Товары в корзине: 0 шт Оформить заказ
Стр. 1
 

19 страниц

396.00 ₽

Купить официальный бумажный документ с голограммой и синими печатями. подробнее

Официально распространяем нормативную документацию с 1999 года. Пробиваем чеки, платим налоги, принимаем к оплате все законные формы платежей без дополнительных процентов. Наши клиенты защищены Законом. ООО "ЦНТИ Нормоконтроль".

Наши цены ниже, чем в других местах, потому что мы работаем напрямую с поставщиками документов.

Способы доставки

  • Срочная курьерская доставка (1-3 дня)
  • Курьерская доставка (7 дней)
  • Самовывоз из московского офиса
  • Почта РФ

Распространяется на силовые биполярные транзисторы, в том числе составные, на токи 10 А и более и устанавливает методы измерений электрических, тепловых параметров и проверок предельно допустимых значений параметров

Ограничение срока действия снято: Протокол № 3-93 МГС от 12.03.93 (ИУС № 5-93)

Оглавление

1 Общие положения

2 Методы измерения параметров и проверки предельно допустимых значений параметров

Показать даты введения Admin

Страница 1

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ТРАНЗИСТОРЫ СИЛОВЫЕ БИПОЛЯРНЫЕ

МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЙ

ГОСТ 27264-87 (СТ СЭВ 5538-86)

Издание официальное

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ Москва

Страница 2

УДК 621.М2.31.001.01:006.354    Группе Е69

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ТРАНЗИСТОРЫ СИЛОВЫЕ БИПОЛЯРНЫЕ

Мегоды измерении

Роист li'polar Iransislors. Measurement methods

ГОСТ 27264-87

|СТ СЭВ 5538—86)


ОКП 34 1700

Дата вседения 0101.88

Настоящий стандарт распространяется на силовые биполярные транзисторы, в том числе составные (и дальнейшем — транзисторы), «а токи 10 А и более и устанавливает мегоды измерений электрических, тепловых параметров и проверок предельно допустимых значений параметров.

1. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ

1.1.    Измерения и проверки параметров, если не оговорено особо. проводят при нормальных климатических условиях по ГОСТ 20.57.406-81.

1.2.    Если не оговорено особо, общая относительная погрешность измерения или проверки параметров не должна превышать ±15 % для временных параметров и ±10 % для остальных параметров с доверительной вероятностью 0.95. Конкретные значения погрешностей, при необходимости, должны устанавливаться в технических условиях на транзисторы конкретных типов.

Погрешность установления и поддержания режимов измерения параметров п проверки предельно допустимых значений параметров не должка превышать ±5 % для постоянных токов, напряжений, мощностей и ±10 % для переменных или импульсных токов, напряжении, мощностей.

Погрешность измерения теплового со.тротнвлеиия не устанавливается.

Издание официальное    Перепечатка    •ослрещема

© Издательство стандартов, 1987

2 Зек. 1167

Страница 3

С. 2 ГОСТ 272*4—*7

1.3.    Измерительные устройства, предусмотренные схемами для установления и регулирования режима измерения, могут быть исключены и заменены устройствами автоматического установления и регулирования режима. При этом погрешность этих устройств должна Сыть такой, чтобы погрешность установления и поддержания режимов измерения и проверки соответствовала п. 1.2.

1.4.    В качестве измерительных устройств мгновенных и амплитудных значений, предусмотренных схемами для измерения параметров, допускается применение как осциллоскопов, так и других измерительных устройств (в том числе для измерения временных интервалов).

При этом метрологические характеристики измерительных устройств должны быть такими, чтобы погрешность измерения и проверки соответствовала требованиям п. 1.2.

1.5.    До начала измерения параметров и проверки предельно допустимых значений параметров при максимально и (или) минимально допустимой рабочей температуре транзисторы должны прогреваться или охлаждаться до полного установления теплового равновесия. Точность поддержания температуры перехода до измерения и проверки параметров должна находиться в пределах ±5СС (при нагревании транзисторов внешним источником тепла). При измерении параметров как критериальных в процессе испытаний на воздействие внешних факторов точность поддержания температуры — в соответствии с требованиями метода испытаний поГОСТ 20.57.406-81.

Контроль температуры перехода должен осуществляться по температуре корпуса; допускается контроль по температуре окружающей среды.

При этом необходимо принимать меры, обеспечивающие минимальное изменение температуры перехода относительно корпуса или окружающей среды в процессе измерений параметров.

I 6. При измерении параметров транзисторов устанавливаются фактические их значения; при проверке предельно допустимых значений параметров устанавливается только их соответствие нормированным допустимым значениям без измерения их фактических значений, при этом выход за пределы норм предельно допустимых значений не допускается.

Для проверки параметров транзисторов должны быть использованы методы настоящего стандарта, предназначенные для »г< измерения. При этом в качестве измерительных устройств могут быть использованы пороговые измерительные устройства, указывающие па нахождение проверяемого параметра внутри и вне пределов норм, без указания его конкретного значения.

1.7. Источники напряжения и тока. применяемые в cxevax, должны обеспечивать выходные величины в пределах установлен-

Страница 4

ГОСТ 27264-87 С. 3

ных норм вне зависимости от любых причин, влияющих на лих (в том числе, процессов включения и выключения источников).

1.8.    Стабилизированные источники тока и напряжения должны обеспечивать необходимую стабилизацию тока и напряжения и малый уровень пульсации для обеспечения требуемой ючносш измерений и проверки.

1.9.    Должна быть предусмотрена защита измерительных приборов схемы от перегрузок, являющихся результатом выхода из строя испытуемых транзисторов.

1.10.    Допускается применение объединенных электрических схем для контроля нескольких характеристик :i предельно допустимых значений параметров.

1.11.    Пели в настоящем стандарте при описании схем указываются высокие сопротивления или проводимость элементов сх.*м (в том числе и измерительных приборов), то их значения должны быть настолько большими, чтобы любое их увеличение не вызывало бы значительного изменения измеряемых параметров или режимов измерения и проверки (превышающего допустимую погрешность измерения).

1.12.    Полярность источников питания, указанных на схемах, относится к транзисторам типа п—р—п. Для транзисторов типа р—н—р полярность должна быть обратной.

1.13.    Общая относительная погрешность измерения и проверки по п. 1.2 должна учитывать относительную погрешность установки и дополнительную погрешность, которая определяется степенью влияния погрешности установления и поддержания режимов измерения и проверки на значение контролируемого параметра.

1.14.    Конкретные значения параметров режимов из диапазона значений, указанных в настоящем стандарте (длительность импульсов, скважность и т. п.), должны устанавливаться в технических условиях на транзисторы конкретных ошов.

1.15.    Общие требонания безопасности при испытаниях и измерениях должны соответствовать ГОСТ 12.3.010-80.

1.16.    Методы измерения и проверки даны применительно к использованию транзисторов в схеме с общим эмиттером.

1.17.    Обозначения параметров —по ГОСТ 20003-74.

2. МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ И ПРОВЕРКИ ПРЕДЕЛЬНО ДОПУСТИМЫХ ЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ

2.1.    Метод измерения обратного тока коллектор а-э м и тт е р а (/кэо./ кэ*,/кэ\ )

2.1.1.    Общие положения

2.1.1.1.    Измерспне проводят при температуре перехода 25°С и (или) при максимально допустимой рабочей температуре перехода.

Страница 5

С. А ГОСТ 27244-17

2.1.1.2.    Напряжение коллектор-эмиттер должно быть максимально допустимым.

2.1.1.3.    Режим п цепи базы должен соответствовать указанному в технических условиях на транзисторы конкретных типов.

2.1.2. Средства измерения

2.1.2.1.    Измерение проводят по схеме, приведенной на черт. 1.

2.1.2.2.    Источник импульсного напряжения GI должен обеспечивать импульсы напряжения с параметрами:

1)    амплитуда —по п. 2.1.1.2;

2)    длительность импульсов — от 0,1 до 10 мс;

3)    скважность импульсов — не менее 2;

4)    длительность фронта должна быть такой, при котороП не сказывается влияние скорости нарастания напряжения.

2.1.2.3.    Сопротивление резистора Rвэ (при измерении /кэ* ) должно соответствовать установленному в технических условиях на транзисторы конкретных типов.

ОГ. 03 — исючиики паарякекжя; PI — миеритель мм».

Ммшх значений тпк»:    Я?    — игиемгель »мплл»».<им*

заачеянЯ напряжения: П — реанстор » иепн    V    —

исгыТусмиА трживслор

Черт. I

2.1.2.4. Источник постоянного напряжения G2 (при измерении /кэх ) должен обеспечивать обратное напряжение и цепи базы в соответствии с установленным в «ехннчеекнх условиях на транзисторы конкретных типов.

2.1.3. Проведение измерения

2.1.3.1.    Измерение обратного тока коллектор-эмиттер проводят следующим образом:

1)    устанавливают режим в цели базы в соответствии с п. 2.1.1 3;

2)    устанавливают по измерителю Р2 амплитуду ичиульо л напряжения от источника импульсного напряжения Gl n со-л sc I-ствни с п. 2.1.1.2;

3)    измеряют с помощью измерителя тока PI установившееся значение обратного тока.

2.1.3.2.    Транзистор считают выдержавшим испытание, если обратный ток коллектор-эмиттер не превышает значения, установленного в технических условиях на транзисторы конкретных т::лов.

Страница 6

ГОСТ )ГМ4~41 С. 5

2 2. Метод измерения обратного тока эмиттера (Аэбо )

2.2.1.    Общие положения

2.2.1.1.    Измерение проводят при температуре перехода 25°С и (или) при максимально допустимой рабочей температуре перехода.

2.2.1.2.    Обратное напряжение эмиттер-база должно быть максимально допустимым.

2.2.1.3.    Цель коллектора разомкнута.

2.2.2. Средства измерения

2.2.2.1. Измерение проводят по схеме, приведенной на черт. 2.

2.2.2 2. Источник импульсного напряжения С должен обеспечивать импульсы напряжения с параметрами но п. 2.1.2.2, перечисления 2—4, при этом амплитуда — но п. 2.2.1.2.

Р1 — мамегмгель мпгиреиикх мачмиЛ to. ка; Pi — илиппел» » v. плату двьх значек»» к»прии<*»ий:    О    —    поичкин    мйпржмии»-,

V — 1Кви.тус*мй тр«П1ИГ¥ор

Черт. 2

2.2.3.    Проведение измерения

2.2.3.1.    Измерение обратного тока эмиттера проводят следующим образом:

1)    устанавливают по измерителю Р2 амплитуду импульсов напряжения от источника импульсов напряжения (id соответствии с п. 2.2.1.2;

2)    измеряют с помощью измерителя Р1 установившееся значение обратного тока (через интервал времени с момента начала импульса напряжения, достаточный для завершения переходных процессов).

2.2.3.2.    Транзистор считают выдержавшим испытание, если обратный ток эмиттера не превышает значения, установленного в технических условиях на транзисторы конкретных типов.

2.3.    Метод измерения обратного тока коллектора (/кк>)

2.3.1.    Общие положения

2.3.1.1.    Измерение проводят при температуре перехода 25°С и (или) при максимально допустимой рабочей температуре перехода.

Страница 7

с. f fOCI ПШ-Ч

2.3.1.2.    Напряжение коллектор—база должно быть максимально допустимым.

2.3.1.3.    Цепь эмиттера разомкнута.

2 12. Средства измерения

2.3.2.1. Измерение проводят по схеме, приведенной на черт 3.

Р) — uiucpBir.ii мгигоемиых )нэчс1шП то-кл; Pi — к»иг|>£1«дь дколягулиьп *н»че-шм г4а?ял«я**; Сг — источим» уапяихе-нвя; Г — испытуеяып тповшстор

Черт. 3

2.3.2.2. Источник импульсного напряжения G должен обеспечивать импульсы напряжения с параметрами по п. 2.1.2.2, перечисления 2—4, при этом амплитуда — но п. 2.3.1.2.

2.3.3. Проведение измерения

2.3.3.1.    Измерение обратного тока коллектора проводят следующим образом:

1)    устанавливают по измерителю Р2 амплитуду импульсов напряжения от источника импульсов напряжения G п соответствии с п. 2.3.1.2;

2)    измеряют с помощью измерителя Р/ установившееся значение обратного тока.

2.3.3.2.    Транзистор считают выдержавшим испытание, если обратный ток коллектора не превышает значения, установленного в технических условиях на транзисторы конкретных типов.

2.4.    Метод измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер (*Лэи«. ) и напряжения насыщения база-эмиттер ((/о:*,ас )

2.4.1.    Общие положения

2.4.1.1.    Измерение проводят при температуре перехода 25 °С и (или) минимально допустимой температуре перехода.

2.4.1.2.    Ток базы должен соответствовать указанному в технических условиях на транзисторы конкретных типов.

2.4 1.3. Ток коллектора расеи /мисс (0.5 /к.и.т» , если иное не указано в технических условиях на транзисторы конкретных типов) и /к. U. mat .

2.4.1.4.    Расположение контрольных точек измерения напряжения должно соответствовать установленному в технических условиях на транзисторы конкретных типов.

Страница 8

ГОСТ 27264-87 С, 7

2.4.2. Средства измерения

2.4.2.1.    Измерение проводят но схеме, приведенной на черт. 4.

2.4.2.2.    Источник импульсного тока G'/ должен обеспечивать:

1)    импульсы базового тока —- по п. 2.4.1.2:

2)    длительность импульсов —от 0,1 до 1,0 мс;

3)    скважность—■ не менее 100.

2.4.2.3.    Источник постоянного напряжения G2 должен обеспечивать напряжение, не превышающее максимально допустимое постоянное напряжение коллектор эмиттер, н импульсы тока коллектора при наличии тока базы в соответствии с п. 2.4.1.2.

PJ, Pi — пэм«рнт*лн ничлатгдныя зшчеьий тохз; f'J, Р4 — ЯЗН«РИ!*ЛИ мгновенных зи»чси»й шпрн'мриин. 01 — источник ток»: С? — источник адчряжен**. ' ветлу «ими траиаНстир

Черг. 4

2.4.3. Проведение измерения

2.4.3.1.    Измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и напряжении насыщении база-эмигтер проводят следующим образом:

1)    устанавливают но измерителю PI амплитуду импульсов тока п соответствии с п. 2.4.1.2. а по измерителю Р2—'а соответствии с it. 2.4.1.3;

2)    через интервал времени с момента начала импульса базового тока, достаточного для завершения переходных процессов, измеряю* с помощью измерителя РЗ установившееся значение напряжения насыщения база-эмиттер, а с помощью измерителя Р4~~ устаиовившееся значение напряжения насыщения коллектор-эмиттер.

2.4.3.2.    Транзистор считают выдержавшим испытание, если напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер не превышают значений, установленных в технических усл^в^ях па транзисторы конкретных типов.

2.5. Метод измерения статического к о з ф Ф и-циеита передачи тока (А)

2.5.1.    Общие положения

2.5.1.1.    Измерение проводят при температуре перехода 25 °С и (или) минимально допустимой температуре перехода.

Страница 9

С. 8 ГОСТ 27244—#7

2.5.1.2.    Напряжение коллектор-эмиттер во время действия импульса базового тока 5 В (если иное не предусмотрено в технических условиях на транзисторы конкретных типов).

2.5.1.3.    Ток коллектор-эмиттер во время действия импульса базового тока равен /к тс (0,5 /к.и.т»» . если иное не указано в технических условиях на конкретные типы транзисторов), /к. и, та ж и, при необходимости, другому значению, установленному в технических условиях на транзисторы конкретных типов.

2.5.2. Средства измерения

2.5.2.1.    Измерение проводят по схеме, приведенной на черт. 5.

2.5.2.2.    Источник импульсного тока G1 должен обеспечивать:

1)    амплитуду импульсов тока, регулируемую в пределах от нуля до максимально допустимого импульсного тока базы;

2)    длительность импульсов — от 0,1 до 1,0 мс;

3)    скважность импульсов —ие менее 100.

2.5.2.3.    Источник постоянного напряжении G2 должен обеспечивать:

1)    амплитуду импульсов тока коллектора яо время действия импульса базового тока по п. 2.5.1.3 при напряжении коллектор-эмиттер ио п. 2.5.1.2;

2)    напряжение при отсутствии тока базы, не превышающее максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер.

PI. Pi — шмергтелв ачллигуюых чичент! иже: РЗ —

■оисритсль unicecuiiux лавчеиий иапрютнл: GI — вс-iviiikK тола: 03 — источник мгпряжсияя. V — шгшуг-мий г?ак*ясго|!

Черт. б

2.5.3. Проведение измерении

2.5.3.1. Измерение статического коэффициента передачи тока проводят путем регулировки амплитуды импульсов тока от источника Gin регулировки напряжения от источника G2, в результате чего достигают состояния, когда ток коллектора (показание измерителя Р2) равен указанному в п. 2.5.1.3 при напряжении на коллекторе 5 В (показание измерителя РЗ).

Статический коэффициент передачи тока (Ььэ ) определяют по формуле

/»нэ--/к -/г»

Страница 10

ГОСТ 17144-87 С. 9

где / к — показание измерителя Р2\

1т, — показание измерителя PI.

Измеритель тока Р1 может быть проградуирован непосредственно в значениях Ллэ •

2.5.3.2. Транзистор считают выдержавшим испытание, если статически» коэффициент передачи тока находится в пределах интервала значений, установленного в технических условиях на конкретный тип транзистора.

2.6. Метод измерения времени включении (/«). выключения    ),    задержки    ),    нарас

тания (/„р), рассасывания (/*,«) и спада (/<„)

2.6.1.    Общие положения

2.6.1.1.    Измерения проводят при температуре перехода 25 °С и (или) при максимально допустимой рабочей температуре перехода.

2.6.1.2.    Напряжение коллектор—эмиттер должно быть не более 0,5 от граничного напряжения, если иное не установлено в технических условиях на транзисторы конкретных типов.

2.6.1.3.    Ток коллектора во время действия импульса базового тока равен /к. **».- (0,5 /ч.и,ли., если иное -не указано в технических условиях на транзисторы конкретных типов), /к.и.ч>*> ». при необходимости, другому значению, установленному в технических условиях на транзисторы конкретных типов.

2.6.1.4.    Импульс тока базы (If.) должен иметь параметры:

1)    форма — прямоугольная;

2)    амплитуда —в соответствии с указанной в технических условиях на транзисторы конкретных типов;

3)    длительность импульсов —от 0,1 до 1,0 мс;

4)    скважность —не менее 100;

5)    скорость нарастания и скорость спада такие, увеличение которых не влияет на результат измерения; при этом длительность фронта — не более 0,1 от времени нарастания испытуемого транзистора, а длительность спада— не более 0,1 от времени выключения испытуемого транзистора;

6)    амплитуда выброса на вершине импульса не должна превышать 10 % амплитудного значения импульса.

2.6.1.5.    Обратный импульс тока базы (/ка ) с параметрами:

1)    амплитуда импульса />/п ;

2)    длительность не менее 5    ;

3)    длительность фронта — не более 0,1 от времени выключения испытуемого транзистора;

4)    амплитуда выброса на вершине импульса не должна превышать 10 % амплитудного значения импульса.

2.6.2. Сродства измерения

2.6.2.1. Измерения проводят по схеме, приведенной на черт. 6. Эпюры импульсов тока и напряжения приведены на черт. 7.

Страница 11

С. 10 ГОСТ 27U4—37

HI. R2 — боиилунтмвяые шмсргтслмь'е pWBCtOpM < мя.шм созргсввлемкеи; N — схадллоосос; Р — *»-мсрятсль амллктудмих гмачсниА ток*; 01 — ясточанк iu пряжения 02 — источник ток»; V — ысаытувмый

триикстор

Черт. 6

2.6.2.2.    Источник постоянного напряжения GI должен обеспечивать напряжение и ток коллектора по пп. 2.6.1.2 и 2.6.1.3.

2.6.2.3.    Источник импульсного тока G2 должен обеспечивать двуполярные импульсы по пп. 2.6.1.4 к 2.6.1.5.

2.6.3.    Проведение измерении

2.6.3.1.    Измерения времени включения ), выключения (/«««л задержки (/.; ), нарастания (/„р ), рассасывания (fp4c) и спада (/СП ) проводят следующим образом:

I) устанавливают режим работы транзистора по цепи базы и коллектора;

2» с помощью осциллоскопа и в соответствии с эпюрами на черг. 7 измеряют ttK£, t„ишл, tix , 1„р , tpt!, tftl.

2.6.3.2.    Транзистор считают выдержавшим испытание, если измеренные времена не превышают значений, установленных в технических условиях та транзисторы

2.7. Метод измерения

коллектор-эмиттер U кэо np<.6 . U кзй прпб ,£/кэх лрлв и проверки максимально допустимого постоянного

напряжения КОЛЛСКТОрЭМНТТер С/|(Э0сп«* . ^КЭКиа*. (J К -iX I!-?*

2.7.1.    Общие положения

2.7.1.1.    Измерения проводят при максимально допустимой температуре перехода и (или) 25°С.

2.7.1.2.    Напряжение коллектор-эмиттер должно иметь парамет-

ры:


1)    форма —прямоугольная илм синусоидальная;

2)    длительность —от 0,1 до 10 мс;

3)    скважность — не менее 2;

Страница 12

ГОСТ 272*4—Ы С. 11

2.7.1.3.    Ток коллектора должен соответствовать значению, указанному в технических условиях на транзисторы конкретных типов.

4) длительность фронта должна быть такой, при которой не сказывается влияние скорости нарастания напряжения.


2.7.1.4.    Режим в цепи базы должен соответствовать указанному в технических условиях на транзисторы конкретных типов.

2.7.2. Средства измерения

2.7.2.1.    Измерения проводят по схеме, приведенной на черт. I.

2.7.2.2.    Источник импульсного (напряжения G1 должен обеспечивать импульсы напряжения no п. 2.7.1.2 с регулируемой амплитудой в пределах от нули до наиболее возможного пробивного напряжения.

2.7.2.3.    Источник постоянного напряжения G2 (при измерении U кэх пров ) должен обеспечивать обратное напряжение п цепи базы в соответствии с установленным в технически* условиях иа транзисторы конкретных типов.

2.7.2.4. Значение сопротивления Rвэ (при измерении (/кэп) голжно соответствовать указанному в технических условиях иа фанзисторы конкретных типов.

2.7.3. Проведение измерений

2.7.3.1. Измерение пробивного напряжения коллектор-эмиттер 1','оводят следующим образом:

1)    устанавливают заданный режим в цепи базы;

2)    увеличивают напряжение источника GI от нуля до момента достижения током коллектор-эмиттер значения в соответствии с н.2.7.1.3;

Страница 13

С. 12 ГОСТ 27164-»7

3)    юк контролируют по измерителю Р/;

4)    но измерителю Р2 определяют пробивное напряжение.

2.7.3.2.    Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер определяют как часть от пробивного напряжения в соответствии с выражением Uk*wh =/С^кЭпМ , где коэффициент К должен соответствовать установленному в технических условиях на транзисторы конкретных типов.

Проверку максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер проводят при тех же условиях и по той же схеме. При этом от источника импульсного напряжения 01 на транзистор подают напряжение, равное максимально допустимому.

2.7.3.3.    Транзистор считают выдержавшим испытание, если обратный ток коллектор-эмиттер не превышает значения, установленного в технических условиях на транзисторы конкретных типов для максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер.

2.8.    Метод измерения пробивного напряжения коллектор-база У к во -v& » проверки максимально допустимого постоянного напряжения коллектор-база U квотах

2.8.    J. Общие положения

2.8.1.1.    Измерение проводят при максимально допустимой температуре перехода и (или) 25 °С.

2.8.1.2.    Напряжение коллектор-база по п. 2.7.1.2.

2.8.1.3.    Ток коллектора должен соответствовать значению, указанному в технических условиях на транзисторы конкретных типов.

2.8.1.4.    Цепь эмиттера разомкнута.

2.8.2. Средства измерения

2.8.2.1.    Измерение проводят по схеме, приведенной на черт. 3.

2.8.2.2.    Источник импульсного напряжения G должен обесЬе-чнпать импульсы напряжения по п. 2.7.1.2 с регулируемой амплитудой в пределах от нуля до наиболее возможного пробивного напряжения.

2.8 3. Проведение измерения

2.8.3.1.    Измерение пробивного напряжения коллектор-база проводят следующим образом:

1)    увеличивают напряжение от источника импульсного напряжения и при этом по измерителю PI контролируют обратный ток коллектора;

2)    при достижении значения тока по п. 2.8.1.3 с помощью измерителя Р2 измеряют пробивное напряжение.

2.8.3.2.    Максимально допустимое напряжение коллектор-база определяют как часть от пробивного напряжения в соответствии с выражением С/кг»™-. = К£/кг.о»*.б . где коэффициент К в соответствии с п. 2.7.3.2.

Проверку максимально допустимого напряжения коллектор-база проводят при тех же условиях и по той же схеме. При этом от

Страница 14

ГОСТ 272*4—«7 С. 13

источника импульсного напряжения G на транзистор подают напряжение, равное максимально допусшмому.

2.8.33. Транзистор считают выдержавшим испытание, если обратный ток коллектора не превышает значении, установленного в технических условиях на транзисторы конкретных типов.

2.9.    Метод измерения пробивного напряжения эмиттер-база t/эвопр.л и проверки максимально допустимого постоянного напряжения эмиттер, база U ибо

2.9.1.    Общие положения

2.9.1.1.    Измерение производится при максимально допустимой температуре перехода и (или) 25°С.

2.9.1.2.    Обратное напряжение эчиттер-база — по п. 2.7.I.2.

2.9.1.3.    Ток базы должен соответствовать значению, указанному в технических условиях на транзисторы конкретных типов для пробивного напряжения.

2.9.1.4.    Цепь коллектора разомкнута.

2.9.2.    Средпва измерения

2.9.2.1.    Измерение проводят по схеме, приведенной на черт. 2.

2.9.2 2. Источник импульсного напряжения (7 должен обеспечивать импульсы напряжении по п. 2.7.1.2 с регулируемой амплитудой в пределах от нули до наибольшего возможного пробивного напряжения.

2.9.3.    Проведение измерения

2.9.3.1.    Измерение пробивного напряжения эмиттер-база проводят следующим образом:

1)    увеличивают напряжение от источника импульсов напряжения и при этом по измерителю Р/ контролируют обратный ток базы;

2)    при достижении значения тока по п. 2.9.1.3 с помощью измерителя Р2 измеряют пробивное напряжение.

2.9.32. Максимально допустимое напряжение эмиттер-база определяют как часть от пробивного напряжения в соответствии с ныражением 6,э5рл,ч = ЛЧ/^бо ар.г» , где коэффициент К должен соответствовать усыновленному в технических условиях на транзисторы конкретных типов.

Прочерку максимально допустимого напряжения эмнттер-база проводят при тех же условиях и по той же схеме. При этом от источника импульсного напряжения О на транзистор полают напряжение, равное максимально допустимому.

2 9.3.3 Транзистор считают выдержавшим испытание, если обратный ток эмиттера не превышает значения, установленного в технических условиях на транзисторы конкретных типов для максимально допустимого напряжения эмиттер-база.

2.10.    Метод измерения граничного напряжения коллектор-эмиттер (Гкэоп )•

Страница 15

С. 14 ГОСТ 27267-87

2.10.1.    Общие положения

2.10.1.1.    Измерение проводят при максимально допустимой температуре перехода и (или) 25СС.

2.10.1.2.    Ток базы — постоянный, обеспечивающий вхождение транзистора в область насыщения, который должен соответствовать указанному в технических условиях на транзисторы конкретных типов.

2.10.1.3.    Постоянный ток коллектора — не менее 3/к, где /к — ток коллектора, при котором измеряют граничное напряжение (должен соответствовать указанному в технических условиях на транзисторы конкретных типов.

Pi. Pi — niMcpinean постоянного mi; С/ — источник напряжения. 02 — лстпчвих тон*; IЧ>. Я!

КЗ — ремсторы IR2 — бетыняуктииянЯ идести-

тегьпмп):    I    --    ичлхжтиьнсслл    S    ~    пггел.-ючлтс.и.;

14 --осциллоскоп. I'- - испитуечиЛ трантстор

Черт. S

2.10.2. Средства измерения

2.10.2.1. Измерение проводят по схеме, приведенной «а черт. 8.

Источник постоянного тока G2 должен обеспечивать ток базы по п. 2.10.1.2.

Источник постоянного напряжения G1 должен обеспечивать:

1)    напряжение в диапазоне 10 (Укэнк.^ч t/кэ<^кэогршю , где U кэ нас га«* —максимальное значение напряжения насыщения коллектор-эмиттер;

Uкэорmin —минимальное граничное напряжение, которое может быть измерено;

2)    ток коллектора в соответствии с п. 2.10.1.3.

Резисторы Rl. R3 выбирают из условия обеспечения требуемого режима измерения.

Индуктивность L выбирают исходя из значения времени вхождения транзистора в режим пробоя н нахождения в этом режиме Опров ), которое должно быть значительно больше времени спада (/,-„) транзистора (frp<A >5

Страница 16

ГОСТ 27264—«7 С. »5

2.10.2.2. Переключатель S должен обеспечивать частоту следования импульсов тока от 1 до 50 Гц.

2.10.3. Проведение измерения

Измерение граничного напряжения коллектор-эмиттер проводят следующим образом:

1)    при замкнутом переключателе S устанавливают ток базы и ток коллектора по пп. 2.10.1.2 и 2.10.1.3.

2)    разрывая переключателем 5 базовую цепь с установленной частотой следования, наблюдают на экране осциллоскопа вольг-амперную характеристику, соответствующую нулевому току базы (черт. 9).

При токе коллектора, равном измерительному, определяют граничное напряжение коллектор-эмиттер.

2.11. Метод измерения теплового сопротивления переход-корпус    (на    составные    тран

зисторы не распространяется)

2.11.1.    Общие положения

2.11.1.1.    Токи коллектора и базы должны быть постоянные.

2.11.1.2.    Значения токов коллектора, базы и эмиттера такие, при которых перегрев перехода относительно корпуса транзистора обеспечивает достаточную точность измерения, а рассеиваемая н транзисторе мощность не более максимально допустимой P(ft .

2.11.1.3.    Расположение контрольной точки измерения температуры на корпусе—в соответствии с техническими условиями на транзисторы конкретных типов.

Черт. 9

2.11.2. Средства измерений

2.11.2.1.    Измерение проводят по схеме, приведенной на черт. 10.

2.11.2.2.    Источники постоянного тока G1 и G2 должны обеспечивать токи по пп. 2.11.1.1 и 2.11.1.2.

Страница 17

С. 16 ГОСТ 37264—17

2.11.2.3.    Регулируемый источник стабилизированного постоянного измерительного тока G3 должен обеспечивать ток. соответствующий установленному в технических условиях на транзисторы конкретных типов.

2.11.2.4.    Регулируемый источник стабилизированного постоянного напряжения G4 должен обеспечивать напряжение, регулируемое до значения не менее обусловленного измерительным током источника G3.

PI, Pi. PS — шкерятели постоянного tor.»: РЗ. РТ. Р1 — измерители гостояниого напряжения; S — алектрояиыА или >xci:rpoxe.x4> иичеош* ключ. 03 — р*Г)лкр!Гв*ыП источник ставили .ироазикогч) Г-МСТОИИН^ГО ТОК4: 01 — (XTy.IKpVfVUfl IKtv4lf.*K Cr*6*.»lljl((K>0.JMe<l-го постои иного аапрхжсанц Gl, Ct — источники ростояииого токз.

N • осциллоскоп ддя рггкстроли» язмеиемкя т«^п^?ат>?ы во ер? иска. Р6 — потенциометр постоянного гожа; Е — терможра (р.ы Яругоб КТПОПСТИС ЯЯП    r*«D.pjrypt4 КС'- уса». V — ИСПЫТ)-

«иыЛ Тринздстор

Черт. 10

2.11.2.5. Переключатель S должен обеспечивать частоту следования от 1 до 50 Ги и измерение температуры перехода не позднее чем через I мс после прекращения подачи тока or источника G2.

2.11.3. Проведение измерения

Измерение теплового сопротивления проводят следующим образом:

1)    проводят градуировку транзистора, т. е. строят градуировочную крнвую на основе измерений термочувствительного параметра при выбранном значении измерительного тока как функции температуры перехода, которая изменяется под действием внешнего источника тепла;

2)    проводят сборку транзистора с охладителем;

3)    устанавливают от источника G3 измерительный ток, равный току при градуировке;

4)    устанавливают условия охлаждения и токи от источников попп. 2.11.1 1 и 2.11.1.2.

Страница 18

ГОСТ 27264-87 С. 17

5j нагревают транзистор до установившегося теплового состояния (установившееся тепловое состояние фиксируют по установи ленню температуры корпуса);

6)    измеряют гокн i'k , »к через транзистор с помощью измори* гелей РУ п Р5 и напряжения Uкэ, С'вэ —с помощью измерителей РЗ и Р4;

7)    измеряют температуру 1К (при одностороннем охлаждении) или температуру корпуса /»о<, 1%к (при двустороннем охлаждении соответственно со стороны эмиттерного и коллекторного выводов);

8)    измеряют темпера гуру среды (/ );

9)    отключают выключатель S;

10)    измеряют значение прямого напряжения база-эмиттер компенсационным методом с помощью источника G4, измерителя Р7 и осциллоскопа -V;

11)    определяют температуру переходов (/„ ) с помощью градуировочной кривой;

12> рассчитывают тепловые сопротивления переход-корпус R тгй-к);

для одностороннего охлаждения по формуле

_^п~ Ас

Т(П-К)--р-,

1

где

UКЭ+h Uьэ,

t„ — температура перехода;    »•"    '

/к —температура корпуса.

Для двустороннего охлаждения по формуле

ЛЯци i;}3    *>К

НИ w)— п    '    р

Л1|П-Ь>К

/„ t.*

где /?t(n-k)3 - —}—у—R«* -гр)з!

«к»—'ср

Яг(м .!К--1— i*    i|i)K<

*кК '<Р

R tfK-cp) и R ,-(к-ер>к — тепловые сопротивления корпус-среда со стороны эмнттерного и коллекторного выводов соответственно (тепловые сопротивления охладителей);

и /,к —температура корпуса соответственно со стороны эмит-терного и коллекторного выводов;

/ср — температура охлаждающей среды.

Измерение тепловых сопротивлений корпус-среда со стороны эмнттерного и коллекторного выводов производят при тепловой изоляции с противоположной стороны.

Страница 19

С. 18 Г0С1 i/164—87

ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ

1.    РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Министерством электротехнической промышленности СССР

ИСПОЛНИТЕЛИ

А. Н. Думвиеамч, клнд. техн. наук; В. П. Бслотепоя: А. Н. Ильич**; В. В. Бра-толюбов, хамд. тех*. неук, Б. П. Курбвто*; В. В. Сажи на

2.    УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 31.03.87 № 1093

3.    Срок первой проверки 1993 г.

4.    Стандарт полностью соответствует СТ СЭВ 5538—86.

5.    Стандарт полностью соответствует международным стандартам МЭК 147—2—63, МЭК 147—2С—70,    МЭК 147—2М—80,

МЭК 747—1—83.

6.    ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ

7.    ССЫЛОЧНЫЕ НОРМАТИВНО ТЕХНИЧЕСКИЕ ДОКУМЕНТЫ (НТД):

Homtp «ункта

Г ОСТ 123.0!!)' 80

1.15

ГОСТ 20 57 406- 81

1.1. 1.5

ГОСТ 20003-74

1.17

Редакюр А. Л. Владилирпа ТсхиичссоЯ редактор Л Н. Мтрофчночи Корректор О. М. Смирнова

Соако s и «б ’O.I2.S7 Пола, в печ. Si.Uti.e7 1.25 >.л и. л. I.JS ус.» «ii.-ОЛ. I..2 >ч.им- Л. Ткр. 8С«) Цена 5 коп.

Ордии «Зжак Почете» Иадатвльси» стандартов. 123840. Москва. ГСП. НомпреокшсхиА nfp.. 3.

Калужск-ш 1и111чр«ф|м стячдир'оь. ул. MwHuhCifа я. 236. За*. НОТ