Товары в корзине: 0 шт Оформить заказ
Стр. 1
 

34 страницы

487.00 ₽

Купить ГОСТ 29283-92 — официальный бумажный документ с голограммой и синими печатями. подробнее

Официально распространяем нормативную документацию с 1999 года. Пробиваем чеки, платим налоги, принимаем к оплате все законные формы платежей без дополнительных процентов. Наши клиенты защищены Законом. ООО "ЦНТИ Нормоконтроль".

Наши цены ниже, чем в других местах, потому что мы работаем напрямую с поставщиками документов.

Способы доставки

  • Срочная курьерская доставка (1-3 дня)
  • Курьерская доставка (7 дней)
  • Самовывоз из московского офиса
  • Почта РФ

Настоящий стандарт устанавливает требования к следующим классам или подклассам приборов: полупроводниковые излучатели, включая: оптоэлектронные полупроводниковые приборы отображения информации (на рассмотрении), светоизлучающие диоды (СИД), инфракрасные излучающие диоды (ИК-диоды), полупроводниковые лазеры (на рассмотрении); полупроводниковые фоточувствительные приборы, включая: фотодиоды, фототранзисторы; фототиристоры (на рассмотрении); фотопары, оптопары.

Настоящий стандарт разработан методом прямого применения международного стандарта МЭК 747-5-84

  Скачать PDF

Оглавление

Глава I. Общие положения

1. Вводное примечание

2. Область применения

Глава II. Терминология и буквенные обозначения

1. Тип полупроводниковых оптоэлектронных приборов

2. Термины, относящиеся к предельно допустимым значениям параметров и характеристикам

3. Буквенные обозначения

Глава III. Основные предельно допустимые значения параметров и характеристики

Раздел 1 - Светоизлучающие диоды

1. Тип

2. Полупроводниковый материал

3. Цвет

4. Сведения о габаритном чертеже и корпусе

5. Предельно допустимые значения параметров (система абсолютных значений) в диапазоне рабочих температур

6. Электрические характеристики

7. Дополнительные сведения

8. Данные по испытаниям на воздействие внешних факторов и/или срок службы

Раздел 2 - Инфракрасные излучающие диоды

1. Тип

2. Полупроводниковый материал

3. Сведения о габаритном чертеже и корпусе

4. Предельно допустимые значения параметров (система абсолютных значений) в диапазоне рабочих температур, если не оговорено иное

5. Электрические характеристики

6. Дополнительные сведения

7. Данные по испытаниям на воздействие внешних факторов и/или срок службы

Раздел 3 - Фотодиоды

1. Тип

2. Полупроводниковый материал

3. Сведения о габаритном чертеже и корпусе

4. Предельно допустимые значения параметров (система абсолютных значений) в диапазоне рабочих температур, если не оговорено иное

5. Электрические характеристики

6. Дополнительные сведения

7. Данные по испытаниям на воздействие внешних факторов и/или срок службы

Раздел 4 - Фототранзисторы

1. Тип

2. Полупроводниковый материал

3. Тип перехода

4. Сведения о габаритном чертеже и корпусе

5. Предельно допустимые значения параметров (система абсолютных значений) в диапазоне рабочих температур, если не оговорено иное

6. Электрические характеристики

7. Дополнительные сведения

8. Данные по испытаниям на воздействие внешних факторов и/или срок службы

Раздел 5 – Фотопары, оптопары (с транзистором на выходе)

1. Тип

2. Полупроводниковый материал

3. Тип перехода транзистора на выходе

4. Сведения о габаритном чертеже и корпусе

5. Предельно допустимые значения параметров (система абсолютных значений) в диапазоне рабочих температур, если не оговорено иное

6. Электрические характеристики

7. Дополнительные сведения

Глава IV. Методы измерений

1. Методы измерений для излучателей

1.1. Сила света светоизлучающих диодов

1.2. Сила излучения инфракрасных излучающих диодов

1.3. Световой поток

1.4. Длина волны излучения и ширина спектра излучения

2. Методы измерений для фоточувствительных приборов

2.1. Ток под действием облучения фотодиодов и ток коллектора под действием облучения фототранзисторов

3. Методы измерений для фотопар

3.1. Коэффициент передачи по току

3.2. Емкость вход - выход

3.3. Сопротивление изоляции между входом и выходом

3.4. Испытания на прочность изоляции

Показать даты введения Admin

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

СОЮЗА ССР

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ. ДИСКРЕТНЫЕ ПРИБОРЫ И ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ

Часть 5. ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ

37 p. 60 к. БЗ 7.-91/804

ГОСТ 29283-92 (МЭК 747-5-84)

Издание официальное

КОМИТЕТ СТАНДАРТИЗАЦИИ И МЕТРОЛОГИИ СССР

Мое к & а

УДК 681.782.473.006.354    Группа    Э29

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ГОСТ

29283—92

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ ДИСКРЕТНЫЕ ПРИБОРЫ И ИНТЕГРАЛЬНЫЕ

СХЕМЫ

Часть 5. Оптоэлектронные приборы

Semiconductor devices.

(МЭК 747—5)

Discrete devices and integrated circuits. Part 5. Optoelectronic devices

ОКП 621 000

Дата введения 01.01.93

Глава I. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ

1.    Вводное примечание

Настоящий стандарт следует применять вместе с МЭК 747—1*, в котором приведены: терминология; буквенные обозначения;

основные предельно допустимые значения параметров и характеристики;

методы измерения; приемка и надежность.

2.    Область применения

Настоящий стандарт устанавливает требования к следующим классам или подклассам приборов:

полупроводниковые излучатели, включая:

оптоэлектронные полупроводниковые приборы отображения информации (на рассмотрении),

светоизлучающие диоды (СИД), инфракрасные излучающие диоды (ИК-диоды), полупроводниковые лазеры (на рассмотрении); полупроводниковые фоточувствительные приборы, включая:

* До прямого применения стандарта МЭК в качестве государственного стандарта рассылку данного стандарта МЭК на русском языке осуществляет ВНИИ «Электронстаидарт».

Издание официальное

@1 Издательство стандартов, 1992

Настоящий стандарт не может быть полностью или частично воспроизведен, тиражирован и распространен без разрешения Госстандарта СССР.

2 Зак. 553

Продолжение табл. $

Номер

пункта

Характеристики

Условия при ТатЬ «ли °С, если не оговорено иное

^ Примечание

Буквенные

обозначе

ния

Требования

5.5.

Ширина спектра излучения (при необходимости)

Значение, равное половине длины ролны излучения при If, оговоренном в п. 5 4

-—

Макс

5.6,

Время переключения (при необходимости)

Макс

5.7.

Угол излучения (при необходимости)

Макс

5.8.

Емкость (при необходимости)

Макс

Примечание. Если телесный угол, внутри которого измеряется сила излучения, не настолько мал, чтобы им можно было пренебречь, его значение следует оговорить.

6.    Дополнительные сведения

6.1.    Диаграмма направленности излучения

Графическое представление зависимости мощности излучения или силы излучения от угла, образованного с одной из геометрических осей, в полярных или прямоугольных координатах.

6.2.    Спектральная диаграмма (при необходимости)

Графическое представление зависимости потока излучения

или силы излучения от длины волны.

6.3.    Конструктивные данные

Способ крепления и условия пайки, при необходимости.

7.    Данные по испытаниям на воздействие внешних факторов и/или на срок службы

На рассмотрении.

Раздел 3. ФОТОДИОДЫ

1.    Тип

Фотодиод, параметры которого устанавливаются при температуре окружающей среды или температуре корпуса, предназначенный для работы в режиме малого сигнала или переключения.

2.    Полупроводниковый материал Кремний и др.

ГОСТ 29283-92 С. 11

3.    Сведения о габаритном чертеже и корпусе

3.1.    Обозначение МЭК и/или национальное обозначение габаритного чертежа.

3.2.    Материал корпуса: стекло, металл, пластмасса, другие.

3.3.    Обозначение выводов и любого соединения между выводом и корпусом.

4.    Предельно допустимые значения параметров (система абсолютных максимальных значений) в диапазоне рабочих температур, если не оговорено иное

4.1.    Минимальная и максимальная температуры хранения (Tstg)

4.2.    Минимальная и максимальная рабочие температуры окружающей СреДЫ ИЛИ Корпуса (ТатЬ ИЛИ TCase).

4.3.    Максимальное обратное напряжение (V#).

4.4.    При необходимости:

максимальная общая рассеиваемая мощность (Рш) при температуре окружающей среды или температуре корпуса до 25 °С и понижающий фактор при температуре свыше 25 °С (Kt) или понижающая кривая.

5.    Электрические характеристики

Таблица 4

Номер

пункта

Характеристики

Условия при татЬ или Ггаче=25 °С( если не оговорено иное

Примеч ание

Буквенные

обозначе

ния

Требование

5.L

Обратный ток под действием облучения

VR — заданное значение Ev или Ее — заданное значение

I

/Я(Н)

Мин

5.2.

Темновой ток

VR — заданное значение, Ее^= 0

Макс

5.3.

Темповой ток

VR — заданное значение. Ее—0 при заданной высокой температуре

ТатЬ ИЛИ Тcase

Макс

5.4.

При необходимости, спектраль-

Vr — заданное значение.

S

Мин

ная чувствительность

Ее — заданное значение при заданной малой длине волны Ki и при заданной большой длине

ВОЛНЫ %2

S

Мин

Продолжение табл. 4

Номер

пункта

Условия при ТатЬ

S

X

я»

0*

Буквенные

Характеристики

или Тса?в—25 °С, если

о

S

обозяаче-

Требования

не оговорено иное

X

о.

С

ния

5.5.

Время пере-

Оговоренная схе-

ключения (при необходимости):

ма

время нараста-

Заданное зна-

tr

Макс

ния и время спа-

чение VR, Ev или

да

Ее — заданное

h

Макс

значение

или время вклю-

Оговоренная схе-

tonn

— '

Макс

чения и время вы-

ма, заданное зна-

ключения

чение VR, Ev или Ее — заданное

*—«

toff

- .

Макс

значение

Примечание. Освещение стандартным источником типа А согласно МЭК 306—1* осуществляется лампой с вольфрамовой нитью накала прн цветовой температуре Г—2855,6 К или иным оговоренным источником монохроматического излучения.

6. Дополнительные сведения

6.1.    Диаграмма чувствительности

Графическое выражение зависимости спектральной чувствительности от длины волны.

6.2.    Спектральная диаграмма

Графическое выражение зависимости спектральной чувствительности от длины волны.

7. Данные по испытаниям на воздействие внешних факторов и/или на срок службы

На рассмотрении.

Раздел 4. ФОТОТРАНЗИСТОРЫ

1. Тип

Фототранзистор, параметры которого устанавливаются при температуре окружающей среды или температуре корпуса, предназначен для работы в режиме малого сигнала и переключения. 1

ГОСТ 29283-92 С. IS

2.    Полупроводниковый материал

Кремний и др.

3.    Тип перехода

п—р—п[р—п—р

4.    Сведения о габаритном чертеже и корпусе

4.1.    Обозначение МЭК и/или национальное обозначение габаритного чертежа.

4.2.    Материал корпуса: стекло, металл, пластмасса, другие.

4.3.    Обозначение выводов и любого соединения между выводом и корпусом.

5.    Предельно допустимые значения параметров (система абсолютных максимальных значений) в диапазоне рабочих температур, если не оговорено иное

5.1.    Минимальная и максимальная температуры хранения

{Tsig)

5.2.    Минимальная и максимальная рабочие температуры окружающей среды или корпуса (Татъ или Tease)-

5.3.    Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при нулевом токе базы (Vceo)■

5.4.    При наличии внешнего соединения базы.

5.4.1.    Максимальное напряжение коллектор-база при нулевом токе эмиттера (Vcbo).

5.4.2.    Максимальное напряжение эмиттер-база при нулевом токе коллектора (Vebo),

5.5.    При отсутствии внешнего соединения базы.

Максимальное напряжение эмиттер-коллектор (VEco).

5.6.    Максимальный постоянный ток коллектора (1с).

5.7.    При необходимости:

максимальная общая рассеиваемая мощность (Рм) при температуре окружающей среды или корпуса до 25 °С;

понижающий фактор при температуре выше 25 °С (Kt) или понижающая кривая.

6. Электрические характеристики

Таблица 5

Номер

пункта

Условия при Tamb

или Tcase=2$ °С, если

Ы

S

Л

те

Буквенные

Характеристики

<v

S

обозначе

ния

Требования

не оговорено иное

a

с

6Л.

Ток коллектора

Vce — заданное

1

/с(Н)

Мин

Макс*

под действием

значение, 1в=0,

или

облучения

Ev или Ее — заданное значение

/с(е)

1 CEO

Макс

6.2.

Темновой ток

Vce — заданное

коллектор-

значение, /в=0,

эмиттер

Ее~0

IcEQ

Макс

6.3.

Темновой ток

Усе ‘— заданное

коллектор-эчит-

значение, /в~0,

тер

Ее = 0, при заданной высокой температуре Тать

6.4.

Напряжение

ИЛИ Tease

1с — заданное

V(Б R) С ЕС

Мин

пробоя коллек-

значение, /в=0,

тор-эмиттер

Ес = 0

V (BR)EBO

Мин

6.5.

Напряжение

If — заданное

пробоя эмиттера

база или, при от-

значение, Ее = 0

V (BR)ECO

Мин

сутствии соеди-

нения базы, напряжение пробоя

эмиттер -коллектор

1

VcEsat

Макс

6.6.

Напряжение

1с — заданное

насыщения коллектор-эмиттер

значение, /в—0 Ev или Ее — за-

данное значение, предпочтительно то же, что в п. 6.1

Мин

6.7,

При необходи-

1в—0, Ее — за-

1

s

мости спектраль-

данное значение,

ная чувствитель-

при заданной

ность

малой длине вол-

ны Aj и при заданной большей

длине волны Аг

6.8.

Времена пере-

ключения (при необходимости):

Оговоренная схе-

tr

tf

Макс

Макс

время нарастания

и время спада

ча, заданные значения Vce и /с, Еу или Ее

* При необходимости

ГОСТ 29283-92 С. 15

Продолжение табл. 5

Номер

пункта

Характеристики

Условия при ТатпЬ или Згса8в“'25 °С, если не оговорено иное

Примечание

Буквенные

обозначе

ния

Требования

6.8

или:

время включения и время выключения

Оговоренная схема, заданные значения Vcs и 1с, Еу или Е«

— .

ton

toff

Макс

Макс

Примечание. Освещение стандартным источником типа А согласно МЭК 306—1* осуществляется лампой с вольфрамовой нитью накала при цветовой температуре 7* «2855,6 К или иным оговоренным источником монохроматического излучения.

7.    Дополнительные сведения

7.1.    Диаграмма чувствительности

7.2.    Спектральная диаграмма

Графическое выражение зависимости спектральной чувствительности от длины волны.

8.    Данные по испытаниям на воздействие внешних факторов и/или на срок службы

На рассмотрении.

Раздел 5. ФОТОПАРЫ, ОПТОПАРЫ (С ТРАНЗИСТОРОМ НА ВЫХОДЕ)

1.    Тип

Фотопары, оптопары, параметры которых устанавливаются при температуре окружающей среды или температуре корпуса, предназначенные для разделения сигналов.

2.    Полупроводниковый материал

Диод на входе: арсенид галлия, арсенид алюминия и др.

Транзистор на выходе: кремний и др.

3.    Тип перехода транзистора на выходе
4.    Сведения о габаритном чертеже и корпусе

4.1. Обозначение МЭК и/или национальное обозначение габаритного чертежа 2

С. 16 ГОСТ 29283-92

4.2.    Материал корпуса: стекло, металл, пластмасса, другие.

4.3.    Обозначение выводов и любого соединения между выводом и корпусом.

5. Предельно допустимые значения параметров (система абсолютных максимальных значений) в диапазоне рабочих температур, если не оговорено иное

Указываются все необходимые характеристики, такие как время, частота, длительность импульса, скважность и т. д.

5.1.    Минимальная и максимальная температуры хранения

(Tstg)-

5.2.    Минимальная и максимальная рабочие температуры окружающей среды или в контрольной точке (Тать или Tref).

5.3.    Максимальная температура пайки (Tstd).

Должны быть оговорены максимальное время пайки и минимальное расстояние до корпуса.

5.4.    Максимальное постоянное (прямое) обратное входное напряжение (У2).

5.5.    Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при разомкнутой базе (Vсео) •

5.6.    Максимальное напряжение коллектор-база при наличии внешнего соединения базы и при разомкнутом эмиттере (Усво)-

5.7. Максимальное напряжение эмиттер-база при наличии внешнего соединения базы и при разомкнутом коллекторе (Vebo) или

5.8.    Максимальное напряжение эмиттер-коллектор при отсутствии внешнего соединения базы (Veco).

5.9.    Максимальное постоянное (прямое) или повторяющееся импульсное напряжение изоляции (Ую или Viorm).

Должны быть заданы форма сигнала и частота повторения.

5.10.    При необходимости максимальное импульсное напряжение изоляции (Tiosm).

Следует оговорить значения для импульсов обеих полярностей, имеющих форму сигнала, показанную на черт. 1.

5.11.    Максимальный постоянный ток коллектора (1С).

5.12.    Максимальный постоянный прямой входной ток (If) при температуре окружающей среды или в контрольной точке 25°С. Понижающая кривая или понижающий фактор.

5.13.    Максимальный импульсный прямой входной ток (/frm) при температуре окружающей среды или в контрольной точке 25 °С и оговоренных параметрах импульса.

5.14.    Максимальная рассеиваемая мощность транзистора на выходе (Ptm) при температуре окружающей среды или в контрольной точке 25 °С. Понижающая кривая или понижающий фактор.

ГОСТ 29283-92 С. 17

Испытательное напряжение

5.15. Максимальная общая рассеиваемая мощность в корпусе (Ptot) при температуре окружающей среды или в контрольной точке 25 °С. Понижающая кривая или понижающий фактор.

6. Электрические характеристики

Таблица б

Номер

пункта

Характеристики

Условия При ТатЬ или Тге^=25 °С, если не оговорено иное

Примечание

Буквенные

обозначе

ния

Требовав ия

ей

Прямое входное напряжение диода

If — заданное значение

v.

Макс

6.2,

Обратный входной ток диода

У в — заданное значение

Ir

Макс

6.3,

Темновой ток коллектор-эмиттер

Усе — заданное значение, /*-=0, 1в = 0 (при разомкнутой базе)

I CEO

Макс

или при необходимости*, темновой ток коллектор-база

Уев — заданное значение, If—0,

1е=0

Icbo

Макс

6.4.

Темновой ток коллектор-эмиттер или, при необходимости*, темновой ток коллектор-база

Усе — заданное значение, /г = 0, 1в—0, ТатЬ ИЛИ

Tref — заданное значение

I CEO

Макс

6.5.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

If и 1с — заданные значения,

/в=0

——

VcE sat

Макс

Продолжение табл. 5

Номер

пункта

Хар ак т v рнс тй кн

Условия при татъ или 25 °С, если не оговорено иное

Примечание

Буквенные

обозначе

ния

Требования

или, при необходимости*, напряжение коллектор-база

If и, 1с — заданные значения, /я=0

Уев

Макс

6.6

Коэффициент передачи по току

If или 1с и Усе — заданные значения, /д = 0

hr или CTR (dc)

Мин

Макс

6.7.

При необходимости, дифференциальный коэффициент передачи по току

If или 1с и Усе — заданные значения, /в=0, заданное значение частоты

hf

или

CTR

(ас)

Мин

Макс

6.8.

Сопротивление изоляции между входом и выходом

У ю — заданное значение

1

г №

Мин

6.9.

6.10.

При необходимости, емкость между входом и выходом При необходимости время переключения:

f=l МГц,

/*=0, 1с = 0

1

Сю

Макс

время включения

Заданные значе-

ton

_

Макс

и время выключения

ния Усе, h и Rl и номинальное значение 1с, заданная схема измерения

toff

Макс

или

Заданные зна-

tr

.—

Макс

время нарастания и время спада

чения УСс, If и Rl и номинальное значение 1с, заданная схема измерения

t,

Макс

6.11.

При необходимости, граничная частота

If или 1с и Усе — заданные значения, /в== 0

2

fctT

Мин


7. Дополнительные сведения

На рассмотрении.


Глава IV. МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЙ


1. Методы измерений для излучателей

1.1. Сила света светоизлучающих диодов (lv)

a)    Цель

Измерение силы света полупроводниковых светоизлучающих диодов.

Этот метод может быть применен для следующих трех вариантов измерений:

Вариант 1

Вращение диода вокруг геометрической оси для точного определения минимального и/или максимального значения.

Вариант 2

Совмещение оптической оси диода с оптической осью оптической скамьи.

Вариант 3

Установка по эталону, соответствующему типу корпуса диода, что позволяет воспроизводить механическое ориентирование.

b)    Схема измерения (см. черт. 2)



/777


//



d

——-


Черт. 2


с) Описание схемы и требования к ней

D — измеряемый светоизлучающий диод; PD — фотоприемник, включающий диафрагму Dx зоны A; D2, D3 — диафрагмы, предназначенные для подавления паразитных излучений. £>2 и йг не должны ограничивать телесный угол; d — расстояние между измеряемым диодом и D\.

Спектральная чувствительность фотометра должна быть отрегулирована согласно стандарту МЭК на кривую длины волны света, излучаемого диодом. Фотометр должен быть откалиброван в канделах на расстоянии d, причем диафрагма Dx находится на фиксированном месте.


фотодиоды,

фототранзисторы

фототиристоры (на рассмотрении);

фотопары, оптопары.

Порядок следования различных глав соответствует МЭК 747—1.

Глава II. ТЕРМИНОЛОГИЯ И БУКВЕННЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ

Примечание. Ряд дополнительных терминов, касающихся оптоэлектронных приборов,, например, для радиометрических, фотометрических и сиектрофо-тометричеоких величин, приведен в гл. 45 Международного электротехнического словаря (МЭС).

1. Типы полупроводниковых оптоэлектронных приборов

1.1.    Оптоэлектронный полупроводниковый прибор

Полупроводниковый прибор, который испускает, модулирует

или реагирует на когерентное или некогерентное электромагнитное излучение в видимой, инфракрасной и/или ультрафиолетовой областях спектра, или использует электромагнитное излучение для внутреннего взаимодействия его элементов.

1.2.    Полупроводниковый излучатель

Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, который преобразует электрическую энергию в энергию излучения.

1.3.    Оптоэлектронный полупроводниковый прибор отображения информации

Полупроводниковый излучатель, предназначенный для отображения визуальной информации.

1.4.    Светоизлучающий диод (СИД)

Диод, который испускает энергию излучения в видимой области спектра за счет рекомбинации электронов и дырок.

1.5.    Инфракрасный излучающий диод (ИК-диод)

Диод, который испускает энергию излучения в инфракрасной области спектра за счет рекомбинации электронов и дырок.

1.6.    Полупроводниковый лазер

Полупроводниковый оптоэлектронный прибор, который испускает энергию когерентного излучения с помощью индуцированной эмиссии за счет рекомбинации электронов и дырок.

1.7.    Полупроводниковый фоточувствительный прибор

Полупроводниковый прибор, чувствительный к электромагнитному излучению в видимой, инфракрасной и/или ультрафиолетовой областях спектра.

1.8.    Фотоэлектрический приемник излучения

Физический приемник, действие которого основано на внешнем или внутреннем фотоэффекте.

1.9.    Фоторезистор

Расстояние d должно быть таким, чтобы телесный угол, образуемый источником света при диафрагме Dx\=Afd2), был менее, чем 0,01 ср.

Для измерения в импульсном режиме генератор тока должен создавать импульсы тока требуемой амплитуды, длительности и частоты повторения. Фотоприемник должен иметь время нарастания, достаточно малое по сравнению с длительностью импульса; это должен быть прибор для измерения амплитудных значений.

d)    Методика измерения

Измеряемый диод располагается согласно выбранному варианту.

Подается заданный ток и на фотоприемнике измеряется сила света.

e)    Заданные условия

Температура окружающей среды и, при необходимости, атмосферные условия.

Прямой ток в диоде и, где применимо, Длительность и частота повторения.

Вариант: 1, 2 или 3.

1.2. Сила излучения инфракрасных излучающих диодов

a)    Цель

Измерение силы излучения полупроводниковых инфракрасных излучающих диодов.

Данный метод может быть применен дли следующих трех вариантов измерений:

Вариант 1

Вращение диода вокруг его геометрической оси для точного определения минимального и/или максимального значения.

Вариант 2

Совмещение оптической оси диода с оптической осью оптической скамьи.

Вариант 3

Установка по эталону, соответствующему типу корпуса диода, что позволяет воспроизводить механическое ориентирование.

b)    Схема измерения (см. черт. 3)


Из Vi





d


Черт. 3


ГОСТ 29283-92 С. 3

Фотоэлектрический полупроводниковый приемцик, в котором поглощение излучения повышает проводимость за счет внутреннего фотоэффекта.

1.10.    Фотогальванический приемник

Фотоэлектрический приемник, в котором поглощение излучения вблизи р—п перехода между двумя полупроводниками или вблизи контакта между полупроводником и металлом вызывает электродвижущую силу.

1.11.    Фотодиод

Полупроводниковый диод с р—п переходом между полупроводниками двух различных типов или между полупроводником и металлом, в котором поглощение излучения вблизи перехода вызывает:

внутренний фотоэффект, при смещении диода в обратном направлении;

фотогальванический эффект, при смещении диода в прямом направлении.

1.12.    Фототранзистор

Транзистор, в котором используется фотоэффект.

1.13.    Фототиристор

Тиристор, приводимый в действие энергией излучения.

1.14.    Фотопара, оптопара

Оптоэлектронный полупроводниковый прибор с электрической изоляцией между входом и выходом, предназначенный для передачи электрических сигналов с помощью энергии излучения.

2. Термины, относящиеся к предельно допустимым значениям параметров и характеристикам

2.1.    Длина волны максимального излучения (Хр)

Длина волны, при которой сила спектрального излучения имеет максимальное значение.

2.2.    Длина волны излучения при максимальной чувствительности

Длина волны излучения, при которой спектральная чувствительность имеет максимальное значение.

2.3.    Ширина спектра излучения (АХ)

Интервал длин волн, в котором спектральная плотность силы излучения больше или равна половине ее максимального значения.

2.4.    Диаграмма направленности излучения

Диаграмма, характеризующая (реальное или предполагаемое) пространственное распределение излучения от оптоэлектронного прибора.

2.5.    Диаграмма чувствительности

Диаграмма, представленная в полярных или прямоугольных ко-

2*

С. 4 ГОСТ 29283-92

ординатах и графически выражающая зависимость чувствительности от угла относительно определенной геометрической оси.

2.6.    Угол излучения

Угол, в пространстве которого сила излучения больше или равна половине ее максимального значения.

2.7.    Фототок

Составляющая электрического тока, возникающая в фотоэлектрическом приемнике вследствие фотоэффекта.

2.8.    Темновой ток

Составляющая электрического тока, возникающая в фотоэлектрическом приемнике, когда он не подвергается действию излучения, способного вызвать фотоэффект.

2.9.    Оптическая ось

Линия, относительно которой центрирована основная диаграмма направленности излучения или чувствительности.

Примечания:

1.    Диаграмма направленности излучения или чувствительности может быть несимметричной.

2.    Оптическая ось может отклоняться от геометрической оси.

2.10.    Фотодиоды

2.10.1.    Обратный ток под действием облучения (/я(Я) ИЛИ Ы(е))

Общий обратный ток, протекающий через фотодиод при воздействии на него энергии излучения.

Примечание. Данный термин и определение пересматриваются.

2.11.    Фототранзисторы

2.11.1.    Ток коллектора под действием облучения (1с{Н) или /С(е)}

Общий ток коллектора, проходящий через фототранзистор при воздействии на него энергии излучения.

Примечание. Данный термин и определение пересматриваются

2.12.    Фотопары, оптопары

2.12.1.    Емкость между входом и выходом (Сго)

Внутренняя емкость между всеми соединенными вместе выводами входа и всеми соединенными вместе выводами выхода.

2.12.2.    Сопротивление изоляции (г10)

Сопротивление между всеми соединенными вместе выводами

входа и всеми соединенными вместе выводами выхода.

2.12.3.    Напряжение изоляции

Напряжение между любым выводом входа и любым выводом выхода.

a)    Постоянное (прямое) напряжение изоляции (Ую)

Значение постоянного напряжения изоляции.

b)    Повторяющееся импульсное напряжение изоляции (Viorm}

ГОСТ 29283-92 С. 5

Наибольшее мгновенное значение напряжения изоляции, включая все повторяющиеся и исключая все неповторяющиеся переходные- напряжения.

Примечание. Повторяющееся переходное напряжение обычно обусловлено самой схемой.

Неповторяющееся переходное напряжение обычно вызывается внешними причинами и предполагается, что его воздействие совершенно прекращается к моменту появления следующего неповторяющегося переходного напряжения.

с) Напряжение изоляции при перегрузке (Kiosm)

Наибольшее мгновенное значение кратковременного импульса напряжения изоляции заданной формы.

2.12.4.    Коэффициент передачи по току

Отношение постоянного или переменного тока на выходе к

постоянному или переменному току на входе при постоянном напряжении на выходе.

Примечание. Применяемое сокращение — CTR.

a)    Статическое значение коэффициента (прямой) передачи тока (hF{Ctr), hF)

Отношение постоянного тока на выходе к постоянному току на входе при постоянном напряжении на выходе.

Примечание. Применяемое сокращение CTR (dc).

b)    Коэффициент (прямой) передачи тока при короткозамкнутом выходе в режиме малого сигнала (hf^tr), hf)

Отношение переменного тока на выходе к синусоидальному току на входе при короткозамкнутом выходе по переменному току в режиме малого сигнала.

Примечание. Применяемое сокращение CTR (ас).

2.12.5.    Граничная частота (fetr)

Частота, на которой модуль коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала уменьшается в If У 2 раза по сравнению с его значением на низкой частоте.

3. Буквенные обозначения

3.1.    Общие сведения

Применяются общие правила, изложенные в МЭК 747—1, гл. V.

3.2.    Перечень буквенных обозначений

Обозначения, содержащиеся в табл. 1, рекомендуются для использования в области оптоэлектронных приборов. Данные обозначения составлены в соответствии с общими правилами.

Таблица 1

Наименование

Буквенное обозначь ие

Примечание

Длина волны максимального излучения

Ширина спектра излучения

АХ

Обратный ток под действием облучашя

/й(Я)> ^В(е)

(фотодиоды)

/с(Я), 1с{е)

Ток коллектора под действием облучения

(фототранзисторы)

Емкость между входом и выходом (фото-пары)

Сопротивление изоляции (фотопары)

Сго

г ю

Постоянное напряжение изоляции (фотона-

Vio

ры)

ViORM

Повторяющееся импульсное напряжение

изоляции (фотопары)

Eiosm

Напряжение изоляции при перегрузке (фо

топары)

hf(ctr), h-F

Статическое значение коэффициента пере-

дачи тока (фотопары)

hf(ctr), hf

Коэффициент передачи тока при коротко-

замкнутом выходе в режиме малого сигнала (фотопары)

f ctr

Граничная частота (фотопары)

Глава Ш. ОСНОВНЫЕ ПРЕДЕЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ И характеристики

Раздел 1. СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЕ ДИОДЫ

1.    Тип

Светоизлучающий диод, параметры которого устанавливаются при температуре окружающей среды пли температуре корпуса.

2.    Полупроводниковый материал

Фосфид арсенида галлия и др.

3.    Цвет
4.    Сведения о габаритном чертеже и корпусе

4.1.    Обозначение МЭК и/цли национальное обозначение габаритного чертежа.

4.2.    Материал корпуса: стекло, металл, пластмасса и другие.

4.3.    Обозначение выводов и любого соединения между выводом и корпусом.

ГОСТ 29283-92 С. 7

5.    Предельно допустимые значения рараметроа (система абсолютных значений) в диапазоне рабочий температур, если не оговорено иное

5.1.    Минимальная и максимальная температуры хранения (Tstg)*

5.2.    Минимальная и максимальная рабочие температуры окружающей среды или корпуса (ТатЪ или Тс#™).

5.3.    Максимальное обратное напряжение

Примечание. Неприменимо для приборе?8 на сдвоенных диодах, соединенных по типу анод-катод и катод-анод.

5.4.    Максимальный постоянный прямой ток {If) при температуре окружающей среды или температуре корпуса 25 °С и понижающая кривая или понижающий фактор-

5.5.    При необходимости максимальный импульсный прямой ток (Ifm) при температуре окружающей среды или температуре корпуса 25°С при заданных параметрах импульса.

6.    Электрические характеристики

шштозлеитатаълх тгру&оров следам уьъъ'&ъъл'т, ристики каждого диода.

Для специального применения могут потребоваться дополнительные характеристики, приведенные в табл. 2.

Таблица 2

Номер

пункта

Характеристики

Услоння при ТатЬ или rcasc—25 С если нс оюворс1 О ИНОЗ

Примечание |

Букве! ни'' обозначе 1 ил

Требования

6.1

Прямое напряжение

/* — заданное значение (постоянного или импульсного тока)

Vf

Макс

6.2.

Обратный ток

Vr — заданное значение

1

Ы

-

Макс

6.3

Сила света вдоль геометрической оси

If — заданное значение (постоянного или импульсного тока)

2,3

Iv

Мин

6.4

Длина волны излучения

If — заданное значение (постоянного или импульсного тока)

Хр

Мин

Макс

6.5.

Ширина спектра излучения (при необходимости)

Значение, равное половине длины волны излучения при If, оговоренном в п. 6.4

АХ

Макс

Продолжение табл. 2

Номер

пункта

Характеристики

Условия при ТатЪ или Тсаче-= 25°с, если не оговорено илое

Примечания

Буквлн 'ые обозначения

Требования

6.6.

Времена переключения (при необходимости)

Макс

6.7.

Угол излучения (при необходимости)

Макс

Примечания:

1.    Неприменимо для приборов на сдвоенных диодах, соединенных по типу анод—катод и катод—анод.

2.    Если телесный угол, внутри которого измеряется сила излучения, не настолько мал, чтобы им можно было пренебречь, его значение следует оговорить.

3.    Для диодов, предназначенных для использования в многоэлементных приборах, необходимо оговорить также максимальную силу света.

7.    Дополнительные сведения

7.1.    Диаграмма направленности излучения

Графическое представление зависимости силы света от угла наблюдения в полярных или прямоугольных координатах.

7.2.    Спектральная диаграмма (при необходимости)

Графическое представление зависимости силы света от длины

волны.

7.3.    Конструктивные данные.

Способ крепления и условия пайки, при необходимости.

8.    Данные по испытаниям на воздействие внешних факторов и/или на срок службы

На рассмотрении.

Раздел 2. ИНФРАКРАСНЫЕ ИЗЛУЧАЮЩИЕ ДИОДЫ

1.    Тип

Инфракрасный излучающий диод, параметры которого устанавливаются при температуре окружающей среды при температуре корпуса.

2.    Полупроводниковый материал

Арсенид галлия и др.

ГОСТ 29283-92 С. 9

3.    Сведения о габаритном чертеже и корпусе

3.1.    Обозначение МЭК и/или национальное обозначение габаритного чертежа.

3.2.    Материал корпуса: стекло, металл, пластмасса, другие.

3.3.    Обозначение выводов и любого соединения между выводом и корпусом.

4.    Предельно допустимые значения параметров (система абсолютных максимальных значений) в диапазоне рабочих температур, если не оговорено иное

4.1.    Минимальная и максимальная температуры хранения (Tstg).

4.2.    Минимальная и максимальная рабочие температуры окружающей СреДЫ ИЛИ Корпуса (ТатЪ ИЛИ Tease).

4.3.    Максимальное обратное напряжение (VR).

4.4.    Максимальный постоянный прямой ток (If) при температуре окружающей среды или температуре корпуса 25 °С и понижающая кривая или понижающий фактор.

4.5.    При необходимости максимальный импульсный прямой ток при температуре окружающей среды или температуре корпуса 25 °С при заданных параметрах импульса (Ifm).

5.    Электрические характеристики

Для специального применения могут потребоваться дополнительные характеристики, приведенные в табл. 3.

Таблица 3

Номер

пункта

Характеристики

Условия при ТатЬ И”И Tcase=25 °С, если не огозорено иное

X

го

2

а)

£

Е

С

Буквенные

обозначе

ния

Требования

5.1

Прямое напряжение

/г — заданное значение (постоянного или импульсного тока)

.—

V,

Макс

5.2.

Обратный ток

Vr — заданное значение

•—

ы

Макс

5.3.

Мощность излучения или сила излучения вдоль геометрической оси

h — заданное значение (постоянного или импульсного тока)

Фе

Мин

Мин

5 4.

Длина волны излучения

h — заданное значение (постоянного или импульсного тока)

Хр

Мин

Макс

1

До прямого применения стандартов МЭК в качестве государственного стандарта рассылку данного стандарта МЭК на русском языке осуществляет ВНИИ «Электронстандарт».

2

До прямого применения стандарта МЭК в качестве государственного стандарта рассылку данного стандарта МЭК на русском языке осуществляет ВНИИ «Электронстандарт»