МИНИСТЕРСТВО ПРОМЫШЛЕННОГО СТРОИТЕЛЬСТВА

СССР

ГЛАВНОЕ ТЕХНИЧЕСКОЕ УПРАВЛЕНИЕ

НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ПРОМЫШЛЕННОГО СТРОИТЕЛЬСТВА

РЕКОМЕНДАЦИИ

ПО ЗАБИВКЕ СВАЙ ВБЛИЗИ ЗДАНИЙ,

СООРУЖЕНИЙ И ПОДЗЕМНЫХ КОММУНИКАЦИЙ

УФА 1983

МИНИСТЕРСТВО ПРОМЫШЛЕННОЮ СТРОИТЕЛЬСТВА СССР

ГЛАВНОЕ ТЕХНИЧЕСКОЕ УПРАВЛЕНИЕ

НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ПРОМЫШЛЕННОЮ СТРОИТЕЛЬСТВА (НИИПРОМСТРОЙ)

Р Е К О ME Н Д A U И И ПО ЗАБИВКЕ СВАЙ ВБЛИЗИ ЗДАНИЙ СООРУЖЕНИЙ И ПОДЗЕМНЫХ КОММУНИКАЦИЙ

УФа 1963

Наименование» конструктивные особенности в тнп зданий и сооружеииа

водонасышенные я насыпные неоднородные

ших конструкциях кирпичных зданий до 2»С мм» каркасных и

монолитных 0,5-1,0 мм    3,0    1,0    0,7

Выкрашивание раствора из стыков плит, откалывание штукатурки и трещины в перегородках»

Сквозные трещины в кирпичных стенах и трещины от углов проемов во внешнем слое панелей»    3,0    1,0    0,7

Раскрытие трещин в кирпичных стенах до 2,С-5,0 мм, в панелях 0,5-2,0 мм

Таблица 4

со I

Класс ма-шин*обору-дования и приборов по чувствительности (см* табп.5) Безопасные расстояния <м)до фундаментов оборудования при забивке свай сечением 30x30 см в зависимости от грунтов основания глины и суглинки пески супесь плас- твердые и полутвердые туго- плас тичные мягко- плас тичные текуче- пластич ные средней круп ности мелкие плотные и средней плотности пылеватые и средней плотности тичная и текучая 1 85 80 60 45 65 55 80 95 П 70 70 50 30 50 45 65 75 Ш 60 60 40 20 40 30 50 60 ЗУ 50 40 25 12 25 18 35 40 У 40 30 15 7 15 9 25 25 У1 25 17 6 2 6 2 9 7 УП 20 <17 <6 <2 <6 <2 <9

Сверхвысоко вольт ные электронные микроскопы с ускоряю-    О    0315

щим напряжением 500 кВ и выше. Электронные микроскопы с разрешаемым расстоянием 2-3 А и менее. Эталонные интерферометры и интерференционные установки для абсолютных измерений длины в длинах волн. Интерференционные компараторы, Интерферометры с автоматическим счетом интерференционных полос

Лазерные интерферометры. Интерферометрические столы длиной более 2 м для проведения голографических и интерференционных исследований. Приборы и оборудование для записи голографических дифракционных решеток. Оптические скамьи длиной более 5 м. Интерференционные установки длиной более 5 м и состоящие из двух и более раздельно уста -навливаемых частей. Спектральные приборы с фокусным расстоянием более 5 м. Оптические и контактные профиломеры и профклографы 1 группы. Делительные машчкы для изготовления дифржцконных решеток

11    Электронные    микроскопы    с разрешаемым расстоянием    О»    1

4-7 А и более.Растровые электронные микроскопы. Элект-ронно-эондовые приборы для измерений и анализа изо бра -жений. Оборудование электронной промышленности: фото -повторители, установки совмещения и экспонирования, элек-тронно-лучевы е установки для прецизионной электронной литографии, установки для термокомпрессионной или импульсной микросварки, а также аналогичные им установки для микросварки и пайки. Бесконтактные интерферометры для измерений относительным методом. Фотоэлектрические интерферометры для проверки штриховых мер. Стационарные специализированные приборы на основе голографии. Компараторы.

Измерительные машины длиной более 1 м. Установки для проверки долемнкрометровых головок. Приборы для контроля линейных размеров с электронным индикатором контакта с иеной деления менее 0,1 мкм. Оптические скамьи длиной до 5 м.

Эталонные установки для измерения плоского угла* Автоколлиматоры с ценой делений 0,5* и менее. Гониометры с погрешностью измерения 1* и менее. Экзаменаторы с иеной деления

Настояние Рекомендации разработаны Научно-исследовательским институтом промышленного строительства (НИИ-про метро й) Минлромстроя СССР по результатам теоретических и экспериментальных исследований НИИпромстроя» а также с использованием материалов Всесоюзного научно-исследовательского института гидромеханизации, санитарнотехнических и специальных строительных работ (ВНИИГС) и Государственного института по проектированию оснований и фундаментов (ГПИ Фундаментпроегг) Мннмонтажспепстроя СССР, приведенных в^нструкшга по забивке свай вблизи зданий и сооружений* ВСН 358-76    Мин монтажспеос троя

СССР.

Рекомендации составлены кандидатами технических наук Ниязовым Я.шДи Ковалевым В.Ф. при участия инженера Янышева Г.С.

© Научно-исследовательский институт промышленного строительства (НИИпромстрой), 1983 г.

где    -    среднее давление под подошвой фундамента;

- разность отметок подошвы фундамента и дна котлована (траншеи);

У* С - расчетные значения угла внутреннего трения и удельного сцепления грунта, принимаемые по СЬиП на проектирование оснований зданий и сооружений;

К_# - поправочный коэффициент к углу внутреннего трения грунта, принимаемый по табл.6 в зависимости от скорости колебаний грунта в основании фундамента V.

Таблица 6

2/, см/с    |    А/

0	1,00
0,32	0,80
0,63	0,68
0,85	0,64
1,27	0,60
>1,27	0,60

2.6. Безопасные расстояния до зданий и сооружений, у которых допустимы дополнительные осадки или крены фундаментов, определяются из условия

$cr+AS<S_f,    (б)

где    — осадка или крен фундамента до забивки сваи,

устанавливаемые путем обследования в соответствии с п. 5.3;

S - предельная осадка или крен фундамента, приии-9 маемые по СНиП на проектирование оснований Зданий и сооружений;

Д S - дополнительная осадка или крен фундамента при забивке свай, определяемые в соответствии с п.4.5.

2.7. При определении безопасных расстояний для промышленных зданий необходимо учитывать допустимые величины параметров по санитарным нормам проектирования промышленных предприятий.

20

1. ОБШИБ ПОЛОЖЕНИЯ

1«1* Настоше рекомендации распространяются на забивку свай, шпунта н штампов для образования скваиснн в грунта (поп штампонабнвныа сван) вблизи зданяй» сооруже-ний я подзаииыт коммуникаций,

1*2. Саайяыа фундаменты вблизи зданий» сооружений н потомим* коммуникаций следует проектировать согласно требованиям действующих нормативных документов по свайным фундаментам с учетом;

а)    результатов инженерно-геологических изысканий площадки строительства!

б)    характеристик и назначения существующих зданий» сооружений н подземных коммуникаций» их конструкции и состояния, полученных обследованием в соответствии с гл.5;

в)    параметров колебаний грунта, ожидаемых при забивке свай, шпунта и штампов;

г)    безопасных расстояний Та до зданий» сооружений н подземных коммуникаций, установленных в соответствии с указаниями глав 2 я 3,

1.3,    Целесообразность применения забивных свай , шпунта н штампонабивных свай на расстоянии X < Хр от существующих зданий, сооружений и подземных коммуникаций решается путем технико-экономического расчета с учетом дополнительных затрат на измерения по гл.4, пробное погружение свай, наблюдения за осадками фундаментов и на мероприятия по сяюкеняю уровня колебаний в соответствии с указаниями гл.6.

1.4.    Допускается уменьшение безопасных расстояний, определенных по главам 2 и 3, при забивке свай, шпунта юга штампов вблизи:

а)    сейсмостойких зданий, сооружений и подземных коммуникаций;

б)    зданий и сооружений, которые в процессе эксплуатации испытывают колебания большей интенсивности, чем от забивки свай;

в)    зд*<кяй н сооружений, фактические осадки, относительные деформации н крены фундаментов которых значительно меньше, чем допустимые по СНиП на проектирование оснований зданий и сооружений

3 2. ОПРЕДЕЛЕНИЕ БЕЗОПАСНЫХ РАССТ05НИЙ ДО ЗДАНИЙ И СООРУЖЕНИЙ ПРИ ЗАБИВКЕ СВАЙ (ШПУНТА, ШТАМПОВ)

2*1» Безопасные расстояния до зданий и сооружения при забивке свая (шпунта, штампов) определяются с учетом следующих требований:

а) здания и сооружения не домны получать дополнительных осадок и кренов фундаментов, а также деформаций я повреждений, превышающих предельно допустимые их значе

б) уровень колебаний фундаментов не должен превышать значений, допустимых для приборов, машин и технологически го оборудования, а таске требований санитарных норм.

2*2. Для зданий и сооружений, дополнительные осадки или крены фундаментов которых не допустимы, безопасные расстояния определяются из. условия

где

ствни с п.4.10, а для предварительной оценки принимаемые по табл.1.

Таблица 1

Характеристики грунтов основания Безопасные расстояния (м)до зданий я сооружений при забивке свай сече- 20x20 30x30 40x40 Суглинки и глины твердые 1.2 1.S 2.4 полутвердые 1.3 1,9 2.5 тугопластичные 1.2 1.8 2.4 мягкопластичные 1.1 1.7 2,3 Супесь пластичная 5,0 7,0 10,0 Пески мелкие 3,5 5,0 7.0

2.3. Для зданий и сооружений, в конструкциях которых не допускаются раскрытия трещин, безопасные расстояния определяются из условия (1), принимая t| ю табл. 2*Прк

- 4 -    ^W

Наименование, конструктивные особенности и тип зданий и сооружений

Трещины в стыках по контуру перегородок, в штукатурке и в кладке заполнения до 3.0 мм. Трещины в углах

проемов, в местах сопряжения стен, в углах, в

необходимости погружения свай больших сечений в другие грунтовые условия или на расстояния» меньше указанных в табл.2» безопасные расстояния определяются из условия

f* “ амплитуда (см) и частота (Гц)колебаниЙгрунта на поверхности, определяемые экспериментально в соответствии с п.4.4.

2.4. При наличии в зданиях приборов» машин и оборудования» чувствительных к колебаниям, безопасные расстояния до фундаментов зданий или оборудования определяются по табл. 4. При необходимости погружения свай больших сечений в другие грунтовые условия или на расстояния» меньше указанных в табл.4, безопасные расстояния определяются по условию

(4)

где К_ф - коэффициент передачи колебаний грунта фундаменту оборудования» определяемый в соответствии с п.4.6, а для предварительных расчетов принимается *#■ 1;

1L,- допустимая скорость колебаний фуцдаментадои-" нимаемая в зависимости от класса машин» приборов и оборудования по табл.5;

Л - то же, что и в п.2.3.

2.5. При забивке свай со дна котлована безопасные расстояния до зданий и сооружений определяются из условий пп.2,2-2.4 и чтобы минимальное расстояние €_т от ближайшего края котлована (по дну) до края подошвы фундамента было

(5)