МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Методы измерения индуктивности

Semiconductor diodes.

Methods for measuring inductance

Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 27 декабря 1974 г. Ns 2824 дата введения установлена

01.07.76

Ограничение срока действия снято по протоколу Ns 5—94 Межгосударственного Совета по стандартизации, метрологии и сертификации (ИУС 11-12—94)

Настоящий стандарт распространяется на все типы полупроводниковых диодов в корпусе, у которых индуктивность более 0,1 нГн. Стандарт устанавливает два метода измерения индуктивности диодов:

метод I — для диодов, индуктивность которых 2 нГн и более; метод II — для диодов, индуктивность которых менее 2 нГн.

Общие условия при измерении должны соответствовать требованиям ГОСТ 18986.0-74, ГОСТ 19656.0-74 и настоящего стандарта.

(Измененная редакция, Изм. № 2).

1. МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ ИНДУКТИВНОСТИ ДИОДОВ,

ЗНАЧЕНИЕ КОТОРОЙ 2 нГн И БОЛЕЕ

1.1.    Принцип, условия и режим измерений

1.1.1.    Принцип измерения индуктивности диодов основан на измерении резонансной частоты колебательного контура куметра при подключении к нему измеряемого диода.

1.1.2.    Постоянный прямой ток диода, при котором проводят измерение, должен быть таким, чтобы добротность контура с диодом была не менее 40.

1.1.3.    Частота измерения, ГГц, должна удовлетворять условию

где L_a — значение индуктивности, указанное в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов, Гн.

1.2. Аппаратура

1.2.1. Измерения проводят на установке, электрическая структурная схема которой указана на черт. 1.

С. 2 ГОСТ 18986.10-74

Черт. 1

1.2.2.    Индуктивность контура должны выбирать из условия

I* * 20 L_a.

1.2.3.    Индуктивность замыкателя должны выбирать из условия

^ькз * ₂₀ •

Замыкатель рекомендуется изготовлять в виде отрезка плоской широкой шины из металла, хорошо проводящего ток на высокой частоте.

В необходимых случаях требования к конструкции замыкателя должны быть указаны в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов.

1.2.4.    Сопротивление резистора /{/должно удовлетворять условию

R1 >102яДд.

1.3. Подготовка и проведение измерений

1.3.1.    При измерении индуктивности диодов должна быть определена общая емкость колебательного контура С_к с учетом распределенной емкости катушки индуктивности L*. Общая емкость контура С_к определяется в положении переменного конденсатора С^, соответствующем настройке контура в резонанс на рабочей частоте при замыкании контактов А и Б измерительной схемы замыкателем.

Измерение общей емкости контура С_к должно проводиться в соответствии с документацией на куметр, который применяют для измерения индуктивности диода.

1.3.2.    Измеряемый диод включают в контур последовательно с катушкой индуктивности.

1.3.3.    Устанавливают через диод постоянный прямой ток.

1.3.4.    Настраивают контур в резонанс и отсчитывают значение емкости С'_к0 .

1.3.5.    Вместо измеряемого диода устанавливают замыкатель.

1.3.6.    Настраивают контур в резонанс и отсчитывают значение емкости Q, конденсатора куметра.

1.4.    Обработка результатов

1.4.1. Значение индуктивности диода L_A вычисляют по формуле

I ₌ _Оо~ С to_

⁴ 4x^J/^JC_IllC_K-(C_Il0-C_K0)l¹

где/— частота, на которой проводят измерение, Гн;

С_ХУ С_ко, С'_ко — значения емкостей, Ф.

1.5.    Показатели точности измерений

С. 4 ГОСТ 18986.10-74

2.3. Проведение измерений и обработка результатов

2.3.1.    В адаптер Uустанавливают замыкатель и при помощи измерительной линии определяют положение узла стоячей волны /' и длину волны X в измерительной линии.

2.3.2.    В адаптер U вместо замыкателя устанавливают измеряемый диод и через него подают прямой ток. Определяют новое положение узла стоячей волны

2.3.3.    Значение индуктивности Ь_л' диода рассчитывают по формуле

*»“£«• т0'-О.

2.4. Показатели точности измерений

г 5 • l(Hh

2.4.1. Погрешность измерения индуктивности должна быть в пределах ± [0,1 + —^—J • 100 %

с доверительной вероятностью 0,99.

Раэд. 2. (Измененная редакция, Изм. № 2).

Раад. 3. (Исключен, Изм. № 2).

Редактор Л.В. Каретникова Технический редактор Н.С. Гришанова Корректор М.С. Кабашова Компьютерная верстка А.Н. Золотаревой

Иэд. лиц N? 02354 от 14.07.2000. Сдано в набор 22.06.2000. Подписано в печать 23.08.2000. Усл.печл. 0,93. Уч.-издл. 0,47.

Тираж 120 экз. С 5702. Зак. 750.

ИПК Издательство стандартов, 107076, Москва, Колодезный пер., 14.

Набрано в Издательстве на ПЭВМ Филиал ИПК Издательство стандартов — тип. “Московский печатник”, 103062, Москва, Лялин пер., 6.

Плр Nf 080102

1

И здание^официальное    Перепечатка    воспрещена

2

Издание (июль 2000 г.) с Изменениями N} ], 2, утвержденными в феврале 1979 г., августе 1982 г.

(ИУС 4-79, 12-82)

© Издательство стандартов, 1974 © ИПК Издательство стандартов, 2000