ГОСТ 25529-82
Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Semiconductor diodes.
Terms, definitions and letter symbols

ГОСТ
25529-82

Взамен
ГОСТ 18216-72,
ГОСТ 18994-73,
ГОСТ 20004-74,
ГОСТ 20005-74,
ГОСТ 20331-74,
ГОСТ 21154-75

ОБЩИЕ ПОНЯТИЯ

1. Постоянное прямое^* напряжение диода

D. Durchlassgleichspannung der Diode

E. Forward continuous voltage

F. Tension directe continue

U_пр

U_F

Постоянное значение прямого напряжения при заданном прямом токе полупроводникового диода

2. Импульсное прямое напряжение диода

D. Spitzendurchlassspannung der Diode

E. Peak forward voltage

F. Tension directe de crête

U_пр.и

U_FM

Наибольшее мгновенное значение прямого напряжения, обусловленное импульсным прямым током диода заданного значения

3. Постоянное обратное напряжение диода

D. Sperrgleichspannung der Diode

E. Reverse continuous voltage

F. Tension inverse continue

U_обр

U_R

-

4. Импульсное обратное напряжение диода

D. Spitzensperrspannung der Diode

E. Peak reverse voltage

F. Tension inverse de crête

U_обр.и

U_RM

Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения диода

5. Среднее прямое напряжение диода

D. Mittlere Durchlassspannung der Diode

E. Average forward voltage

F. Tension directe moyenne

U_пр.ср

U_F(AV)

Среднее за период значение прямого напряжения диода при заданном среднем прямом токе

6. Пробивное напряжение диода

D. Durchbruchspannung der Diode

E. Breakdown voltage

F. Tension de claquage

U_проб

U_(BR)

Значение обратного напряжения, вызывающее пробой перехода диода, при котором обратный ток достигает заданного значения

7. Постоянный прямой ток диода

D. Durchlassgleichstrom der Diode

E. Forward continuous current

F. Courant direct continu

I_пр

I_F

-

8. Импульсный прямой ток диода

D. Spitzendurchlassstrom der Diode

E. Peak forward current

F. Courant direct de crête

I_пр.и

I_FM

Наибольшее мгновенное значение прямого тока диода, исключая повторяющиеся и неповторяющиеся переходные токи

9. Средний прямой ток диода

D. Mittlerer Durchlassstrom der Diode

E. Average forward current

F. Courant durect moyen

I_пр.ср

I_F(AV)

Среднее за период значение прямого тока диода

10. Постоянный обратный ток диода

D. Sperrgleichstrom der Diode

E. Reverse continuous current

F. Courant inverse continu

I_обр

I_R

-

11. Импульсный обратный ток диода

D. Spitzensperrstrom der Diode

E. Peak reverse current

F. Courant inverse de crête

I_обр.и

I_RM

Наибольшее мгновенное значение обратного тока диода, обусловленного импульсным обратным напряжением

12. Прямая рассеиваемая мощность диода

D. Durchlassverlustleistung der Diode

E. Forward power dissipation

F. Dissipation de puissance en direct

P_пр

P_F

Значение мощности, рассеиваемой диодом при протекании прямого тока

13. Обратная рассеиваемая мощность диода

E. Reverse power dissipation

F. Dissipation de puissance en inverse

P_обр

P_R

Значение мощности, рассеиваемой диодом при протекании обратного тока

14. Средняя рассеиваемая мощность диода

D. Mittlere Verlustleistung der Diode

E. Average power dissipation

P_ср

P_R

Среднее за период значение мощности, рассеиваемой диодом при протекании прямого и обратного токов

15. Импульсная рассеиваемая мощность диода

D. Spitzenverlustleistung der Diode

E. Peak power dissipation

P_и

P_M

Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой диодом

16. Общая емкость диода

D. Gesamtkapazität der Diode

E. Terminal capacitance

F. Capasité aux bornes

C_д

C_tot

Значение емкости между выводами диода при заданном режиме

17. Емкость перехода диода

D. Sperrschichtkapazität der Diode

E. Junction capacitance

F. Capacité de jonction

C_пер

C_j

Общая емкость диода без емкости корпуса.

Примечание. В случае, когда диод имеет p-i-n структуру, допускается использовать термин «емкость структуры» и буквенное обозначение «C_стр»

18. Емкость корпуса диода

D. Gehäusekapazität der Diode

E. Case capacitance

C_кор

C_case

Значение емкости между выводами корпуса диода при отсутствии кристалла

19. Дифференциальное сопротивление диода

D. Differentieller Widerstand der Diode

E. Differential resistance

F. Résistance différentielle

r_диф

r

Отношение малого приращения напряжения диода к малому приращению тока в нем при заданном режиме

20. Последовательное сопротивление потерь диода

D. Serienwiderstand der Diode

E. Total series equivalent resistance

F. Résistance série totale équivalente

r_п

r_s

Суммарное эквивалентное активное сопротивление кристалла, контактных соединений и выводов диода

21. Тепловое сопротивление диода

D. Wärmewiderstand

E. Thermal resistance

F. Résistance thermique

R_Θ

R_th

Отношение разности эффективной температуры перехода и температуры в контрольной точке к рассеиваемой мощности диода в установившемся режиме

22. Импульсное тепловое сопротивление диода

R_Θи

R_(th)P

Отношение разности эффективной температуры перехода и температуры в контрольной точке к импульсной мощности диода

23. Тепловое сопротивление переход - окружающая среда диода

R_{Θпер-окр}

R_thja

Тепловое сопротивление диода в случае, когда температурой в контрольной точке является температура окружающей или охлаждающей среды

24. Тепловое сопротивление переход - корпус диода

Е. Thermal resistance junction to case

R_{Θпер-кор}

R_thjc

Тепловое сопротивление диода в случае, когда температурой в контрольной точке является температура корпуса диода.

Примечание. Если полупроводниковый кристалл имеет многослойную структуру, может быть использован термин «тепловое сопротивление структура - окружающая среда» или термин «тепловое сопротивление структура - корпус»

25. Тепловая емкость диода

Е. Thermal capacitance

C_Θ

C_th

Отношение тепловой энергии, накопленной в диоде, к разности эффективной температуры перехода и температуры в контрольной точке

26. Переходное тепловое сопротивление диода

Е. Transient thermal impedance

Z_Θ

Z_(th)t

Отношение разности изменения температуры перехода и температуры в контрольной точке в конце заданного интервала времени, вызывающего изменение температуры, к скачкообразному изменению рассеиваемой мощности диода в начале этого интервала.

Примечание. Непосредственно перед началом этого интервала времени распределение температуры внутри диода должно быть постоянным во времени

27. Переходное тепловое сопротивление переход - окружающая среда диода

Е. Transient thermal impedance junction to ambient

Z_{Θпер-окр}

Z_(th)ja

Переходное тепловое сопротивление диода в случае, когда температурой в контрольной точке является температура окружающей или охлаждающей среды

28. Переходное тепловое сопротивление переход - корпус диода

Е. Transient thermal impedance junction to case

Z_{Θпер-кор}

Z_(th)jc

Переходное тепловое сопротивление диода в случае, когда температурой в контрольной точке является температура корпуса диода

29. Индуктивность диода

D. Induktvität der Diode

E. Total series equivalent inductance

F. Inductance série totale équivalente

L_п

L_s

Последовательная эквивалентная индуктивность диода при заданных условиях

30. Эффективное время жизни неравновесных носителей заряда диода

Е. Effective excess minority lifetime

τ_эфф

τ_n

τ_p

Величина, характеризующая скорость убывания концентрации неравновесных носителей заряда диода вследствие рекомбинации как в объеме, так и на поверхности полупроводника

31. Накопленный заряд диода

E. Stored charge

F. Charge stockée

Q_ик

Q_s

Заряд электронов или дырок в базе диода или i-области p-i-n структуры, накопленный при протекании прямого тока

32. Заряд восстановления диода

Ндп. Заряд переключения

D. Sperrerholladung der Diode

E. Recovered charge

F. Charge recouvrée

Q_вос

Q_r

Полный заряд диода, вытекающий во внешнюю цепь при переключении диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение.

Примечания:

1. Заряд восстановления включает накопленный заряд и заряд емкости обедненного слоя.

2. Заряд восстановления является суммой зарядов запаздывания и спада

33. Время обратного восстановления диода

Ндп. Время восстановления обратного сопротивления

D. Sperrerholungszeit der Diode

E. Reverse recovery time

F. Temps de recouvrement inverse

t_{вос,обр}

t_rr

Время переключения диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента прохождения тока через нулевое, значение до момента, когда обратный ток, уменьшаясь от максимального импульсного значения, достигает заданного значения обратного тока

34. Время прямого восстановления диода

Ндп. Время восстановления прямого сопротивления

D. Durchlasserholungszeit der Diode

E. Forward recovery time

F. Temps de recouvrement direct

t_вос.пр

t_fr

Время, в течение которого происходит включение диода и прямое напряжение на нем устанавливается от значения, равного нулю, до заданного установившегося значения

ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ

35. Рабочее импульсное обратное напряжение выпрямительного диода

Е. Working peak reverse voltage

U_обр.и.р

U_RWM

Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения выпрямительного диода без учета повторяющихся и неповторяющихся переходных напряжений

36. Повторяющееся импульсное обратное напряжение выпрямительного диода

D. Periodische Spitzensperrspannung der Diode

E. Repetitive peak reverse voltage

F. Tension inverse de pointe répétitive

U_обр.и.п

U_RRM

Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения выпрямительного диода, включая повторяющиеся переходные напряжения, но исключая неповторяющиеся переходные напряжения.

Примечание. Повторяющееся напряжение обычно определяется схемой и параметрами диода

37. Неповторяющееся импульсное обратное напряжение выпрямительного диода

D. Nichtperiodische Spitzensperrspannung der Diode

E. Non-repetitive (surge) reverse voltage

F. Tension inverse de pointe non-répétitive

U_{обр.и.нп}

U_RSM

Наибольшее мгновенное значение неповторяющегося переходного обратного напряжения выпрямительного диода.

Примечание. Неповторяющееся переходное напряжение обусловливается обычно внешней причиной и предполагается, что его действие исчезает полностью до появления следующего переходного напряжения

38. Пороговое напряжение выпрямительного диода

D. Schleusenspannung der Diode

E. Threshold voltage

F. Tension de seuil

U_пор

U_(то)

Значение постоянного прямого напряжения выпрямительного диода в точке пересечения с осью напряжений прямой линии, аппроксимирующей вольт-амперную характеристику в области больших токов

39. Повторяющийся импульсный прямой ток выпрямительного диода

D. Periodischer Spitzendurchlassstrom der Diode

E. Repetitive peak forward current

F. Courant direct de pointe répétitif

I_пр.и.п

I_FRM

Наибольшее мгновенное значение прямого тока выпрямительного диода, включая повторяющиеся переходные токи и исключая все неповторяющиеся переходные токи

40. Ударный прямой ток выпрямительного диода

I_пр.уд

I_FSM

Ток, при протекании которого превышается максимально допустимая эффективная температура перехода, но который за время срока службы выпрямительного диода появляется редко с ограниченным числом повторений и вызывается необычными условиями работы схемы

41. Действующий прямой ток выпрямительного диода

Е. RMS forward current

I_пр.д

I_F(RMS)

Действующее значение прямого тока выпрямительного диода за период

42. Ток перегрузки выпрямительного диода

E. Overload forward current

F. Courant direct de surcharge prévisible

I_прг

I_(OV)

Значение прямого тока выпрямительного диода, длительное протекание которого вызвало бы превышение максимально допустимой температуры перехода, но который так ограничен во времени, что эта температура не превышается.

Примечание. За время эксплуатации диода число воздействий током перегрузки не ограничивается

43. Защитный показатель выпрямительного диода

∫ i² dt

∫ I² dt

∫ i² dt

∫ I² dt

Значение интеграла от квадрата ударного прямого тока выпрямительного диода

44. Повторяющийся импульсный обратный ток выпрямительного диода

E. Repetitive peak reverse current

F. Courant inverse de pointe répétitif

I_обр.и.п

I_RRM

Значение обратного тока выпрямительного диода, обусловленного повторяющимся импульсным обратным напряжением

45. Средний обратный ток выпрямительного диода

D. Mittlerer Sperrstrom der Diode

E. Average reverse current

F. Courant inverse moyen

I_обр.ср

I_R(AV)

Среднее за период значение обратного тока выпрямительного диода

46. Средний выпрямленный ток диода

D. Mittlerer Richtstrom der Diode

E. Average output rectified current

F. Courant moyen de sortie redressé

I_вп.ср

I_O

Среднее за период значение прямого и обратного токов выпрямительного диода

47. Средняя прямая рассеиваемая мощность выпрямительного диода

Е. Average forward power dissipation

P_пр.ср

P_F(AV)

Произведение мгновенных значений прямого тока и прямого напряжения выпрямительного диода, усредненное по всему периоду

48. Средняя обратная рассеиваемая мощность выпрямительного диода

Е. Average reverse power dissipation

P_обр.ср

P_R(AV)

Произведение мгновенных значений обратного тока и обратного напряжения выпрямительного диода, усредненное по всему периоду

49. Ударная обратная рассеиваемая мощность лавинного выпрямительного диода

Е. Surge (non-repetitive) reverse power dissipation

P_{обр.и, нп}

P_RSM

Значение мощности, рассеиваемой выпрямительным диодом, при воздействии одиночных импульсов тока в режиме пробоя

50. Повторяющаяся импульсная обратная рассеиваемая мощность выпрямительного диода

Е. Repetitive peak reverse power dissipation

P_{обр.и, п}

P_RRM

Значение мощности, рассеиваемой выпрямительным диодом, при воздействии периодических импульсов

51. Рассеиваемая мощность выпрямительного диода при обратном восстановлении

Е. Total instantaneous turn-off dissipation

F. Dissipation totale instantanée à la coupure du courant

P_{вос.обр}

P_RQ

Мгновенное значение мощности, рассеиваемой выпрямительным диодом при переключении с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение

52. Импульсная рассеиваемая мощность выпрямительного диода при обратном восстановлении

Е. Peak turn-off dissipation

F. Dissipation de pointe à la coupure du courant

P_{вос.обр, и}

P_RQM

Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой выпрямительным диодом при переключении с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение

53. Средняя рассеиваемая мощность выпрямительного диода при обратном восстановлении

Е. Average turn-off dissipation

F. Dissipation moyene à la coupure du courant

P_{вос. обр, ср}

P_RQ(AV)

Среднее за период значение мощности выпрямительного диода при обратном восстановлении

54. Рассеиваемая мощность выпрямительного диода при прямом восстановлении

E. Total instantaneous turn-on dissipation

F. Dissipation totale instantanée a l’etablissement du courant

Р_вос.пр

P_FT

Мгновенное значение мощности, рассеиваемой выпрямительным диодом при переключении с заданного обратного напряжения на заданный прямой ток

55. Импульсная мощность выпрямительного диода при прямом восстановлении

E. Peak turn-on dissipation

F. Dissipation de pointe a l’etablissement du courant

Р_{вос.пр, и}

P_FTM

Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой выпрямительным диодом при переключении с заданного обратного напряжения на заданный прямой ток

56. Средняя рассеиваемая мощность выпрямительного диода при прямом восстановлении

E. Average turn-on dissipation

F. Dissipation moyenne a l’etablissement du courant

P_{вос.пр, ср}

P_FT(AV)

Среднее за период значение мощности выпрямительного диода при прямом восстановлении

57. Энергия прямых потерь выпрямительного диода

Е. Forward energy loss

W_пр

E_пр

W_F

E_F

Значение энергии потерь выпрямительного диода, обусловленной прямым током

58. Энергия обратных потерь выпрямительного диода

Е. Reverse energy loss

W_обр

E_обр

W_R

E_R

Значение энергии потерь выпрямительного диода, обусловленной обратным током

59. Общая энергия потерь выпрямительного диода

Е. Total energy loss

W_д

E_д

W_tot

E_tot

Сумма средних значений энергий прямых и обратных потерь выпрямительного диода

60. Энергия потерь при обратном восстановлении диода

Е. Reverse recovery energy loss

W_{вос.обр}

E_{вос.обр}

W_rr

E_rr

Значение энергии потерь выпрямительного диода при переключении с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение

61. Динамическое сопротивление выпрямительного диода

D. Dynamischer Widerstand der Diode

E. Slope resistance

F. Résistance apparente directe

r_дин

r_T

Сопротивление, определяемое наклоном прямой, аппроксимирующей прямую вольт-амперную характеристику выпрямительного диода

62. Заряд запаздывания выпрямительного диода

Q_зп

Q_e

Заряд, вытекающий из выпрямительного диода за время запаздывания обратного напряжения

63. Заряд спада выпрямительного диода

Q_сп

Q_f

Заряд, вытекающий из выпрямительного диода за время спада обратного тока

64. Время запаздывания обратного напряжения выпрямительного диода

t_зп

t_s

Интервал времени между моментом, когда ток проходит через нулевое значение, изменяя направление от прямого на обратное, и моментом, когда обратный ток достигает амплитудного значения

65. Время спада обратного тока выпрямительного диода

t_сп

t_f

Интервал времени между моментом, когда ток, изменив направление от прямого на обратное и пройдя нулевое значение, достигает амплитудного значения и моментом окончания времени обратного восстановления выпрямительного диода

ТУННЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ

66. Пиковый ток туннельного диода

D. Höckerstrom der Tunneldiode

E. Peak point current

F. Courant de pic

I_п

I_P

Значение прямого тока в точке максимума вольт-амперной характеристики туннельного диода, при котором значение дифференциальной активной проводимости равно нулю

67. Ток впадины туннельного диода

D. Talstrom der Tunneldiode

E. Valley point current

F. Courant de vallée

I_в

I_V

Значение прямого тока в точке минимума вольт-амперной характеристики туннельного диода, при котором значение дифференциальной активной проводимости равно нулю

68. Отношение токов туннельного диода

D. Höcker-Talstrom-Verhälthis der Tunneldiode

E. Peak to valley point current ratio

F. Rapport de dénivellation du courant

I_п / I_в

I_P / I_V

Отношение пикового тока к току впадины туннельного диода

69. Напряжение пика туннельного диода

D. Höckerspannung der Tunneldiode

E. Peak point voltage

F. Tension de pic

U_п

U_P

Значение прямого напряжения, соответствующее пиковому току туннельного диода

70. Напряжение впадины туннельного диода

D. Talspannung der Tunneldiode

E. Valley point voltage

F. Tension de vallée

U_в

U_V

Значение прямого напряжения, соответствующее току впадины туннельного диода

71. Напряжение раствора туннельного диода

D. Projezierte Höckerspannug

E. Projected peak point voltage

F. Tension isohypse

U_рр

U_ЗЗ

Значение прямого напряжения на второй восходящей ветви вольт-амперной характеристики туннельного диода, при котором ток равен пиковому

72. Отрицательная проводимость туннельного диода

D. Negativer Leitwert der Tunneldiode

E. Negative conductance of the intrinsic diode

F. Conductance négative de la diode intrinséque

g_пер

g_j

Дифференциальная проводимость перехода на падающем участке прямой ветви вольт-амперной характеристики туннельного диода

73. Предельная резистивная частота туннельного диода

D. Entdämpfungs-Grenzfrequenz der Tunneldiode

E. Resistive cut-off frequency

F. Fréquence de coupure résistive

f_R

f_г

Значение частоты, на которой активная составляющая полного сопротивления туннельного диода на его выводах обращается в нуль

74. Шумовая постоянная туннельного диода

D. Rauschfaktor der Tunneldiode

E. Noise factor

F. Facteur de bruit

N_ш

N_n

Величина, определяемая соотношением:

где I_р - ток в рабочей точке туннельного диода,

g_пер - отрицательная проводимость туннельного диода

75. Энергия импульсов туннельного диода

W_и

W

Энергия коротких импульсов тока, воздействующих на туннельный диод

ВАРИКАПЫ

76. Добротность варикапа

D. Gütefaktor der Kapazitätsdiode

E. Quality factor

Q_в

Q_eff

Отношение реактивного сопротивления варикапа на заданной частоте к сопротивлению потерь при заданном значении емкости или обратного напряжения

77. Температурный коэффициент емкости варикапа

D. Temperaturkoeffizient der Kapazität der Kapazitätsdiode

E. Temperature coefficient of capacitance

α_Cв

α_Ctot

Отношение относительного изменения емкости варикапа к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды

78. Предельная частота варикапа

D. Gütefrequenz der Kapazitätsdiode

E. Cut-off frequency

F. Fréquence de coupure

f_пред.в

f_co

Значение частоты, на которой реактивная составляющая проводимости варикапа становится равной активной составляющей его проводимости при заданных условиях

79. Температурный коэффициент добротности варикапа

D. Temperaturkoeffizient des Gütefaktors der Kapazitätsdiode

E. Temperature coefficient of quality factor

α_Cв

α_Qeff

Отношение относительного изменения добротности варикапа к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды

80. Коэффициент перекрытия по емкости варикапа

K_C

K_c

Отношение общих емкостей варикапа при двух заданных значениях обратного напряжения

СТАБИЛИТРОНЫ

81. Напряжение стабилизации стабилитрона

D. Z-Spannung der Z-Diode

E. Working voltage (of voltage regulator diode)

F. Tens on de régulation

U_ст

U_z

Значение напряжения стабилитрона при протекании тока стабилизации

82. Ток стабилизации стабилитрона

D. Z-Strom der Z-Diode

E. Continuous current within the working voltage range

F. Courant continu inverse pour la gamme des tensions de régulation

I_ст

I_z

Значение постоянного тока, протекающего через стабилитрон в режиме стабилизации

83. Импульсный ток стабилизации стабилитрона

I_ст.и

I_ZM

Наибольшее мгновенное значение тока стабилизации стабилитрона

84. Дифференциальное сопротивление стабилитрона

D. Z-Widerstand der Z-Diode

E. Differential resistance within the working voltage range

F. Résistance différentielle dans la zone des tensions de régulation

r_ст

r_z

Дифференциальное сопротивление при заданном значении тока стабилизации стабилитрона

85. Температурный коэффициент напряжения стабилизации стабилитрона

D. Temperaturkoeffizient der Z-Spannung der Z-Diode

E. Temperature coefficient of working voltage

F. Coefficient de temperature de la tension de régulation

α_Uст

α_Гz

Отношение относительного изменения напряжения стабилизации стабилитрона к абсолютному изменению температуры окружающей среды при постоянном значении тока стабилизации

86. Время включения стабилитрона

D. Einschaltzeit der Z-Diode

E. Turn-on time

t_вкл

t_оп

Интервал времени, определяемый с момента переключения стабилитрона из состояния заданного напряжения до момента достижения установившегося напряжения стабилизации

87. Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона

D. Zeitliche Instabilitat der Z-Spannung der Z-Diode

E. Working voltage long-term instability

F. Instabilité à long terme de la tension de régulation

δ_Uст

δ_UZ

Отношение наибольшего изменения напряжения стабилизации стабилитрона к начальному значению напряжения стабилизации за заданный интервал времени

88. Время выхода стабилитрона на режим

D. Stabilisierungszeit der Z-Diode

E. Transient time of working voltage

t_вых

t_г

Интервал времени от момента подачи тока стабилизации на стабилитрон до момента, начиная с которого напряжение стабилизации не выходит за пределы области, ограниченной 28_1Т

89. Несимметричность напряжения стабилизации стабилитрона

H_ст

-

Разность напряжений стабилизации при двух равных по абсолютному значению и противоположных по знаку токах стабилизации стабилитрона

89а. Температурный уход напряжения стабилизации стабилитрона

ΔU_Θ

ΔU_Θ

Максимальное абсолютное изменение напряжения стабилизации стабилитрона от изменения температуры в установленном диапазоне температур при постоянном токе стабилизации

89б. Нелинейность температурной зависимости напряжения стабилизации стабилитрона

β_ст

β_z

Отношение наибольшего отклонения напряжения стабилизации стабилитрона от линейной зависимости в указанном диапазоне температур к произведению абсолютного изменения напряжения стабилизации и абсолютного изменения температуры окружающей среды при постоянном токе стабилизации

89в. Размах низкочастотных шумов стабилизации стабилитрона

U_ш.ст

U_nz

Разница наибольшего и наименьшего напряжения стабилизации стабилитрона за время измерения в указанном диапазоне частот при постоянном токе стабилизации

90. Спектральная плотность шума стабилитрона

S_ш

S_Unz

Эффективное значение напряжения шума, отнесенное к полосе в 1 Гц, измеренное при заданном токе стабилизации стабилитрона в оговоренном диапазоне частот

СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ДИОДЫ

91. Выпрямительный ток СВЧ диода

I_вп

I_O

Постоянная составляющая тока СВЧ диода в рабочем режиме

92. Постоянный рабочий ток ЛПД

I_рЛПД

I_w

Значение постоянного тока лавинно-пролетного диода, при котором обеспечивается заданная непрерывная выходная СВЧ мощность

93. Импульсный рабочий ток ЛПД

I_и.рЛПД

I_WM

Мгновенное значение тока лавинно-пролетного диода, при котором обеспечивается заданная импульсная выходная СВЧ мощность

94. Постоянный пусковой ток ЛПД

I_пуск

I_Wmin

Наименьшее значение постоянного тока лавинно-пролетного диода, при котором возникает генерация СВЧ мощности

95. Импульсный пусковой ток ЛПД

I_и.пуск

I_WMmin

Наименьшее мгновенное значение тока лавинно-пролетного диода, при котором возникает генерация СВЧ мощности

96. Пороговый ток диода Ганна

I_пор

I_(ТО)max

Значение постоянного тока диода Ганна в точке первого максимума вольт-амперной характеристики, при котором значение дифференциальной активной проводимости равно нулю

97. Постоянный рабочий ток диода Ганна

I_рГ

I_w

Значение постоянного тока диода Ганна при постоянном рабочем напряжении

98. Импульсный рабочий ток диода Ганна

I_и.рГ

I_WM

Мгновенное значение тока диода Ганна при импульсном рабочем напряжении

99. Постоянное пороговое напряжение диода Ганна

U_порГ

U_(TO)

Значение постоянного напряжения, соответствующее пороговому току диода Ганна

100. Постоянное рабочее напряжение диода Ганна

U_p

U_W

Значение постоянного напряжения диода Ганна, при котором обеспечивается заданная непрерывная выходная СВЧ мощность

101. Импульсное рабочее напряжение диода Ганна

U_и.р

U_WM

Мгновенное значение импульсного напряжения диода Ганна, при котором обеспечивается заданная импульсная выходная СВЧ мощность

102. Непрерывная рассеиваемая мощность СВЧ диода

E. R. F. с. w. power dissipation

F. Dissipation de puissance dans le cas d’une onde R. F. entretenue

P_рас

P_D

Сумма рассеиваемой СВЧ диодом мощности от всех источников в непрерывном режиме работы

103. Импульсная рассеиваемая мощность СВЧ диода

E. Pulse r. f. power dissipation

F. Dissipation de puissance dans le cas de train d'ondes R. F.

P_{рас. и}

P_DPм

Сумма рассеиваемой СВЧ диодом мощности от всех источников в импульсном режиме работы

104. Средняя рассеиваемая мощность СВЧ диода

E. Average r. f. power

F. Puissance R. F. moyenne

P_рас.ср

P_AD

Сумма средних значений рассеиваемых СВЧ диодом мощностей от всех источников

105. Непрерывная выходная мощность СВЧ диода

P_вых

P_out

Значение непрерывной СВЧ мощности, отдаваемой диодом в согласованную нагрузку в заданном режиме

106. Импульсная выходная мощность СВЧ диода

P_вых.и

P_outM

Значение импульсной СВЧ мощности, отдаваемой диодом в согласованную нагрузку в заданном режиме

107. Мощность ограничения СВЧ диода

Е. Clipping power

P_огр

P_L

Уровень СВЧ мощности, подводимой на вход линии передачи с диодом, включенным параллельно линии передачи, при которой выходная мощность достигает заданного значения

108. Тангенциальная чувствительность СВЧ диода

Е. Tangential sensitivity

P_tg

TSS

Значение импульсной мощности СВЧ сигнала, при котором на экране осциллографа, включенного на выходе системы «детекторное устройство - видеоусилитель» наблюдается совпадение верхней границы полосы шумов при отсутствии СВЧ сигнала с нижней границей полосы шумов при его наличии

109. Граничная мощность детекторного диода

P_гр

P_inc

Значение мощности, при которой зависимость выпрямленного тока детекторного диода от мощности сигнала отклоняется от линейной на заданное значение при заданном сопротивлении нагрузки

110. Минимально различимая мощность сигнала детекторного диода

P_min

NDS

Значение мощности СВЧ сигнала, поданного на приемник с детектором на входе, при котором отношение сигнал - шум равно единице

111. Время тепловой релаксации СВЧ диода

τ_T

τ_T

Интервал времени с начала подачи импульса, за который температура перехода СВЧ диода достигает 63,2% от значения температуры в установленном режиме

112. Энергия одиночного импульса СВЧ диода

E. Single pulse energy

F. Energie d’une impulsion

W_и.од

E_и.од

W_p

E_p

Значение энергии одного воздействующего на СВЧ диод короткого импульса.

Примечание. Под коротким импульсом понимается импульс длительностью не более 10^-8 с

113. Энергия повторяющихся импульсов СВЧ диода

E. Repetitive pulse energy

F. Energie d’une impulsion répétitive

W_{и, п}

E_{и, п}

E_p(rep)

Значение энергии серии воздействующих на СВЧ диод повторяющихся коротких импульсов

114. Энергия выгорания СВЧ диода

E. Burn-out energy

F. Energie de claquage

W_выг

W_M

E_M

E_HFM

W_HFM

Минимальное значение энергии одиночного короткого импульса СВЧ диода, после воздействия которого электрические параметры СВЧ диода изменяются на заданные значения

115. Энергия СВЧ импульсов СВЧ диода

W_СВЧи

W_HFP

Значение энергии воздействующих на СВЧ диод СВЧ импульсов длительностью менее 3 · 10^-9 с

116. Полное входное сопротивление СВЧ диода

Z_вх

Z_in

Полное сопротивление, измеренное на входе диодной камеры с СВЧ диодом в заданном режиме

117. Прямое сопротивление потерь переключательного диода

r_пр

R_F

Последовательное сопротивление потерь переключательного диода, включенного в линию передачи, при заданном постоянном прямом токе

118. Обратное сопротивление потерь переключательного диода

r_обр

R_R

Последовательное сопротивление потерь переключательного диода, включенного в линию передачи, при заданном постоянном обратном напряжении

119. Сопротивление ограничительного диода при низком значении СВЧ мощности

r_низ

R_L

Сопротивление потерь ограничительного диода, измеряемое при малых значениях СВЧ мощности, на начальном участке ограничительной характеристики, при которых сопротивление диода не изменяется

120. Сопротивление ограничительного диода при высоком значении СВЧ мощности

r_выс

R_H

Сопротивление потерь ограничительного диода, измеряемое при значениях СВЧ мощности, больших мощности ограничения, при которых сопротивление диода не изменяется

121. Сопротивление диода Ганна

r_Г

R_g

Активное сопротивление диода Ганна, измеряемое при напряжении значительно меньшем порогового

122. Выходное сопротивление смесительного диода

r_вых

Z_if

Активная составляющая полного сопротивления смесительного диода на промежуточной частоте в заданном режиме

123. Выходное сопротивление детекторного диода на видеочастоте

r_вид

R_j

Активная составляющая полного сопротивления детекторного диода на видеочастоте в заданном режиме

124. Постоянная времени СВЧ диода

τ

τ

Произведение емкости перехода на последовательное сопротивление потерь СВЧ диода

125. Время выключения СВЧ диода

t_выкл

t_off

Интервал времени нарастания обратного напряжения СВЧ диода при переключении его из открытого состояния в закрытое, отсчитанное по уровню 0,1 и 0,9 установившегося значения обратного напряжения

126. Полоса частот СВЧ диода

Интервал частот, в котором СВЧ диод, настроенный на заданную частоту, обеспечивает заданные параметры и характеристики в неизменном рабочем режиме

127. Предельная частота умножительного диода

f_пред

f_c

Значение частоты, на которой добротность умножительного диода равна единице.

Примечание. Предельная частота определяется по формуле

где C_пер - емкость перехода;

r_п - последовательное сопротивление потерь

128. Критическая частота переключательного диода

f_кр

f_os

Обобщенный параметр переключательного диода, определяемый по формуле

129. Добротность СВЧ диода

Q

Q_eff

Отношение реактивного сопротивления СВЧ диода на заданной частоте к активному при заданном значении обратного напряжения

130. Потери преобразования смесительного диода

E. Conversion loss

F. Perte de conversion

L_прб

L_c

Отношение мощности СВЧ сигнала на входе диодной камеры к мощности сигнала промежуточной частоты в нагрузке смесительного диода в рабочем режиме

131. Коэффициент полезного действия СВЧ диода

η

η

Отношение выходной мощности СВЧ диода к потребляемой им мощности

132. Выходное шумовое отношение СВЧ диода

E. Output noise ratio

F. Rapport de température de bruit

N_m

N_r

Отношение мощности шума СВЧ диода в рабочем режиме, отдаваемой в согласованную нагрузку, к мощности тепловых шумов согласованного активного сопротивления при той же температуре и одинаковой полосе частот

133. Нормированный коэффициент шума смесительного диода

E. Standard overall average noise figure

F. Facteur de bruit total moyen normal

F_норм

F_os

F_os(av)

Значение коэффициента шума приемного устройства со смесительным диодом на входе при коэффициенте шума усилителя промежуточной частоты равном 1,5 дБ

134. Коэффициент стоячей волны по напряжению СВЧ диода КСВН

E. Voltage standing wave ratio V.S.W.P.

F. Taux d’ondes stationnaires T.O.S (R.O.S.)

K_стU

S_V

Коэффициент стоячей волны по напряжению в линии передачи СВЧ, нагруженной на определенную диодную камеру с СВЧ диодом в рабочем режиме

135. Чувствительность по току СВЧ диода

E. Total current sensitivity

F. Sensibilité totale en courant

β_I

β_I

Отношение приращения выпрямительного тока диода к вызвавшей это приращение СВЧ мощности на входе диодной камеры с СВЧ диодом в рабочем режиме при заданной нагрузке

136. Чувствительность по напряжению СВЧ диода

β_U

β_U

Отношение приращения напряжения на нагрузке СВЧ диода к вызвавшей это приращение мощности СВЧ сигнала на входе диодной камеры с СВЧ диодом в рабочем режиме

137. Температурный коэффициент выходной мощности СВЧ диода

α_Pвых

α_Pout

Отношение относительного изменения выходной мощности СВЧ диода к абсолютному изменению температуры окружающей среды

138. Температурный коэффициент частоты СВЧ диода

α_i

α_i

Отношение относительного изменения частоты генерации СВЧ диода к разности температур, окружающей среды

ШУМОВЫЕ ДИОДЫ

139. Спектральная плотность напряжения шумового диода

S

S

Отношение среднего квадратического значения напряжения шумового диода к корню квадратному из заданного диапазона частот

140. Спектральная плотность мощности шумового диода

G

G

Отношение среднего квадратического значения мощности шумового диода к заданному диапазону частот

141. Неравномерность спектральной плотности напряжения (мощности) шумового диода

δS_U

δS_P

S_U, S_D

Отношение экстремального значения спектральной плотности напряжения (мощности) шумового диода к их среднему значению, выраженное в децибелах

142. Температурный коэффициент спектральной плотности напряжения (мощности) шумового диода

α_SU

α_SP

α_SU, α_SP

Отношение относительного изменения спектральной плотности напряжения (мощности) шумового диода к абсолютному изменению температуры окружающей среды при постоянном токе диода

143. Граничная частота шумового диода

f_гр

f_inc

Значение частоты, на которой спектральная плотность напряжения или мощности шумового диода имеет максимальное отклонение от ее среднего значения

144. Диапазон частот шумового диода

Δf

f

Интервал частот, заключенный между верхней и нижней граничной частотой шумового диода

145. Постоянный рабочий ток шумового диода

I_s

I_S

Значение постоянного тока, при котором определяются параметры шумового диода

146. Постоянное напряжение шумового диода

U_ш

U_s

Значение постоянного напряжения, обусловленного постоянным рабочим током шумового диода

1. Прямое напряжение диода

-

-

Напряжение между выводами диода, обусловленное прямым током

2. Обратное напряжение диода

-

-

Напряжение, приложенное к диоду в обратном направлении

3. Прямой ток диода

-

-

Ток, протекающий через диод в прямом направлении

4. Обратный ток диода

-

-

Ток, протекающий через диод, обусловленный обратным напряжением

5. Предельно допустимое значение параметра полупроводникового прибора

-

-

Значение параметра, заданное в нормативно-технической документации, ограниченное возможностями данного типа прибора и обеспечивающее заданную надежность.

Примечания:

1. Предельно допустимое значение может быть максимально или минимально допустимым.

2. Если речь идет о предельно допустимом значении параметра, то к термину следует добавить слова «максимально допустимый» или «минимально допустимый», а к буквенному обозначению добавить индекс «max» или «min»

6. Нестабильность параметра полупроводникового прибора

-

-

Модуль разности значений параметра полупроводникового прибора при воздействии дестабилизирующих факторов

7. Эффективная температура перехода полупроводникового прибора

-

-

Температура, которая устанавливается на основе упрощенных представлений о тепловых и электрических свойствах полупроводникового прибора и не всегда является наивысшей в приборе

8. Температура в контрольной точке полупроводникового прибора

t_кон

T_кон

Θ_кон

t_ref

T_ref

Θ_ref

Температура, измеренная в заданной точке на (в) корпусе прибора или в среде, окружающей или охлаждающей прибор, выбранной для контроля параметра прибора

9. Температура корпуса полупроводникового прибора

t_кор

T_кор

Θ_кор

t_case

T_case

Θ_case

Температура в заданной контрольной точке на (в) корпусе полупроводникового прибора

10. Температура окружающей среды

t_окр

T_окр

Θ_окр

t_a

t_amb

T_amb

Θ_amb

Температура воздуха или газа, измеренная вблизи полупроводникового прибора при условии естественной конвекции и при отсутствии влияния поверхностей, излучающих тепло

11. Температура охлаждающей среды

t_охл

T_охл

t_cf

T_cf

Температура в заданной контрольной точке среды, охлаждающей полупроводниковый прибор, или его охладителя

12. Температура хранения

t_хр

T_хр

Θ_хр

t_stg

T_stg

Θ_stg

-

13. Показатель идеальности вольт-амперной характеристики полупроводникового прибора

-

-

Параметр, характеризующий качество полупроводникового прибора и определяемый по формуле

где q - заряд электрона;

k - постоянная Больцмана;

T - температура в градусах Кельвина;

I₁, I₂, U₁, U₂ - точки и соответствующие им напряжения на линейном участке зависимости lg I_F = f(U_F)

Общие понятия. 1

Выпрямительные диоды.. 4

Туннельные диоды.. 7

Варикапы.. 8

Стабилитроны.. 9

Сверхвысокочастотные диоды.. 10

Шумовые диоды.. 14

Алфавитный указатель терминов на русском языке. 15

Алфавитный указатель терминов на немецком языке. 18

Алфавитный указатель терминов на английском языке. 19

Алфавитный указатель терминов на французском языке. 21

Приложение 1. Термины, определения и буквенные обозначения общих понятий полупроводниковых приборов. 22

Приложение 2. Вольт-амперные характеристики. Диаграммы токов и напряжений диодов. 24