Товары в корзине: 0 шт Оформить заказ
Стр. 1
 

8 страниц

Купить 3 — официальный бумажный документ с голограммой и синими печатями. подробнее

Цена на этот документ пока неизвестна. Нажмите кнопку "Купить" и сделайте заказ, и мы пришлем вам цену.

Официально распространяем нормативную документацию с 1999 года. Пробиваем чеки, платим налоги, принимаем к оплате все законные формы платежей без дополнительных процентов. Наши клиенты защищены Законом. ООО "ЦНТИ Нормоконтроль".

Наши цены ниже, чем в других местах, потому что мы работаем напрямую с поставщиками документов.

Способы доставки

  • Срочная курьерская доставка (1-3 дня)
  • Курьерская доставка (7 дней)
  • Самовывоз из московского офиса
  • Почта РФ

  Скачать PDF

Показать даты введения Admin

Группа Т52

вменение № 3 ГОСТ 2 730—73 Единая система конструкторской документации Обошачения условные графические в схемах Приборы полупроводниковые

Утверждено и введено в действие Постановлением СССР по стандартам от 24.03 89 № 670

Государственного комитета Дата введения 01 01 90


На обложке и первой страниц*' гюд обозначением стандарта заменить обоз-nai ч с (СТ СЭВ 661 —77) на (СТ СЭВ 661—88).

П>11ит 2. Таблица 1 Графу «Обозначение» дополнить чертежами.

пункт 2. База с двумя выводами или

пункт И. Выводы полупроводниковых приборов, электрически не соединенные

с корпусам

или

выводы полупроводниковых приборов, электрически соединенные с корпусом


1ПИ


пункт 2 Несколько эмнтгеров, например, четыре Р-эмиттера с ^-областью излоа ить в новой редакции:


несколько Р-эми г герои с ЛГ-областыо


Наименование


несколько А'-эмиттеров с Р-областью


Пункт 5 Таблицу 4 дополнить пунктом 9


Наименование



< )6oi!U чеппс



Обозначение


Пункт 6. Таблица 5. Пункт 6 изложить в новой редакции; таблицу допол шть пунктами — 8я, 10:

Наименование

Обозначение

6. Варикап (диод емкостной)

“И" или

-н-

8а. Модуль с несколькими одинаковыми диодами с общим катодным и самостоятельными анодными

выводами

10. Диод светоизлучающий

*

-W-

графа «Обозначение». Для пункта 9 чертеж заменить новым:

>у.П

Пункт 7. Таблица 6. Чертежи заменить новыми:

ru . НРГ,

для пункта 2

для пункта 5. Тиристор триодный, запираемый в обратном направлении, с управ

рИ-;

лением по аноду

пункт 3 дополнить чертежом:

пли

пункты 6 — 8 изложить в новой редакции:

Наименование

Обозначение

6. Тиристор триодный выключаемый общее обозначение

it

запираемый в обратном направлении, с управлением по аноду

запираемый в обратном направлении, с управлением по катоду

Наименование

Обозначение

7. Тиристор триодный, проводящий в обратном направлении:

общее обозначение

'

с управлением по аноду

?&-

с управлением по катоду

-&1

8. Тиристор триодный симметричный (двунаправленный) —триак

или

таблицу дополнить примечанием: «П римечание, Допускается обозначение тиристора с управлением по аноду изображать в виде продолжения соответствующей стороны треугольника».

Пункт 8. Таблицу 7 изложить в новой редакции:

Таблица 7

Наименование

Обозначение

Наименование


Обозначен г/е



4, Транзистор

базол


однопереходный с N-


5, Транзистор ба^о‘)


однопереходнып с Р-


V


тт



6. Транзистор двухбазовый типа NPN


7. Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от t-области



8, Транзистор двухбазовый типа PN1N с выводом от i-области



9, Транзистор многоэмкттерны& тйпа

NPN



Примечание. При выполнении схем допускается:

а) выполнять обозначения транзисторов в зеркальном изображении, напри




мер,


ила


б) изображать корпус транзистора.

Пункт 9. Таблицу 8 изложить в новой редакции:


Таблица 8

Наименование

Обозначение

1, Транзистор полевой с каналом типа

It

2. Транзистор полевой с каналом ти-

It

ла Р

fr


Наименование

3. Транзистор полевой с изолированным затвором без вывода от подложки

Обозначение

L

7?Г

L

VT

L

а) обогащенного типа с Р-каналом

б) обогащенного типа с Ат-каналом

в) обедненного типа с Р-каналом

г) обедненного типа с Лт-капалом

Ж

L

Ж

L

Ж

LL

Ж

и_

ГГ

1J* LF

ти~

4.    Транзистор полевой с изолированным затвором обогащенного типа с W-каналом, с внутренним соединением истока и подложки

5.    Транзистор полевой с изолированным затвором с выводом от подложки обогащенного типа с Р-каналом

6.    Транзистор полевой с двумя изолированными затворами обедненного типа с P-каналом с выводом от подложки

7. Транзистор полевой с затвором Шоттки

8. Транзистор полевой с двумя затворами Шоттки

Примечание. Допускается изображать корпус транзисторов.

(Продолжение см. с. 384)

Т аблица 9

Наименование

Обозначение

1. Фоторезистор

а) общее обозначение

б) дифференциальный

^ "V—

2 Фотодиод

-БН-

3 Фототиристор

-Щ-

4 Фототранзистор

а) типа PNP

б) типа NPN

5 Фотоэлемент

€. Фотобатарея

—i|—i|—

Пункт 11. Таблица 10. Графа «Наименование». Пункт 4. Заменить слова:

«Оптрон диодный с усилителем» на «Прибор оптоэлектронный с фотодиодом и

усилителем»

(Продолжение см. с. 385)

Наименование

2 Резистор магниточ>вствительныи

Обозначение

3 Магнитный разветвчтель

Пункт 15 изложить в новой редакции «Размеры условных графических обозначений полупроводниковых приборов указаны в приложении 1 Размеры (в модульной сетке) основных условных графических обозначений даны в приложении 2»

Стандарт дополнить приложением — 2

ПРИЛОЖЕНИЕ 2

Справочное

Размеры (в модульной сетке) основных условных

графических обозначений

Обозначение

Наименование

1 Диод

2 Тиристор диодный

3 Тиристор триодный

(Продолжение изменения к ГОСТ 2.730 73)

Продолжение

Наименование

Обозначение

4. Транзистор

5. Транзистор полевой

6, Транзистор полевой с наолирован вин затвором

(ИУС № 6 1989 г.)

1

Транзистор

а) типа РМР

б) типа NPN с выводом от внутреннего экрана