Товары в корзине: 0 шт Оформить заказ
Стр. 1
 

34 страницы

487.00 ₽

Купить официальный бумажный документ с голограммой и синими печатями. подробнее

Официально распространяем нормативную документацию с 1999 года. Пробиваем чеки, платим налоги, принимаем к оплате все законные формы платежей без дополнительных процентов. Наши клиенты защищены Законом. ООО "ЦНТИ Нормоконтроль".

Наши цены ниже, чем в других местах, потому что мы работаем напрямую с поставщиками документов.

Способы доставки

  • Срочная курьерская доставка (1-3 дня)
  • Курьерская доставка (7 дней)
  • Самовывоз из московского офиса
  • Почта РФ

Устанавливает требования к следующим классам или подклассам приборов: полупроводниковые излучатели, включая: оптоэлектронные полупроводниковые приборы отображения информации (на рассмотрении), светоизлучающие диоды (СИД), инфракрасные излучающие диоды (ИК-диоды), полупроводниковые лазеры (на рассмотрении); полупроводниковые фоточувствительные приборы, включая: фотодиоды, фототранзисторы; фототиристоры (на рассмотрении); фотопары, оптопары.

Настоящий стандарт разработан методом прямого применения международного стандарта МЭК 747-5-84

Показать даты введения Admin

Страница 1

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ. ДИСКРЕТНЫЕ ПРИБОРЫ И ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ

Часть 5. ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ

ГОСТ 29283-92 (МЭК 747-5-84)

БЗ (Z—91/804

Издание официальнсе

КОМИТЕТ СТАНДАРТИЗАЦИИ И МЕТРОЛОГИИ СССР Москва

Страница 2

УДК 681.782.473 006.354    Группа    329

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ стандарт союза ССР

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ ДИСКРЕТНЫЕ ПРИБОРЫ И ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ

ГОСТ

■29283—92

Часть 5. Оптоэлектронные приборы

Semiconductor devices.

Discrete devices and integrated circuits. Part 5. Optoelcctronlc devices

(МЭК 747-5)

ОКП 621 000

Дата введения 01.01.93

Гласа I ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ

1.    Вводное примечание

Настоящий стандарт следует применять вместе с МЭК 747—1*, в котором приведены: терминология; буквенные обозначения;

основные предельно допустимые значения параметров и характеристики;

методы измерения; приемка и надежность.

2.    Область применения

Настоящий стандарт устанавливает требования к следующим классам или подклассам приборов:

полупроводниковые излучатели, включая:

оптоэлектронные полупроводниковые приборы отображения информации (на рассмотрении),

светоизлучающие диоды (СИД), инфракрасные излучающие диоды (ИК-диоды). полупроводниковые лазеры (на рассмотрении); полупроводниковые фоточувствнтельные приборы, включая:

• До прямого применения стандарта МЭК о качестве государственного стандарта рассылку данного стандарта МЭК на русском языке осуществляет ВНИИ «Элоктронстандзрг».

Издание официальное

<g) Издательство стандартов, 1992

Настоящий стандарт не может быть полностью или частично воспроизведен.

тиражирован и распространен без разрешении Госстандарта СССР.

2 За*. 553

Страница 3

С 2 ГОСТ 20283-92

фотодиоды,

фототра-нзиоторы

фототиристоры (на рассмотрении); фотопары, оптопары.

Порядок следования различных глав соответствует МЭК 747—1.

Глава II. ТЕРМИНОЛОГИЯ И БУКВЕННЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ

Примечание. Ряд дополвительиых терминов, касаюшихся олтозлехтройных приборов, например, для радиометрических, фотометрических я еяехтрофо-тометрнчеосих е&готи. приведен в гл. 45 Международного элеостротехничесгого сло®*ря (МЭС).

1. Типы полупроводниковых оптоэлектронных приборов

1.1.    Оптоэлектронный полупроводниковый прибор

Полупроводниковый прибор, который испускает, модулирует

или реагирует на когерентное или некогерентиое электромагнитное излучение в видимой, инфракрасной и/или ультрафиолетовой областях спектра, или использует электромагнитное излучение для внутреннего взаимодействия его элементов.

1.2.    Полупроводниковый излучатель

Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, который преобразует электрическую энергию в энергию излучения.

1.3.    Оптоэлектронный полупроводниковый прибор отображения информации

Полупроводниковый излучатель, предназначенный для отображения визуальной информации.

1.4.    Светоизлучающий диод (СИД)

Днод, который испускает энергию излучения в видимой области спектра за счет рекомбинации электронов и дырок.

1.5.    Инфракрасный излучающий диод (ИК-Диод)

Диод, который испускает энергию излучения в инфракрасной области спектра за счет рекомбинации электронов н дырок.

1.6.    Полупроводниковый лазер

Полупроводниковый оптоэлектронный прибор, который испускает энергию когерентного излучения с помощью индуцированной эмиссии за счет рекомбинации электронов и дырок.

1.7.    Полупроводниковый фоточувствительный прибор

Полупроводниковый прибор, чувствительный к электромагнитному излучению в видимой, инфракрасной и/или ультрафиолетовой областях спектра.

1.8.    Фотоэлектрический приемник излучения

Физический приемник, действие которого основано на внешнем или внутреннем фотоэффекте.

1.9.    Фоторезистор

Страница 4

ГОСТ 29283-92 С. 3

Фотоэлектрический полупроводниковый приемник, в котором поглощение излучения повышает проводимость за счет внутреннего фотоэффекта.

1.10.    Фотогальванический приемник

Фотоэлектрический приемник, в котором поглощение излучения вблизи р—п перехода между двумя полупроводниками или вблизи контакта между полупроводником и металлом вызывает электродвижущую силу.

1.11.    Фотодиод

Полупроводниковый диод с р—п переходом между полупроводниками двух различных типов или между полупроводником и металлом, в котором поглощение излучения вблизи переходя вызы-. вэет:

внутренний фотоэффект, при смещении диода в обратном направлении;

фотогальванический эффект, при смещении диода в прямом направлении.

1.12.    Фототранзистор

Транзистор, в котором используется фотоэффект.

1.13.    Фототиристор

Тирнетор, приводимый в действие энергией излучения.

1.14.    Фотопара, оптопара

Оптоэлектронный полупроводниковый прибор с электрической изоляцией между входом и выходом, предназначенный для передачи электрических сигналов с помощью энергии излучения.

2. Термины, относящиеся к предельно допустимым значениям параметров и характеристикам

2.1.    Длина волны максимального излучения (Х„)

Длина волны, при которой сила спектрального излучения имеет максимальное значение.

2.2.    Длина волны излучения при максимальной чувствительности

Длина волны излучения, при которой спектральная чувствительность имеет максимальное значение.

2.3.    Ширина спектра излучения (ДХ)

Интервал длин волн, в котором спектральная плотность силы излучения больше или равна половине ее максимального значения.

2.4.    Диаграмма направленности излучения

Диаграмма, характеризующая (реалотое или предполагаемое) пространственное распределение излучения от оптоэлектронного прибора.

2.5.    Диаграмма чувствительности

Диаграмма, представленная в полярных или прямоугольных ко-

2*

Страница 5

С. 4 ГОСТ 29283-92

ординатах и графически выражающая зависимость чувствительности от угла относительно опоеделенной геометрической оси.

2.6.    Угол излучения

Угол, в пространстве которого сила излучения больше или равна половине ее максимального значения.

2.7.    Фототок

Составляющая электрического тока, возникающая в фотоэлектрическом приемнике вследствие фотоэффекта.

2.8.    Темновой ток

Составляющая электрического тока, возникающая в фотоэлектрическом приемнике, когда он не подвергается действию излучения, способного вызвать фотоэффект.

2.9.    Оптическая ось

Линия, относительно которой центрирована основная диаграмма направленности излучения или чувствительности.

Примечания:

1.    Диаграмма направленности излучения или чувствительности можс7 быть несимметричной.

2.    Оптическая ось может отклоняться от геометрической оси.

2.10.    Фотодиоды

2.10.1.    Обратный ток под действием облучения (/*<*) или /#<«))

Общий обратный ток, протекающий через фотодиод при воздействии на него энергии излучения.

Примечание. Данный термин и определение пересматриваются.

2.11.    Фоютранзисторы

2.11.1. То к коллектора иод действием облучения (/с(Н> ИЛИ /с(о)

Общий ток коллектора, проходящий через фототранзнстор при воздействии на него энергии излучения.

Примечание Данный термин и определение пересматриваются

2.12.    Фотопары, оптопары

2.12.1. Емкость между входом и выходом (С,о)

Внутренняя емкость между всеми, соединенными вместе выводами входа и всеми соединенными вместе выводами выхода.

2.12.2.    Сопротивление изоляции (г,0)

Сопротивление между всеми соединенными вместе выводами

входа и всеми соединенными вместе выводами выхода.

2.12.3.    Напряжение изоляции

Напряжение между любым выводом входа и любым выводом выхода.

a)    Постоянное (прямое) напряжение изоляции (Vio)

Значение постоянного напряжения изоляции.

b)    Повторяющееся импульсное напряжение изоляции (Viorm)

Страница 6

ГОСТ 2*283-92 С. S

Наибольшее мгновенное значение напряжения изоляции, вклю-чая все повторяющиеся и исключая все неповторяющиеся переходные напряжения.

Примечание. Повторяющееся переходное напряжение обычно обусловлено самой схемой.

Неповторяющееся переходное напряжение обычно вызывается внешними причинами и предполагается, что его воздействие совершенно прекращается к моменту появления следующего неповторяющегося переходного напряжения.

с) Напряжение изоляции при перегрузке (V'iosm)

Наибольшее мгновенное значение кратковременного импульса напряжения изоляции заданной формы.

2.12.4.    Коэффициент передачи по току

Отношение постоянного или переменного тока на выходе к

постоянному или переменному току на входе при постоянном напряжении на выходе.

Примечание. Применяемое сокращение — CTR.

a)    Статическое значение коэффициента (прямой) передачи тока {hf{tu), hr)

Отношение постоянного тока на выходе к постоянному току на входе при постоянном напряжении на выходе.

Примечание. Применяемое сокращение CTR (<1с).

b)    Коэффициент (прямой) передачи тока при короткозамкнутом выходе в режиме малого сигнала (&/«</), ft/)

Отношение переменного тока на выходе к синусоидальному току на входе при короткозамкнутом выходе по переменному току в режиме малого сигнала.

Примечание. Применяемое сокращение CTR (ас).

2.12.5.    Граничная частота (feir)

Частота, на которой модуль коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала уменьшается в \[У 2 раза по сравнению с его значением на низкой частоте.

3. Буквенные обозначения

3.1.    Общие сведения

Применяются общие правила, изложенные в МЭК 747—1, гл. V.

3.2.    Перечень буквенных обозначений

Обозначения, содержащиеся в табл. J, рекомендуются для использования в области оптоэлектронных приборов. Данные обозначения составлены в соответствии с общими правилами.

Страница 7

С. 6 ГОСТ ЖМ-В2

Таблица 1

Н-ЧМСЯМаИИС

Булэстэс

обо»иач:и;

Пркнсчаите

Длина волны максимального иэлучеипя

_

Ширина спектра излучения

АХ

Обратный гок под действием облучения

/*(и>. /«(.»

—-

(фотодиоды)

^«1*1

Ток коллектора под действием облучения

(фототр а н з истор м)

С,о

Емкость между входом н выходом (фото-

лары)

Сопротивление изоляции (фотопары)

Г\П

-

Постоянное напряжение изоляции (фотопа-ры)

Повторяющееся импульсное напряжение

V:o

VI0RM

изоляции (фотоняры)

I'.O^M

Напряжение изоляции при перегрузке (фотопари)

Статическое значение коэффициента пере

Л/<сю. fir

дачи тока (фогопзры)

Коэффициент передачи тока при коротко-

fititir)- к/

замкнутом выходе в режиме малого сигнала (фотопары)

и

Гранитная частота (фотопары)

Глава III. ОСНОВНЫЕ ПРЕДЕЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ И ХАРАКТЕРИСТИКИ

Раздел I. СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЕ ДИОДЫ

1.    Тип

Светоизлучающий диод, параметры которого устанавливаются при температуре окружающей среды или температуре корпуса.

2.    Полупроводниковый материал

Фосфид арсенпда галлия и др.

3.    Цвет

4.    Сведения о габаритном чертеже и корпусе

4.1.    Обозначение МЭК и/или национальное обозначение габаритного чертежа.

4.2.    Материал корпуса: стекло, металл, пластмасса и другие.

4.3.    Обозначение выводов и любого соединения между выводом и корпусом.

Страница 8

ГОСТ 2*283-92 С. 7

5. Предельно допустимые значения параметров (система абсолютных значений) в диапазоне рабочих температур, если не оговорено иное

5.1.    Мннвмальная и максимальная температуры хранения

(Tstg).

5.2.    Минимальная и максимальная рабочие температуры окружающей СреДЫ ИЛИ Корпуса {Т„тЬ ИЛИ Тсаи).

5.3.    Максимальное обратное напряжение (VK).

Примечание. Неприменимо для приборов на сдвоенных диодах, соединенных по типу анод-катод и хатод-анод.

5.4.    Максимальный постоянный прямой ток (h) при температуре окружающей среды нлн температуре корпуса 25°С и понижающая кривая или понижающий фактор.

5.5.    При необходимости максимальный импульсный прямой ток (7л«) при температуре окружающей среды или температуре корпуса 25 "С при заданных параметрах импульса.

6 Электрические характеристики

Для многоэлементных приборов следует указывать характеристики каждого диода.

Для специального применения могут потребоваться дополнительные характеристики, приведенные в табл. 2.

Таблица 2

Номер

пукхгл

Характеристика

Условия нрв» ТапЛ ■Л* если

II-- Ol OM'IKI O ими

3

Г

X

1

с=

Буквами1?

ободньче

ШИ

Требования

6.1

Прямое напряженке

1у — заданное значение {постоянного или импульсного тока)

V,

Макс

6.2.

Обратный ток

Va -г заданное значение

1

Макс

6.3

Силз света вдоль геометрической оси

/г — заданное значению (постоянного или импульсного тока)

гл

Мин

6.4

Длина волны излучения

1г — заданное значение (постоянного или импульсного тока)

к

Мик

Макс

6.5.

Ширина спектра излучения (при необходимости)

Значение, равное половине длины волны излучения при 1р, оговоренном в п. 6.4

Макс

Страница 9

С. 8 ГОСГ 2в283-»2

Продолжение табл. 2

Номер

пункта

Хдрахгсфпстики

Условия при r„,b м-'к «ли lie oroil&prso •№>•!

ес

а

*4

О

Я

и

с.

6уЮ*Я:’Ы*

ОбО»иачс-

1-ИИ

TjxOontollfW

6.6.

Времена переключения (при необходимости)

Макс

6.7.

Угол излучения (при необходимости)

Макс

Примечания:

1.    Неприменимо для приборов на сдвоенных диодах, соединенных по типу анод—катод и катод—анод.

2.    Если телесный угол, внутри которого измеряется сила излучения, не настолько мал, чтобы им можно было пренебречь, его значение следует оговорить.

3.    Для диодов, предназначенных для использования в мнопллементных т.риборзх, необходимо оговорить также максимальную силу света.

7 Дополнительные сведения

7.1.    Диаграмма направленности излучения

Графическое представление зависимости силы света от угла наблюдения в полярных или прямоугольных координатах.

7.2.    Спектральная диаграмма (при необходимости)

Графическое представление зависимости силы света от длины

волны.

7.3.    Конструктивные данные.

Способ крепления и условия пайки, при необходимости.

8. Данные по испытаниям на воздействие внешних факторов м/или на срок службы

На рассмотрении.

Раздел 2. ИНФРАКРАСНЫЕ ИЗЛУЧАЮЩИЕ ДИОДЫ

1.    Тип

Инфракрасный излучающий диод, параметры которого устанавливаются при температуре окружающей среды при температуре корпуса.

2.    Полупроводниковый материал

Арсенид галлия и др.

Страница 10

ГОСТ 29Ш-92 С. 9

3.    Сведения о габаритном чертеже и корпусе

3.1.    Обозначение МЭК н/нли национальное обозначение габаритного чертежа.

3.2.    Материал корпуса: стекло, металл, пластмасса, другие.

3.3.    Обозначение выводов и любого соединения между выводом и корпусом.

4.    Предельно допустимые значения параметров (система абсолютных максимальных значений) в диапазоне рабочих температур, если не оговорено иное

4.1.    Минимальная и максимальная температуры хранеиня (,Т„в).

4.2.    Минимальная и максимальная рабочие температуры окружающей среды или корпуса (Та„ь или Teas*).

4.3.    Максимальное обратное напряжение (Vg).

4.4.    Максимальный постоянный прямой ток (//•) п{>и температуре окружающей среды или температуре корпуса 25и понижающая кривая или понижающий фактор.

4.5.    При необходимости максимальный импульспый прямой ток при температуре окружающей среды или температуре корпуса 25 °С при заданных параметрах импульса (1гм).

5.    Электрические характеристики

Для специального применения могут потребоваться дополнительные характеристики, приведенные в табл. 3.

Таблица 3

Номер

Уч'ЛПШГЯ при

Ф

3

щ

aJ

Бунмииме

пункта

XtpjKTfpncraKa

или Г[в1#-25*С. если

Ь

х

абомиче

Трсеоадняи

не огоы)р«1*о иное

я

а

С

ИИ*

5.1

Прямое напряжение

1г — заданное анапские (постоянного ИЛИ им-

Vr

.Макс

Обратный ток

т’льспого тока)

5.2.

\п — заданное значение

Макс

5.3.

Мощность 113-

h — заданное

_

<Р.

Мин

лу*;сння или сила

значение (посто-

Мин

излучения вдаль

«иного или пм-

геометрической

пулыгного тока)

оси

54.

Длина волны излучения

/р —* заданное значение (постоянного или импульсного тока)

У.р

Мин

Макс

Страница 11

С 10 ГОСТ ЖМ-И

Продо.икение табл. 3

Номер

пункта

Х«р*(ге9истпки

Условна зря «ли 5*С. «СЛ* м* оговорено «not

9*

г

я

i

я

1

с

Букаеишк

ОСО!Я»Ч«

ияа

Требооаияя

5.5.

Ширина спектра излучения (при необходимости)

Значение, равное половине длины волны излучения при 1г. оговоренном в п. 5.4

Макс

6.6.

Время переключении (при необходимости)

““

Макс

5.7.

Угод излучения (при необходимости)

"

Макс

5.8.

Емкость (при необходимости)

1Шт

Макс

Примечание. Если телесный угол, внутри которого измеряется сала излучения, не настолько мал, тюбы им можно было пренебречь, его значение следует оговорить

6.    Дополнительные сведения

6.1.    Диаграмма направленности излучения

Графическое представление зависимости мощности излучения или силы излучения от угла, образованного с одной из геометрических осей, в полярных или прямоугольных координатах.

6.2.    Спектральная диаграмма (при необходимости)

Графическое представлеиие зависимости потока излучения

или силы излучения от длины волны.

6.3.    Конструктивные данные

Способ крепления и условия пайки, при необходимости.

7.    Данные по испытаниям на воздействие внешних факторов п/нли на срок службы

На рассмотрении.

Раздел 3. ФОТОДИОДЫ

1.    Тип

Фотодиод, параметры которого устанавливаются при температуре окружающей среды или температуре корпуса, предназначенный для работы и режиме малого сигнала или переключения.

2.    Полупроводниковый материал Кремний и др.

Страница 12

ГОСТ 29283-92 С. II

3.    Сведения о габаритном чертеже и корпусе

3.1.    Обозначение МЭК и/или национальное обозначение габаритного чертежа.

3.2.    Материал корпуса: стекло, металл, пластмасса, другие.

3.3.    Обозначение выводов и любого соединения, между выводом и корпусом.

4.    Предельно допустимые значения параметров (система абсолютных максимальных значений) в диапазоне рабочих температур, если не оговорено иное

4.1.    Минимальная н максимальная температуры хранения (T„t)

4.2.    Минимальная и максимальная рабочие температуры окружающей среды или корпуса {Тсть или Teat*).

4.3.    Максимальное обратное напряжение (V*).

4.4.    При необходимости:

максимальная общая рассеиваемая мощность (Рш) при температуре окружающей среды или температуре корпуса до 25°С и понижающий фактор при температуре свыше 25°С (Ki) или понижающая кривая.

5.    Электрические характеристики

Таблица 4

Номер

Л|и кг»

Характеристики

Уе.-паин при Г„ ИЛИ Гм„-35 *С. «СЛИ *е оговорено ииое

**

X

с

п

f

V

Ж

X

а

С

Нукэопшс

Об09И*Ч9-

ИМЯ

Т?1<.оа«ив»

5.1.

Обратный ток под действием облучения

Vh — заданное значение Ет яла'Ее — задании- значение

I

/*<И)

/«(»!

Мин

5.2.

Темновой ток

У к — заданное злачен ке, £.-*0

/*

Макс

5.3.

Темновей ток

VR — заданное значение. £#-«-0 при заданной высокой температуре Га»* или Ttut

и

Макс

5.4.

При необходимости, спектраль

У» -• заданное, значение,

S

Мни

ная чувствительность

Е, заданное значение при заданной малой длине волны X, к при заданной большой длине волны А»

S

.Мин

Страница 13

с. 12 гост тм-«

Продолжение табл. 4

Номер

пункт1

Харистсрясгикм

Условия при Tmh или rM1#-2S*C. если ИС OIOXKWHO иное

*

3

О*

а

3

а

С

Вткмииые

о<Ч»п«те-

кн*

Гр (toini

5.5.

Время переключения (при необходимости): время нараста

Оговоренная схема

Заданное зна

tr

Макс

ния и время спада

чение Vn. Ev или Е, — заданное

_

h

_

Макс

или время вклю

значение

Оговоренная схе

_

ton*

Макс

чения и время выключения

ма, заданное значение Vn. Ev «ли Е, — заданное значение

t»ir

Мак<!

Примечание. Ociwun-иие стандартным источником типа А согласно МЭК 306—1* осуществляется лампой с вольфрамовой нитью накала при цветовой температуре Г—2855,6 К или иным оговоренным источником монохроматического излучения.

в. Дополнительные сведения

6.1.    Диаграмма чувствительности

Графическое выражение зависимости спектральной чувствительности от длины волны.

6.2.    Спектральная диаграмма

Графическое выражение зависимости спектральной чувствительности от длины волны.

7. Данные по испытаниям на воздействие внешних факторов и/или на срок службы

На рассмотрении.

Раздел 4. ФОТОТРАНЗИСТОРЫ

1. Тип

Фототранзистор, параметры которого устанавливаются при температуре окружающей среды или температуре корпуса, предназначен для работы в режиме малого сигнала и перехлючелия.

1

До прямого применения стандартов МЭК в качестве государственного стандарта рассылку данного стандарта МЭК на русском языке осуществляет ВНИИ «Элегтронстандзрт».

Страница 14

гост msi-n с. is

2.    Полупроводниковый материал

Кремний и др.

3.    Тип перехода

п—р—п[р—я—р

4.    Сведения о габаритном чертеже и корпусе

4.1.    Обозначение МЭК н/нли национальное обозначение габаритного чертежа.

4.2.    Материал корпуса: стекло, металл, пластмасса, другие.

4.3.    Обозначение выводов и любого соединения между выводом я корпусом.

5.    Предельно допустимые значения параметров (система абсолютных максимальных значений) в диапазоне рабочих температур, если не оговорено иное

5.1.    Минимальная и максимальная температуры хранения (Tin)

5.2.    Минимальная и максимальная рабочие температуры окружающей среды или корпуса (Тать или ТСаи)-

5.3.    Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при нулевом токе базы (Vceo)■

5.4.    При наличии внешнего соединения базы.

5.4.1.    Максимальное напряжение коллектор-база при нулевом токе эмиттера (Vceo).

5.4.2.    Максимальное напряжение эмиттер-база при нулевом токе коллектора (Ve»o).

5.5.    При отсутствии внешнего соединения базы.

Максимальное напряжение эмиттер-коллектор (Veco).

5.0. Максимальный постоянный ток коллектора (1с).

5.7. При необходимости:

максимальная общая рассеиваемая мощность {Рш) при температуре окружающей среды или корпуса до 25°С;

понижающий фактор при температуре выше 25 °С (К>) или понижающая кривая.

Страница 15

С 14. ГОСТ 29283-92

в. Электрические характеристики

Таблица 5

Н«м»р

пун*ла

Хирвктервсттеэ

Условия пра ГатЬ *с- ***“ н« «гомрско иное

В

1

Я

о.

С

Букнсвнчс

o6WI3S«-

HUH

ТрсбО»ВИИ*

6.1.

Ток коллектора пол действием облучения

Уев — заданное значение, /в-0. Ev или Е, — заданное значение

1

/ С(И>

или

lew

Мим

Макс**

6.2.

Темновой ток коллектор-змпттер

Уев — заданное значение, /о=0, •£*—0

1сзо

Макс

6.3.

Темновой ток колдектор-экнт-тер

1'с г. — заданное значение, /л-0. £,=0, при заданной высокой температуре Т^ь или 7*,„

1ско

Макс

6.4.

Напряжение пробоя коллек-тор-эмипер

/с — заданное значение, /д-0. £,-0

V(DB>CBO

Мни

6.5.

Напряжение пробоя эмигтер. база или, при отсутствии соедк-нения базы, напряжение пробоя эмиттер-коллектор

If — заданное значение. £.-0

во

V(BB)XCO

Мин

Мин

6.6.

Напряжение насыщения кол-лекюр-змяттер

/е — заданное значение, /я“0 Ev или Е, — заданное значение, предпочтительно то же. что в п. 6.1

1

Vckim

Макс

6.7,

6.8

При необходимости спектральная чувствительность

Времена переключения (при необходимости):

/в—0. Е, — заданное значение, при заданной малой длине волны Ат я при заданной большей длине волны А»

s

Мня

время нарастания

Оговоренная схе

г—

ir

Махе

и время спада

ма, заданные значения \'сж и /е. Ev или Е,

u

Маке

• При необходимости

Страница 16

гост мзд—я с. is

Продолжены» табл. 5

пункта

Характеристики

Усло»ия при ТтЛ

вл1 Тв*ч'"КС- есл* и* оговорено мяое

1

С

1

я

Ь

с

Ьукоеанче

обоимче

Т рев*» пня»

6.8

или:

Оговоренная схе

ton

Макс

время включе

ма. заданные

l*lt

Макс

ния и время вы

значения Vet и

ключении

1с, Ет или Е,

Примечание. Освещение стандартным источником типа А согласно МЭК 306—1* осуществляется лампой с вольфрамовой нитмо накала при цветовой температуре Г—2855,6 К или иным оговоренным источником монохроматического излучения.

7.    Дополнительные сведения

7.1.    Диаграмма чувствительности

7.2.    Спектральная диаграмма

Графическое выражение зависимости спектральной чувствительности от длины волны.

8.    Данные по испытаниям на воздействие внешних факторов и/или на срок службы

На рассмотрении.

Раздел 5. ФОТОПАРЫ. ОПТОПАРЫ (С ТРАНЗИСТОРОМ НА ВЫХОДЕ)

1.    Тип

Фотопары, оптопары, параметры которых устанавливаются при температуре окружающей среды или температуре корпуса, предназначенные для разделения сигналов.

2.    Полупроводниковый материал

Диод на входе: арсенид галлия, арсенид алюминия и др.

Транзистор на выходе: кремний и др.

3.    Тип перехода транзистора на выходе

4.    Сведения о габаритном чертеже и корпусе

4.1. Обозначение МЭК и/илн национальное обозначение габаритного чертежа

1

До прямого применения стандарта МЭК в качестве государственного стандарта рассылку данного стандарта МЭК на русском языке осуществляет ВНИИ «Элект роист андарт»

Страница 17

С. 16 ГОСТ 29283- 92

4.2.    Материал корпуса: стекло, металл, пластмасса, другие.

4.3.    Обозначение выводов и любого соединения между выводом и корпусом.

5. Предельно допустимые значения параметров (система абсолютных максимальных значений) в диапазоне рабочих температур, если не оговорено иное

Указываются все необходимые характеристики, такие как время, частота, длительность импульса, скважность и т. д.

5.1.    Минимальная и максимальная температуры хранения (Тае)’

5.2.    Минимальная и .максимальная рабочие температуры окружающей среды или в контрольной точке (Га„г> или Ти\),

5.3.    Максимальная температура пайки (Тца).

Должны быть оговорены максимальное время пайки и минимальное расстояние до корпуса.

5.4.    Максимальное постоянное (прямое) обратное входное напряжение (Ук).

5.5.    Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при разомкнутой базе (Vceo).

5.6.    Максимальное, напряжение коллектор-база при наличии внешнего соединения бачы и при разомкнутом эмиттере (VCbo)-

5.7. Максимальное напряжение эмиттер-база при наличии внешнего соединения базы н при разомкнутом коллекторе (Vtao) или

5.8.    Максимальное напряжение эмиттер-коллектор при отсутствии внешнего соединения базы (Veco).

5.9.    Максимальное постоянное (прямое) или повторяющееся импульсное напряжение изоляции (У/о или Viorm.).

Должны быть заданы форма сигнала и частота повторения.

5.10.    При необходимости максимальное импульсное напряжение изоляции C^iosm).

Следует оговорить значения для импульсов обеих полярностей. имеющих форму сигнала, показанную на черт. 1.

511. Максимальный постоянный ток коллектора (1с).

5.12.    Максимальный постоянный прямой входной ток (Ь) при температуре окружающей среды ewi.ii в контрольной точке 25°С. Понижающая кривая, или понижающий фактор.

5.13.    Максимальный импульсный прямой входной ток (/frm) при температуре окружающей среды или в контрольной точке 25°С н оговоренных параметрах импульса.

5.14.    Максимальная рассеиваемая мощность транзистора на выходе (Рин) при температуре окружающей среды или в контрольной точке 25йС. Понижающая кривая или понижающий фактор.

Страница 18

ГОСТ 29Ш-&2 С. 17

Испытательное напряжение

5.15. Максимальная общая рассеиваемая мощность в корпусе (Рю») при температуре окружающей среди или в контрольной точке 25 вС. Понижающая кривая или понижающий фактор.

6. Электрические характеристики

Таблица 6

Но«»р

пункта

Хдрахт.-ристгхн

Условия пр* иди Trtl—25 *С. если ио oiomwm ивое

3

т

sr

о

Я

X

а

С

5у<»гияие обоим *€•

ЦД1Я

Тре0э»>>ип

6.1.

Прямое входное напряженке диода

h — заданное значение

V,

Макс

6 л.

Обратный входной ток днода

Vr — заданное значение

г.

Макс

€.3.

Темповой ток коллектор-эмиттер

Ко* — заданное значение. /*-0, /я“0 (при разомкнутой базе)

1с го

Макс

или при необходимости*. темно-воЛ ток коллек

VCr — заданное значение, /г—0, /*-0

1сы>

Мзкс

6.4.

тор-база Тем копой ток коллектор-эмиттер или. при необходимости*, теынпвой ток коллектор-база

Vcb — заданное значение. /г-«0, /■-0, Тть или

Гг»; — заданное значение

1с ко

Макс

6.5.

Напряжение насыщения коллск-тор-эмкпер

/г и /с — заданные значения, /.-0

Уев «41

Макс

Страница 19

С. 18 ГОСТ 292&3—92

Продолжение табл. §

Ноиер

пункта

Х»рвкт1ристмкм

Условия при *лк Ггс/-15 *С. если г.с огоаорсяо мисс

X

«1

X

X

л

С

Г>ук«*яиы*

оСожаче-

■■я

Тр«&:*»*ккя

или, при необходимости*. напряжение коллектор-база

If м 1с — заданные значении, /jr“0

V'ca

Макс

6.6

Коэффициент передачи по току

/г или /с и Vcb — заданные значения, /я—0

hp ИЛИ *

CTR

<dc)

Мин

Макс

6.7.

При необходимости. дифференциальный коэффициент передачи по току

If нлн 1с н Vcs — заданные значения, /*=0, заданное значение частоты

А/

ИЛИ

CTR

(ас)

Мин

Макс

6.fc

Сопротивление изоляции между входом н выходом

Vto — заданное значение

1

По

Мин

6.9.

6.10.

При необходимости, емкость между входом и выходом При необходимости время переключения:

/=! МГи*

b~0t /с=0

1

С/о

Макс

время включения

Заданные значе

ten

_

Макс

и время выключения

ния Vec, If н Rl и номинальное значение /с, заданная схема измерении

t*rs

Макс

ш

Заданные зна

tr

Макс

время нарастания и время спада

чения Vcc, If и Rr. к номинальное значение 1с. заданная схема из-мереним

b

Макс

6.11.

При необходимости, граничная частота

If или /с и Vcb — заданные значения. /д~0

2

fclr

Мин

1

Для работы в режиме диода.

Примечания:'

1.    Все входные выводи должны бить соединены вместе и все выходные также.

2.    Граничили частота — >то наименьшая частота, при которой коэффициент передачи по переменному току составляет 0,707 его значения па очень низкой частоте.

Страница 20

ГОСТ 20283-92 С 19

7. Дополнительные сведения

На рассмотрении.

Глава IV. МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ

I. Методы измерений для излучателей

1.1. Сила света светоизлучающих диодов (/у)

a)    Цель

Измерение силы света полупроводниковых светоизлучающих диодов.

Этот метод может быть применен для следующих трех вариантов измерений:

Вариант I

Вращение диода вокруг геометрической оси для точного определения минимального и/или максимального значения.

Вариант 2

Совмещение оптической оси диода с оптической осыо оптической скамьи.

Вариант 3

Установка по эталону, соответствующему типу корпуса диода, что позволяет воспроизводить механическое ориентирование.

b)    Схема измерения (см. черт. 2)

Черт. 2

Oj Jh Dr

llh—

r>D

с) Описание схемы и требования к ней

D — измеряемой светоизлучающий диод; PD — фотоприемник, включающий диафрагму D■ зоны Л; D3, £>s — диафрагмы; предназначенные для подавления паразитных излучений. 02 и D3 не должны ограничивать телесный угол; d — расстояние между измеряемым диодом и Du

Спектральная чувствительность фотометра должна быть отрегулирована согласно стандарту МЭК на кривую длины волны света, излучаемого диодом; Фотометр должен быть откалиброван в канделах на расстоянии d, причем диафрагма £>, находится на фиксированном месте.

Страница 21

v. /а I ul i nzu-»

Расстояние d должно быть таким, чтобы телесный угол, образуемый источником света при диафрагме Di(=A/<P), был менее, чем 0,01 ср.

Для измерения в импульсном режиме генератор тока должен создавать импульсы тока требуемой амплитуды, длительности и частоты повторения. Фотоприемник должен иметь премя нарастания, достаточно малое по сравнению с длительностью импульса; это должен быть прибор для измерения амплитудных значений.

d)    Методика измерения

Измеряемый диод располагается согласно выбранному варианту.

Подается заданный ток и на фотоприемнике измеряется сила света.

e)    Заданные условия

Температура окружающей среды и, при необходимости, атмосферные условия.

Прямой ток в диоде и, где применимо, длительность н частота повторения.

Вариант: 1, 2 или 3.

1.2. Сила излучения инфракрасных излучающих диодов

a)    Цель

Измерение силы излучения полупроводниковых инфракрасных излучающих диодов.

Данный метод может быть применен для следующих трех вариантов измерений:

Вариант 1

Вращение диода вокруг его геометрической оси для точного определения минимального и/или максимального значения.

Вариант 2

Совмещение оптической оси диода с оптической осью оптической скамьи.

Вариант 3

Установка по эталону, соответствующему типу корпуса диода, что позволяет воспроизводить механическое ориентирование.

b)    Схема измерения (см. черт. 3)

Черт. 3

Страница 22

ГОСТ 292&3—92 С. 21

c)    Описание схемы и требования к ней

D — измеряемый инфракрасный излучающий диод; RM — радиометр. включая диафрагму D, зоны A; DJf Dy — диафрагмы, предназначенные для подавления паразитных излучений.

D-j и Dt не должны ограничивать телесный угол;

d — расстояние между измеряемым диодом и

Сила излучения I» по направлению оси корпуса должка измеряться фотоприемником, работающим независимо от длины волны (например, элементом термопары) и радиометр должен быть откалиброван в единицах ватт/стерадиан на расстоянии d, причем диафрагма D, находится на фиксированном месте.

Расстояние d должно быть таким, чтобы телесный угол, образуемый источником инфракрасного излучения при диафрагме DX(~AI<P), был не менее чем 0,01 ср.

При измерении в импульсном режиме генератор тока должен вырабатывать импульсы тока требуемой амплитуды, длительности и частоты повторения. Радиометр должен иметь время нарастания, достаточно малое по сравнению с длительностью импульса; это должен быть прибор для измерения амплитудных значений.

d)    Методика измерения

Измеряемый диод располагается согласно выбранному варианту. На диод подается заданный ток и на радиометре измеряется сила излучения.

e)    Заданные условия

Температура окружающей среды и. при необходимости, атмосферные условия.

Прямой ток в диоде и, где применимо, длительность и частота повторения.

Вариант; 1, 2 или 3.

1.3. Световой поток (Фу, Ф,) (см. черт. 4)

a)    Цель

Измерение светового потока светоизлучающего прибора (Ф*) или потока излучения инфракрасного излучающего прибора (Ф,) в заданных условиях.

/ — измеряем u X прибор. i — фогом«1?м**<кнД ш*р; J — при-еиянх нмучеяи* (огк&лвбро-ваиим!); 4 — с«*!0иепр0ница-смы! экран

b)    Измерительная аппаратура

c)    Описание аппаратуры и требования к ней

Поток излучения, испускаемый прибором, многократно отражается от стенок шара; это приводит к равномерному облучению поверхности пропорционально испускаемому потоку. Фотопрнемник, расположенный в стенках шара, измеряет это излучение. Свстонепроница-

Черт. 4

Страница 23

С. 22 ГОСТ 29283-02

емый экран защищает фотоприемник от прямого излучения измеряемого прибора.

d)    Меры предосторожности

Измеряемый прибор, экран и окна должны быть меньше поверхности фотометрическою шара.

Внутренняя поверхность фотометрического шара и экран должны иметь диффузионное покрытие с высоким однородным коэффициентом отражения (минимум 0,8).

Шар и фотоприемник должны быть откалиброваны в люменах для измерения параметров светоизлучающих приборов и в ваттах для измерения параметров инфракрасных, излучающих приборов на волнах, на которых эти приборы обычно используются.

Следует учитывать изменение длины волны излучения и потока излучения, обусловленного рассеиваемой мощностью.

Если измеряемый прибор работает в импульсном режиме, фотоприемник должен показывать среднее значение измеренного излучения.

e)    Методика измерения

Излучающий прибор полностью помешают в фотометрический шар таким образом, чтобы прямое излучение не достигало фото-приемника.

На прибор подается заданный ток If и с калиброванного фотоприемника снимают показания.

Г) Заданные условия

Температура окружающей среды, корпуса или в контрольной точке.

Ток в приборе (постоянный или импульсный).

1.4. Длина волны излучения (Ь>) и ширина спектра излучения

(ЛМ

a)    Цель

Измерение длины волны излучения и ширины спектра излучения между значениями, равными половине длины волны излучения инфракрасных излучающих или светоизлучающих приборов.

b)    Схема измерения

Длину волны излучения и ширину спектра излучения инфракрасного излучающего или светоизлучающего прибора измеряют по принципиальной схеме, показанной на черт. 5.

c)    Описание схемы и требования к ней

D — измеряемый инфракрасный излучающий или светоизлучающий прибор; L — слстема фокусирующих лннз для концентрации основной части излучения инфракрасного • излучающего или светоизлучающего прибора на входной щели монохроматора; Л!— монохроматор; D«, D3 —.диафрагмы для подавления паразитного излучения, при необходимости; RM — радиометр (включая диафрагму D i).

Страница 24

ГОСТ 29Ш-92 С. 23

Принципиальная схема

L

Черт. 5


и


Разрешающая сила длины волны и ширины спектра монохроматора должна быть такой, чтобы обеспечить необходимую точность измерения. Спектральная чувствительность радиометра должна быть откалибрована. Для удобства измерения форма характеристики спектральной чувствительности может быть откорректирована таким образом, чтобы максимальное значение характеристики составляло 100 %.

d)    Меры предосторожности

Если коэффициент передачи монохроматора и чувствительность радиометра не являются постоянными в требуемом диапазоне длины волны, то результаты измерений должны корректироваться.

e)    Методика измерения

На измеряемый диод подается заданный ток.

Длина волны регулируется на монохроматоре в требуемом диапазоне до тех пор, пока показание на радиометре не достигнет максимального значения. Регистрируется длина волны (X*), со-ответствующая этому максимальному значению.

• Длину волны на монохроматоре затем регулируют в любую сторону от Хр до тех пор, пока показание не достигнет половины максимального значения. Регистрируют оба значения длины воли (А.» н >.ь. см. черт. 6). Разность этих двух значений составляет ширину спектра инфракрасного излучающего или светоизлучающего прибора (см. черт. 6).

Примечание. Я, — длина вачпм излучения.

f)    Заданные условия

Температура окружающей среды, корпуса илн в контрольной точке.

Прямой ток (постоянный ток или импульсный в зависимости от того, какой задан).

Страница 25

С. 24 ГОСТ 29263-92

Зависимость излучения от длины волны

Черт. 6

2. Методы измерений для фоточувствитсльных приборов

Ток под действием облучения фотодиодов (/*<н) или и ток коллектора под действием облучения фототранзисторов (/сW) или lew) (см; черт. 7 и 8).

a)    Цель

Измерение тока под действием облучения фотодиодов и тока коллектора под действием облучения фототранзисторов.

b)    Измерительная аппаратура

Данный метод может быть применен для следующих трех вариантов измерений.

Вариант 1

Вращение прибора вокруг его гсометричесхой оси для точного определения минимального и/или максимального значения.

ВО

Лип и т


0    ил* Т — измеряемый Ерибор; I ~ источник пвтятея: t — источник спето; 3 — Nonospo«asop: 4 — по выбору:

1    •• фильтр: 6 — оптическая ось (варианте I и 21 или

механическая ось <анриякт 3).

Черт, 7

Страница 26

ГОСТ 292*3—92 С. 25

Вариант 2

Совмещение оптической оси прибора с оптической осью оптической скамьи.

Вариант 3

Установка по эталону, соответствующему тину корпуса прибора, для получения воспроизводимого механического ориентирования.

с) Схема измерения

Фотограюистор    Фотодиод

Черт. 8

d)    Описание измерительной аппаратуры и требования к ней Измеряемый прибор устанавливается в измерительном устройстве на откалиброванную оптическую скамью (варианты 1, 2 или 3) или на откалиброванную аппаратуру (вариант 3).

В качестве источника света используется или стандартный источник света (не монохроматический), состоящий из эталонной стандартной лампы вместе со своим регулируемым источником испытания и амперметром, или

монохроматический источник света, состоящий либо из аппаратуры, описанной выше, и фильтра помех или другой системы (например, монохроматора), имеющей заданную или известную максимальную длину волны излучения и ширину спектра излучения, либо из любого другого откалиброванного прибора (например, светоизлучающего диода или инфракрасного излучающего диода), имеющего известную длину волны излучения и ширину спектра излучения.

e)    Меры предосторожности

Следует избегать перегрева измеряемого прибора при облучении. Для уровней, превышающих 200 Вт/м2, рекомендуется установить тепловой щит в виде шторки для ограничения продолжительности светового воздействия.

Необходимо обеспечить чистоту оптических поверхностей. Перед измерением источник света должен быть стабилизирован.

При использовании стандартного источника света необходимо установить перед измеряемым прибором диафрагму для подавления паразитного излучения.

Г) Методика измерения.

Страница 27

С И ГОСТ М2М-Ю

Устанавливается заданное значение температуры.

Измерительное устройство устанавливают от источника света на расстоянии, соответствующем заданному облучению.

Измеряемый прибор вставляют в измерительное устройство и смешают на заданное расстояние.

При варианте 1 прибор вращается вокруг своей геометрической оси. С микроамперметра снимают минимальное и максимальное значения тока под действием облучения.

При варианте 2 или 3 с мнкроамперметра снимают значение тока под действием облучения.

g) Заданные условия

Температура окружающей среды.

Смещение измеряемого прибора (постоянный или импульсный ток).

Вариант измерения.

Облучение.

Указание на стандартный источник света (не монохроматический) или длину волны излучения н ширину спектра излучения (монохроматического).

3. Методы измерений для фотопар

3.1. Коэффициент передачи по току (Нцеи\) (см. черт. 9)

a)    Цель

Измерение статического значения коэффициента передачи по току фотопар в заданных условиях.

b)    Схема измерения

Принципиальная схема

Р — ндмгряская фотоаар*

Черт. 9

с) Описание схемы и требования к ней

/1 — входной ток — прямой ток If излучающего диода; /о — выходной ток — обратный ток /* фотодиода или ток коллектора /с фототранзистора; Vo — выходное напряжение — обратное нап-

Страница 28

ГОСТ 29283-92 С. 27

ряжение VR фотодиода или напряжение коллектор-эмиттер Vce Фо-тотранзистора; А\, At — амперметры.

d) Методика измерения

Если не оговорено иное, измерение должно проводиться при нормальных атмосферных условиях.

Источник постоянного тока регулируют для получения заданного входного тока через излучающий диод.

Источник напряжения регулируют на заданное значение Vr или Vce. Выходной ток Ir или /с измеряют амперметром Aj.

Коэффициент передачи по току Л//г) рассчитывают по форму-

ле

(I)

Таким образом, для фотопары с диодом на выходе

Г

(2)

(3)

для фотопары с транзистором на выходе /*/«■/'> = -77*

е) Меры предосторожности

Если фотопара чувствительна к внешнему излучению, необходимо указывать и соблюдать определенные меры предосторожности.

С) Заданные условия

Температура окружающей среды.

Входной или выходной ток. постоянный или импульсный.

Выходное напряжение (Vr или Vet).

11рн необходимости, атмосферные условия.

3.2. Емкость вход-выход (Сго) (см. черт. 10)

a)    Цель

Измерение емкости между входным и выходным выводами фотопары в заданных условиях.

b)    Схема измерения

Принципиальная схема

1

фотоплра; / — нммютал» емкости

Черт. 10

Страница 29

С. 2в ГОСТ 29283-92

c)    Методика измерения

Выводы излучателя и фотоприемника соединяют вместе. Емкость между выводами излучателя и фотоприемника измеряют на частоте 1 МГц (если не оговорено иное) при помощи соответствующего измерителя емкости.

d)    Меры предосторожности

Необходимо учитывать паразитную емкость испытательного приспособления и выводов.

e)    Заданные условия

Температура окружающей среды.

Частота измерения, если она не равна 1 МГц.

3.3. Сопротивление изоляции между входом и выходом

a)    цель

Измерение сопротивления изоляции между входным н выходным выводами фотопары при подаче постоянного напряжения в заданных условиях.

b)    Схема измерения

Принципиальная схема

Я — илнсрясмоя фоюпарл Черт. 11

c)    Меры предосторожности

Необходимо учитывать ток утечки испытательного приспособления и выводов.

d)    Методика измерения

Выводы излучателя и фотоприемника соединяют вместе.

Подают заданное измерительное напряжение между выводами излучателя и фотоприемника в течение 60 с. Сопротивление изоляции рассчитывают как V/1.

e)    Заданные условия

Температура окружающей среды.

Измерительное напряжение.

Время, по истечении которого проведено измерение, если оно не равно 60 с.

3.4. Испытания на прочность изоляции (см. черт. 12)

а) Цель

Проверка способности прибора выдерживать испытательное напряжение изоляции (У/о или V/овм) в заданных условиях.

Страница 30

ГОСТ 29283-92 С. 29

b) Схема испытания

Р — ЯСПЫ1У«М«Я фОТОВ*Р*

Черт. 12

c)    Методика испытания

Испытание проводят при нормальных атмосферных условиях, приведенных в ГОСТ 28198 (МЭК68—1).

Прибор устанавливают в испытательное устройство. Выводи излучателя и фотоприемника соединяют вместе.

Испытательное напряжение постоянного иЛн переменного тока повышают от нуля до заданного значения со скоростью приблизительно 100 В/с, если заданное значение ниже или равно 1000 В, и со скоростью 500 В/с, если заданное значение выше 1000 В.

Напряжение подается в течение 1 мин при испытаниях с целью утверждения соответствия изделий техническим условиям и в течение 10 с (минимум) при приемосдаточных испытаниях.

d)    Требования

За время испытаний не допускается внешний или внутренний пробой.

После проведения испытания проводят измерения

e)    Заданные условия

Напряжение изоляции (К/оили У/оям)

Время испытания (если оно не равно 1 мин или 10 с соответственно).

Измерения, проводимые после испытания.

Страница 31

С. 30 ГОСТ" 29293 -92

ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ

1.    ВНЕСЕН .Министерством электронной промышленности СССР

2.    УТВЕРЖДЕН Постановлением Комитета стандартизации и метрологии СССР от 21.01.92

Настоящий стандарт разработан методом прямого применения международного стандарта МЭК 747—5—84 с Полупроводнике* вые приборы. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть б. Оптоэлектронные приборы» и полностью ему соответствует

3 Срок первой проверки — 1997 г.

Периодичность проверки — 5 лет

4. ССЫЛОЧНЫЕ НОРМАТИВНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ДОКУМЕНТЫ

Обозначения ого'Юствем-ой Обоми сичс сга«л*|>'1    Н1Д.    и*    нагорий    д*чя

Кои-р пункт»

ссылка

МЭК 68—I—8в МЭК 303-1-69 МЭК 747-1-0.)



3

5; 6 I; 2; 3.1


Страница 32

СОДЕРЖАНИЕ Глава I. Общие положения

1.    Вводное примечание ,    •

2.    Область применении .    ...........«    .    .

Глава II. Терминология н буквенные обозначении

1.    Тип полупроводниковых оптоэлектронных приборов .

2.    Термины, относящиеся к предельно допустимым значениям параметров

и характеристикам .    .    .    .    .    .    •

3.    Буквенные обозначения.......... .

Глава III. Основные предельно допустимые значения параметров н характеристики Раздел I — Светоизлучающие диоды

1.    Тнп .    ............' .

2.    Полупроводниковый материал ,    ,    .    ......

3.    Цвет.....’.........

А. Сведения о габаритном    чертеже и    корпусе......

5.    Предельно допустимые    значения    параметров    (система    абсолютных

значений) в диапазоне рабочих температур......

6.    Электрические характеристики.........

7.    Дополнительные сведения..........

8.    Данные по испытаниям на воздействие внешних факторов и/или срок

службы...............

Раздел 2 — Инфракрасные излучающие диоды

1.    Тип...............

2.    Полупроводниковый материал .    .    .....

3 Сведения о габаритном чертеже и корпусе......

4.    Предельно допустимые значения параметров (система абсолютных мак

симальных значений) в диапазоне рабочих температур, если не оговорено иное.............

5.    Электрические характеристики    ..........•

6.    Дополнительные сведения......

7.    Данные по испытаниям на воздействие внешних факторов и/или на

срок службы ............

Раздел 3 — Фотодиоды

I. Тип    ........

2 Полупроводниковый материал    .........

3.    Сведения о габаритном чертеже и корпусе......

4.    Предельно допустимые значения параметров (система абсолютных мак

симальных значений) в диапазоне рабочих температур, если ие оговорено иное.............

б. Электрические характеристики    .........

6.    Дополнительные сведения.......>    ,    ■    %

7.    Данные по испытаниям на воздействие внешних факторов и/иди на

срок службы............

Раздел 4 — Фототранзисторы

I. Тип..............

2 Полупроводниковый материал.........

Страница 33

3.    Тип перехода ...........

4.    Сведения о габаритном чертеже и корпусе.....

5 Предельно допустимые значения параметров (система абсолютных мак сималмшх значений) в диапазоне рабочих температур, если не огово рсно иное...........

6.    Электрические характеристики........

7.    Дополнительные сведения........    ,

в. Данные по испытаниям на воздействие внешних факторов и/или на срок службы .........

Раздел 5 — Фотопары, оптопары (с транзистором на выходе)

1.    Тип..............

2. Полупроводниковый материал ,    .    . *......

3 Тип перехода транзистора на выходе.......

4. Сведения о габаритном чертеже и корпусе......

5 Предельно допустимые значения параметров (система абсолютных максимальных значений) в диапазоне рабочих температур, если не оговорено иное............

6.    Электрические характеристики.........

7.    Дополнительные сведения.........

Глава IV. Методы измерений

I. Методы измерений для излучателей .    .    ,    .    ,    .    ,*

1.1.    Сила снега светоизлучающих диодов......

1 2. Сила излучения инфракрасных излучающих диодов

1.3.    Световой поток...........

1.4.    Длина волны излучения и ширина спектра излучении Ц. Методы измерений для фоточувствительных приборов' .

2.1.    Ток под действием облучения фотодиодов и ток коллектора под

действием облучения фототранзнсторов.......

3.    Методы измерений для фотопар ........

3.1.    Коэффициент передачи по току......

3.2.    Емкость вход—выход    ........

3.3.    Сопротивление изоляции между входом и выходом

3.4.    Испытания на прочность изоляции.......

Страница 34

Редактор В. М. Лысенкина Технический редактор И. Н. Дубима Корректор Т. А. Васильева

Сдано • иаб. 11.03.93 Подл, а печ. 06 04.92 Уел. аеч. л. 355. Уел. кр -огг з.г» Учкад. л, 3,0,

Тираж 710 экз.

Орлена «Знак Почета» Иматмхтао стаядартоа. 133157. Мехах а. ГСП. НооопркненсхМ им.. 3.

Ка.чж<хи* тапогрофпя стандарт®*. ул. Мо:кооск»а. 3». За*. SS3