Стр. 1
 

28 страниц

456.00 ₽

Купить официальный бумажный документ с голограммой и синими печатями. подробнее

Официально распространяем нормативную документацию с 1999 года. Пробиваем чеки, платим налоги, принимаем к оплате все законные формы платежей без дополнительных процентов. Наши клиенты защищены Законом. ООО "ЦНТИ Нормоконтроль".

Наши цены ниже, чем в других местах, потому что мы работаем напрямую с поставщиками документов.

Способы доставки

  • Срочная курьерская доставка (1-3 дня)
  • Курьерская доставка (7 дней)
  • Самовывоз из московского офиса
  • Почта РФ

Устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения параметров полупроводниковых диодов

Оглавление

Общие понятия

Выпрямительные диоды

Туннельные диоды

Варикапы

Стабилитроны

Сверхвысокочастотные диоды

Шумовые диоды

Алфавитный указатель терминов на русском языке

Алфавитный указатель терминов на немецком языке

Алфавитный указатель терминов на английском языке

Алфавитный указатель терминов на французском языке

Приложение 1 Термины, определения и буквенные обозначения общих понятий полупроводниковых приборов

Приложение 2

Страница 1

Группа ЭОО

МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

ДИОДЫ I ЮЛ УIIРОВОДН И КОВЫ Е Термины, определения и буквенные обозначения параметров

Semiconductor diodes.

Terms, definitions and letter symbols

MKC 01.040.31 31.080.10 ОКСТУ 6201

Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 29 ноября 1982 г. № 4482 дата введения установлена

01.01.84

Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения параметров полупроводниковых диодов.

Термины и русские буквенные обозначения, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе.

Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации на полупроводниковые диоды, предназначенные для экспортных поставок.

Дтя каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов-сино-нимов стандартизованного термина запрещается. Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в стандарте в качестве справочных и обозначены «Ндп1.

Установленные определения можно, при необходимости, изменять по форме ихтоженпя. не допуская нарушения границ понятий.

В случаях, когда необходимые и достаточные признаки понятия содержатся в букватьном значении термина, определение не приведено, и соответственно в графе «Определение» поставлен прочерк.

В стандарте в качестве справочных приведены иностранные эквиваленты для ряда стандартиад-ванных терминов на немецком (D), английском (Е) и французском (F) языках.

В стандарте приведены атфавитные указатели содержащихся в нем терминов на русском языке и их иностранных эквивалентов.

В стандарте имеется 2 приложения. Приложение 1 содержит термины и определения общих понятий полупроводниковых приборов. Приложение 2 содержит вольт-амперные характеристики, диаграммы и кривые токов и напряжений.

Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, а недопустимые синонимы — курсивом.

(Измененная редакция, Изм. № 1).

1

Издание с Изменением № I. утвержденный в октябре 1986 г. (ИУС 1—87).

9-256    93

Страница 2

С. 2 ГОСТ 25529-82

Буквенное обозначение

Термин

Определение

международное

русокос

ОБЩИЕ ПОНЯТИЯ

I. Постоянное прямое1 на

UF

пряжение диода

D. Durchlassglcichspan-

nung der Diode

E. Forward continuous

voltage

F. Tension dircctc

continue

2 Импульсное прямое на

^FM

пряжение диода

D. Spitzendurchlassspan-

nung der Diode

E. Peak forward voltage

F. Tension dircctc dc crctc

3. Постоянное обратное на

Ц*Р

*>R

пряжение диода

D. Sperrglcichspan-

nung der Diode

E. Reverse continuous

voltage

F. Tension inverse

continue

4. Импульсное обратное на

bu

пряжение диода

D Spit/ensperrspan-

nung der Diode

E. Peak reverse voltage

F. Tension inverse dc crctc

5. Среднее прямое напряже

^np.ep

“f (AV)

ние диода

D. Mittlcrc Durchlassspan-

nung der Diode

E. Average forward voltage

F. Tension dircctc moycn-

nc

6l Пробивное напряженке

^проб

*-<BR)

диода

D. Durchbruchspannung

der Diode

E. Breakdown voltage

F. Tension dc claquagc

7. Постоянный прямой ток

'np

r*

диода

D. Durchlassgleichstrom

der Diode

E. Forward continuous

current

F. Courant direct continu

Постоянное значение прямого напряжении при заланном прямом токе полупроводникового диода

Наибольшее мгновенное значение прямого напряжения, обусловленное импульсным прямым током диода заданного значения

Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения диода

Среднее за период значение прямого напряжения диода при заданном среднем прямом токе

Значение обратного напряжения, вызывающее пробои перехода диода, при котором обратный ток достигает заданного значения


94

1

В каждом конкретном случае использования термина следует в его наименовании слова «диод* или «СВЧ диод» заменить понятием, определяющим группу диода, например «постоянный обратный ток диода» следует писать «постоянный обратный ток стабилитрона».

Страница 3

ГОСТ 25529-82 С. 3

Термин

Буквенное Ымхиачение

Определение

русское

международное

& Импульсный прямой ГОК

'пр. и

Наибольшее мгновенное значение

диода

прямого тока диода, исключая повто

D. Spitzcndurchlassstrom

ряющиеся и неповгоряющиеся переход

dcr Diode

ные ГОКИ

О. Peak forward current

F. Courant direct de crSte

9. Средний прямой ток

^np.tp

'Ь <AV)

Среднее за период значение прямо

диода

го тока диода

D. Mittlerer Durchlass-

strom der Diode

E. Average forward current

F. Courant durect moyen

10. Постоянный обратный ток

Авр

диода

D. Sperrglcichstrom dcr

Diode

0. Reverse continuous

current

F. Courant inverse

continu

11. Импульсный обратный

овр. II

Аш

Наибольшее мгновенное значение

ток диода

обратного тока диода, обусловленного

D. Spitzensperrstrom der

импульсным обратным напряжением

Diode

0. Peak reverse current

F. Courant inverse de crcte

12. Прямая рассеиваемая

Лф

л.

Значение мощности, рассеиваемой

мощность диода

диодом при протекании прямого тока

D. Durchlassvcrlustlei-

stung der Diode

E. Forward power dissi

pation

F. Dissipation de puis

sance en direct

13. Обратная рассеиваемая

Л)0р

р*

Значение мощности, рассеиваемой

мощность диода

диодом при протекании обратного тока

Е. Reverse power

dissipation

F. Dissipation de puis

sance en inverse

14. Средняя рассеиваемая

'ср

р

Среднее за период значение мощно

мощность диода

сти. рассеиваемой диодом при проте

D. М it tie re Verlustleistung

кании прямого и обратного токов

dcr Diode

E. Average power dissi

pation

15. Импульсная рассеиваемая

Л.

Ли

Наибольшее мгновенное значение

мощность диода

мощности, рассеиваемой диодом

D. Spitzenverlustleistung

dcr Diode

E. Peak power dissipation

16. Общая емкоегь диода

Са

Значение емкости между выводами

D. Gcsamtkapa/itiit dcr

диода при заданном режиме

Diode

L Terminal capacitance

F. Capasite aux borncs

r

95

Страница 4

С. 4 ГОСТ 25529-82

Термин

Буквенное обозначение

Определение

русское

международное

17. Емкость перехода диода

D.    Spcrrschichtkapazitiit dcr Diode

E.    Junction capacitance

F.    Capacity dc jonction

с

'■пер

С,

Общая емкость диода бет емкости корпуса.

П р и м с ч а н и е. В случае, когда диод имеет p-i-n структуру, допускается использовать термин «емкость структуры» и буквенное обозначение «Сс1р»

IS. Ьмкость корпуса диода

D.    Gchau-sckapazii&t der Diode

E.    Case capacitance

Оор

Значение емкости между выводами корпуса диода при отсутствии кристалла

19. Дифференциальное сопротивление диода

D.    Diflerentieller Widcr-sXand dcr Diode

E.    Differential resistance

F.    Resistance difftrcntielle

Гдиф

Г

Отношение малого прирашения напряжения диода к малому прирашению тока в нем при заданном режиме

20. Последовательное сопротивление погерь диода

D.    Serienwidcrstand der Diode

E.    Total series equivalent resistance

F.    Resistance airie totale equivalent

гп

Л

Суммарное эквивалентное активное сопротивление кристалла, контактных соединений и выводов диода

21. Тепловое сопротивление диода

D.    Wfirmewidcrstand

E.    Thermal resistance

F.    Resistance thermique

Отношение разности эффективной температуры перехода и температуры в контрольной точке к рассеиваемой мощности диода в установившемся режиме

22. Импульсное тепловое сопротивление диода

Отношение разности эффективной температуры перехода и температуры в контрольной точке к импульсной мощности диода

23. Тепловое сопротивление переход — окружающая среда дно да

^Воер-окр

Тепловое сопротивление диода в случае, когда температурой в контрольной точке является температура окружающей или охлаждающей среды

24. Тепловое сопротивление переход — корпус диода

Е. Thermal resistance junction to case

^Воер-кор

Тепловое сопротивление диода в случае, когда температурой в контрольной точке является температура корпуса диода.

Примечание. Если полупроводниковый кристалл имеет многослойную структуру, может быть использован термин «тепловое сопротивление структура — окружающая среда* или термин «тепловое сопротивление структура — корпус»

25. Тепловая емкость диода

Е. Thermal capacitance

Се

96

Отношение тепловой энергии, накопленной в диоде, к разности эффективной температуры перехода и температуры в контрольной точке

Страница 5

ГОСТ 25529-82 С. 5

Термин

Bvkbciuipc обозначение

Определение

русское

международное

26. Переходное тепловое со

^titiH

Отношение разности изменения тем

противление диода

пературы перехода и температуры в кон

0. Transient thermal

трольной точке и конце заданного ин

impedance

тервала времени, вызывающего изменение температуры, к скачкообразному изменению рассеиваемой мощности диода в начале этого интервала.

Примечание. Непосредственно перед началом этого интервала времени распределение температуры внутри диода должно быть постоянным во времени

27. Переходное тепловое со

^©nep-oap

й

Переходное тепловое сопротивление

противление переход —

диода в случае, когда температурой в

окружающая среда диода

контрольной точке является темпера

Е. Transient thermal im

тура окружающей или охлаждающей

pedance junction to

среды

ambient

28. Переходное тепловое со

^пер-кор

Переходное тепловое сопротивление

противление переход —

диода в случае, когда температурой в

корпус диода

контрольной точке является темпера

Е. Transient thermal im

тура корпуса диода

pedance junction to case

29. Индуктивность диода

in

k

Последовательная эквивалентная

D. Induktvitat der Diode

индуктивность диода при заданных ус

E. Total scries equivalent

ловиях

inductance

F. Inductance serie totalc

equivalent

30. .Эффективное время жизни

Т*ФФ

Величина, характеризующая ско

неравновесных носителей

рость убывания концентрации неравно

!аряда диода

весных носителей заряда диода вслед

Е. Effective excess minority

ствие рекомбинации как в объеме, так

lifetime

и на поверхности полупроводника

31. Накопленный заряд диода

Q>

Заряд электронов или дырок в базе

Е. Stoned charge

диода или /-области p-i-n структуры.

F. Charge stockcc

накопленный при протекании прямого тока

32. Заряд восстановления ди

G.oe

0,

Полный заряд диода, выгекающий

ода

во внешнюю цепь при переключении

Ндп. Заряд переключения

диода с заданного прямого тока на за

D. SpcrTcrholladung der

данное обратное напряжение.

Diode

Примечания:

Е. Recovered charge

I. Заряд восстановления включает

F. Charge recouvnSe

накопленный заряд и заряд емкости обедненною слоя.

2. Заряд восстановлении является суммой зарядов запаздывания и спада

33. Время обратного восста

*вое, обр

•n

Время переключения диода с -задан

новления диода

ною примою тока на заданное обрат

Ндп. Время восстановления

ное напряжение от момента прохожде

обратного сопротив

ния тока через нулевое, значение до

ления

момента, когда обратный ток. умень

D. Sperrcrholungszeit dcr

шаясь от максимального импульсного

Diode

значения, достигает заданного значения

Е. Reverse recovery time

обратною тока

F. Temps de recouvrement

inverse

97

Страница 6

С. 6 ГОСТ 25529-82

Термин

Буквенное обозначение

Определение

русское

международное

34. Время прямого восстановления диода

Нди. Время васапашжяения прямого сопротивления

D.    Dure hi asserholungszcit dcr Diode

E.    Forward recovery time

F.    Temps de recouvrement direct

■ос. ар

4

Время, в течение которого происходит включение диода и прямое напряжение на нем устанавливается от значения, равного нулю, до заданного установившегося значения

ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ

35. Рабочее импульсное обратное напряжение выпрямительного диода

Е. Working peak reverse voltage

^'оОр.И-р

^KWM

Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения выпрямительного диода без учета повторяющихся и неповторяющихся переходных напряжений

36. Повторяющееся импульсное обратное напряжение выпрямительного диода

D.    Pcriodische Spitzen-sperrspannung dcr Diode

E.    Repetitive peak reverse voltage

F.    Tension inverse de pointe repetitive

оОр. И. п

^RKM

Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения выпрямительного диода, включая повторяющиеся переходные напряжения, но исключая неповгоряющнеся переходные напряжения.

Примечание. Повторяющееся напряжение обычно определяется схемой и параметрами диода

37. Иеповгоряющееся импульсное обратное напряжение выпрямительного диода

D.    Nichtperiodische Spit-zensperrspannung dcr Diode

E.    Non-repelitive (surge) reverse voltage

F.    Tension inverse de pointe non-rcpctitive

^оОр. н. пн

^RSM

Наибольшее мгновенное значение неповторяюшегося переходного обратного напряжения выпрямительного диода.

Примечание. Неповгоряюшес-ся переходное напряжение обусловливается обычно внешней причиной и предполагается, что его действие исчезает полностью до появления следующего переходного напряжения

38. Пороговое напряжение выпрямительного диода

D.    Schlcusenspannung der Diode

E.    Threshold voltage

F.    Tension de scuil

«и

Значение постоянного прямого напряжения выпрямительного диода в точке пересечения с осью напряжений прямой линии, аппроксимирующей волы-амперную характеристику в области больших токов

39. Повторяющийся импульсный прямой ток выпрямительного диода

D.    Pcriodischer Spitzcn-durchlassstrom der Diode

E.    Repetitive peak forward current

F.    Courant direct de pointe r«Jp6titif

^Пр II. II

ИШГ

Наибольшее мгновенное значение прямого тока выпрямительного диода, включая повторяющиеся переходные токи и исключая все неновторяюшис-ся переходные токи

98

Страница 7

ГОСТ 25529-82 С. 7

Термин

Буквенное обозначение

Определение

русское

международное

40. Ударным прямой ток выпрямительного диода

Aip.ja

Asm

Ток, при протекании которого превышается максимально допустимая эффективная температура перехода, но который за время срока службы выпрямительного диода появляется редко с ограниченным числом повторений и вызывается необычными условиями работы схемы

41. Действующий прямой ток выпрямительного днода

Е. RMS forward current

орд

'HRMS1

Действующее значение прямого тока выпрямительного диода за период

42. Ток перегрузки выпрямительною диода

E.    Overload forward current

F.    Courant direct dc surcharge p Divisible

;..р.

Aov»

Значение прямого тока выпрямительного диода. длительное протекание которого вызвало бы превышение максимально допустимой температуры перехода. но который так ограничен во времени, что эта температура не превышается.

П р и м с ч а н и с. За время эксплуатации диода число во:здсйствий током перегрузки не ограничивается

43. Защитный покаиигль

\Nt

iPdt

Значение интеграла от квадрата удар

выпрямительного лнода

\ / 2dt

iT-dt

ного прямого тока выпрямительного диода

44. Повторяющийся импульсный обратный ток выпрямительного диода

П. Repetitive peak reverse current F. Courant inverse de pointe repit it if

оСр. и. п

AtRM

Значение обратного тока выпрямительного диода, обусловленного повторяющимся импульсным обратным напряжением

45. Средний обратный ток выпрямительного диода

D.    Mittlerer Sperrstrom dcr Diode

E.    Average reverse current

F.    Courant inverse raoyen

W<P

'K(AV)

Среднее за период значение обратного тока выпрямительного диода

46. Средний выпрямленный

ток диода

D.    Mittlerer Richtstrom dcr Diode

E.    Average output rectified current

F.    Courant moyen dc sortie rcdrcsse

Ли. ср

Среднее за период значение прямого и обратного токов выпрямительного диода

47. Средняя прямая рассеиваемая мощность выпрямительного диода

Е. Average forward power dissipation

Р

пр.ср

p

F(AV|

Произведение мгновенных значений прямого тока и прямого напряжения выпрямительного диода, усредненное по всему периоду

48. Средняя обратная рассеиваемая мощность выпрямительного диода

Е. Average reverse power dissipation

р

<*Р ср

Mt<AV>

Произведение мгновенных значений обратного тока и обратного напряжения выпрямительного диода, усредненное по всему периоду

99

Страница 8

С. 8 ГОСТ 25529-82

Термин

Буквенное Ымхиачение

Определение

русское

международное

49. Ударная обратная рассеиваемая мощность лавинного выпрямитслыюго диода

Е. Surge (non-repetitive) reverse power dissipation

p

oOp. И. un

Лвм

Значение мощности, рассеиваемой выпрямительным диодом, при воздей-СТШ1И одиночных импульсов тока в режиме пробоя

SO. Повторяющаяся импульсная обратная рассеиваемая мощность выпрямительного диода

Е. Repetitive peak reverse power dissipation

p

оБр.и, a

p

'ккм

Значение мощности, рассеиваемой выпрямительным диодом, при воздей-ствии периодических импульсов

51. Рассеиваемая мощность выпрямительного диода при обратном восстановлении

E.    Total instantaneous turn-off dissipation

F.    Dissipation totale instantancca la coupure du courant

Лос .cap

Pm

Мгновенное значение мощности, рассеиваемой выпрямигельным диодом при переключении с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение

52. Импульсная рассеиваемая мощность выпрямительного диода при обратном восстановлении

Е Peak tum-olTdissipation Е Dissipation de pointc a la coupure du courant

P

' ux oOp. II

*RQM

Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой выпрямительным диодом при переключении с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение

53. Средняя рассеиваемая мощность выпрямительного диода при обратном восстановлении

Е Average turn-off dissipation Е Dissipation moyene a la coupure du courant

p

eoe. обр. ep

p

1 КУ |AV)

Среднее за период значение мошно-сти выпрямительного диода при обратном восстановлении

54. Рассеиваемая мощность выпрямительного диода при прямом восстановлении

E.    Total instantaneous turn-on dissipation

F.    Dissipation totale in-stantance a I'&ablis-scment du courant

p

' »OC. lip

Лп

Мгновенное значение мощности, рассеиваемой выпрямигельным диодом при переключении с заданного обратного напряжения на заданный прямой ток

55. Импульсная мо1щюсть выпрямительного диода при прямом восстановле-нин

E.    Peak tum-оп dissipation

F.    Dissipation de pointc a I\Stablisscment du courant

p

»OC, пр. и

PF1M

Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой выпрямительным диодом при переключении с заданного обратного напряжения на заданный прямой ток

100

Страница 9

ГОСТ 25529-82 С. 9

Термин

Буквенное обозначение

Определение

русское

чежаунаралнос

56. Средняя рассеиваемая

p

‘ uot. np.cp

‘PI (AV)

Среднее за период значение мощно

мощность выпрямитель

сти выпрямительного диода при прямом

ного диода при прямом

восстановлении

восстановлении

Е. Average 1 urn-on dissi

pation

F. Dissipation moyennc a

I'etablisscment du cou-

rant

57. Энергия прямых потерь

KP

К

Значение энергии потерь выпрями

выпрямительного диода

fnp

тельного диода, обусловленной прямым

Е. Forward energy loss

током

58. Энергия обратных потерь

ȣ*p

к

Значение энергии потерь выпрями

выпрямительного диода

F

К

тельного диода, обусловленной обрат

Е. Reverse energy loss

ным током

59. Общая энергия потерь

к

Сумма средних значений энергий

выпрямительного диода

прямых и обратных потерь выпрями

Е. Total energy loss

тельного диода

60. Энергия потерь при обрат

к

Значение энергии потерь выпрями

ном восстановлении дио

^Ъос.обр

тельного диода при переключении с за

да

данного прямого тока на заданное об

Е. Reverse recovery ener

ратное напряжение

gy loss

61. Динамическое сопротив

Гаи и

ГТ

Сопротивление, определяемое на

ление выпрямительного

клоном прямой, аппроксимирующей

диода

прямую вольт-амперную характеристи

D. Dynamischcr

ку выпрямительного диода

Widerstand der Diode

E. Slope resistance

F. Resistance apparcntc

dircctc

62. Заряд запаздывания вып

О.

Заряд, вытекающий из выпрями

рямительного диода

тельного диода за время запаздывания обратного напряжения

63. Заряд спада выпрямитель

Q,

Заряд, вытекающий из выпрями

ного диода

тельного диода за время спада обратного тока

64. Время запаздывания обрат

к

Интервал времени между момен

ного напряжения выпря

том. когда ток проходит через нулевое

мительного диода

значение, изменяя направление от прямого на обратное, и моментом, когда обратный ток достигает амплитудного значения

65. Время спада обратного

*cn

4

Интервал времени между момен

тока выпрямительного

том, когда ток. изменив направление

диода

от прямого на обратное и пройдя нулевое значение, достигает амплитудного значения и моментом окончания времени обратного воссгано&тения выпрямительного диода

ТУННЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ

66. Пиковый ток туннельно

/п

К

Значение прямого тока в точке

го диода

максимума вольт-ампернон характери

D. Hockcrstrom der Tun-

стики туннельного диода, при кагором

ncldiode

значение дифференциальной активной

E. Peak point current

проводимости равно нулю

F. Courant de pic

10- 25*

101

Страница 10

С. 10 ГОСТ 25529-82

Термин

Буквенное обошачемие

Определение

русское

международное

67. Ток впадины туннельного

А

Значение прямого тока в точке ми

диода

нимума вольт-амперной характеристи

D. Talstrom der Tunnel*

ки туннельного диода, при котором

diode

значение дифференциальной активной

E. Valley point current

проводимости равно нулю

F. Courant de vallec

68. Отношение токов тун

UK

V'v

Отношение пикового тока к току

нельного диода

впадины туннельного диода

D. Hficker-Talstrom-Ver-

halt his der Tunneldiodc

E. Peak to valley point

current ratio

F. Rapport de denivcl-

lation du courant

69. Напряжение инка туннель

К

Up

Значение прямого напряжения, со

ного диода

ответствующее пиковому току туннель

D. Hiickcrspannung der

ного диода

Tunneldiodc

E. Peak point voltage

F. Tension de pit-

70. Напряжение впадины

".

Значение прямого напряжения, со

туннельного диода

ответствующее току впадины туннель

D. Talspannung der Tun-

ного диода

neldiode

E. Valley point voltage

F. Tension de vallce

71. Напряжение раствора

Upp

Значение прямого напряжения на

туннельного диода

второй восхоляшсй ветви вольт-ампер

D. Projezierte Hftcker-

ной характеристики туннельного дио

spannug

да, при котором ток ранен пиковому

E. Projected peak point

voltage

F. Tension ist»hypse

72. Отрицателы1ая проводи-

Я|!С1>

8,

Дифференциальная проводимость

мость туннельного диода

перехода на падающем участке прямой

D. Negativer Leitwert der

ветви вольт-амперной характеристики

Tunneldiodc

туннельного диода

E. Negative conductance of

the intrinsic diode

F. Conductance negative

de la diode intrinsiquc

73. Предельная решетнвная

л

f,

Значение частоты, на которой ак

частота ту ннельного дио

тивная составляющая полного сопро

да

тивления туннельного диода на его вы

D. Entd&mpfungs-Grenz-

водах обращается в нуль

frequenz der Tunnel

diodc

E. Resistive cut-olT fre

quency

F. Frequence de coupure

resistive

74. Шумовая постоянная

л'ш

".

Величина, определяемая соотноше

туннельного диода

нием:

D. Rauschl'aktor der

Tunncldiodc

AL = 201g-^_.

E. Noise factor

F. Facteur de bruit

где /р — ток в рабочей точке туннельного диода,

— отрицательная проводимость туннельного диода

102

Страница 11

ГОСТ 25529-82 С. 11

Термин

Буквенное Ыммначсиие

Определение

русское

международное

75. Энергия импульсов тун

К

W

Энергия коротких импульсов тока.

нельного диода

воздействующих на туннельный диод

ВАРИКАПЫ

76. Добротность варикапа

Q.

<?с„

Отношение реактивною сопротив

D. Giitefaktor dcr Kapazi-

ления варикапа на заданной частоте к

tatsdiodc

сопротивлению потерь при заданном

E. Quality factor

значении емкости или обратного напря

жения

77. Температурный коэффи

«с.

аг10,

Отношение относительного измене

циент емкости варикапа

Ю1

ния емкости варикапа к вызвавшему его

D. Tcmperaturkocffizient

абсолютному изменению температуры

dcr KapazitAt dcr Ka-

окружающей среды

pazitiitsdiode

E. Temperature coefficient

of capacitance

78. Предельная чаетша вари

•/пред в

/со

Значение частоты, на которой ре

капа

активная составляющая проводимости

D. Giitefrequenz der Ka-

варикапа становится равной активной

pazitStsdiode

составляющей его проводимости при

E. Cut-oft' frequency

заданных условиях

F. Frequence dc coupure

79. Темперагурный коэффи

“г.

Отношение относительного измене

циент добротности вари

»

vcti

ния добротности варикапа к вызвавше

капа

му ею абсолютному изменению темпе

D. Tcmperaturkocffizient

ратуры окружающей среды

des Citiicfaklors dcr Ka-

pazitiitsdiodc

E. Temperature coeffi

cient of quality factor

SO. Коэффициент перекрытия

кс

к

Отношение общих емкостей варика

no емкости варикапа

па при двух заданных значениях обрат

ною напряжения

СТАБИЛИТРОНЫ

81. Напряжение стабилиза

и,

Значение напряжения стабилитро

ции стабилитрона

на при протекании тока стабилизации

D. Z-Spannung der

Z-Diode

E. Working voltage (of

voltage regulator diode)

F. Tens on dc regulation

82. Ток стабили танин стаби

L

Значение постоянного тока, проте

литрона

кающего через стабилитрон в режиме

D. Z-Strom der Z-Diode

стабилизации

E. Continuous current

within the working

voltage range

F. Courant continu in

verse pour la gammc

dcs tensions dc re

gulation

83. Импульсный ток стаби

(м. и

(гм

Наибольшее мгновенное значение

лизации стабилитрона

тока стабилизации стабилитрона

пг

103

Страница 12

С. 12 ГОСТ 25529-82

Термин

Буквенное обозначение

Определение

русское

международное

84. Дифференциальное сопротивление стабилитрона

D.    Z-Widerstand der Z-Diode

E.    Differential resistance within the working voltage range

F.    Resistance difteren-tielle dans la zone des tensions dc regulation

Гст

Г2

Дифференциальное сопротивление при заданном значении тока стабилизации стабил игрона

85. Температурный коэффи

Отношение относительного измене

циент напряжения стабилизации стабилитрона

D.    Tcmpcraturkoeffizient der Z-Spannung der Z-Diode

E.    Temperature coefl'icient of working voltage

F.    Coefficient dc tempe

rature de la tension dc regulation

С1

1

ния напряжения стабилизации стабилитрона к абсолютному изменению температуры окружающей среды при постоянном значении тока стабилизации

86. Время включения стабилитрона

D.    Einschaltzeit der Z-Diode

E.    Turn-on time

Ж1

tn

Интервал времени, определяемый с момента переключения стабилитрона из состояния заданного напряжения до момента достижения установившегося напряжения стабилизации

87. Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона

D.    Zcitliche Instabilitat dcr Z-Spannung der Z-Diode

E.    Working voltage longterm instability

F.    Instability a long tcrmc dc la tension dc regulation

ч.

Отношение наибольшего изменения напряжения стабилизации стабилитрона к начальному значению напряжения стабилизации за заданный интервал времени

88. Время выхода сгабндитро-на на режим

D.    Stabilisicrungszcit der Z-Diodc

E.    Transient time of working voltage

*пи.\

Интервал времени от момента подачи тока стабилизации на стабилитрон до момента, начиная с которого напряжение стабилизации не выходит за пределы области, ограниченной 28„ ^

80. Несимметричность напряжения стабилизации стабилитрона

Не,

Разность напряжений стабилизации при двух равных по абсолютному значению и противоположных по знаку токах стабилизации стабилитрона

81)а. Температурный уход напряжения стабилизации стабилитрона

Л</в

Максимальное абсолютное изменение напряжения стабилизации стабилитрона от изменения температуры в установленном диапазоне температур при постоянном токе стабилизации

8%. Нелинейность температурной зависимости напряжения стабилизации стабилитрона

Рь

Отношение наибольшего отклонения напряжения стабилизации стабилитрона от линейной зависимости в указанном диапазоне температур к произведению абсолютною изменения напряжения стабили зации и абсолютного изменения температуры окружающей среды при постоянном токе стабилизации

1(>4

Страница 13

ГОСТ 25529-82 С. 13

Термин

Буквенное Ымниачсмнс

Определение

русскос

международное

89в. Рашах низкочастотных шумов стабилизации стабилитрона

q-.ст

и*

Разница наибольшего и наименьшего напряжения стабилизации стабилитрона за время измерения в указанном диапазоне частот при постоянном токе стабилизации

90. Спектральная плотность шума стабилитрона

s.

^Vnr.

Эффективное значение напряжения шума, отнесенное к полосе в 1 Гц, измеренное при заданном токе стабилизации стабилитрона в оговоренном диапазоне частот

СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫ Е ДИОДЫ

91. Выпрямительный ток СВЧ диода

L

Постоянная составляющая тока СВЧ диода в рабочем режиме

92. Постоянный рабочий ток

ЛПД

1(ЛПЛ

К

Значение постоянного тока лавин-но-нролетного диода, при котором обеспечивается заданная непрерывная выходная СВЧ мощность

93. Импульсный рабочий ток

лпд

*■. р.1ПД

Мгновенное значение тока лавинно-пролетного диода, при котором обеспечивается заданная импульсная выходная СВЧ мощность

94. Постоянный пусковой ток

лпд

пи

Avmin

Наименьшее значение постоянного тока лавинно-пролетного диода, при котором возникает генерация СВЧ мощности

95. Импульсный пусковой ток

лпд

пуск

AvMmin

Наименьшее мгновенное значение тока лавинно-пролетного диода, при которох« возникает генерация СВЧ мощности

96. Пороговый ток диода Ганна

^пор

^<ГО) max

Значение постоянного тока диода Ганна в точке первого максимума вольтам перной характеристики, при котором значение дифференциальной активной проводимости равно нулю

97. Постоянный рабочий ток диода Ганна

К

Значение постоянного тока диода Ганна при постоянном рабочем напряжении

98. Импульсный рабочий ток диода Ганна

Ai. р 1

чш

Мгновенное значение тока диода Ганна при импульсном рабочем напряжении

99. Постоянное пороговое напряжение диода Ганна

^вор 1

^<ТО>

Значение постоянного напряжения, соответствующее пороговому току диода Ганна

100. Постоянное рабочее напряжение диода Ганна

VP

Значение постоянного напряжения диода Ганна, при котором обеспечивается заданная непрерывная выходная СВЧ мощность

101. Импульсное рабочее напряжение диода Ганна

"-р

Мгновенное значение импульсного напряжения диода Ганна, при котором обеспечивается заданная импульсная выходная СВЧ мощность

102. Непрерывная рассеиваемая мощность СВЧ диода

E.    R. F. с. w. power dissipation

F.    Dissipation dc puis-sancc dans lc cas d'unc onde R. F. entrrtenuc

Рр

Сумма рассеиваемой СВЧ диодом мощности от всех источников в непрерывном режиме работы

105

Страница 14

С. 14 ГОСТ 25529-82

Термин

Буквенное обозначение

Определение

русское

международное

103. Импульсная рассеиваемая мощность СВЧ диода

Е Pulse г. f. power dissi

p

fUt и

Л>Рч

Сумма рассеиваемой СВЧ диодом мощности от всех источников в импульсном режиме работы

pation

F. Dissipation dc puissance dans la cas dc irain d’ondcs R. F.

104. Средняя рассеиваемая мощность СВЧ диода

Е Average г. f. power

p

'рл.ср

^AD

Сумма средних значений рассеивле-XIых СВЧ диодом мощностей от всех источников

F. Puissance R. F. moyen-

ni1

IlC

105. Непрерывная выходная мощность СВЧ диода

p

' au\

Л*

Значение непрерывной СВЧ мощности , отдаваемой диодох! в согласованную нагрузку в заданном режиме

106. Импульсная выходная мощность СВЧ диода

P

* в их. II

' oulM

Значение импульсной СВЧ мощности. огдаваемой диодом в согласованную нафузку в заданном режиме

107. Мощность ограничения СВЧ диода

Е Clipping power

%

Л.

Уровень СВЧ мощности, подводи-хюй на вход линии передачи с диодом, включенным параллельно линии передачи. при которой выходная мощность достигает заданного значения

I0S. Тангенциальная ч>встви-тсльность СВЧ диода

Е Tangential sensitivity

TSS

Значение импульсной хющности СВЧ сигн&та, при которохс на экране осциллографа, включенного на выходе системы «детекторное устройство — видеоусилитель» наблюдается совпадение верхней границы полосы шумов при отсутствии СВЧ сигнала с нижней границей полосы шумов при его наличии

109. Граничная мощность детекторного диода

Лр

Л„ с

Значение мощности, при которой зависимость выпрямленного тока детекторного диода от мощности сигнала огклоняется or линейной на заданное значение при заданном сопротивлении нагрузки

110. Минимально различимая мощность сигнала детекторного диода

P

л irnn

MDS

Значение мощности СВЧ сигнала* поданного на приехшик с детскгорох1 на входе, при котором отношение сигнал — шум равно единице

111. Время тепловой релаксации СВЧ диода

ь

Интервал времени с начала подачи импульса, за который температура перехода СВЧ диода достигает 63,2% от значения техшературы в установленнох1 режиме

112. Энергия одиночного им

И''**!!

и. од

Значение энергии одного воздейсгву-

пульса СВЧ диода

Е Single pulse energy F. Energie d'une impulsion

оа

юшего на СВЧ диод короткого импульса.

Г1 р и м с ч а н и с. Под коротким импульсом noHiixtacTCH импульс длительностью не более 10~к с

113. Энергия повторяющихся импульсов СВЧ диода

Е Repetitive pulse energy

К.п

к..

£

plfcp)

Значение энергии серии воздействующих на СВЧ диод повторяющихся коротких импульсов

F. Energie d’une impulsion repetitive

106

Страница 15

ГОСТ 25529-82 С. 15

Термин

Буквенное обозначение

Определение

русское

международное

114. 'Энергия выгорания СВЧ

К*.

Минимальное значение энергии оди

диода

ночного короткого импульса СВЧ дио

Е. Bum-out energy

*нкм

да. после воздействия которою элект

F. Energie dc claquage

рические параметры СВЧ диода изменяются на заданные значения

115. 'Энергия СВЧ импульсов

ИсВЧи

^HFP

Значение энергии воздействующих

СВЧ диода

на СВЧ диод СВЧ импульсов длительностью менее 3-10~9 с

116. Полное входное сопро

%

Полное сопротивление, и змеренное

тивление СВЧ диода

на входе диодной камеры с СВЧ диодом в заданном режиме

117. Прямое сопротивление

гпр

ь

П оследовател ьнос con рот и вле ние

потерь переключательно

потерь переключательного диода, вклю

го диода

ченного в линию передачи, при заданном постоянном прямом токе

118. Обратное сопротивление

ГОСр

Последовательное сопротивление

потерь переключательно

потерь переключательного диода, вклю

го диода

ченного в линию передачи, при заданном постоянном обратном напряжении

119. Сопротивление ограничи

Лип

Сопротивление потерь ограничи

тельного диода при низ

тельного диода, измеряемое при малых

ком значении СВЧ мощ

значениях СВЧ мощности, на началь

ности

ном участке ограничительной характеристики, при которых сопротивление диода не изменяется

120. Сопротивление ограничи

Сопротивление потерь ограничи

тельного диода при вы

тельного диода. измеряемое при значе

соком значении СВЧ

ниях СВЧ мощности, больших МОЩНО

мощности

СТИ ограничения, при которых сопротивление диода не изменяется

121. Сопротивление диода

п

Активное сопротивление диода Ган

Ганна

на. измеряемое при напряжении значительно меньшем порогового

122. Выходное сопротивление

гаш

**

Активная составляющая полного

смесительного диода

сопротивления смесительного диода на промежуточной частоте в заданном режиме

123. Выходное сопротивление

гш,м

Активная составляющая полного

детекторного диода на

сопротивления детекторною диода на

видеочастоте

видеочастоте в -заданном режиме

124. Постоянная времени

т

т

Произведение емкости перехода на

СВЧ диода

последовательное сопротивление потерь СВЧ диода

125. Время выключения СВЧ

■IU

W

Интервал времени нарастания об

диода

ратного напряжения СВЧ диода при переключении его из открытого состояния в закрытое, отсчитанное по уровню 0.1 и 0.9 установившегося значения

AL

Af

т

обратного напряжения

126. Полоса частот СВЧ ди

Интервал частот, в котором СВЧ

ода

/

диод, настроенный на заданную частоту. обеспечивает заданные парамегры и характеристики в неизменном рабочем режиме

107

Страница 16

С. 16 ГОСТ 25529-82

Термин

Буквенное обозначение

русское

международное

127. Предельная частота ум-ножитслыюго диода

-/прел

A

128. Критическая частота переключательного диода

U

L

129. Добротность СВЧ диода

Q

Qcfi

130. Потери преоГфа ювания смесительного диода

Е Conversion loss F. Pcrtc dc conversion

^прП

Lc

131. Коэффициент полезного действия СВЧ диода

п

n

132. Выходное шумовое отношение СВЧ диода

E.    Output noise ratio

F.    Rapport de temperature dc bruit

*п,

•4

133. Нормированный коэф

f

* IKipM

фициент шума смесительного диода

Е Standard overall average noise figure F. Factcur dc bruit total moyen normal

r

cMm)

134. Коэффициент стоячей волны no напряжении) СВЧ диода КСВН

E.    Voltage standing wave ratio

V.S.W.P.

F.    Taux d'ondcs station-naires T.O.S (R.O.S.)

135. Чувствительность no току СВЧ диода

E.    Total current sensitivity

F.    Scnsibilitc totak: en со u rant

p.

P.

Определение

Значение частоты, на которой добротность умножнтсльното диода равна

единице.

Примечание. Предельная частота определяется по формуле

I

/и,

2 *С_

где Спк) — емкость перехода:

г„ — последовательное сопротивление потерь

Обобщенный параметр переключательного диода, определяемый по формуле

I

Ар =

2хС Jr ■ г.

ст» V ир сор

Отношение реактивною сопротивления СВЧ диода на заданной частоте к активному при заданном значении обратного напряжения

Отношение мощности СВЧ сигнала на входе диодной камеры к мощности сигнала промежуточной частоты в нагрузке смесительного диода в рабочем режиме

Отношение выходной мощности СВЧ диода к потребляемой им мощности

Отношение мощности шума СВЧ диода в рабочем режиме, отдаваемой в согласованную нагрузку, к мощности тепловых шумов согласованного активного сопротивления при той же температуре и одинаковой полосе часгот Значение коэффициента шума приемного устройства со смесительным диодом на входе при коэффициенте шума усилителя промежуточной частоты равном 1,5 дБ

Коэффициент стоячей волны но напряжению в линии передачи СВЧ, нагруженной на определенную диодную камеру с СВЧ диодом в рабочем режиме

Отношение приращения выпрямительного тока диода к вызвавшей это приращение СВЧ мощности на входе диодной камеры с СВЧ диодом в рабочем режиме при заданной нагрузке


108

Страница 17

ГОСТ 25529-82 С. 17

Термин

Буквенное обозначение

Определение

русскос

международное

136. Чувствительность по напряжению СВЧ лиода

К

Ри

Отношение прирашения напряжения на нагрузке СВЧ диода к вызвавшей это приращение мощности СВЧ сигнала на входе диодной камеры с СВЧ диодом в рабочем режиме

137. Температурный коэффициент выходной мощности СВЧ диода

“*W

арои.

Отношение относительного изменения выходной мощности СВЧ диода к абсолютному изменению температуры окружаюшей среды

13S. Температурный коэффициент частоты СВЧ диода

«/

Отношение относительного изменения частоты генерации СВЧ диода к разности температур, окружающей среды

ШУМОВЫЕ ДИОДЫ

139. Спектральная плотность напряжения шумового диода

5

S

1*10. Спектральная плотность мощности шумового .ад-ода

О

G

141. Неравномерность спектральной плотности напряжения (мощности) шумового диода

8^

SSj.

V SD

142. Температурный коэффн-цис1гт спектральной плотности напряжения (мощности) шумового диода

%

aSf

a.VL- a.Vt*

143. Граничная частота шумового диода

f\uс

144. Диапазон частот шумового диода

V

f

145. Постоянный рабочий ток шумового диода

К

's

146. Постоянное напряжение шумового диода

q.

(И)мснснная редакция. Him. Ss 1).

Отношение среднего квадратического значения напряжения шумового диода к корню квадратному из заданного диапазона частот

Отношение среднего квадратического значения мощности шумового диода к заданному диапазону частот

Отношение экстремального значения спектральной плотности напряжения (мощности) шумового диода к их среднему значению, выраженное в децибелах

Отношение относительного изменения спектральной плотности напряжения (мощности) шумового лиода к абсолютному изменению температуры окружающей среды при постоянном токе диода

Значение частоты, на которой спектральная плотность напряжения или мощности шумового диода имеет максимальное отклонение от ее среднего значения

Интервал частот, заключенный между верхней и нижней граничной частотой шумового диода

Значение постоянного тока, при котором определяются параметры шумового диода

Значение постоянного напряжения, обусловленного постоянным рабочим током шумового диода


11 —236

109

Страница 18

С. 18 ГОСТ 25529-82

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ

Время восстановления обратного сопроти&гения    33

Время восстанов ления прямого сопротивления    34

Время включения стабилитрона    86

Время выключения СВЧ диода    125

Время выхода стабилитрона на режим    £8

Время жизни неравновесных носителей та ряда диода эффективное    30

Время запаздывания обратного напряжения выпрямительного диода    64

Время обратного восстановления диода    33

Время прямого восстановления диода    34

Время спада обратного тока выпрямительного диода    65

Время тепловой релаксации СВЧ диода    111

Диапазон частот шумового диода    144

Добротност ь СВЧ диода    129

Добротность варикапа    76

Емкость диода обшая    16

Емкость диода тепловая    25

Емкость корпуса диода    18

Емкость перехода диода    17

Заряд восстановления диода    32

Заряд диода накопленный    31

Заряд запаздывания выпрямительного диода    62

Заряд переключения    32

Заряд спада выпрямительного диода    63

Индуктивность диода    29

Коэффициент выходной мощности СВЧ диода температурный    137

Коэффициент добротности варикапа температурный    79

Коэффициент емкости варикапа температурный    77

Коэффициент напряжения стабилизации стабилитрона температурный    85

Коэффициент перекрытия по емкости варикапа    8()

Коэффициент полезного действия СВЧ диода    131

Коэффициент спектральной плотности мощности шумового диода температурный    142

Коэффициент спектральный плотности напряжения шумового диода    температурный    142

Коэффициент стоячей волны по напряжению СВЧ диода    134

Коэффициент частоты СВЧ диода температу рный    138

Коэффициент шума смесительного диода нормированный    133

КСВН    134

Мощность выпрямительного диода рассеиваемая обратная импульсная повторяющаяся    50

Мощность выпрямительного диода рассеиваемая обратная средняя    48

Мощность выпрямительного диода рассеиваемая прямая средняя    47

Мощность выпрямительного диода при обратном восстановлении рассеиваемая    51

Мощность выпрямительного диода при обратном восстановлении рассеиваемая импульсная    52

Мощность выпрямительного диода при обратном восстановлении рассеиваемая средняя    53

Мощность выпрямительного диода при прямом восстановлении рассеиваемая    54

Мощность выпрямительного диода при прямом восстановлении импульсная    55

Мощность выпрямительного диода при прямом восстановлении рассеиваемая средняя    56

Мощность детекторного диода граничная    109

Мощность диода рассеиваемая импульсная    15

Мощность диода рассеиваемая обратная    13

Мощность диода рассеиваемая прямая    12

Мощность диода рассеиваемая средняя    14

Мощность лавинного выпрямительного диода рассеиваемая обратная ударная    49

Мощность ограничения СВЧ диода    107

Мощность СВЧ диода выходная импульсная    106

Мощность СВЧ диода выходная непрерывная    105

Мощность СВЧ диода непрерывная рассеиваемая    102

Мощность СВЧ диода рассеиваемая импульсная    103

Мощность СВЧ диода рассеиваемая средняя    104

Мощность сишала детекторного диода минимально различимая    110

Напряжение впадины туннельного диода    70

Напряжение выпрямительного диода обратное импульсное нсповторяющссся    37

НО

Страница 19

ГОСТ 25529-82 С. 19

Напряжение выпрямительного диола обратное импульсное повторяющееся

36

Напряжение выпрямительного диода обратное импульсное рабочее

35

Напряжение выпрямительного диода пороговое

38

Напряжение диода 1'анна пороговое постоянное

99

Напряжение диода Ганна рабочее импульсное

101

Напряжение диола Ганна рабочее постоянное

100

Напряжение диода обратное импульсное

4

Напряжение диода обратное постоянное

3

Напряжение диода пробивное

6

Напряжение диола прямое импульсное

2

Напряжение диода прямое постоянное

1

Напряжение диода прямое среднее

45

Напряжение пика ту ннельного диода

69

Напряжение раствора туннельного диода

71

Нанряжсниие стабилизации стабилитрона

81

Напряжение шумового диода постоянное

146

Нелинейность температурной зависимости напряжения стабилизации стабилитрона

896

Несимметричность напряжения стабилизации стабилитрона

89

Нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона временная

87

Неравномерность спектральной плотности мощности шумового диода

141

Неравномерность спектральной плотности напряжения шумового диола

141

Отношение СВЧ диода шумовое выходное

132

Отношение токов туннельной» диода

68

Плотность мощности шумовою диода спектральная

140

Плотность напряжения шумового диода спектральная

139

Плотность шума стабилитрона спектральная

90

Показатель выирямитсльного диола защитный

43

Полоса частот СВЧ диода

126

Постоянная времени СВЧ диода

124

Постоянная туннельного диода шумовая

74

Потери преобразования смесительного диола

130

Проводимость туннельною диода отрицательная

72

Размах низкочастотных шу мов стабилизации стабилитрона

89в

Сопротивление выпрямительного диода динамическое

61

Сопротивление детекторного диола на видеочастоте выходное

123

Сопротивление диода Ганна

121

Сопротивление диода дифференциальное

19

Сопротивление диода тепловое импульсное

22

Сопротивление диода тепловое переходное

26

Сопротивление диода тепловое

Сопротивление ограничительного диода при высоком значении

21

СВЧ мощности

120

Сопротивление ограничительного диода при низком значении СВЧ мощности

119

Сопротивление переход — корпус диола тепловое

24

Сопротивление переход — корпус диола тепловое переходное

28

Сопротивление переход — окружающая среда диода тепловое

23

Сопротивление переход — окружающая среда диода тепловое переходное

27

Сопротивление потерь диола последовательное

20

Сопротивление потерь переключательного диода обратное

118

Сопротивление потерь переключательного диода прямое

117

Сопротивление СВЧ диода входное полное

116

Сопротивление смесительного диода выходное

122

Сопротивление стабилитрона дифференциальное

84

Ток впадины туннельного диода

67

Ток диода выпрямленный средний

46

Ток выпрямительною диода обратный импульсный повторяющийся

44

Ток выпрямительного диода обратный средний

45

Ток выпрямительного диода прямой действующий

41

Ток выпрямительного диода прямой импульсный повторяющийся

39

Ток выпрямительного диола прямой ударный

40

Ток диода Ганна пороговый

96

Ток диода Ганна рабочий импульсный

98

Ток диода Ганна рабочий постоянный

97

п*

111

Страница 20

С. 20 ГОСТ 25529-82

Ток диода обратный импульсный    11

Ток диода обратный постоянный    10

Ток диода прямой импульсный    8

Ток диода прямой постоянный    7

Ток диода прямой средний    9

Ток ЛПД пусковой импульсный    95

Ток ЛПД пусковой постоянный    94

Ток ЛПД рабочий импульсный    93

Ток ЛПД рабочий постоянный    92

Ток перегрузки выпрямительного диода    42

Ток СВЧ диода выпрямленный    91

Ток стабилизации стабилитрона    82

Ток стабилизации стабилитрона импульсный    83

Ток туннельного диода пиковый    66

Ток шумового диода рабочий постоянный    145

Частота варикапа предельная    78

Частота переключательного диода критическая    128

Частота туннельного диода резистивная предельная    73

Частота умножнгсльиого диода предельная    127

Частота шумового диода граничная    143

Чувствительность по напряжению СВЧ диода    136

Чувствительность по току СВЧ диода    135

Чувствительность СВЧ диода тангенциальная    108

Уход напряжения стабилизации стабилитрона температурный    89а

Энергия выгорания СВЧ диода    114

Энергия импульсов туннельного диода    75

Энергия обратных потерь выпрямительного диода    58

Энергия одиночного импульса СВЧ диода    112

Энертия повторяющихся импульсов СВЧ диода    113

Энергия потерь выпрямительного диода общая    59

Энертия потерь при обратном восстановлении диода    60

Энергия прямых потерь вынрямигслыюго диода    57

Энертия СВЧ импульсов СВЧ диода    115

(Измененная редакция. Изм. № 4).

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА НЕМЕЦКОМ ЯЗЫКЕ

Diftcrcntiellcr Widcrstand dcr Diode    19

Durchbruchspannung dcr Diode    6

Durchla.vscrholungsz.cit dcr Diode    34

Durchlassglcichspannung der Diode    I

Durchlassglcichstrom dcr Diode    7

Durchlassvcrlustleistung der Diode    12

Dynamischcr Widcreland dcr Diode    61

Einschaltzcit dcr 2-Diode    86

Entdiimpfungs Grcnzfrcquenz dcr Tunneldiodc    73

Gchiiusckapazitat der Diode    18

Gcsamtkapazitat der Diode    16

Giitefaktor dcr Kapazitiitsdiodc    76

Gtitefrcqucnz dcr Kapazitdtsdiodc    78

Hdckcrspannung dcr Tunneldiodc    69

H6ckcrstrom der Tunncldiodc    66

Hrtckcr-Talstrom-Verhaltnis dcr Tunncldiodc    68

Impulsencrgie dcr Tunncldiodc    75

Induktivitit dcr Diode    29

Miltlerc Durchlassspannung dcr Diode    5

Mittlcre 4'erlustleistung dcr Diode    14

Mittlcrcr Durchlassstrom dcr Diode    9

Mittlcrcr Richistrom dcr Diode    46

Mittlcrcr Spcnrslrom dcr Diode    45

112

Страница 21

ГОСТ 25529-82 С. 21

Ncgativer Leitwcrt dcr Tunncldiodc Nichtpcriodischc Spitzenspenspannung dcr Diode Nichtpcriodischer Spitzcndurehlassstrom dcr Diode Periodischc Spitzcnsperrspannung dcr Diode Periodischcr Spitzcndurchlassstrom dcr Diode Projezicrtc Hdckerspannung Rauschfaktor dcr Tunncldiodc Schlcusenspannung dcr Diode Scncnwidcnitand dcr Diode Spcrrcrholladung dcr Diode Spcrrcrholungszcit dcr Diode Spcrrglcichspannung dcr Diode Spcrrglcichstrom der Diode Spcrrschichtkapazitdt dcr Diode Spitzcndurehlassspannung dcr Diode Spitzcndurchlassstrom dcr Diode Spitzcnsperrspannung der Diode Spitzcnsperrstrom dcr Diode Spitzenvcrlustleistung dcr Diode Stabilisicningszcit dcr Z-Diode Talspannung der Tunncldiodc Talstrom dcr Tunncldiodc

Tcmpcraturkoeffizicnt dcr Kapazitdt dcr Kapazittttsdiode Tempcraturkocffizicnt dcr Z-Spannung dcr Z-Diode Tempcraturkocffizicnt dcs Giitcfaktors dcr Kapaziiatsdiodc Wartnewide rstand

Zcitlichc I nstabilitat der Z-Spannung dcr Z-Diode Z-Spannung dcr Z-Diode Z-Slrom dcr Z-Diodc Z-Widerstand dcr Z-Dkxlc

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ

Average forward current Average forward power dissipation Average forward voltage Average output rectified current Average power dissipation Average reverse current Average reverse power dissipation Average r. f. power Average turn-off dissipation Average turn-on dissipation Breakdown voltage Burn-out energy Case capacitance Clipping power

Continuous current within the working voltage range Conversion loss Cut-off frequency Differential resistance

Differential resistance within the working voltage range

Effective cxccss minority lifetime

Forward continuous current

Forward continuous voltage

Forward energy loss

Forward power dissipation

Forward recovery time

Junction capacitance

Negative conductance of the intrinsic diode Noise factor

Non-repetitivc (surge) reverse voltage

113

Страница 22

С. 22 ГОСТ 25529-82

Output noise ratio

Overload forward current

Peak forward current

Peak forward voltage

Peak point current

Peak point voltage

Peak power dissipation

Peak reverse current

Peak reverse voltage

Peak to valley point current ratio

Peak tum-olT dissipation

Peak turn-on dissipation

Projected peak point voltage

Pulse r.f. power dissipation

Quality factor

Recovered charge

Repetitive peak forward current

Repetitive peak reverse current

Repetitive peak rcvers power dissipation

Repetitive peak reverse voltage

Repetitive pulse energy

Resistive cut-off frequency

Reverse continuous current

Revenic continuous voltage

Reverse energy loss

Reverse power dissipation

Reverse recovery enetgy loss

Reveree recovery time

R.Fc.w.power dissipation

RMS forward current

Single puke energy

Slope resistance

Standard overall average noise figure Stored charge

Surge (non-rcpetitive) reverse power dissipation

Tangential sensitivity

Temperature coefficient of capacitance

Temperature coefficient of quality factor

Temperature coefficient of working voltage

Terminal capacitance

Thermal capacitance

Thermal resistance

Thermal resistance junction to case

Threshold voltage

Total current sensitivity

Total energy loss

Total instantaneous tum-oft' dissipation

Total instantaneous turn-on dissipation

Total scries equivalent inductance

Total scries equivalent resistance

Transient thermal impedance

Transient thermal impedance junction to ambient

Transient thermal impedance junction to case

Transient time of working voltage

Turn-on time

Valley point current

Valley point voltage

Voltage standing wave ratio

V.S.W.R

Working peak reverse voltage Working voltage long-term instability Working voltage (of voltage regulator diode)

114

Страница 23

ГОСТ 25529-82 С. 23

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫКЕ

Capacity них homes Capacity de janetion Charge rocouvroc Charge stockcc

Coefficient de temperature de la tension de regulation

Conductance negative de la diode intrinsequc

Courant continu inverse pour la gamme des tensions de regulation

Courant de pic

Courant de vallec

Courant direct continu

Courant direct de crete

Courant direct de pointc rep^titif

Courant direct de surcharge accidcntel

Courant direct de surcharge pnSasiblc

Courant direct moycn

Courant inverse continu

Courant inverse de crite

Courant inverse de pointc repotitif

Courant inverse moyen

Courant moycn de sortie redresse

Dissipation totale instantanec a la coupure du courant

Dissipation de pointc A la coupure du courant

Dissipation de pointc a rctablissement du courant

Dissipation de puissancc dans Ic cas de train d'on des R.F.

Dissipation de puissancc dans le cas d’unc onde R.F.cntrctcnuc

Dissipation de puissance cn direct

Dissipation de puissance en inverse

Dissipation moyenne a la coupure du courant

Dissipation moyenne .i l'etablissemcnt du courant

Dissipation totale instantanec & 1 'ctablhsemcnt du courant

Dissipation totale instantanec a la coupure du courant

Energic de claquagc

Energic d'unc impulsion

Energic d'unc impulsion repetitive

Factcur de bruit

Factcur de bruit total moycn normal

Frequence dc coupure

Frequence dc coupure resistive

Inductance seric totale equivalente

Instability & long termc dc la tension de regulation

Perte dc conversion

Puissancc R. F. moyenne

Rapport dc dcnivcllation du courant

Rapport dc temperature dc bruit

Resistance apparentc directc

Resistance dilVerentielk

Resistance diHerenticlle dans la zone des tensions dc regulation

Resistance seric equivalente

Resistance thermique

Scnsibilite totale cn courant

Taux d’ondcs stationnaircs

T.0.S.<R-O&)

Temps dc recouvrcmcnt direct Temps dc recouvrcmcnt inverse Tension dc claquagc Tension dc pic Tension directc continue Tension dc regulation Tension dc scuil Tension dc vallee Tension directc dc cr£tc

115

Страница 24

С. 24 ГОСТ 25529-82

Tension dircctc    moyenne    5

Tension inverse    continue    3

Tension inverse    dc crSte    4

Tension inverse    de pointc    non-rcpclitive    37

Tension inverse    de pointe    repetitive    36

Tension isohvpse    71

ПРИЛОЖЕНИЕ I Справочное

ТЕРМИНЫ, ОПРЕДЕЛЕНИЯ И БУКВЕННЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ОБЩИХ ПОНЯТИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Буквенное обошичеике

Термин

Определение

международное

русское

•ret

Гп1


КОМ

т

'ком

в.™.


в.


ге!


1.    Прямое напряжение диода

2.    Обратное напряженно диода

3.    Прямой ток днола

4.    Обратный ток днола

5.    Предельно допустимое шаченне параметра полупроводникового прибора


6.    Нестабильность параметра полупроводниковою прибора

7.    'Эффективная температура перехода полупроводникового прибора


Температура в контрольной точке полупроводникового прибора


Напряжение между выводами диода, обусловленное прямым током

Напряжение, приложенное к диоду и обратном наира атснии

Ток. протекающий через диод в прямом направлении

Ток. протекающий через диод, обусловленный обратным напряжением Значение параметра, заданное в нормативно-технической документации, ограниченное возможностями данного типа прибора и обеспечивающее заданную надежность. Примечания:

1.    Предельно допустимое значение может быть максимально или минимально допустимым.

2.    Если речь идет о предельно допустимом значении параметра, тх> к термину следует добавить слова «максимально допустимый» или «минимально допустимый», а к буквенному обозначению добавить индекс «птах» или »min»

Модуль разности значений параметра полупроводникового прибора при воздействии дестабилизирующих факторов

Температура, которая устанавливается на основе упрощенных представлений о тепловых и электрических свойствах полупроводникового прибора и не всегда является наивысшсй в приборе Температура, измеренная в заданной точке на (в) корпусе прибора или в среде, окружающей или охлаждающей прибор, выбранной для контроля параметра прибора


116

Страница 25

ГОСТ 25529-82 С. 25

Термин

Буквенное обозначение

Определение

русское

международное

9. Температура корпуса по

W

Температура в заданной конт

лупроводникового прибо

L ор

^cuc

рольной точке на (в) корпусе полупро

ра

0с*с

водниковою прибора

10. Температура окружающей

^жр

•.

Температура воздуха или газа, изме

среды

П«р

4мь

ренная вблизи полупроводникового при

0с*Р

^лтЬ

®штА

бора при условии естественной конвекции и при отсутствии влияния поверхностей. излучающих тепло

II. Темпера тура охлаждаю

'ov.

ГсГ

Температура в заданной конт

щей среды

г

'avi

ъ

рольной точке среды, охлаждающей полупроводниковый прибор, или его охладителя

12. Температура хранения

'*Р

%

г9

к

13. Показатель идеальности вольт-амнерной характеристики полупроводникового прибора

Параметр, характеризующий качество полупроводникового прибора и определяемый по формуле

.. я<их-и.)

1 ' кТ In у-*»

где q — заряд электрона; к — постоянная Больцмана;

Т — температура в градусах Кельвина;

/2, Ut, U, — точки и соответствующие им напряжения на линейном участке зависимости

lg -/(Of)

IJ-216

117

Страница 26

С. 26 ГОСТ 25524-82

ПРИЛОЖЕНИЕ 2 Справочное

Нолы-амперные характеристики. Диаграммы токов н напряжений диодов

Нолы -амперная характерисгика туннельного диода


/ — прямая польт-ампериая характеристика: 2 — обратил» польт-амперная характеристика; 3 — область пробои: 4 — прямолинейная аппроксимация прямой вольт-амперной характеристики.    —    порогоиое

наприжение: г — динамическое сопротивление, ^ирвб пробное напряжение

Черт.!

/в — пиковый ток. /ш — ток впадины: Uu — напряжение ипадины:

6'м — напряжение пика: U — напряжение раствора

Чсрт.2


их

Страница 27

ГОСТ 25529-82 С. 27

Волы-амперная характеристика стабилитрона

Вольт-аыперная характеристика лнода Ганна


6'оорГ — постоянное пороговое напряжение диода Ганна. 11юр — пороговый ток диола Ганна: Vp -постоянное рабочее напряжение диода Ганна: /(1 — постоянный рабочий ток диода Ганна

Черт. 4

кривые токов н напряжений при обратном и прямом восстановлении лиола

Черт. 3

Диаграммы токов н напряжений

Черт. 5

Черт. 6


119

Страница 28

'Эквивалентная схема варикапа и туннельного диода

Сп


Сп — параллельная емкость; £||fp — отрицательная проводимое!к гп — сопротивление потерь: L$ — последовательная индуктивное?ь: СДПЭ — емкое!ь перехода

Чсрг. 7

ПРИЛОЖЕНИЕ 3. (Исключено, Him. № 1).

120

Заменяет ГОСТ 18216-72 ГОСТ 18994-73 ГОСТ 20004-74 ГОСТ 20005-74 ГОСТ 20331-74 ГОСТ 21154-75