Товары в корзине: 0 шт Оформить заказ
Стр. 1
 

4 страницы

Купить официальный бумажный документ с голограммой и синими печатями. подробнее

Цена на этот документ пока неизвестна. Нажмите кнопку "Купить" и сделайте заказ, и мы пришлем вам цену.

Официально распространяем нормативную документацию с 1999 года. Пробиваем чеки, платим налоги, принимаем к оплате все законные формы платежей без дополнительных процентов. Наши клиенты защищены Законом. ООО "ЦНТИ Нормоконтроль".

Наши цены ниже, чем в других местах, потому что мы работаем напрямую с поставщиками документов.

Способы доставки

  • Срочная курьерская доставка (1-3 дня)
  • Курьерская доставка (7 дней)
  • Самовывоз из московского офиса
  • Почта РФ

Показать даты введения Admin

Э. ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА, РАДИОЭЛЕКТРОНИКА И СВЯЗЬ

Группа Э29

Изменение № 2 ГОСТ 18604.3-80 Транзисторы биполярные. Метод измерения емкостей коллекторного и эмиттерного переходов

Утверждено и введено в действие Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 25.06.87 № 2537

Дата введения 01.10.87

Наименование стандарта. Заменить слово:    «Метод»    на    «Методы»;

«Method» на «Methods».

Вводную часть изложить в новой редакции; «Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает два метода измерения емкостей коллекторного Скч и эмиттерного Сэ переходов:

с использованием резистивно-емкостного делителя,

с использованием моста.

Метод с использованием резистивно-емкостного делителя применяют в производственных измерениях, требующих высокой производительности.

Метод с использованием моста применяют в лабораторных и производственных измерениях, требующих высокой точности.

Общие требования при измерении и требования безопасности — по ГОСТ

186С4.0—£3».    *

Раздел 1. Наименование изложить в новой редакции: «1.    Метод    измерения

(?к    и Сэ с использованием резистивно-емкостного делителя».

Пункт 1.1 изложить в новой редакции: «1.1. Условия измерения».

Пункт 1.2. Второй абзац изложить в новой редакции: «Частоту измерения выбирают из ряда: 465 кГц, 1, 2, 5, 10, 30, 100, 300 МГц».

Пункт 1 3. Исключить слова: «Амплитуду сигнала считают    достаточно    ма

лой, если при уменьшении амплитуды сигнала генератора в два раза значение измеряемого параметра изменяется менее чем на значение погрешности измерительной установки».

Пункт 2.1. Второй абзац изложить в новой редакции:    «Для измерения Ск

допускается применять установку, схема которой отличается от схемы, приведенной на черт. 1, тем, что генератор сигналов G и электронный измеритель напряжения Р (далее — прибор Р) меняют местами (например, при заземленном корпусе транзистора), при этом токосъемный резистор R переносят в цепь коллектора»;

чертеж 1. Подрисуночная подпись. Заменить слова: «Z/С — полное сопротивление для развязки» на «ZK ■— элемент для развязки».

Пункт 2 2. Второй абзац. Заменить слова: «(дале^ — прибора Р)» на «/?вх р которое должно удовлетворять условию

Я вх/>»Я-»

Пункт 2.3. Первый абзац. Заменить слова:    «Разделительную емкость кон

денсатора» на «Емкость разделительного конденсатора»,

Пункт 2.5. Формула. Заменить обозначение: ZK на |ZK |; заменить слова: «где Zv — полное сопротивление, предотвращающее замыкание генератора сигналов через источник питания» на «где |ZK| — модуль полного сопротивления

элемента для развязки».

Пункт 2.6. Заменить слова: «полного сопротивления в цепи коллектора» на «полного сопротивления элемента для развязки».

Пункт 2.7. Исключить слова: «применять многоцредельнмй прибор Р. При этом отсчет измеряемой емкости производят с учетом коэффициента соответствующего пересчета со шкалы, на которой проводилась калибровка, к шкале, на которой проводилось измерение»;

(Продолжение см. е. 434)

шестой абзац. Заменить слова:    «токосъемную    емкость»    на    «токосъемный

конденсатор».

Пункт 2.8. Заменить слова: «не более 5 % шкалы» на «не более 5 % конечного значения шкалы».

Пункт 2Л1 изложить в новой редакции: «2.11, Емкости контактодержателя должны удовлетворять требованиям:

где С кб — емкость между контактами коллектор-б аза контактодержателя, пФ;

£эб — емкость между контактами эмиттер-база контактодержателя, пФ;

Скэ — емкость между контактами коллектор-эмиттер контактодержателя,

пФ.

Если емкость С^э соизмерима с емкостью , то вывод эмиттера в схеме,

^приведенной на черт. 1, следует заземлять через емкость не менее 200 пФ. Пример электрической схемы измерения приведен на черт. 5 приложения».

Раздел 2 дополнить пунктом — 2.12: «2.12. Основная погрешность измери-тельной установки (£осн) по схеме, приведенной на черт. I, со стрелочными измерителями должна быть в пределах ±10 % конечного значения предела измерения и ±15 % измеряемого значения в начале рабочего участка шкалы. При «змеренни емкостей 3 пФ и менее допускается 6и — ±(20%+0,06 пФ) измеряемого значения в начале рабочего участка шкалы, боен для измерителей с цифровым отсчетом должна быть в пределах ±(10%+'0,06 пФ) измеряемого значения плюс 2 знака младшего разряда дискретного отсчета».

Пункт 4.1 изложить в новой редакции: «4.1. Показатели точности измерений С% и Сэ должны соответствовать установленным в стандартах на транзисторы

конкретных типов».

Раздел 4 дополнить пунктом — 4.2: «4.2. Границы интервала, в котором с «ероятностью 0,997 находится погрешность измерения б, определяют по формуле

где б уст — погрешность измерителя емкости;

а\ — коэффициент влияния напряжения коллектора (эмиттера) на измеряемый параметр, определяемый по формуле

д^К(Э)    ^к(Э)

а1    ^КО)    СК(Э)

— производная погрешности измеряемого параметра от напряжения;

fcs — коэффициент, зависящий от закона распределения погрешности измерения и установления вероятности; для нормального закона распределения и вероятности 0,997    =1,96;

ku k<i — предельные коэффициенты, зависящие от законов распределения сос-

тавляющих погрешности; для равномерного закона распределения

k\=&2=== 1,73.

Для транзисторов, у которых зависимость С^ *=/(£/к. ) имеет вид

Ск—Шк"+Ско ,

(Продолжение см. с. 435)

коэффициент пропорциональности;

показатель степени, зависящий от материала транзистора; составляющая емкости, не зависящая от напряжения,

где k п

С ко

коэффициент

влияния определяют по формуле

С


ко


а


С


К


п 1


Стандарт дополнить разделом — 5:

«5. Метод измерения С к иСд с использованием моста

6.1.    Условия измерения — в соответствии с требованиями разд. 1.

5.2.    Аппаратура

5.2.1. Емкость следует измерять на установке, структурная электрическая схема которой приведена на черт. 3 и 4. При измерении емкости Сэ под-

ключение выводов эмиттера и коллектора измеряемого транзистора меняют мес тами.

Е

VT—измеряемый транзистор; Е—мост;    С— конденсатор;

PV—измеритель напряжения.

Черт. 3

(Продолжение см. с. 436)



VT к



с


Z

к


VT—измеряемый транзистор, Я—мост; ZK—элемент для развязки; С—конденсатор; РV—измеритель напряжения

Черт. 4

5.2.2.    Требование к выбору емкости конденсатора С должно соответствовать п, 2.5.

5.2.3.    Требование к элементу для развязки ZK должно соответствовать п. 2.6.

5.2.4.    Требование к контактодержателю должно соответствовать п. 2.11.

5.2.5.    Основная погрешность измерительной установки 6н должна быть в пределах ±2 % измеряемого значения плюс 2 знака младшего разряда дискретного отсчета.

5.3.    П о д г о т о в к а и проведение измерений

5.3.1.    Перед измерением при отсутствии измеряемого транзистора проводят нулевую регулировку баланса моста согласно его описанию (например, типа Е7—12).

5.3.2.    В схему измерения вставляют измеряемый транзистор. Задают режим по постоянному току, указанный в стандартах на транзисторы конкретных типов. Мост вновь балансируют и изменение емкости определяет емкость коллекторного или эмиттерного переходов.

5.4.    Показатели точности — в соответствии с требованиями разд. 4».

(ИУС № 13 1987 г.)