротивления резистора R_b не менее чем в 100 раз.

2.2.2.    Напряжения источников питания транзистора Ue и Uc обеспечивают режим испытываемого транзистора по постоянному току при измерении.

Значение сопротивления R_e (резистора или внутреннего сопротивления источника постоянного тока) выбирают из соотношения

^>100[/?₄(l-)-h_I14mln)+60 Ом], где Лmin—минимальное значение коэффициента передачи тока в схеме с общей базой на низкой частоте, соответствующее выбранному пределу измерения на шкале ЭИН.

58

ГОСТ 1М04.7—74 Стр. 5

ПРИЛОЖЕНИЕ

Справочное

ПРИМЕРЫ СХЕМ ПОДКЛЮЧЕНИЯ ВЧ И СВЧ ТРАНЗИСТОРОВ К СХЕМАМ ИЗМЕРЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТА ПЕРЕДАЧИ ТОКА h , ИЗОБРАЖЕННЫМ НА ЧЕРТ. 1—3 НАСТОЯЩЕГО СТАНДАРТА

1. Для измерения параметра h₂\_е в режиме малого сигнала транзисторов навесной конструкции с гибкими выводами, высокочастотные параметры которых удовлетворяют соотношению

—7~г— ^<30' ьъС _с

где f_T —граничная частота коэффициента передачи тска, МГц;

гпостоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, пс; примеры схемы подключения транзисторов приведены на черт. К Элементы, входящие в схемы на черт. 1, должны соответствовать требова нням, указанным ниже.

61

1.1.    Конденсаторы С/ и С2 блокируют выводы транзистора по высокой частоте с делью повышения устойчивости и избежания паразитного самовозбуждения. Зги конденсаторы монтируют непосредственно на выводах контактного устройства. Длину соединительных выводов нужно сокращать до минимально возможной величины. Рекомендуется применение контактных устройств, в которых номинальные значения емкостей конденсаторов С1 и С2 являются составной частью конструкции и колеблются от 30 до 20000 пФ.

Рекомендуется принимать меры к устранению погрешности измерения за счет падения напряжения на соединительных прсводах и контактах путем разделения контактоз и соединительных провоаэв на токовые и потенциальные.

1.2.    Для уменьшения проходной емкости эмиттера и коллектора в контактном устройстве эти выводы друг от друга отделяют электростат\ческим экраном (Э).

1.3.    Принимают меры к уменьшению взаимной индукции между выводами контактного устройства.

1.4.    Вывод корпуса транзистора присоединяют к корпусу (земле) измерительной устанозки через емкссть (по высокой частоте). В зтом случае номинальное значение емкости конденсатора выбирают в пределах от 10330 до 50000 пФ, а требования к монтажу аналогичны требованиям к С/ и С2-

1.5.    Примеры схем сграничггеля напряжения (ОН), предназначенного для защиты эмиттерного перехеда от случайных перенапряжений обратной полярности и для ограничения напряжения холостого хеда на зажимах контактного устройства при отключении транзистора, приведены на черт. 2, 3 приложения.

Уровень ограничения напряжения должен быть в 1,5—2 раза больше, чем прямое падение напряжения на зажимах измеряемого транзистора.

В качестве дисдов для схем ограниченья применяют кремниевые дисды, а также /?—л пгрехеды кремниевых транзисторов.

2. Для тоанзисторсв коаксиальной и полосковой конструкции, электрические параметры которых не удовлетворяют неравенству, приведены эму в п. I настоящего приложения, схема подключения, рекомендуемая при измерении параметра /1*1* в режиме малого сигнала должна соответствовать приведенной на черт. 4 приложения

Элементы, еходящие в схему, представленную на черт. 4, должны соответствовать следующим требованиям.

62

ГОСТ 18604.7-74 Стр. 7

Черт 4

2 1 Волновые сопротивления линии Л1, Л2, ЛЗ должны выбираться из диапазона от 2D до 153 Ом

Примечания:

1    Рекомендуемые значения волновых сопротивлений

Zoi^^O Ом, Z_0l“50 Ом,    Ом.

2    Рекомендуется принимать меры к устранению паразитных связей между линиями, подключенными к различным электродам транзистора

2 2. Сопротивления нагрузочных резисторов передающих линий должны быть равны волновым сопротивлениям соответствующих линий

/?i=Zoi, ^i=Z₀a,/?3=Z₀3

Нагрузочные резисторы включают последовательно з цепи выводов транзистора в, и в силу малой своей величины саи не влияют на результаты измерения параметра h₂i _е в режиме малого сигнала

23 Значения емкостей проходных конденсаторов С1, С2, СЗ, выбираемые из диапазона от 300 до 10300 пФ, не оказывают влияния на результаты измерения параметра hn_e по методике, изложенной в настоящем стандарте

2 4 Рекомендуется принимать меры к устранению паразитной связи между передающими линиями в цепях различных электрэдсв транзистора и к уменьшению проходной емкости между электродами эмиттера и коллектора контактного устройства (С_се<С_се), где С_се—паразитная ечкссть между выводами коллектора и эмиттера контактодержателя)

2 5 Ограничитель напряжения {ОН) должен соответствовать требованиям п 1 5 настоящего приложения

Дополнительным требованием является увеличение уровня ограничения по сравнению со значением уровня ограничения, указанного ап 15 приложения, ва значение AU_Е , которое определяется как

Д V_e~I_p.R_u

на значение Д17_с, которое определяется как

где /£ —постоянный ток эмиттера указывают а стандартах или другой технической документации, утвержденной в у ста нов ленном порядке, на транзисторы конкретных типов.

2.6. Напряжение питания коллектора при иэмергнии транзистора а схеме аодклюяения, приведенной на черт. 4, определяется по формуле

V_C~Vc

где U£ — напряжение, устаназлиэаемсе на измерителе гзпряження.