ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ТЕХНИЧЕСКОМУ РЕГУЛИРОВАНИЮ И МЕТРОЛОГИИ

ПЛАТЫ ПЕЧАТНЫЕ

Проектирование, изготовление и монтаж. Термины и определения

Часть 2

Стандартное употребление в электронной технике, а также для печатных плат и техники электронного монтажа

(IEC 60194-2:2017,

Printed boards — Design, manufacture and assembly — Vocabulary — Part 2: Common usage in electronic technologies as well as printed board and electronic assembly technologies, IDT)

Издание официальное

Москва

Стандартинформ

2019

Предисловие

1    ПОДГОТОВЛЕН Федеральным государственным унитарным предприятием «СТАНДАРТИН-ФОРМ» (ФГУП «СТАНДАРТИНФОРМ») на основе собственного перевода на русский язык англоязычной версии стандарта, указанного в пункте 4

2    ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 051 (МТК 051) «Система конструкторской документации»

3    УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 27 сентября 2019 г. № 796-ст

4    Настоящий стандарт идентичен международному стандарту МЭК 60194-2:2017 «Платы печатные. Проектирование, изготовление и монтаж. Термины и определения. Часть 2. Стандартное употребление в электронной технике, а также для плат печатных и техники электронного монтажа» (IEC 60194-2:2017 «Printed boards — Design, manufacture and assembly — Vocabulary — Part 2: Common usage in electronic technologies as well as printed board and electronic assembly technologies». IDT).

Наименование настоящего стандарта изменено относительно наименования указанного международного стандарта для приведения в соответствие с ГОСТ Р 1.5-2012 (пункт 3.5).

Дополнительные сноски в тексте стандарта, выделенные курсивом, приведены для пояснения текста оригинала

5    ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ

Правила применения настоящего стандарта установлены в статье 26 Федерального закона от 29 июня 2015 г. № 162-ФЗ «О стандартизации в Российской Федерации». Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего года) информационном указателе «Национальные стандарты», а официальный текст изменений и поправок — в ежемесячном информационном указателе «Национальные стандарты». В случае пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет опубликовано в ближайшем выпуске ежемесячного информационного указателя «Национальные стандарты». Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в информационной системе общего пользования — на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (www.gost.ru)

©Стандартинформ. оформление. 2019

Настоящий стандарт не может быть полностью или частично воспроизведен, тиражирован и распространен в качестве официального издания без разрешения Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии

и

3.3.15    схема (электрическая) (circuit): Набор электрических элементов и устройств, соединенных между собой для обеспечения заданной электрической функции.

3.3.16    комплементарный металлооксидный полупроводник (complementary metal-oxide semiconductor): Технология изготовления, которая приводит к созданию как NMOS. так и PMOS FET-устройств.

3.3.17    коаксиальный кабель (coaxial cable): Кабель в форме центрального проводника, окруженного проводящим цилиндром (трубкой) или оплеткой, служащей экраном и возвратным проводом.

3.3.18    компенсационная схема (compensation circuit): Электрическая схема, дополняющая работу другой схемы, с которой она применяется для достижения желаемого результата работы.

3.3.19    компонент (component): Отдельная деталь или несколько деталей, соединенных вместе, которые выполняют установленную(ые) функцию(и), заложенные при проектировании.

Примечание — См также 3 4 17.

3.3.20    монтажное поле компонента (component mounting site): Участок на печатной плате, который состоит из контактных площадок и проводников к дополнительным контактным площадкам для тестирования или к переходным отверстиям, которые ассоциируются с монтажом отдельного компонента.

3.3.21    компрессионное (холодносварное) уплотнение (compression seal): Ппотное (герметичное) соединение между корпусом компонента и его выводами, которое сформировано за счет того, что горячий металл при охлаждении оседает и обжимает стеклянные изоляторы.

3.3.22    автоматизированное проектирование; CAD (computer-aided design CAD): Интерактивное использование компьютерных систем, программного обеспечения и методов в процессе проектирования. при котором деятельность по принятию решений остается за человеком-оператором. а компьютер обеспечивает только функцию обработки данных.

3.3.23    кондиционирование (conditioning): Воздействие на образец в течение определенного времени определенных климатических условий (как правило, с заданной температурой и заданной относительной влажностью) или атмосферы указанной относительной влажности или его полное погружение в воду или другую жидкость.

3.3.24    проводимость (conditioning): Для резистивного двухполюсного элемента или двухполюсной цепи с клеммами А и В. частное от величины электрического тока / в элементе или цепи к напряжению u_AB (IEC 60050-131:2013, 131-11*56) между клеммами.

где электрический ток считается положительным, если его направление от А к В, и отрицательным, если его направление от В к А.

Примечание 1— Проводимость элемента или схемы является обратным его сопротивлению

Примечание 2 — Термин «проводимость» также применяется как «проводимость при переменном токе» (МЭК 60050-131 2013, 131-12-53).

Примечание 3 — В СИ единицей проводимости является сименс. S

3.3.25    проводящие чернила (conductive ink): Жидкая среда с суспензированным порошком из электропроводящего материала.

3.3.26    проводящая среда (conductive medium): Среда с суспензированным порошком из электропроводящего материала

3.3.27    токопроводящий рисунок (conductive pattern, conductor pattern): Конфигурация, образованная электропроводящим материалом печатной платы.

(МЭК 60050-541:1990. 541-01-04]

3.3.28    проводимость (conductivity): <Электрическая> способность вещества или материала проводить электричество.

3.3.29    проводимость (conductivity): <Тепловая> способность вещества или материала проводить тепло.

3.3.30    проводник (conductor trace, conductor line, conductor path): Отдельный проводящий путь в проводящем рисунке.

(МЭК 60050-541:1990. 541-01-20]

3.3.31    несущая панель (constraining core): Опорная панель внутри корпуса стойки для установки разьемов и межсоединений.

3.3.32    пайка с управляемой осадкой припоя (constraining core): «Соединение компонента» Технология пайки компонентов («перевернутый кристалл», CSP. BGA) к подложке, путем управления высотой соединения за счет равновесия поверхностного натяжения жидкого припоя и веса компонента.

3.3.33    копланарные выводы (coplanar leads): Плоские балочные выводы корпуса компонентов, сформированные так, что они все могут одновременно касаться плоскости материала основания.

3.3.34    коронный разряд (corona): Электрический разряд, вызванный ионизацией жидкости, окружающей проводник, который происходит, когда градиент потенциала превышает определенное значение. но условия являются недостаточными для вызова полного электрического пробоя или дугообра-зования.

3.3.35    рама для катушек (corona): Устройство, используемое в качестве емкости для пряжи, для удержания концов нитей в секционной катушке.

3.3.36    критический дефект (critical defect): Аномалия, определенная как неприемлемая.

3.3.37    перекрестные помехи, ложный сигнал (crosstalk, spurious signal): Нежелательная передача электрической энергии меэду соседними проводниками путем взаимной индуктивности и емкости.

Примечание — См также термины 3 2 3 и 3 6 21

3.3.38    чашкообразное искривление BGA (cupping): <BGA> Состояние компонента BGA после оплавления, где углы загнуты вверх и в сторону от ламинированной поверхности печатной платы.

Примечание 1 — Это условие в худшем случае приводит к тому, что шарики на внешнем ряду находятся в напряжении, а шарики в центре — в сжатом состоянии

Примечание 2 — Противоположно термину «куполообразный BGA»

3.3.39    ток (current): Поток или движения электронов в проводнике в результате разности потенциалов между концами проводника.

3.3.40    токонесущая способность (current-carrying capacity): Максимальный электрический ток. который может протекать в проводнике при определенных условиях без нежелательного ухудшения электрических и механических свойств изделия.

3.3.41    частные технические условия для потребителя (customer detail specification CDS): Документ, который устанавливает определенные требования, указанные в частных технических условиях, для того, чтобы адаптировать продукцию запросам потребителя изделия, материала или сервисного обслуживания.

3.4 D

3.4.1    поломка (damage): Событие, которое вызывает деградацию продукта, например компонентов. печатных плат, модулей и т.п., в результате несоответствия ограничениям на форму, монтаж и функцию, предусмотренным в нормативных документах.

3.4.2    сбор данных (data capture): Автоматический сбор информации с определенного устройства или другого источника информации.

3.4.3    база данных (database): Обширная совокупность информации, структурированная таким образом, что часть данных или все данные могут быть использованы для создания запросов о связанных элементах, содержащихся внутри нее.

3.4.4    перевернутая ориентация (dead-bug, adj): Ориентация корпуса с выводами, направленными вверх

3.4.5    развязка (decoupling): Подавление шумовых импульсов в цепях питания, которые появляются из-за переключений логических схем, для того, чтобы предотвратить ложные срабатывания других логических схем в той же самой схеме питания.

3.4.6    дефект (defect): Несоответствия или другие факторы риска, обнаруженные производителем.

Примечание — Несоответствие процесса и/или материала может привести к ухудшению функциональных показателей, срока службы или надежности

3.4.7    деградация (degradation): Нежелательное отклонение в эксплуатационных характеристиках любого устройства, оборудования или системы от его предполагаемой производительности.

Примечание — Термин «деградация» может применяться к временному или постоянному отказу устройства 8

3.4.8    частные технические условия (detail specification): Подробное письменное описание детали или процесса.

3.4.9    базовая пластина кремния (dice): Два или более кристалла микросхемы.

3.4.10    резка кристалла (dicing): Разделение полупроводниковой пластины на отдельные кристаллы микросхемы.

3.4.11    кристалл (die, chip, leadless device): Отдельная часть (или вся) кристаллическая пластина, предназначенная для выполнения функции или функций в устройстве.

3.4.12    крепление кристалла (die bonding): Прикрепление кристалла к подложке.

3.4    13 бескорпусный кристалл (die device): Кристалл без корпуса, с соединительными структурами. или без них. или минимально упакованный кристалл микросхемы.

3.4.14    электрическая прочность диэлектрика (dielectric strength): Максимальное напряжение, которое может быть приложено к диэлектрику при определенных условиях, не приводящее к электрическому пробою.

Примечание — Как правило, выражается в вольтах на единицу толщины

3.4.15    цифровая схема (digital circuit): Электрическая схема, которая обеспечивает два (двоичная) или три явных состояния между входом и выходом.

3.4.16    постоянный ток (direct current DC): Электрический ток, который не зависит от времени, или. в более широком смысле, периодический ток. постоянная составляющая которого имеет первостепенное значение.

Примечание — Классификация постоянного тока приведена в МЭК 60050-151.

3.4.17    дискретный компонент (discrete component): Отдельный компонент, выполняющий отдельную электронную электрическую функцию при работе в схеме (например, резистор, конденсатор, транзистор).

3.4.18    куполообразный BGA (doming): <BGA> Состояние пакета компонента BGA после оплавления. в котором углы повернуть вниз и в сторону ламинированной поверхности печатной платы.

Примечание 1 — Это условие в худшем случае приводит к тому, что шарики на внешней поверхности будут сжаты, а шарики в центре будут в напряжении

Примечание 2 — Противоположно термину см 3.3.38

3.4.19    присадка (doping): Добавление определенной примеси к части кремниевого монокристалла для изменения проводимости кристалла в определенном порядке с целью получения полупроводниковых приборов из этого кристалла.

3.4.20    двухсторонняя сборка (double-sided assembly): Структура компоновки и межсоединений с компонентами, смонтированными на обеих сторонах подложки.

Примечание —См также термин 3.19 19

3.4.21    сухой контейнер (dry pack): Контейнер, который поддерживает содержание влаги в пакетах устройств на бескорпусных кристаллах в заданных пределах.

3.4.22    DIP корпус (dual in-line package DIP): Прямоугольный корпус компонента с рядами выводов вдоль длинных сторон корпуса, сформированных под прямым углом к плоскости, параллельной основанию корпуса.

3.5    Е

3.5.1    сглаживание фронта импульса (edge-transmission attenuation): Потеря четкости границы изменения напряжения переключения логического сигнала, вызванная поглощением высокочастотных гармоник линией передачи.

Примечание — См также термин 3 1 25

3.5.2    электрические характеристики (electrical characteristics): Характерные электрические особенности или свойства компонента или сборки.

3.5.3    электромагнитная совместимость (electromagnetic compatibility ЕМС): Способность устройства функционировать должным образом в своей рабочей среде, не вызывая электромагнитные помехи к другому оборудованию, или быть самому восприимчивым к внешним помехам.

3.5.4    электромагнитное возмущение (electromagnetic interference EMI): Ухудшение производительности единицы оборудования, канала передачи или системы, вызванное электромагнитными помехами.

Примечание 1 — Во французском языке термины «электромагнитное возмущение» и «электромагнитные помехи» обозначают соответственно причину и эффект, и не должны использоваться без различия

Примечание 2 — В английском языке термины «электромагнитные помехи» и «электромагнитное возмущение» обозначают соответственно причину и эффект, но они часто используются без различия

3.5.5    электростатический разряд (electrostatic discharge ESD): Передача электрического заряда между телами с различным электростатическим потенциалом вблизи или через прямой контакт.

3.6 F

3.6.1    фарада (farad): Единица измерения электрической емкости.

3.6.2    перекрестная помеха на дальнем конце (far-end crosstalk): См. 3.6.21.

3.6.3    повреждение (fault): Любое условие, которое приводит к выходу из строя устройств или схемы с нарушением его функционирования.

3.6.4    пленочный проводник (film conductor): Проводник, сформированный на материале основания нанесением проводящего материала методом трафаретной печати, гальванопластики или вакуумного напыления.

3.6.5    пленочная интегральная схема (film network): Электрическая схема, состоящая из тонкопленочных и/или толстопленочных компонентов на подложке.

3.6.6    выходной контроль (final inspection, delivery inspection): Оценка качественных характеристик продукции по стандарту, спецификации или чертежу перед отгрузкой потребителю.

3.6.7    окончательная герметизация (final seal): Технологический процесс, который завершает изготовление корпуса микросхемы так, чтобы в дальнейшем внутренняя обработка не могла быть выполнена без удаления крышки или иной разборки корпуса.

3.6.8    слабое течение (fine leak): Течь в герметизированном корпусе, не превышающая 0,00001 см³/С при разнице давлений 1 атм.

3.6.9    компонент QFP с малым шагом выводов (fine pitch QFP): Корпус QFP с шагом выводов менее 0.635 мм.

3.6.10    корпус типа «flat pack» (flat pack): Прямоугольный корпус компонента содержащий ряд выводов, расположенных параллельно друг другу и выходящих из длинных сторон корпуса на всей их длине.

3.6.11    гибкая двухсторонняя печатная плата (flexible double-sided printed board, double-sided flexible printed wiring board): Двухсторонняя печатная плата на основе только гибкого материала.

3.6.12    конструкция межсоединений на гибкой основе (flexible material interconnect construction, FMIC): Интеграция пассивных и активных компонентов с механическими компонентами (включая переключатели и разьемы) на гибком или тонком материале основания, т е. гибкая печатная плата, предназначенная для создания электронных сборок.

3.6.13    гибкая многослойная печатная плата (flexible multilayer printed board): Многослойная печатная плата на основе только гибкого материала.

Примечание — Различные области гибкой многослойной печатной платы могут иметь разное количество слоев и различную толщину и. следовательно, различную гибкость

3.6.14    гибкая печатная плата (flexible printed board): Печатная плата на основе только гибкого материала.

Примечание — Она может быть частично снабжена электрически нефункциональными ребрами жесткости и/или слоями покрытия

3.6.15    гибкая печатная схема (flexible Tinted circuit): Рельефная конструкция печатных схем и компонентов, в которых используется гибкий материал основания с гибким покрывающим слоем или без него.

3.6.16    гибкий печатный монтаж (flexible printed wiring): Рельефная конструкция печатного монтажа. в которой используется гибкий материал основания с гибким покрывающим слоем или без него.

3.6.17    гибкая односторонняя печатная плата (flexible single-sided printed board): Односторонняя печатная плата с использованием только гибкого материала основания.

3.6.18    гибко-жесткая двухсторонняя печатная плата (flex-rigid double-sided printed board): См. 3.18.15

3.6.19    гибко-жесткая печатная плата (flex-rigid printed board): См.: 3.18.16.

3.6.20    компонент типа «flip chip» (flip chip): Безвыводная монолитная структура элемента схемы, которая электрически и механически соединяется с печатной платой с помощью проводниковых выпуклостей (шишек, столбиков, шариков).

3.6.21    перекрестная помеха в конце линии (forward crosstalk, far-end crosstalk): Помеха, наведенная в пассивной (нешумящей) линии, вызванная ее близостью к активной (шумящей) линии, которая наблюдается на наиболее удаленном от источника помех конце линии.

Примечание —См также 3 2 3.

3.6.22    частота (frequency): «Электрический ток> Число циклов (герц) или завершенных изменений в секунду.

3.6.23    полностью аддитивный процесс (fully additive process, fully electroless process): Аддитивный процесс, в котором вся толщина электрически изолированных проводников получается путем применения процесса химической металлизации.

3.7 G

3.7.1    общие технические условия (generic specification GS): Документ, который описывает набор общих требований столь полно, насколько это возможно, применительно к набору, семейству или группе продуктов, материалов или услуг.

3.7.2    тестирование по принципу «годен-не годен» (go/no-go testTecT): Процесс тестирования, который дает результат только об исправном или неисправном состоянии.

3.7.3    негерметичность корпуса (gross leak): Утечка в герметичном корпусе превышающая 0.00001 см³/с при разности давления 1 атм.

3.7.4    заземление (ground): Общая контрольная точка для обратного провода электрических цепей. цепей экранирования или теплоотводов.

3.7.5    слой заземления (ground plane): Проводящий слой, или его часть, которая служит общей точкой отсчета (напряжения) для возвратных токов электрических цепей экранирования или теплосто-ков.

3.8 Н

3.8.1    сборка (header): <Модуль> Носитель корпусов электронных компонентов, содержащий выводы.

3.8.2    теплоотвод (heatsink, thermal shunt): Механическое устройство, выполненное из материала с высокой теплопроводностью и низкой удельной теплоемкостью, которое рассеивает теплоту, вырабатываемую компонентом или сборкой.

3.8.3    герметичность (hermetic): <изоляции> Приемы изоляции компонента от диффузии проникающих газов, как правило, менее 1 * 10"⁶ см³/с.

3.8.4    гистограмма (histogram): Диаграмма, которая отображает значения, которые были полученные путем деления диапазона набора данных на равные интервалы, и количество точек данных в каедом интервале.

Число
Рисунок 5 — Гистограмма

3.8.5    концентратор (horn): Конусообразный объект, передающий ультразвуковую энергию от преобразователя передающего устройства.

3.8.6    гибридная схема (hybrid circuit): Схема, размещенная на изоляционном основании с различными комбинациями связанных пленочных проводников, пленочных компонентов, полупроводниковых кристаллов, пассивных компонентов и межсоединений, образующих электрическую цепь.

Примечание — См 313 15 и 3.13.16

3.8.7    гибридная интегральная схема (hybrid integrated circuit): Схема, размещенная на изоляционном основании с различными комбинациями связанных пленочных проводников, пленочных компонентов, полупроводниковых кристаллов, пассивных компонентов и межсоединений, образующих электрическую цепь, выполняющая такую же функцию, что и единая полупроводниковая интегральная схема.

3.8.8    гибридная микросхема (hybrid microcircuit): Схема, размещенная на изоляционном материале основания с различными комбинациями связанных пленочных проводников, пленочных компонентов. полупроводниковых кристаллов, пассивных компонентов и межсоединений, образующих электрическую схему.

3.9 I

3.9.1    условия погружения (immersion conditions): Условия испытания, при котором выводы по-верхностно-монтируемого компонента погружают в припой для проверки устойчивости к температурам пайки.

3.9.2    волновое сопротивление (impedance): Сопротивление электрической цепи, состоящей из комбинации сопротивления, емкости и индуктивности, при нагружении ее током, меняющимся во времени.

Примечание — Единицей измерения волнового сопротивления является Ом. и, в принципе, оно равно корню квадратному из суммы квадратов сопротивления, реактивного сопротивления и индуктивности

3.9.3    индуктивность (inductance): Свойство проводника, позволяющее ему накапливать энергию в магнитном поле индуцированным током, протекающим через него.

Примечание — Единицей измерения является генри (Н).

3.9.4    входной вектор (input vector): Набор логических значений, которые будут применяться к полному набору входных контрольных точек в любой момент времени.

3.9.5    вносимые потери (insertion loss): Соотношение передаваемой мощности электромагнитной энергии и падения мощности.

Примечание 1 — Потеря мощности включает в себя потерю путем преобразования в тепло в диэлектрике и в проводниках

Примечание 2 — Вносимые потери, как правило, выражаются в децибелах (дБ).

3.9.6    контрольная партия (inspection lot): Партия образцов продукции, идентифицируемых и рассматриваемых как единое целое, в которой извлеченный из партии образец подвергается контролю и испытаниям с целью определения соответствия партии определенным критериям.

3.9.7    интегральная схема (integrated circuit): Комбинация нерасчленяемых элементов схемы, сформированных вместе и расположенных на/или внутри одного материала основания для выполнения электрических функций.

3.9.8    интегрированный пассивный компонент (integrated passive component): Несколько пассивных компонентов, которые разделяют подложку и корпус.

Примечание — Интегрированные пассивные компоненты могут быть размещены внутри слоев первичной соединительной подложки и, таким образом, станут встроенными пассивными компонентами В качестве альтернативы эти компоненты могут находиться на поверхности отдельной подложки, которая затем помещается в корпус и монтируется поверх первичной соединительной подложки, становясь пассивными массивами или пассивными сетями

3.9.9    межсоединение (interconnection): Присоединение электрических устройств для завершения схемы.

3.10    J

3.10.1    джиссо (jisso): Общее решение для соединения, сборки, упаковки, монтажа и интеграции системы проектирования.

Примечание — Японский термин.

3.10.2    J-образный вывод (J-leads): Предпочтительная форма монтажного вывода, используемая на безвыводных пластиковых кристаллодержателях типа PLCC, названных так потому, что вывод отходит от корпуса по оси Z рядом с ним, формируется вниз, затем закручивается под корпус.

Примечание — Так сформированный вывод имеет форму буквы «J».

3.10.3    температура перехода (junction temperature): Температура области перехода между полупроводниковым материалом p-типа и п-тила в транзисторе или диоде во время работы.

3.11    К

3.11.1    эталонный кристалл (known good die KGD): Полупроводниковое изделие в виде кристалла. обеспечивающее полный эквивалент качества и надежности, как его прототип.

3.11.2    протестированный кристалл (known tested die KTD): Полупроводниковое изделие в виде кристалла, функции которого подтверждены пробными испытаниями, соответствующий ожидаемой функциональности кристалла в корпусе без полной гарантии качества от поставщика (поставщиков).

Примечание — Требования к испытаниям соответствуютAABUS

3.12    L

3.12.1    матрица выводов (land grid array LGA): Квадратный корпусе контактами, расположенными в узлах координатной сетки на основании корпуса.

3.12.2    большая интегральная схема (large-scale integration LSI): Интегральная схема с более чем 100 элементами.

3.12.3    наслаивание (послойное наращивание) (lay-up): Процесс объединения одного или более внутренних слоев и препрега или отдельного слоя (слоев) в слоистую конструкцию.

Примечание — Конструкция может содержать внутренние и внешние слои и слои фольги

3.12.4    рамка с внешними выводами (lead frame): Металлический блок корпуса компонента, на котором монтируется кристалл интегральной схемы и формируется структура межсоединений от кристалла к внешним выводам.

3.12.5    бессвинцовый припой (lead-free solder): Сплав, который не содержит более 0,1 % свинца (РЬ) по массе и используется для соединения компонентов к подложкам или для покрытия поверхностей.

3.12.6    кристаллодержатель с выводами (leaded chip carrier): Кристаллодержатель, внешние соединения которого состоят из выводов, которые расположены вокруг и под корпусом.

3.12.7 компонент поверхностного монтажа с выводами (leaded surface-mount component): Компонент поверхностного монтажа, внешние соединитепи которого состоят из выводов, находящихся вокруг корпуса и под ним.

Примечание — См также 3.128

Рисунок 6 — Компонент поверхностного монтажа с выводами в форме «крыло чайки»

3.12.8    безвыводной компонент поверхностного монтажа (leadless surface-mount component, leadless component, leadless device): Компонент поверхностного монтажа, внешние выводы которого представляют собой локальные области металлизации, являющиеся неотъемлемой частью корпуса компонента.

Примечание — См также 3.12 7

3.12.9    ток утечки (leakage current): Нежелательное протекание электрического тока по поверхности или сквозь изолятор.

3.12.10    взаимоиндуктивность линий (line coupling): Взаимодействие между двумя линиями передачи. которое обусловлено их взаимной индуктивностью и емкостью.

3.12.11    емкость нагрузки (load capacitance): Емкость на выходе логической схемы или другого источника сигнала.

3.12.12    логическая схема (logic circuit): Функциональная цифровая схема, используемая для выполнения вычислительных функций.

3.12.13    логическая диаграмма (logic diagram): Изображение, отражающее многостадийное устройство реализации логических функций с логическими символами и дополнительными системами обозначения, показывающими детали потока сигнала и контроля, но необязательно от точки до точки.

3.12.14    система логических схем (logic family): Совокупность логических функций, использующих одну форму электронных схем, например эмиттерно-связанную логику (ECL). транзисторно-транзисторную логику (TTL). комплементарную металло-оксидную полупроводниковую логику (CMOS)

3.12.15    приемлемое число выборки (lot accept number): Максимальное количество изделий, которые могут не выдержать испытание, не вызывая отказ от всей партии.

3.12.16    неприемлемое число выборки (lot reject number): Количество изделий, которые не выдержали испытание, вызывающее отказ от всей партии.

3.12.17    размер партии (lot size, batch size): Количество изделий, произведенных в одном непрерывном, бесперебойном производственном цикле.

3.12.18    яркость (luminance, brightness): Величина, вычисляемая по формуле

d<T>_v ^Lv dAcosOdO

гдебФу— световой поток, передаваемый элементарным пучком, проходящим через данную точку и распространяющимся в телесном угле di2. содержащим данное направление;

— площадь сечения этого пучка, содержащая данную точку; н — угол между нормалью к этому сечению и направлением луча.

Единица измерения: кд м^-2 = Лм м^-2 • стер^-1.

3.12.19    световая энергия (luminous energy): Мера потока световой энергии. Интеграл по времени светового потока.

Примечание — Световая энергия измеряется в ямс (люмен в секунду).

3.12.20    световой поток (luminous flux): Величина, вычисляемая по формуле

о

гдеР(>.) — спектральная плотность мощности, излучаемой источником на длине волны X;

ЦХ) — спектральная световая эффективность;

К_т — постоянная.

Примечание — В системе единиц СИ, где Р(>.) выражается в ваттах на метр, световой поток Ф выражается в люменах, и К_т = 683 лм/Вт

3.13 м

3.13.1    основной дефект (major defect): Дефект, который, вероятно, приведет к поломке изделия или продукта или существенно снизит его пригодность по основному назначению.

3.13.2    металлооксидный полупроводник (metal-oxide semiconductor MOS): Технология изготовления. в результате которой создаются FET-устройства (устройства на полевых транзисторах).

3.13.3    микросхема (microcircuit): Комбинация эквивалентных элементов цепи с относительно высокой плотностью, соединенных таким образом, чтобы функционировать как самостоятельный компонент электронной схемы.

3.13.4    модуль микросхем (microcircuit module): Комбинация микросхем и отдельных компонентов, соединенных между собой таким образом, чтобы являться завершенной сборкой электронной схемы.

3.13.5    микроэлектроника (microelectronics): Область электронных технологий, занимающаяся созданием электронных систем из микроминиатюрных электронных элементов, устройств и частей.

3.13.6    высокочастотная интегральная схема (microwave integrated circuit): Интегральная схема, работающая на сверхвысоких частотах.

3.13.7    микроволны (microwave): Общий термин, применяемый для радиочастот в диапазоне от 1 до 100 ГГц.

Примечание — Термин «микроволны» в целом относится к диапазону частот, в котором межсоединения цепей и устройств описываются распределенными параметрами вместо сосредоточенных элементов

3.13.8    минимально упакованный кристалл (minimally-packaged die MPD): Кристалл, к которому была добавлена некоторая внешняя упаковка и взаимосвязанная структура для целей защиты и простоты в обращении.

Примечание — Это определение включает в себя такие технологии, как корпус CSP, в котором размер корпуса не превышает площадь кристалла.

3.13.9    малозначительный дефект (minor defect): Дефект, который, скорее всего, не приведет к отказу изделия или продукта, или существенно снизит возможность его использования по назначению.

3.13.10    смешанная технология монтажа компонентов (mixed component mounting technology): Технология монтажа компонентов, использующая как монтаж в сквозные отверстия, так и технологию поверхностного монтажа в одной компоновке и структуре межсоединений.

3.13.11    модуль (module): Отдельное устройство в компоновке изделия.

3.13.12    влагозащитная тара (moisture barrier bag МВБ): Тара, которая предотвращает электростатический разряд и ограничивает попадание в нее паров воды, используемая для упаковки деталей, чувствительных к влаге.

3.13.13    твердотельная интегральная схема (monolithic integrated circuit): Интегральная схема в виде монолитной структуры.

3.13.14    формованное устройство соединения (moulded interconnection device): Сочетание формованной пластиковой подложки и проводящих пленок, которые обеспечивают механические и электрические функции межсоединений.

3.13.15    многокристальный модуль (multi-chip module МСМ): <структура> Модуль, который содержит два или более кристалла и/или минимально упакованных кристалла.

Примечание —См также 3.13 16

3.13.16    многокристальный компонент (multi-chip package МСР): Компонент, который содержит два или более кристалла и/или минимально упакованных кристалла.

Примечание —См. также 3.13 15.

3.13.17    многокристальный модуль, многокристальный компонент, многокристальная микросхема (multichip module МСМ, multichip integrated circuit, multichip microcircuit): Многокристальный модуль, состоящий, прежде всего из плотно упакованных кристаллов интегральных схем, который имеет плотность покрытия 30 % или более.

3.14    N

3.14.1    номинал (nominal): Целевой проектный размер физической характеристики изделия или фрагмента, для которых может применяться допуск для установления приемлемых пределов отклонения от заданного значения.

3.14.2    номинальное значение (nominal value): Среднее значение между минимальным и максимальным отклонением.

3.15    0

3.15.1    выходной вектор (output vector): Набор логических значений, ожидаемых или измеренных, для всех выходных контактов в конкретном шаге теста на обьекте испытаний.

3.16    Р

3.16.1    корпус (package): Общий контейнер, защищающий один или более электронных компонентов от механического, электрического воздействия и воздействия окружающей среды в течение срока службы и обеспечивающий межсоединения.

3.16.2    крышка корпуса (package cap): Крышка корпуса в форме чаши.

3.16.3    крышка корпуса (package cover): Крышка, закрывающая содержимое в углублении корпуса на заключительной операции герметизации.

3.16.4    плоская крышка корпуса (package lid): Плоская крышка корпуса.

3.16.5    сборка (packaging): Процесс упаковки одного или нескольких электронных компонентов в корпус.

Примечание — Использование термина «сборка» в качестве причастия (например, «при сборке микросхем в DIP-корпуса ») является устаревшим.

3.16.6    электронный модуль (packaging and interconnecting assembly): Термин дпя сборки, которая имеет компоненты, смонтированные на одной или двух сторонах модуля и структуру межсоединений.

Примечание — «Электронный модуль» представляет собой общий термин

3.16.7    растрескивание корпуса (package cracking): Трещины в пластиковом корпусе интегральной микросхемы, вызванные напряжением, возникающим в результате воздействия высокой температуры пайки.

Примечание — Эти трещины могут распространяться от кристалла или контактной площадки на кристалле до поверхности корпуса компонента или проходить только частично к поверхности выхода выводов из корпуса

3.16.8    пассивный массив (passive array): Несколько пассивных компонентов, аналогичной функции. которые формируются на поверхности отдельной подложки и упаковываются в один корпус SMT и устанавливаются на первичной соединительной подложке (рисунок 7).

Содержание

1    Область применения.................................................................1

2    Нормативные ссылки.................................................................1

3    Термины и определения..............................................................1

Библиография.......................................................................25

Примечание — Примеры включают в себя множество конденсаторов или резисторов

3.16.9    пассивный компонент (passive component): <Элемент> Дискретное электронное устройство. основные параметры которого не изменяются при прохождении через него сигнала.

Примечание — Пассивные компоненты включают в себя такие компоненты, как резисторы, конденсаторы и катушки индуктивности.

3.16.10    пассивная сеть (passive network): Несколько пассивных компонентов, которые имеют более одной функции и сформированы на поверхности отдельной подложки и упакованы в одном корпусе SMT.

Примечание 1 — Корпус затем монтируется на основной подложке взаимосвязанной системы

Примечание 2 — Пассивные сети обычно имеют несколько внутренних соединений, чтобы сформировать простые функции, такие как окончания или фильтры

3.16.11    максимальная температура корпуса (peak package body temperature): Максимальная температура, достигаемая отдельным корпусом упаковки при определенном уровне влажности (MSL).

3.16.12    периферийный участок герметизации (perimeter sealing area): Поверхность по периметру углубления в корпусе компонента, используемая в качестве крепления крышки корпуса.

3.16.13    фотометрия (photometry): Измерение интенсивности и мощности видимого света, при котором интенсивность света сравнивается с интенсивностью света, измеренной с помощью определенного приемника.

Примечание — Фотометрия включает визуальную, физическую и фотографическую фотометрии Для визуальной фотометрии таз является приемником

3.16.14    усилие захвата (pick-up force): Усилие, необходимое, чтобы извлечь поверхностно-монти-руемый компонент из упаковочной среды для размещения на подложке.

3.16.15    инструмент для захвата (pick-up tool): Инструмент, используемый для извлечения по-верхностно-монтируемого компонента из упаковки для размещения на подложке, который может быть с ручным приводом или быть частью оборудования для захвата и установки.

3.16.16    матрица штырьковых выводов (pin grid array PGA): Квадратный или прямоугольной формы корпус компонента со штырьками, расположенными с определенным шагом, и выступающими за плоскость основания перпендикулярно к плоскости корпуса (рисунок 8).

Введение

Установленные в стандарте термины расположены в систематизированном порядке, отражающем систему понятий в области печатных плат, проектирования, изготовления и технике электронного монтажа.

Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.

Краткие формы, представленные аббревиатурой, приведены после стандартизованного термина и отделены от него точкой с запятой.

Приведенные определения можно при необходимости изменять, вводя в них производные признаки. раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем определяемого понятия. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в настоящем стандарте.

В стандарте приведены эквиваленты стандартизованных терминов на английском языке.

НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

ПЛАТЫ ПЕЧАТНЫЕ

Проектирование, изготовление и монтаж.

Термины и определения

Часть 2

Стандартное употребление в электронной технике, а также для печатных плат и техники электронного монтажа

Printed boards design, manufacture and assembly Terus and definitions Part 2 Common usage in electronic technologies as well as printed board and electronic assembly technologies

Дата введения — 2020—06—01

1    Область применения

Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий в области печатных плат, проектирования, изготовления и технологии электронного монтажа.

Термины, установленные настоящим стандартом, рекомендуются для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу работ по стандартизации в области печатных плат и/или использующих результаты этих работ.

2    Нормативные ссылки

В настоящем стандарте нормативные ссылки не используются.

3    Термины и определения

3.1    А

3.1.1    абразивная подстройка (abrasive trimming): Подстройка значения сопротивления пленочного компонента надрезом его поверхности точно-регулируемой струей абразивного материала.

3.1.2    ускоренное старение, ускоренное испытание на долговечность (accelerated ageing, accelerated life test): Испытания, при которых такие параметры, как напряжение и температура, повышены относительно нормальных условий эксплуатации, для получения экспериментальных результатов старения за относительно короткий период времени.

3.1.3    ускоренное испытание (экспресс-испытание) (acceleration factor AF): Определение срока службы электронных компонентов или электронных модулей за короткий период времени за счет воздействия на них более жестких условий испытания.

3.1 4 коэффициент перегрузки; КП (acceleration factor AF): Отношение экстремальных условий испытаний к нормальным условиям эксплуатации.

3.1.5 приемочный контроль/инспекция (acceptance inspection): <критерии> Проверка соответствия продукта техническим условиям, которые являются базовым документом при приемке.

Издание официальное

3.1.6    приемлемый уровень качества; ПУК (acceptance quality level AQL): Максимальное количество дефектов (%) в партии (большом количестве), при котором может быть осуществлена приемка с приемочной вероятностью около 90 % при испытании образца

3.1.7    приемочные испытания (acceptance tests): Согласованные между заказчиком и поставщиком испытания, которые считаются необходимыми, чтобы определить приемлемость изделия.

3.1.8    погрешность (accuracy): Степень, в которой результат измерения или вычисления согласуется с истинным значением.

3.1.9    активный компонент (active device): Электронный компонент, основная характеристика которого изменяется под действием входного сигнала.

Примечание —Активными компонентами могут быть диоды, транзисторы, тиристоры и интегральные схемы, которые используются для выпрямления, усиления, переключения и тд , в составе аналоговых или цифровых схем, выполненных в виде монолитных или гибридных конструкций.

3.1.10    навесной компонент (add-on component): Дискретные, или интегральные, или чип-компоненты. которые подключены к пленочной схеме для завершения ее функциональности.

3.1.11    адгезив (adhesive): Неметаллические материалы, которые могут присоединяться к твердым веществам поверхностным склеиванием и внутренним сцеплением (адгезия и сцепление).

Примечание — При поверхностном монтаже для прикрепления SMD к подложке используется эпоксидный клей.

3.1.12    цельнометаллический корпус (all metal package): Корпус гибридной схемы, целиком выполненный из металла, без стекла или керамики.

3.1.13    рабочие температуры (allowable temperature): Температурный диапазон, в пределах которого электронный модуль или компонент может выполнять заданные функции.

3.1.14    алфавитно-цифровые данные (alphanumerical, adj): Данные, которые содержат буквы алфавита, десятичные цифры, и могут содержать управляющие символы, специальные символы и пробел.

3.1.15    альфа-частица (alpha particle): Ядра атома гелия Не⁴, образующиеся в результате радиоактивного распада и способные генерировать электронно-дырочные пары в микроэлектронных приборах и вызывать их сбои, что приводит к ошибкам в работе ряда устройств.

3.1.16    переменный ток (alternating current АС): Электрический ток. который является периодической функцией времени с нулевым постоянным компонентом или. пренебрежимо малой постоянной составляющей.

Примечание —Для классификации АС см МЭК 60050-151

3.1.17    внешняя среда (ambient): Окружающая среда, вступающая в контакт с системой или компонентом.

3.1.18    амплитуда (amplitude): «Напряжение» максимальное значение напряжения переменного тока в пределах одного периода.

3.1.19    аналоговая схема (analogue circuit): Электрическая схема, которая обеспечивает непрерывность соотношения между ее входным и выходным сигналами.

3.1.20    анизотропия (anisotropy): Состояние материала, при котором различные значения характеристик. таких как диэлектрическая проницаемость, связаны с направлением в материале.

3.1.21    анод (anode): Электрод, способный излучать положительные носители заряда и/или получать отрицательные носители заряда из среды с более низкой проводимостью.

Примечание 1— Направление электрического тока определяется от внешней цепи, через анод, к среде с более низкой проводимостью

Примечание 2 — В некоторых случаях (например, электрохимические ячейки) термин «анод* применяют к одному или другому электроду, в зависимости от условий эксплуатации электрического устройства В других случаях (например, электронные трубки и полупроводниковые приборы) термин «анод» относится к конкретному электроду

3.1.22    специализированная интегральная микросхема (application-specific, integrated circuit ASIC): Интегральная микросхема, предназначенная для выполнения специальных функций.

3.1.23    область межсоединений корпуса (area алду package): Корпус, который имеет выводы, расположенные в виде сетки на нижней стороне корпуса и содержащиеся внутри контура корпуса.

3.1.24    сборка, собранная плата (assembly, assembled board): Множество деталей, модулей или их комбинаций, соединенных друг с другом.

Примечание — Этот термин может быть использован совместно с другими терминами, перечисленными в настоящем стандарте например «печатный узел»

3.1.25 ослабление (attenuation): Уменьшение энергии электромагнитной волны при ее распространении. количественно представленное отношением плотностей потока мощности в двух указанных точках.

Примечание — Ослабление обычно выражается в децибелах

3.2 В

3.2.1    заполнение (backfill): Заполнение корпуса гибридной схемы сухим инертным газом перед герметизацией.

3.2.2    объединительная плата, задняя панель (backplane, backpanel): Монтажная конструкция, используемая для обеспечения электрических межсоединений от точки к точке.

Примечание — Это, как правило, печатная плата, которая имеет дискретный проводной монтаж на одной стороне и разьемы на другой стороне

3.2.3    перекрестная помеха в начале линии (backward crosstalk, near-end crosstalk): Помеха, наведенная в пассивной (нешумящей) линии, вызванная ее близостью к активной (шумящей) линии, которая наблюдается в наиболее приближенном к источнику помех конце линии.

Примечание —См также 36 21.

3.2.4    сбалансированная линия передачи (balanced transmission line): Линия передачи, которая имеет равномерно распределенные параметры индуктивности, емкости, сопротивления и проводимости.

3.2.5    шариковый вывод (ball): Металлические выпуклости, расположенные на монтажной поверхности корпуса компонента, используемые для создания соединения в следующей иерархии межсоединений.

3.2.6    компонент BGA (ball grid array BGA): Компонент поверхностного монтажа, в котором шариковые выводы сформированы в узлах координатной сетки снизу корпуса.

Рисунок 1 — Компонент (BGA)

3.2.7    штрих-код (barcode): Линейное расположение штрихов и пробелов в предусмотренном порядке.

3.2.8    маркировка штрих-кодом (barcode marking): Идентификационный код, содержащий рисунок из вертикальных штрихов, ширина и интервал которых идентифицируют маркируемый предмет.

3.2.9    символ штрих-кода (barcode symbol): Напечатанный или воспроизведенный фотографическим способом штрих-код. состоящий из параллельных штрихов и пробелов различной ширины.

Примечание — Символ штрих-кода содержит свободную начальную зону, начальный символ, символы данных, конечный символ и свободную конечную зону В некоторых случаях в штрих-код могут быть включены контрольные символы

3.2.10    кристалл (bare die): Неупакованный отдельный полупроводник или интегральная схема с прокладками на верхней поверхности, подходящая для соединения с подложкой или корпусом.

3.2.11    пленочное основание гибких печатных плат (base film): <Гибкие схемы> Пленка, которая является материалом основания для гибкой печатной платы, и на поверхности которой может быть сформирован проводящий рисунок.

Примечание — Если требуется термостойкость, в большинстве случаев используется полиамидная пленка, а полиэфирная пленка обычно используется, когда термостойкость не требуется

3.2.12    материал основания (base material, substrate): Изоляционный материал, на котором формируется проводящий рисунок.

Примечание — Материал основания может быть жестким, гибким или жестко-гибким Он может быть диэлектрическим или металлическим листом, покрытым изоляционным слоем

3.2.13    толщина материала основания (base material thickness): Толщина материала основания за исключением проводящей фольги или других материалов, осажденных на его поверхности.

3.2.14    базовая плоскость компонента (base plane): Плоскость, которая включает в себя самую нижнюю точку поверхности корпуса компонента, за исключением компонентов, монтируемых с зазором.

3.2.15    основная спецификация (basic specification BS): Документ, который устанавливает общую информацию о классе, семействе или группе продукции, материалов и услуг.

3.2.16    сопротивление изгибам (bending resistance): Способность материала выдерживать многократные изгибы с заданным размахом деформации без образования трещин и разломов сверх допустимых норм, установленных техническими условиями.

3.2.17    откосы ткани (bias): <ткань> Петли нитей у ткани на краю полотна, образующиеся при переплетении основы ткани.

3.2.18    биполярный элемент (bipolar device): Элемент, в котором присутствуют основные и неосновные носители заряда.

Примечание — Биполярный транзистор и транзистор «металл-оксид-полупроводник» (МОП) являются двумя наиболее распространенными типами биполярных элементов

3.2.19    соединение (bond): Межсоединение, обеспечивающее неразъемное электрическое и/или механическое соединение.

3.2.20    контактная прокладка (bond pads): Металлизированные области на кристалле, используемые для временного или постоянного электрического соединения.

3.2.21    прочность сцепления (bond strength, pull strength): Сила, перпендикулярная к поверхности платы, необходимая для разделения двух смежных слоев платы.

Примечание — Прочность сцепления выражается как сила на единицу площади

3.2.22    контактные площадки на кристалле микросхемы (bonding pad): <1С> Области металлизации на кристалле интегральной микросхемы, используемые для присоединения тонких проволок или схемных элементов к кристаллу.

3.2.23    монтажный микропровод (bonding wire): Золотой или алюминиевый провод, используемый для изготовления электрических соединений между контактными площадками на кристалле и выводной рамкой или выводами корпуса.

3.2.24    нить у ткани (bow. warp): <Ткань> Поперечная нить, которая лежит по ширине ткани.

3.2.25    напряжение пробоя (break-down voltage): Напряжение, при котором изоляция между двумя проводниками нарушается.

3.2.26    короткие замыкания (bridging): <Электрическое> непреднамеренное формирование проводящих путей между проводниками.

3.2.27    упаковка россыпью (bulk packaging): Способ упаковки отдельных деталей в пакет или контейнер.

3.2.28    кристалл с контактными элементами (bumped die): Полупроводниковый кристалл с выступающими металлическими элементами для обеспечения межсоединений.

Вывод с контактным выступом

\ Кристалл с выступающими элементами Рисунок 2 — Кристалл с контактными элементами

3.2    29 испытание на принудительный отказ (burn-in): <Испытание> процесс электрического испытания устройства при повышенной температуре в течение достаточного количества времени, чтобы вызвать отказ элементов, находящихся на границе диапазона работоспособности (выход из строя во время приработки).

3.2.30    испытание на принудительный отказ (bum-in): <Динамический> Испытание на принудительный отказ при высоких температурах, моделирующее эффекты реальных или смоделированных условий работы.

3.2.31    испытание на принудительный отказ (bum-in): <Статический> Испытание на принудительный отказ при высоких температурах с постоянным напряжением как при прямом, так и при обратном смещении.

3.3    С

3.3.1    емкость (capacitance): Мера способности двух соседних проводников, разделенных диэлектриком. удерживать электрический заряд, когда между ними имеется разность потенциалов.

3.3.2    емкостная связь (capacitive coupling): Электрическое взаимодействие между двумя проводниками. которое обусловлено емкостью между ними.

3.3.3    керамический компонент DIP (CERDIP) (ceramic dual in-line package CERDIP): Компонент c двухрядным расположением выводов (DIP), имеющий корпус из керамического материала, герметично запаянный стеклом.

Примечание — См также 3 4 22

3.3.4    керамический компонент PGA (CPGA) (ceramic pin grid array, ceramic PGA): Компонент c матрицей выводов (PGA), корпус которого выполнен из керамики, герметично запечатанный металлом, с матрицей выступающих снизу корпуса выводов.

3.3.5    керамический компонент QFP (CQFP) (ceramic quad flat package CQFP): Компонент (QPF). корпус которого выполнен из керамического материала, герметично запечатанный металлом, с выводами. расположенными периферийно со всех четырех сторон корпуса.

3.3.6    сертификация (certification): Подтверждение того, что были проведены необходимые тренировки или тестирования, и что уровень или значения параметров соответствуют установленным требованиям.

3.3.7    волновое сопротивление (characteristic impedance): Величина, определенная для режима распространения на заданной частоте в определенной однородной линии передачи или равномерного волновода одним из трех следующих соотношений:

Z, = SI \1\²,

Z₂ = \U\²IS,

Z — комплексное волновое сопротивление;

S — комплексная мощность;

U, I — комплексные значения, соответственно напряжения и тока, как правило, определяемые для каждого типа режима по аналогии с уравнениями линии передачи.

Пример 1. Для линии передачи с параллельными проволоками U и I могут быть однозначно определены и три уравнения согласуются. Если линия передачи без потерь, характеристический импеданс является действительным.

Пример 2. Для волновода обычные определения для U и I зависят от типа режима и обычно приводят к трем различным значениям характеристического импеданса.

Пример 3. Для круглого волновода в доминирующем режиме ТЕ11 U = RMS напряжение вдоль диаметра, где величина вектора напряженности электрического поля является максимальной, I = r.m.s. продольный ток.

Пример 4. Для прямоугольного волновода в доминантном режиме ТЕЮ U = Напряжение RMS между серединами двух проводников по нормали к вектору напряженности электрического поля, I = RMS продольный ток, следующий по поверхности нормали к вектору напряженности электрического поля.

3.3.8    химическое осаждение из паровой (газовой) фазы (chemical vapour deposition): Процесс, в котором пар и газ вступают в химическую реакцию с получением отложений на поверхности основания.

3.3.9    (chip) кристалл: См. 3.4.11.

3.3.10    кристаллодержатель (chip carrier): Низкопрофильный, как правило, квадратный, поверх-ностно-монтируемый корпус, в который вмонтирован кристалл микросхемы; его внешние соединения обычно расположены по четырем сторонам корпуса.

Примечание — Может быть с выводами или без выводов.

3.3.11    чип на плате (chip-on-board СОВ): Технология сборки печатной платы, которая размещает неупакованные полупроводниковые элементы и соединяет их с помощью проводного соединения или аналогичных методов крепления.

Рисунок 3 — Чип на плате

3.3.12    кристалл на гибкой плате; COF (chip-on-flex, COF): Полупроводниковый кристалл смонтированный непосредственно на гибкую печатную плату.

3.3.13    кристалл на стекле (chip-on-glass COG): Технология сборки, которая использует неупакованный полупроводниковый кристалл, устанавливаемый непосредственно на стеклянную подложку, например на стеклянную панель жидкокристаллических дисплеев (LCD).

3.3.14    корпус CSP (chip scale package CSP): Общий термин для сборочных технологий, которые заключаются в том, что корпус лишь незначительно больше, чем внутренний кристалл.