Товары в корзине: 0 шт Оформить заказ
Стр. 1
 

7 страниц

244.00 ₽

Купить ГОСТ 24459-80 — официальный бумажный документ с голограммой и синими печатями. подробнее

Официально распространяем нормативную документацию с 1999 года. Пробиваем чеки, платим налоги, принимаем к оплате все законные формы платежей без дополнительных процентов. Наши клиенты защищены Законом. ООО "ЦНТИ Нормоконтроль".

Наши цены ниже, чем в других местах, потому что мы работаем напрямую с поставщиками документов.

Способы доставки

  • Срочная курьерская доставка (1-3 дня)
  • Курьерская доставка (7 дней)
  • Самовывоз из московского офиса
  • Почта РФ

Распространяется на интегральные микросхемы запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств: оперативные запоминающие устройства; ассоциативные запоминающие устройства; запоминающие устройства на приборах с зарядной связью и цилиндрических магнитных доменах; постоянные запоминающие устройства с многократным электрическим программированием; усилители воспроизведения; формирователи разрядного и адресного токов

  Скачать PDF

Заменяет:

Показать даты введения Admin

государственный стандарт

СОЮЗА ССР

МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ И ЭЛЕМЕНТОВ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ

ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ

ГОСТ 24459-80

Цена 3 коп.


Издание официальное

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ

Москва

УДК 621.3.049.77:006.354    Группа    Э02

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ И ЭЛЕМЕНТОВ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ

Основные параметры

Integrated microcircuits for storages and its elements.

Basic parameters

Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 11 декабря 1980 г. № 5776 срок введения установлен

с 01.01 1982 г.

Несоблюдение стандарта преследуется по закону

1. Настоящий стандарт распространяется на интегральные микросхемы запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств; оперативные запоминающие устройства; ассоциативные запоминающие устройства; запоминающие устройства на приборах с зарядовой связью и цилиндрических магнитных доменах; постоянные запоминающие устройства, программируемые маской; постоянные запоминающие устройства с однократным электрическим программированием; постоянные запоминающие устройства с многократным электрическим программированием; усилители воспроизведения; формирователи разрядного и адресного токов.

Стандарт устанавливает допускаемые сочетания значений основных параметров;

для запоминающих устройств — число информационных слов, число разрядов в информационном слове, время выборки, удельную потребляемую мощность;

для запоминающих устройств на приборах с зарядовой связью и цилиндрических магнитных доменах — частоту сдвигающих импульсов (тактовую частоту);

для усилителей воспроизведения — максимальное среднее время задержки распространения и минимальное входное напряжение срабатывания усилителя;

для формирователей разрядного и адресного токов — максимальное среднее время задержки распространения и максимальный выходной импульсный ток.

ГОСТ

24459—80

Взамен ГОСТ 19420-74 (в части запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств) и ГОСТ 17447-72 (в части пп. 3 и 4)

Перепечатка воспрещена

Издательство стандартов, 1981


Издание официальное



Стр. 2 ГОСТ 24459-80

2. Допускаемые сочетания значений1 числа информационных слов и числа разрядов в информационном слове оперативных запоминающих устройств, ассоциативных запоминающих устройств, а также внешних запоминающих устройств, выполненных на основе приборов с зарядовой связью и цилиндрических магнитных доменов, должны соответствовать указанным в табл. I.

Таблица 1

Число разрядов в информационном слове

Число информационных слов

сч

«•

S

1

V

к

й

к

з

*<

V

еч

\ГУ

1

!

к

81

т

*•*

1

+

+

+

X

X

X

X

X

X

X

X

X

X

X

2

+

+

X

X

X

X

X

4

+

+

+

+

X

X

X

X

X

X

X

X

X

X

X

8

+

+

+

X

X

X

X

X

16

X

X

Примечание. В табл. 1 и 2 К *» 1024.

3. Допускаемые сочетания значений числа информационных слов и числа разрядов в информационном слове постоянных запоминающих устройств, постоянных запоминающих устройств с однократным электрическим программированием и постоянных запоминающих устройств с многократным электрическим программированием должны соответствовать указанным в табл. 2.

4. Допускаемые сочетания значений времени выборки оперативных запоминающих устройств и времени поиска информации ассоциативных запоминающих устройств в зависимости от схемнотехнологического исполнения должны соответствовать указанным в табл. 3.

Схемно-технологическое исполнение интегральных микросхем

Таблица 3

Время выборки, нс Время поиска информации, нс

X

6,3

10

16

25

40

63

100

160

250

400

630

1000

1

X

X

(

X

X

1

X

X

X

X

X

X

X

+

+

+

+

X

X

X

X

X

X

X

X

+

+

+

X

X

X

х

X

X

X

X

X

+

+

I

" I

X

На основе эмиттерн0* связанной логики На основе транзйс" торно-транзисторной л°* гики. На основе инте; тральной инжекционн0и логики На основе п-канал^" ных структур «металл^* диэлектрик — полупр^" водник»

На основе комплеме#* тарных структур «ме" талл — диэлектрик — л*3" лупроводник»

5. Допускаемые сочетания значений времени выборки постоянных запоминающий устройств и постоянных запоминающих устройств с однократном электрическим программированием в зависимости от схемно-^ехнологического исполнения должны соответствовать указанным # табл. 4.

Таблица 4

/

Время выборки, нс

ЗИЛ ^

\

\

\

\

N

\

ч

\

ч

ч

исполнение интегральны* микросхем

2,5

4,0

8,3

10

25

40

63

100

160

250

400

630

1000

«- — ■■ ■- . -■ ■«■■■

На основе эмиттерн#*

X

X

X

X

X

X

+

связанной логики

На основе транзистор*

но-транзисторной лог#" ки. На основе инт#"

тральной инжекционно#

X

X

X

X

+

+

+

логики

На основе л-каналО"

ных структур «металл^ диэлектрик — полупр#* водник»

X

X

X

X

X

X

+

+

+

На основе комплеме#* тарных структур «м#' талл — диэлектрик полупроводник»

X

X

X

X

X

X

+

+

+

6. Допускаемые сочетания значений времени выборки постоянных запоминающих устройств с многократным электрическим программированием в зависимости от схемно-технологического исполнения должны соответствовать указанным в табл. 5.

Таблица 5

Схемно-технологическое

Время выборки.

НС

исполнение интегральных

микросхем

63

100

160

250

400

630

1000

1600

2500

4000

На аморфных струк-

+

турах

X

X

X

X

На основе структур «металл — диэлектрик — полупроводник» с лавинной инжекцией заряда На основе структур «металл — нитрид — окисел —- полупровод-

X

X

X

X

+

+

+

ник»

X

X

X

X

X

+

+

7.    Удельная потребляемая мощность запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств должна выбираться из ряда: 0,0001; 0,00016; 0,00025; 0,00040; 0,00063; 0,0010; 0,0016; 0,0025; 0,0040; 0,0063; 0,010; 0,016; 0,025; 0,040; 0,063; 0,10; 0,16; 0,25; 0,40; 0,63; 1,0; 1,6; 2,5; 4,0; 6,3; 10 мВт/бит.

8.    Частота сдвигающих импульсов (тактовая частота) для запоминающих устройств, выполненных на основе приборов с зарядовой связью и цилиндрических магнитных доменов, должна выбираться из ряда: 0,10; 0,25; 0,50; 1,00; 2,50; 5,00; 10,00; 25,00 МГц.

9.    Допускаемые сочетания значений основных параметров усилителей воспроизведения должны соответствовать указанным в табл. 6.

Таблица 6

Максимальное среднее время задержки распростра-нения, нс

Минимальное входное напряжение срабатывания усилителя, мВ

1,25

5,00

12,5

20 0

25

X

40

X

+

+

63

+

10. Допускаемые сочетания значений основных параметров формирователей разрядного и адресного токов должны соответствовать указанным в табл. 7,

ГОСТ 24459-80 Стр. 5

Таблица 7

Максимальное среднее время задержки распространения, нс

Максимальный выходной импульсный ток, мА

80

200

315

500

1250

16

X

25

X

X

40

X

+

63

X

+

100

+

11. Допускаемое отклонение электрических параметров от значений, указанных в табл. 3—7 и п. 7, должно находиться в пределах ±20%.

Редактор Я. Б. Жуковская Технический редактор В. Я. Малькова Корректор А. Г. Старостин

Сдано в наб. 24.12.80 Подп. к печ. 26.01.81 0,5 п. л. 0,34 уч.-изД. Я. Тир. 12000 Цена з коп.

Ордена «Знак Почета» Издательство стандартов, 123557, Москва. Новопресненский пер., 3. Тип. «Московский печатник». Москва, Лялин пер., 6. Эак. 1716

1

В табл. 1—7 отмечены знаком « + », для вновь разрабатываемых микросхем знаком «X».