Товары в корзине: 0 шт Оформить заказ
Стр. 1
 

3 страницы

107.00 ₽

Купить официальный бумажный документ с голограммой и синими печатями. подробнее

Официально распространяем нормативную документацию с 1999 года. Пробиваем чеки, платим налоги, принимаем к оплате все законные формы платежей без дополнительных процентов. Наши клиенты защищены Законом. ООО "ЦНТИ Нормоконтроль".

Наши цены ниже, чем в других местах, потому что мы работаем напрямую с поставщиками документов.

Способы доставки

  • Срочная курьерская доставка (1-3 дня)
  • Курьерская доставка (7 дней)
  • Самовывоз из московского офиса
  • Почта РФ

Распространяется на установки для ионной имплантации, предназначенные для внедрения ионов твердых, газообразных и жидких веществ массой от 1,666 57х10 в ст. минус 27 до 217,534 67х10 в ст. минус 27 кг (от 1 до 131 а. е. м.), в том числе элементарных и многозарядных ионов бора, фосфора, цинка, мышьяка, селена и сурьмы с эквивалентной энергией ионов от 1,6х10 в ст. минус 15 до 1,6х10 в ст. минус 13 Дж (от 10 до 1200 кэВ) при изготовлении полупроводниковых приборов, интегральных схем и других изделий микроэлектроники

Показать даты введения Admin

Страница 1

ОБОРУДОВАНИЕ ВАКУУМНОЕ. УСТАНОВКИ ДЛЯ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ

ОБЩИЕ ТЕХНИЧЕСКИЕ ТРЕБОВАНИЯ

ГОСТ 25196-82 (СТ СЭВ 2760-80)

Издание официальное

3 кол.


ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ М о с ка а

Страница 2

УДК (21.52 : 621.38.002.5 : 006.354    Групп*    Э71

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СО ЮЗА ССР

ОБОРУДОВАНИЕ ВАКУУМНОЕ. УСТАНОВКИ ДЛЯ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ

ГОСТ

25196-82

(CT СЭВ 2760—80f

Общие технические требования

Vacuum equipement. Apparatus for ion implantation

General technical requirement

ОКП 62 7335

Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 31 марта 1982 г. Н? 1383 срок действие установлен

С 01.07 1983 г. до 01.07 1988 г.

Несоблюдение стандарта преследуется по закону

1.    Настоящий стандарт распространяется на установки для нонкоЙ имплантации (далее—установки), предназначенные для внедрения ионов твердых, газообразных и жидких веществ массой от 1,660 57-10-27 до 217,534 67-10"27 кг (от I до 131 а. е. м.), в том числе элементарных и многозарядных ионов бора, фосфора, цинка, мышьяка, селена и сурьмы с эквивалентной энергией ионов от 1,6-10~15 до J .6-10-13 Дж (от 10 до 1200 кэВ) при изготовлении полупроводниковых приборов, интегральных схем и других изделий микроэлектроники.

Стандарт полностью соответствует СТ СЭВ 2760—80.

2.    Технические требования к установкам — по ГОСТ 21686-81.

3.    Установки должны обеспечивать один из режимов обработки изделий:

поштучный;

групповой;

комбинированный.

4.    Число пластин, обрабатываемых за один цикл па установке, должно быть кратным 25.

Издание официальное ★

Перепечатка воспрещена

© Издательство стандартов, 1982


Страница 3

Стр. 2 ГОСТ 35196—«2

5.    Предельное остаточное давление в установке должно быть не более 1,3-10-4 Па.

6.    Минимальный ионный ток следует выбирать из ряда: 0,01; 0.1; I; 10; 100; 500; 1000 мкА.

7.    Максимальный ионный ток следует выбирать из ряда: 0.03; 0.1; 0,5; I; 2; 5; 10 мЛ.

8.    Неравномерность дозы имплантации следует выбирать из ряда: 0,5; 1: 2; 4%.

9.    Показатели надежности установок следует определять наработкой на отказ, средним временем восстановления и средним ресурсом в соответствии с ГОСТ 24786-81.

Наработку па отказ следует выбирать из ряда: 100, 125, 160, 200, 250, 400, 500, 630, 800, 1000 ч.

Среднее время восстановления должно быть не более 4 ч.

Средний ресурс следует выбирать из ряда: 5000, 5600, 6300, 7100, 8000. 9000, 10000 ч.

Редактор £• И. Глазкова Технический редактор В. И. Малькова Корректор Г. М. Фролова

Сдано в яав. 13-01.82 Подп. к геч. 0105 83 О.Й п. л. 0.11 уч.-m*. .1. Т«р. 1С00Э Цси* 3 коя.

Ордена «Знак Почета» Издательств) стандартов. 123МТ. .Чое*»*, Ноаоаресяевски* пер.. 3 Тип. «Московски* аечмклж*. МосьМ. Лялпс лер , 6, 3»к. 517