Сертификация: тел. +7 (495) 175-92-77
Стр. 1
 

16 страниц

304.00 ₽

Купить официальный бумажный документ с голограммой и синими печатями. подробнее

Официально распространяем нормативную документацию с 1999 года. Пробиваем чеки, платим налоги, принимаем к оплате все законные формы платежей без дополнительных процентов. Наши клиенты защищены Законом. ООО "ЦНТИ Нормоконтроль".

Наши цены ниже, чем в других местах, потому что мы работаем напрямую с поставщиками документов.

Способы доставки

  • Срочная курьерская доставка (1-3 дня)
  • Курьерская доставка (7 дней)
  • Самовывоз из московского офиса
  • Почта РФ

Устанавливает термины и определения понятий в области микросборок на цилиндрических магнитных доменах

Показать даты введения Admin

Страница 1

Группа ЭОО

МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

МИКРОСБОРКИ НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНАХ

Термины и определения    ГОСТ

28111-89

Bubble memory device. Terms and definitions

MKC 01.040.31 31.200 ОКСТУ 6301

Дата введения 01.07.90

Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий в области микросборок на цилиндрических магнитных доменах.

Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу деятельности по стандартизации или использующих результаты этой деятельности.

Настоящий стандарт должен применяться совместно с ГОСТ 1%93.

1.    Стандарт зова иные термины с определениями приведены в табл. 1.

2.    Для каждого понятия устано&тен один стандартизованный термин. Применение терминов-синонимов стандартизованного термина не допускается. Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в табл. 1 в качестве справочных и обозначены пометой 1Ндп».

2.1.    Для отдельных стандартизованных терминов в табл. 1 приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования.

2.2.    Приведенные определения можно, при необходимости, изменять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем определяемого понятия. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в настоящем стандарте.

2.3.    В случаях, когда в термине содержатся все необходимые и достаточные признаки понятия, определение не приведено и в графе «Определение» поставлен прочерк.

2.4.    В табл. 1 приведены в качестве справочных буквенные обозначения к ряду терминов.

2.5.    В табл. 1 в качестве справочных приведены иноязычные эквиваленты для ряда стандартизованных терминов на английском языке.

3.    Алфавитные указатели содержащихся в стандарте терминов на русском и английском языках приведены в табл. 2—3.

4.    Термины и определения общих понятий, необходимые для понимания текста стандарта, приведены в приложении.

5.    Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма — светлым, а недопустимые синонимы — курсивом.

Перепечатка воспрещена

138

1

Страница 2

ГОСТ 28111-89 С. 2

Таблица 1

Определение

Термин

1. Магнит» электронное имел не на цилиндрических магнитных ломсиах

Матнитоэлектроннос изделие на ЦМД 2 Цилннлрнчеекнй магнитный домен

ЦМД

Magnetic bubble

3.    Жесткий цилиндрический магнитный домен

Жесткий ЦМД Hard bubble

4.    Несквшной цилиндрический магнигныи домен

Несквозной ЦМД

5.    Информационный цилиндрический магнитный домен Информационный ЦМД

6.    Иеинформаннонный цилиндрический магнитный домен Нсинформационный ЦМД

7.    Запоминающее устройство на цилиндрических магнитных доменах

ЗУ на ЦМД Bubble memory

8.    Микросборка на цилиндрических магнитных доменах

Микросборка ЦМД Иди. Микросборка ЗУ ЦМД Bubble memory device

9.    ЦМД-наконнгель

10.    ЦМД-сигнал

Bubble signal

11.    ЦМД-материал Bubble material

12.    Ц.МД-пластнна

13.    Монокристаллическая пленка феррита-граната

МПФГ

Ндп. Доменосодержащая пленка

14.    Дефект МПФГ

15.    Дефект поверхности МПФГ

16.    Магнитный дефект МПФГ

17.    Подложка МПФГ

IS. Решетка ЦМД

ОБЩИЕ ПОНЯТИЯ

Магнитоалектронное изделие, в котором для хранения и обработки информации используются цилиндрические магнитные домены

Домен цилиндрической формы, намагниченность которою параллельна и противоположна направлению намагниченности окружающего магнитного материала

Цилиндрический магнитный домен, имеющий сложную структуру доменной границы и большую поверхностную плотность энергии границы, более высокое поле коллапса и меньшую подвижность

Цилиндрический магнитный домен, доменная граница которою выходит только на одну из поверхностей магнитного слоя или не выходит ни на одну из поверхностей

Цилиндрический магнитный домен, используемый как носитель информации

Цилиндрический магнитный домен, не используемый как носитель информации

По ГОСТ 25492

Конструктивно законченные и перемонтируемые магнитоэлектронные изделия на ЦМД или его составная часть, определяющая назначение и принципы функционирования изделия

Микросборка ЦМД или совокупность микросГюрок ЦМД и электронное обрамление, обеспечивающие ш«]юрмаиионную емкость запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах

Двоичный сигнал, представленный наличием или отсутствием цилиндрического магнитною домена

Магнитоодноосный материал, в котором существуют цилиндрические магнитные домены

Пластина из ЦМД-матсриада или пластина, состоящая из немагнитной подложки с выращенным на ней ЦМД-материалом ЦМД-материал в виде слоя монокрис галличсского феррита со структурой граната

Дефект поверхности или магнитный дефект монокристалли-чсской пленки феррита-граната

Неоднородность поверхности монокрисгаллнческой пленки феррита-граната, видимая в оптический микроскоп при заданных увеличении и апертуре объектива, кроме частиц на поверхности Область локального изменения свойств монокрисгаллнческой пленки феррита-граната, вызванного неоднородностью се структуры. характеризующаяся локальным увеличением коэрцитивной силы или несанкционированными зарождением, уничтожением или изменением скорости движения ЦМД

Немагнитная пластина, на которой выращивается монокрис-таллическая пленка феррита-граната

Упорядоченная совокупность ЦМД в виде правильной плоской решетки


139

Страница 3

С. 3 ГОСТ 28111-89

Продолжение табл. I

Термин

Определение

19.    Напряженность машитного поля зарождения ЦМД

Напряженность поля зарождения

20.    Напряженность магнитного ноля коллапса ЦМД

Напряженность поля коллапса Bubble collaps field intensity

21.    Напряженность магнитного ноля эллиптической неустойчивости ЦМД

Напряженность паля неустойчивости

Напряженность магнитного поля смешения, соответствующая зарождению цилиндрического магнитного домена

Напряженность магнитного поля смешения, соответствующая исчезновению цилиндрического магнитного домена

Напряженность магнитного поля смещения, соответствующая переходу цилиндрического магнитного домена в полосовой домен

ПАРАМЕТРЫ ЦМД-МАТЕРИАЛА

22.    Характеристическая длина ЦМД-мате-рнала

23.    Фактор качества ЦМД-материала

Фактор качества

24.    Динамическая коэрцитивная сила

25.    Скорость насыщения доменной границы

26.    Область устойчивости ЦМД

Bubble margin

27.    Равновесная ширина полосового домена

Strip domain width 2$. Угол отклонение оси легкого намагничивания МПФГ

29.    Номинальный диаметр ЦМД

30.    Толшина МПФГ

Отношение поверхностной плотности энергии доменной границы к объемной плотности магнитосгатической энергии ЦМД-матери ала

Отношение напряженности поля одноосной магнитной анизотропии ЦМД-матсриала к намагниченности технического насыщения

Параметр, равный критическому значению Нс напряженности внешнего переменного магнитного поля //. при превышении которого амплитуда смещения доменной границы описывается зависимостью X e S (H—HJ, где 5 —константа, не зависящая от П Скорость доменной границы, существенно не изменяющаяся при увеличении напряженности продвигающего доменную границу поля

Параметр, равный разности напряженностей магнитного поля коллапса ЦМД и магнитного поля эллиптической неустойчивости ЦМД

Средняя ширина полосового домена, соответствующая абсолютному минимуму энергии размагниченной монокристалличес-кой пленки феррита-граната

Угол между осью легкого намагничивания и нормалью к поверхности монокристаллической пленки феррита-фаната

Диаметр цилиндрического магнитного домена в середине области устойчивости ЦМД


КОНСТРУКТИВНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ МИКРОСБОРКИ ЦМД

31.    ЦМД-кристалл

Кристалл Ндп. Чип Bubble chip Chip

32.    Плата микросГюркн ЦМД

Плата

33.    Корпус чикросборки ЦМД

Корпус

34.    Система постоянных машитов микро-сборки ЦМД

Система постоянных магнитов

35.    Растекатель чикросборки ЦМД

Расте кагс ль

Часть ЦМД-пластины с нанесенной на нее схемой управления цилиндрическими магнитными доменами

Часть конструкции микросборки ЦМД, предназначенная для закрепления одного или нескольких ЦМД-крисгаллов и соединения их с выводами микросборки ЦМД

Часть конструкции микросборки ЦМД, предназначенная для зашиты от внешнего воздействия, экранирования от внешних магнитных полей и замыкания магнитного поля смешения микросборки ЦМД

Часть конструкции микросборки ЦМД. яшшющаяся источником поля смешения

Часть системы постоянных магнитов микросборки ЦМД, выполненная из магнитомягкого материала, предназначенная для повышения однородности поля смещения


I4U

Страница 4

ГОСТ 28111-89 С. 4

Продолжение таб.). I

Определение

Термин

36.    Катушки вращающегося магнитного поля микросборкн НМД

Катушки врашаюшегося поля Нли. Катушки управления X'Y coils

37.    Вывол микросборки ЦМД

38.    Контактная площадка ЦМД-кристал-ла

Контактная площадка

39.    Вывол ЦМД-кристалла

40. Ферромагнитная аппликация

41. Токовая аппликация

Система катушек микросборки ЦМД, при пропускании через которые токов заданной формы осуществляется продвижение цилиндрических магнитных доменов

Элемент конструкции микросборки ЦМД. предназначенный для ее электрического соединения с внешними электрическими цепями и механическою крепления

Металлизированный участок на ЦМД-кристалле, служащий для присоединения выводов ЦМД-кристалла, а также для контроля исправности его электрических цепей

Элемент конструкции микросборки ЦМД. соединенный с контактной площадкой ЦМД-кристалла и предназначенный для электрическою соединения ЦМД-кристалла и платы микросборкн ЦМД Пленочная аппликация из ферромагнитного материала, нанесенная на поверхность ЦМД-материала, предназначенная для создания магнитостатичсской ловушки.

Г1 р и м с ч а и и е. Одним из видов используемого ферромагнитного материала является пермаллой

Пленочная проводниковая аппликация, нанесенная на поверхность ЦМД-материала, предназначенная для создания магнитостатической ЛОВУШКИ


ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ УНЫ И ЭЛЕМЕНТЫ МИКРОСБОРКИ ЦМД

42.    Схема >правления ЦМД

Схема управления

43.    Функциональный узел ЦМД-крнсгал-ла

Функциональный узел Ндп. Функциональный укл чипа

44.    Схема продвижения ЦМД Схема продвижения Ндп. Кант продвижения Bubble propagation path

45.    Элемент продвижения ЦМД Элемент продвижения Propagation element

46.    Элемент сопряжения схемы продвижения ЦМД

Элемент сопряжения

47.    Машкгосгатнческая ловушка

МСЛ

4S. Генератор ЦМД Bubble generator

49.    Узел считывания микросборкн ЦМД

Узел считывания

50.    Детектор ЦМД Bubble detector

51.    Рабочий детектор ЦМД

Совокупность аппликаций или локальных изменений структуры ЦМД-материала или их комбинированная совокупность, служащие для осуществления функциональных операций с цилиндрическими магнитными доменами при воздействии полей и токов Часть схемы управления ЦМД. предназначенная для реализации определенной функции

Часть схемы управления ЦМД. определяющая траекторию продвижения цилиндрического магнитного домена

Токовая аппликация или локальное изменение структуры ЦМД-материала. предназначенные для перемещения цилиндрических магнитных доменов по схеме продвижения

Аппликация или локальное изменение структуры ЦМД-мате-риала. предназначенные для соединения прямолинейных участков схемы продвижения цилиндрических магнитных доменов при изменении их направления продвижения

Локализованная зона ЦМД-кристалла с меныинм значением напряженности магнитного ноля смещения, вызванная существованием магнитных полей, параллельных и противоположно направленных палю смешения, и служащая для удержания цилиндрических магнитных доменов

Функциональный узел ЦМД-кристалла, предназначенный для зарождения цилиндрических магнитных доменов

Функциональный узел ЦМД-кристалла, осуществляющий подготовку ЦМД-сигнала к регистрации и преобразование его в электрический выходной сигнал микросборкн ЦМД

Часгь узла считывания микросборки ЦМД. предназначенная для <}юрмироваиия выходного сигнала микросборкн ЦМД

Часгь детектора ЦМД. предназначенная для выделения ЦМД-сигнала и преобразования его в электрический сигнал


IS-.JS6

141

Страница 5

С. 5 ГОСТ 28111-89

Продолжение табл. I

Определение

Термин

52. Компенсационный детектор ЦМД

53.    Расширитель ЦМД

Расширитель

54.    Аннигилятор ЦМД Аннигилятор

55.    Регистр хранения информации микро-сборки ЦМД

Регистр хранения Ндп. Минорная ne/tLW Bubble storage loop Minor loop

56.    Регистр ввода-вывода информации микр«>сборки ЦМД

Регистр ввода-вывода Ндп. Мажорная пепия Major loop

57.    Регистр ввода информации мнкросбор-ки ЦМД

Регистр ввода

58.    Регистр вывода информации микро-сборки ЦМД

Регистр вывода

59.    Репликатор ЦМД Репликатор Bubble replicator Replicate gate

60.    Переключатель ввода-вывода ЦМД Переключатель ввода-вывода Иди. Трансфер ввода-вывода

61.    Переключатель вывода ЦМД

Переключатель вывода Ндп. Трансфер вывода Trancfer out Read gate 62 Переключатель ввода ЦМД Переключатель ввода Ндп. Транарер ввода Trancfer in Write gate

63.    Обменный переключатель ЦМД Обменный переключатель Swap gate

64.    Реверсивный переключатель ввода-вывода ЦМД

Реверсивный переключатель ввода-вывода

65.    Защитный массив ЦМД-кристалла

Защитный массив

Часть детектора ЦМД. предназначенная для компенсации электрического сигнала, наводимого в рабочем детекторе ЦМД вращающимся магнитным полем

Часть узла считывания микросборки ЦМД, осуществляющая растягивание цилиндрического магнитного домена в полосовой домен с целью увеличения выходного сигнала микросборки ЦМД Функциональный узел ЦМД-кристалла, предназначенный для уничтожения цилиндрических магнитных доменов

Функциональный узел ЦМД-кристалла, предназначенный для накопления и хранения цилиндрических магнитных доменов

Функциональный узел ЦМД-кристалла, предназначенный для связи элементов управлении цилиндрическими магнитными доменами с регистрами хранения информации при записи и считывании информации

Часть регистра ввода-вывода информации микросборки ЦМД или самостоятельный регистр, осуществляющий передачу информации от генератора ЦМД в регистры хранения информации микросборки ЦМД

Часть регистра ввода-вывода информации микросборки ЦМД или самостоятельный регистр, осуществляющий передачу информации из регистров хранения к узлу считывания микросборки ЦМД

Функциональный узел ЦМД-кристалла, предназначенный для деления цилиндрического магнитного домена на два, а также для ввода цилиндрического магнитного домена в регистр хранения и вывода из него

Функциональный узел ЦМД-кристалла, предназначенный для ввода информации в виде наличия или отсутствия цилиндрического магнитного домена в регистры хранения информации микросборки ЦМД и вывода информации из них

Функциональный узел ЦМД-кристалла, предназначенный для вывода информации из регистров хранения в регистр вывода или регистр ввода-вывода информации микросборки ЦМД

Функциональный узел ЦМД-кристалла, предназначенный для перевода инс}юрмаиии из регистра ввода или регистра ввода-вывода в регистр хранения информации микросборки ЦМД

Функциональный узел ЦМД-кристалла, предназначенный для обмена информацией между регистром хранения и регистром вво-да-вывода информации микросборки ЦМД

Функциональный узел ЦМД-кристалла. осуществляющий функции переключателя ввода или переключателя вывода ЦМД при изменении направления вращающегося магнитного поля

Совокупность ферромагнитных аппликаций и (или) локальных изменений структуры ЦМД-кристалла, охватывающих рабочую зону ЦМД-кристалла для ее экранирования и вывода неинформационных ЦМД


142

Страница 6

ГОСТ 28111-89 С. 6

Продолжение табл. I

Определение

Термин

ОРГАНИЗАЦИЯ МИКРОСБОРОК ЦМД

66.    Последовательная структура микро-сборки ЦМД

Последовательная структура

67.    Последовательно-параллельная структура микросборки ЦМД

Последовательно-параллельная

структура

68.    Структура микросооркн ЦМД с замкнутым регистром ввода-вывода

Структура с замкнутым регистром ввода-вывода

69.    Структура мнкросборки ЦМД с раздельными регистрами ввода-вывода Структура с раздельными регистрами ввода-вывода

70.    Структура микросборки ЦМД с обменным переключателем

Структура с обменным переключателем

71.    Структура микросооркн ЦМД с блочным рснлинированисм

Структура с блочным реплинировани-ем

Организация микросборки ЦМД в виде одною автономного регистра хранения информации микросборки ЦМД

Организация микросборки ЦМД в виде совокупности регистров хранения информации микросборки ЦМД, объединенных регистром или регистрами ввода и вывода информации микросборки ЦМД

Последовательно-параллельная структура микросборки ЦМД, в которой регистры хранения объединены одним замкнутым регистром ввода и вывода информаиии микросборки ЦМД

Последовательно-параллельная структура микросборки ЦМД, в которой регистры хранения объединены раздельными регистрами ввода-вывода информации микросборки ЦМД

Последовательно-параллельная структура микросборки ЦМД с раздельными регистрами ввода и вывода и с переключателем обменного типа в регистре ввода информации микросборки ЦМД

Последовательно-параллельная структура микросборки ЦМД, в которой совокупность регистров хранения информации микро-сборки ЦМД разделена на определенное число блоков


ХАРАКТЕРИСТИКИ МИКРОСБОРКИ ЦМД

72.    Врашаюшесся магнитное поле микросборки ЦМД

Вращаюшссся магнитное поле Rotating magnetic field

73.    Магнитное воле смещения микросбор-кн ЦМД

Поле смешения Bias magnetic field

74.    Поле управления ЦМД

75. Страница данных микросооркн ЦМД

Страница данных

76.    Дефектный регистр хранения информации мнкросборки ЦМД

Дефектный регистр A map of defective loop

77.    Резервные регистры хранения информации мнкросборки ЦМД Резервные регистры

Redundant gate

78.    Служебные регистры хранения информации мнкросборки ЦМД Служебные регистры

Магнитное поле, вектор напряженности которого вращается в плоскости ЦМД-кристалла, служащее для продвижения цилиндрических магнитных доменов

Постоянное магнитное поле, создаваемое системой постоянных магнитов мнкросборки ЦМД, перпендикулярное к плоскости ЦМД-кристалла

Переменное магнитное поле, возникающее в ЦМД-кристалле при подаче импульсов тока в элементы управления и осуществляющее функциональные операции с цилиндрическими магнитными доменами при наличии вращающегося магнитного поля микросборки ЦМД

Последовательность информационных ЦМД. определяемая количеством регистров хранения информации микросборки ЦМД и выводимая из регистров хранения в одном такте вращающегося магнитного поля

Регистр хранения информации микросборки ЦМД. имеющий технологический дефект и неспособный накапливать и хранить цилиндрические магнитные домены

Избыточные регистры хранения информации микросборки ЦМД. предусматриваемые при проектировании ЦМД-кристалла. за счет которых обеспечивается, при наличии дефектных регистров. номинальная информационная емкость микросборки ЦМД

Избыточные регистры хранения информации микросборки ЦМД, предусматриваемые при проектировании ЦМД-кристалла. используемые по усмотрению потребителя для обнаружения и исправления ошибок и хранения карты дефектных регистров


143

Страница 7


Продолжение табл. I


Термин


Определение


79.    Карта дефектных регистров хранения информации

Карта дефектных регистров

80.    Режим «старт-стон» мнкроеборки

цмд

Режим «старт-стоп*


Перечень номеров дефектных регистров хранения информации микросборки ЦМД

Режим работы и контроля микросборки ЦМД. при котором врашаюшееся магнитное поле останавливается в определенной фазе, с которой в дальнейшем оно возобновляется.

II р и м с ч а н и с. При остановке вращающегося магнитного поля сохранность информации обеспечивается удерживающим полем

Проекция поля смешения в плоскости ЦМД-кристалла, получаемая наклоном ЦМД-кристалла к плоскости постоянных магнитов и служащая для сохранения информации при отключении питания микросборки ЦМД


81. Удерживающее поле мнкроеборки

цмд

Удерживающее паче


ЭЛЕКТРОННЫЕ СХЕМЫ, ОБЕСПЕЧИВАЮЩИЕ РАБОТУ МИКРОСБОРКИ ЦМД


82. Электронное обрамление ЗУ на ЦМД


Система функциональных электронных блоков, обеспечивающая функционирование микросборок ЦМД и ЦМД-накопителей и их совместимость с внешними усгройсгвами

Часть электронного обрамления ЗУ на ЦМД, обеспечивающая формирование токов управлении функциональными узлами ЦМД-кристалла и усиление выходных сигналов микросборки ЦМД Часть электронного обрамлении ЗУ на ЦМД, обеспечивающая заданные режимы работы запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах и организацию связи с интерфейсом внешних систем


83.    Линейное обрамление ЦМД-накопителя

Линейное обрамление Ндн. Нижайшее обрамление

84.    Контроллер ЗУ на ЦМД

Контроллер

Bubble memory controller


ТЕХНОЛОГ ИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОСБОРОК ЦМД


85.    Одноуровневое исполнение ЦМД-кристалла

86.    Многоуровневое исполнение ЦМД-крисгалла

87.    Планарное исполнение ЦМД-кристал-ла

88.    Неиланарное исполнение ЦМД-крнс-талла

89.    Квазипланариое исполнение ЦМД-кристалла


Исполнение ЦМД-кристалла. при котором функциональные узлы и коммутационную разводку изгогаативаюг из пермаллосво-го слоя на одном уровне


Многоуровневое исполнение ЦМД-кристалла. при котором все магнитонле ночные элементы располагаются в одном уровне Многоуровневое исполнение ЦМД-крисгалла, при котором часть магнитопленочных элементов приподнята над токовыми элементами управления

Многоуровневое построение ЦМД-кристалла, при котором геометрический рельеф топологического элемента сглаживается диэлектрическим слоем более чем на половину толщины элемента


ПАРАМЕТРЫ МИКРОСБОРКИ ЦМД


90.    Время считывания страницы данных мнкроеборки ЦМД Tc.t

Время считывании страницы

91.    Выходное напряжение высокого уровня мнкроеборки ЦМД U 1 ujy Выходное напряжение высокого уровня

92 Выходное напряжение низкого уровня мнкроеборки ЦМД и°ш%

Выходное напряжение низкого уровня


Интервал времени, в течение которого все цилиндрические магнитные домены страницы данных проходят через детектор ЦМД

Значение напряжения высокого уровня на выходе мнкросбор-ки ЦМД при считывании информации


Значение напряжения низкого уровня на выходе микросборки ЦМД при считывании информации


144

Страница 8

ГОСТ 28111-89 С. 8

Продолжение таб.). I

Определение

Термин

93.    Среднее время выборки микросооркн

ЦМД талр

Среднее время выборки

Нди. Среднее время поиска информации

94.    Период вращающегося магнитного ноля микросборки НМД Гр1

Период вращающегося магнитного поля

95.    Рабочая частота микросборки ЦМД

Лив

Рабочая частота

96.    Потребляемая мощность микросборки

ЦМД рпоt

Потребляемая мощность

97.    Область .устойчивой работы микросборки ЦМД

98.    Рабочий диапазон температур микросборки ЦМД Л Гр1й

Рабочий диапазон температур

99.    Диапаюн температур хранения информации микросборки ЦМД АТхр Диапазон температур хранения информации

Время выборки первого бита средней страницы данных микро-сборки ЦМД

Интервал времени, за который вектор вращающегося магнитною поля микросборки ЦМД делает поворот на 360"

Частота вращающегося магнитного поля микросборки ЦМД

Средняя мощность, потребляемая микросборкой ЦМД при наиболее характерном режиме обращения к микросборке ЦМД

Совокупность значений параметров микросборки ЦМД в допустимых пределах их изменений, обеспечивающая функционирование микросборки ЦМД

Диапазон температур окружающей среды или на корпусе мнк-росборки ЦМД. при котором обеспечиваются требуемые характеристики микросборки ЦМД

Диапазон температур, пребывание в котором микросборки ЦМД с записанной информацией и отключенным питанием не вызывает потерь информации


ПАРАМЕТРЫ РЕЖИМА ЭКСПЛУАТАЦИИ И ИЗМЕРЕНИЙ МИКРОСБОРКИ ЦМД

100.    Ток управления микросооркн ЦМД /у.

Ток управления

101.    Ток генератора ЦМД /(

Ток генератора

101 Ток переключателя ввода ЦМД /м

Ток ввода

103.    Ток переключателя вывода ЦМД lt

Ток вывода

104.    Ток обменного переключателя ЦМД

foK обменного переключателя

105.    Ток репликатора ЦМД /р

Ток репликатора

106.    Ток детектора ЦМД 1

Ток детектора

107.    Длительность импульса тока генератора ЦМД гг*

Длительность импульса тока генератора

108.    Длительность импульса тока переключателя ввода ЦМД таи

Длительность импульса тока ввода

Амплитуда импульса тока, проходящего через катушки вращающегося магнитного поля микросборки ЦМД

Амплитуда импульса тока генератора ЦМД при зарождении цилиндрического магнитного домена

Амплитуда импульса тока переключателя ввода ЦМД при переводе цилиндрических магнитных доменов из регистра ввода в регистр хранения

Амплитуда импульса тока переключателя вывода ЦМД при переводе цилиндрических магнитных доменов из регистров хранения в регистр вывода

Амплитуда импульса тока обменного переключателя ЦМД при одновременном переводе цилиндрического магнитного домена из регистра ввода-вывода в регистры хранения и из регистров хранения в регистр ввода-вывода

Амплитуда импульса тока репликатора ЦМД при делении цилиндрического магнитного домена с последующим выводом информации

Амплитуда импульса тока, проходящего через детектор ЦМД при считывании ЦМД-сигнала, представленного наличием цилиндрического магнитного домена


145

1

Длительность импульсов токов определяют на уровне 0.5 максимальной амплитуды.

Страница 9

С. 9 ГОСТ 28111-89

Продолжение табл. I

Определение

Термин

109.Длительность импульса тока переключателя вывода ЦМД ти

Длительность импульса тока выпала I К). Длительность импульса тока обменного переключателя ЦМД Длительность импульса тока обменною переключателя Иди. Длительность импульса тока обмена информации

111.    Длительность импульса тока репликатора ЦМД Гр

Длительность импульса тока репликатора

112.    Время задержки импульса тока генератора ЦМД ft 1

Время задержки импульса генератора

113.    Время задержки импульса тока переключателя вводя ЦМД г, ш

Время задержки импульса тока ввода

114.    Время задержки импульса тока переключателя вывода ЦМД txa

Время задержки импульса тока вывода

115.    Время задержки импульса тока обменного переключателя ЦМД 11хЛ

Время задержки импульса тока обменного переключателя

116.    Время задержки импульса тока репликатора ЦМД /, р

Время задержки импульса тока репликатора

Иди. Время задержки импульса тока репликации

117.    Сопротивление генератора ЦМД Rt Сопротивление генератора

ПН. Сопротивление переключателя ввода

ЦМД Яии

Сопротивление переключателя ввода

119 Сопротивление переключателя вывода ЦМД Ru

Сопротивление переключателя вывода

120.    Сопротивление переключателя ввода-вывода ЦМД ц

Сопротивление переключателя ввода-вывода

121.    Сопротивление обменною переключателя ЦМД я

Сопротивление обменного переключателя

122.    Сопротивление детектора ЦМД

Сопротивление детектора /?д

146

1

Время задержки импульсов токов отсчитывают от начала положительной полуволны тока катушки вращающегося магнитного поля.

Страница 10

ГОСТ 28111-89 С. 10

Прода1жение та&1. I

Термин

Определение

123.    PaiHocib сопротивлений детекторов

цмддя.

Разность сопротивлений детекторов

124.    Сопротивление катушек вращающегося поля микросборки ЦМД /?,, Rv Сопротивление катушек вращающегося магнитного поля

125.    Индуктивность катушек вращающеюся магнитною поля микросборки ЦМД Ly

Индуктивность катушек вращающегося магнитного поля Нл п. Индуктивность узла управления

126.    Фазовый сдвиг токов катушек вращающегося поля микросборки ЦМД

V,_n Чс. .

Фазовый сдвиг

127.    Чувствительность детектора ЦМД

Разность сопротивлений рабочего и компенсационного детекторов ЦМД

Отношение выходного напряжении высокого уровня микро-сборки ЦМД к току детектора ЦМД

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ

Т а б л и ц а 2

Термин

Номер термина

Аннигилятор

54

Аннигилятор ЦМД

54

Аппликация токовая

41

Аппликация ферромагнитная

40

Время выборки среднее

93

Время выборки мнкросГюрки ЦМД среднее

93

Время задержки импульса тока ввода

ИЗ

Время задержки импульса тока вывода

114

Время задержки импульса тока генератора

112

Время задержки импульса тока генератора микросборки ЦМД

112

Время задержки игмпульса тока обменного переключателя

115

Время задержки импульса тока обменною переключателя ЦМД

115

Время задержки импульса тока переключателя ввода ЦМД

113

Время задержки импульса тока переключателя вывода ЦМД

114

Время задержки импульса тока репликатора

116

Время задержки импульса тока репликатора ЦМД

116

Время задержки импульса тока репликации

116

Время считывания страницы

90

Время считывания страницы данных микросборки ЦМД

90

Вывод микросборки ЦМД

37

Вывод ЦМД-кристалла

39

Генератор ЦМД

48

Детектор ЦМД

50

Детектор ЦМД компенсационный

52

Детектор ЦМД рабочий

51

Дефект МПФГ

14

Дефект МПФГ магнитный

16

Дефект поверхности МПФГ

15

Диаметр ЦМД номинальный

29

Диапазон температур микросборки ЦМД рабочий

98

I47

Страница 11

С. 11 ГОСТ 28111-89

Продолжение math. 2

Термин

Номер термина

Диапа:юн температур рабочий

98

Диапазон температур хранения информации

99

Диапазон температур хранения информации мнкроеборки ЦМД

99

Длина ЦМД-материала характеристическая

22

Длительность импульса тока генератора

106

Длительность импульса тока генератора ЦМД

106

Длительность импульса тока инода

10S

Длительность импульса тока вывода

109

Длительность импульса тока обмена информации

НО

Длительность импульса тока обменного переключателя

НО

Длительность импульса тока обменного переключателя ЦМД

ПО

Длительность импульса тока персключа геля ввода ЦМД

108

Длительность импульса тока переключателя вывода ЦМД

109

Длительность импульса тока репликатора

111

Длительность импульса тока репликатора ЦМД

111

Домен магнитный цилиндрический

2

Домен магнитный цилиндрический жесткий

3

Домен машитный цилиндрический информационный

5

Домен машитный цилиндрический неннформанионный

6

Домен магнитный цилиндрический несквозной

4

ЗУ на ЦМД

7

Изделие на цилиндрических магнитных доменах чагнн го электронное

1

Изделие на ЦМД магнитоэлектронное

1

Индуктивность катушек вращающегося магнитного поля

125

Индуктивность катушек врашаюшегося магнитного поля микросборки ЦМД

125

Индуктивность узла управления

125

Исполнение ЦМД-кристалла ква знпланарное

89

Иеполнение ЦМД-кристалла многоуровневое

86

Исполнение ЦМД-крисгалла непланарное

88

Исполнение ЦМД-крисгалла одноуровневое

85

Исполнение ЦМД-кристалла планарное

87

Канал продвижения

44

Карта дефектных регистров

79

Карта дефектных регистров хранения информации

79

Катушки вращающегося матиитного поля микросборки ЦМД

36

Катушки вещающегося поля

36

Катушки управления

36

Контроллер ЗУ на ЦМД

84

Контроллер

84

Корпус

33

Корпус микросборкн ЦМД

33

Ловушка матнитостатнчсская

47

Массив защитный

65

Массив ЦМД-кристалла защитный

65

Микросборка на цилиндрических магнитных доменах

8

Микросборка ЗУ ЦМД

8

Микросборка ЦМД

8

Мощность микросборки ЦМД потребляемая

%

Мощность потребляемая

96

МПФГ

13

мел

47

Напряжение высокого уровня выходное

91

Напряжение высокого уровня микросборкн ЦМД выходное

91

Напряжение низкого уровня выходное

92

Иапряженне низкою уровня мнкроеборки ЦМД выходное

92

Напряженность поля зарождения

19

Напряженность магнитною поля зарождения ЦМД

19

Напряженность магнитного поля коллапса ЦМД

20

Напряженность магнитного поля эллиптической неустойчивости ЦМД

21

I4S

Страница 12

ГОСТ 28111-89 С. 12

Продвижение табл. 2

Термин

Номер термина

Напряженность паяя коллапса

20

Напряженность поля неустойчивости

21

Область устойчивой работы микросборки ЦМД

97

Область устойчивости ЦМД

26

Обрамление Нижайшее

S3

Обрамление ЗУ на ЦМД электронное

82

Обрамление линейное

S3

Обрамление ЦМД-накопитсля линейное

S3

Обрамление электронное

S2

Переключатель ввода

62

Переключатель ввода-вывода

60

Переключатель ввода-вывода реверсивный

64

Переключатель ввода-вывода ЦМД

60

Переключатель ввода-вывода ЦМД реверсивный

64

Переключатель ввола ЦМД

62

Переключатель вывода

61

Переключатель вывода ЦМД

61

Переключатель обменный

63

Переключатель ЦМД обменный

63

Период вращающегося магнитного поля

94

Период вращающегося магнитною поля микроосборки ЦМД

‘>4

Пепин мажорная

56

Петля минорная

55

Плата

32

Плата микросборки ЦМД

32

Пленка доменосодержащая

13

Пленка феррита-граната монокрисгалличсская

13

Площадка контактная

38

Площадка ЦМД-кристалла контактная

38

Подложка МПФГ

17

Поле магнитное вращающееся

72

Поле микросборки ЦМД магнитное вращающееся

72

Ноле микросборки ЦМД удерживающее

81

Пате смещения

73

Паче смешения мнкросборки ЦМД магнитное

73

Поле удерживающее

81

Поле управления ЦМД

74

Разность сопрошатений детекторов

123

Ранюсть сопротивлений детекторов ЦМД

123

Растекатель

35

Растскатсль мнкросборки ЦМД

35

Расширитель

53

Расширитель ЦМД

53

Регистр ввода

57

Регистр ввода-вывода

56

Регистр ввола-вывола информации мнкросборки ЦМД

56

Регистр ввода информации мнкросборки ЦМД

57

Регистр вывода

58

Регистр вывода информации мнкросборки ЦМД

58

Регистр дефектный

76

Регистр хранения

55

Регистр хранения информации микросборки ЦМД

55

Регистр хранения информации мнкросборки ЦМД дефектный

76

Регистры резервные

77

Регистры служебные

78

Регистры хранения информации микросборки ЦМД регервные

77

Регистры хранения информации мнкросборки ЦМД служебные

78

Режим «старт-стоп»

80

16-1-256

149

Страница 13

С. 13 ГОСТ 28111-89

Продвижение math. 2

Термин

Номер тершим

Режим «старт-стол» микросборки ЦМД

80

Репликатор

59

Репликатор ЦМД

59

Решетка ЦМД

18

Сдвиг токов катушек вращающегося поля микросборки ЦМД фазовый

126

Сдвиг фаговый

126

Сила коэрцитивная динамическая

24

Система постоянных магнитов

34

Система постоянных магнкгов микросборхи ЦМД

34

Скорость насыщения доменной границы

25

Сопротивление генератора

117

Сопротивление генератора ЦМД

117

Сопротивление детектора

122

Сопротивление детектора ЦМД

122

Сопротивление катушек врашаюшегося магнитного поля

124

Сопротивление катушек вращающегося магнитного поля микросборки ЦМД

124

Сопротивление обменного переключателя

121

Сопротивление обменного переключателя ЦМД

121

Сопротивление переключателя ввода

118

Сопротивление переключателя ввода-вывода

117

Сопротивление переключателя ввода-вывода ЦМД

117

Сопротивление переключателя ввода ЦМД

118

Сопротивление переключателя вывода

119

Сопротивление переключателя вывода ЦМД

119

Страница данных

75

Страница данных микросборки ЦМД

75

Структура микросборки ЦМД последовательная

66

Структура микросборки ЦМД последовательно-параллельная

67

Структура микросборки ЦМД с блочным реплинированнем

71

Структура микросборки ЦМД с замкштым регистром ввода-вывода

68

Структура микросборки ЦМД с обменным переключателем

70

Структура микросборки ЦМД с ра ме льнымн регистрами ввода-вывода

69

Структура последовательная

66

Структура последовательно-параллельная

67

Структура с блочным реплинированнем

71

Структура с замкнутым регистром ввода-вывода

68

Структура с обменным переключателем

70

Структура с раздельными регистрами ввода-вывода

69

Схема продвижения

44

Схема продвижения ЦМД

44

Схема управления

42

Схема управления ЦМД

42

Ток ввода

102

Ток вывода

103

Ток генератора

101

Ток генератора ЦМД

101

Ток детектора

106

Ток детектора ЦМД

106

Ток обменного переключателя

104

Ток обменного переключателя ЦМД

104

Ток переключателя ввода ЦМД

102

Ток переключателя вывода ЦМД

103

Ток репликатора

105

Ток репликатора ЦМД

105

Ток управления

100

Ток управления микросборки ЦМД

100

Толщина МПФГ

30

Трансфер ввода

63

150

Страница 14

ГОСТ 28111-89 С. 14

Продолжение math. 2

Термин

Номер теринил

Трансфер ввода-вывода

61

Трансфер вывода

62

Угол отклонения осн легкого намагничивания МПФГ

2K

Узел считывания

49

Узел считывания микросборки ЦМД

49

Узел функциональный

43

Узел ЦМД-кристалла функциональный

43

Узел чипа функциональный

43

Устройство на цилиндрических магнитных доменах (аномииаюшее

7

Фактор качества

23

Фактор качества ЦМД-материала

23

ЦМД

2

ЦМД жесткий

3

ЦМД информационный

5

ЦМД-кристалл

31

ЦМД неннформаинонный

6

ЦМД нссквозной

4

ЦМД-материал

11

ЦМ Д-накопитель

9

НМД-иластина

12

ЦМД-снгиал

10

Частота микросборки ЦМД рабочая

95

Частота рабочая

95

Чип

31

Чувствительность детектора ЦМД

127

Ширина полосового домена равновесная

27

Элемент продвижения

45

Элемент продвижения ЦМД

45

Элемент сопряжения

46

Элсмеиг сопряжения схемы продвижения ЦМД

46

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ

ТаблицаЗ

Термин

Номер тершим

A map of defective loop

76

Bias magnetic field

73

Bubble chip

31

Bubble coliaps field intensity

20

Bubble detector

50

Bubble generator

4S

Bubble margin

26

Bubble material

11

Bubble memory

7

Bubble memory controller

&4

Bubble memory device

8

Bubble propagation path

44

Bubble replicator

59

Bubble signal

10

Bubble storage loop

55

Chip

31

Hard bubble

3

Magnetic bubble

2

Major loop

56

1Й-1*

151

Страница 15

С. 15 ГОСТ 28111-89

Продмжение таб.1. J

Термин

Номер термина

Minor loop

55

Propagation element

45

Read gate

61

Redundant gate

77

Replicate gate

59

Rotating magnetic field

72

Strip domain width

27

Swap gate

63

Transfer in

62

Transfer out

61

Write gate

62

X'Y coils

36

ПРИЛОЖЕНИЕ

Справочное

ТЕРМИНЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ, НЕОБХОДИМЫЕ ДЛЯ ПОНИМАНИЯ ТЕКСТА СТАНДАРТА

Т а б л и ц а 4

Определение

Термин

1. Магниюэлектронное изделие

2 Средняя страница

3. Магнитоодноосный материал

4 Полосовая доменная структура

5. Подвижность доменной границы

6 Ьлоховская граница

7. Неелевская граница

& Вертикальная олоховская линия

9.    I Ытряженность поля одноосной магнитной анизотропии

10.    Эффективная напряженность поля одноосной магнитной анизотропии

Изделие, состоящее из конструктивных элементов, функционирующих на основе использования физических явлений магнитной природы

Страница данных, хранящаяся в регистрах хранения, время выборки которой равно половине суммы времени выборки первой и последней страницы данных

Магнитный материал, имеющий единственную ось легкого намагничивания

Упорядоченная совокупность полосовых доменов

Отношение приращения скорости перемещения доменной границы к прирашению напряженности продвигающего се магнитного поля

Доменная граница, в которой разворот вектора намагниченности происходит в плоскости, параллельной плоскости доменной границы

Доменная граница, в которой разворот вектора намагниченности происходит в плоскости, перпендикулярной плоскости ломенной границы Переходной неелевский участок доменной границы, разделяющий бло-ховскис участии доменной границы с противоположными направлениями разворота вектора намагничивания

Отношение удвоенной константы одноосной магнитной анизотропии к намагниченности технического насыщения

Разность напряженности ноля одноосной магнитной анизотропии и намагниченности технического насыщения


152

Страница 16

ГОСТ 28111-89 С. 16

ИНФОРМАЦИОН Н Ы Е ДАН Н Ы Е

1.    РАЗРАБОТЧИКИ

Э. С. Зиборов (руководительтемы); В. Н. Зубков; Г. Д. Пучкова; В. II. Сушков; Н. II. Самров; Э. И. Багдасарьяни; В. Г. Ташнров; П. И. Набокни

2.    УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета СССР но стандартам от 24.04.89 № 1058

3.    ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ

4.    Срок первой проверки — 1994 г.

5.    ССЫЛОЧНЫЕ НОРМАТИВНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ДОКУМЕНТЫ

Обозначение НТД, на который

дана ссылка

Номер пункта

ГОСТ 19693—74

Вводная часть

ГОСТ 25492-82

1

6.11ЕРЕИЗДАН ИЕ

153

16-2-2S6