государственный стандарт
СОЮЗА ССР
МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ И ЭЛЕМЕНТОВ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ
ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ
Издание официальное
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ
Москва
УДК 621.3.049.77:006.354 Группа Э02
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ И ЭЛЕМЕНТОВ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ
Основные параметры
Integrated microcircuits for storages and its elements.
Basic parameters
Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 11 декабря 1980 г. № 5776 срок введения установлен
с 01.01 1982 г.
Несоблюдение стандарта преследуется по закону
1. Настоящий стандарт распространяется на интегральные микросхемы запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств; оперативные запоминающие устройства; ассоциативные запоминающие устройства; запоминающие устройства на приборах с зарядовой связью и цилиндрических магнитных доменах; постоянные запоминающие устройства, программируемые маской; постоянные запоминающие устройства с однократным электрическим программированием; постоянные запоминающие устройства с многократным электрическим программированием; усилители воспроизведения; формирователи разрядного и адресного токов.
Стандарт устанавливает допускаемые сочетания значений основных параметров;
для запоминающих устройств — число информационных слов, число разрядов в информационном слове, время выборки, удельную потребляемую мощность;
для запоминающих устройств на приборах с зарядовой связью и цилиндрических магнитных доменах — частоту сдвигающих импульсов (тактовую частоту);
для усилителей воспроизведения — максимальное среднее время задержки распространения и минимальное входное напряжение срабатывания усилителя;
для формирователей разрядного и адресного токов — максимальное среднее время задержки распространения и максимальный выходной импульсный ток.
ГОСТ
24459—80
Взамен ГОСТ 19420-74 (в части запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств) и ГОСТ 17447-72 (в части пп. 3 и 4)
Перепечатка воспрещена
Издательство стандартов, 1981
Стр. 2 ГОСТ 24459-80
2. Допускаемые сочетания значений1 числа информационных слов и числа разрядов в информационном слове оперативных запоминающих устройств, ассоциативных запоминающих устройств, а также внешних запоминающих устройств, выполненных на основе приборов с зарядовой связью и цилиндрических магнитных доменов, должны соответствовать указанным в табл. I.
Таблица 1 |
Число разрядов в информационном слове |
Число информационных слов |
сч |
|
«• |
<о |
S |
1 |
V |
|
|
(О |
к
й |
к
з |
*< |
V
еч
\ГУ |
1 |
! |
к
81
т |
*•* |
1 |
|
|
|
+ |
+ |
+ |
X |
X |
|
X |
X |
X |
X |
X |
X |
X |
X |
X |
2 |
+ |
|
+ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
X |
X |
X |
X |
X |
|
4 |
|
+ |
+ |
+ |
+ |
X |
X |
X |
X |
X |
X |
X |
X |
X |
X |
X |
|
|
8 |
|
+ |
+ |
|
+ |
X |
X |
X |
X |
X |
|
|
|
|
|
|
|
|
16 |
|
|
|
|
|
|
X |
X |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Примечание. В табл. 1 и 2 К *» 1024. |
3. Допускаемые сочетания значений числа информационных слов и числа разрядов в информационном слове постоянных запоминающих устройств, постоянных запоминающих устройств с однократным электрическим программированием и постоянных запоминающих устройств с многократным электрическим программированием должны соответствовать указанным в табл. 2.
4. Допускаемые сочетания значений времени выборки оперативных запоминающих устройств и времени поиска информации ассоциативных запоминающих устройств в зависимости от схемнотехнологического исполнения должны соответствовать указанным в табл. 3.
Схемно-технологическое исполнение интегральных микросхем
Таблица 3
Время выборки, нс Время поиска информации, нс |
X |
6,3 |
10 |
16 |
25 |
40 |
63 |
100 |
160 |
250 |
400 |
630 |
1000 |
1
X |
X |
(
X |
X |
1
X |
|
|
|
|
|
|
|
|
X |
X |
X |
X |
X |
X |
+ |
+ |
+ |
+ |
|
|
X |
X |
X |
X |
X |
X |
X |
X |
+ |
+ |
+ |
|
X |
X |
X |
х |
X |
X |
X |
X |
X |
+ |
+ |
|
" I
На основе эмиттерн0* связанной логики На основе транзйс" торно-транзисторной л°* гики. На основе инте; тральной инжекционн0и логики На основе п-канал^" ных структур «металл^* диэлектрик — полупр^" водник»
На основе комплеме#* тарных структур «ме" талл — диэлектрик — л*3" лупроводник»
5. Допускаемые сочетания значений времени выборки постоянных запоминающий устройств и постоянных запоминающих устройств с однократном электрическим программированием в зависимости от схемно-^ехнологического исполнения должны соответствовать указанным # табл. 4.
Таблица 4
/
Время выборки, нс |
ЗИЛ ^ |
\ |
\ |
|
\ |
\ |
N |
\ |
ч |
|
\ |
ч |
ч |
|
|
исполнение интегральны* микросхем |
2,5 |
4,0 |
8,3 |
10 |
1б |
25 |
40 |
63 |
100 |
160 |
250 |
400 |
630 |
1000 |
«- — ■■ ■- . -■ ■«■■■
На основе эмиттерн#* |
X |
X |
X |
X |
X |
X |
+ |
|
|
|
|
|
|
|
связанной логики |
|
|
|
|
|
|
|
На основе транзистор* |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
но-транзисторной лог#" ки. На основе инт#"
тральной инжекционно# |
|
|
|
|
|
X |
X |
X |
X |
+ |
+ |
+ |
|
|
логики |
|
|
|
|
|
|
|
На основе л-каналО" |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ных структур «металл^ диэлектрик — полупр#* водник» |
|
|
|
|
|
X |
X |
X |
X |
X |
X |
+ |
+ |
+ |
На основе комплеме#* тарных структур «м#' талл — диэлектрик полупроводник» |
|
|
|
|
|
X |
X |
X |
X |
X |
X |
+ |
+ |
+ |
|
6. Допускаемые сочетания значений времени выборки постоянных запоминающих устройств с многократным электрическим программированием в зависимости от схемно-технологического исполнения должны соответствовать указанным в табл. 5.
Таблица 5 |
Схемно-технологическое |
|
|
|
Время выборки. |
НС |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
исполнение интегральных |
микросхем |
63 |
100 |
160 |
250 |
400 |
630 |
1000 |
1600 |
2500 |
4000 |
На аморфных струк- |
|
|
|
|
+ |
|
|
|
|
|
турах |
X |
X |
X |
X |
|
|
|
|
|
На основе структур «металл — диэлектрик — полупроводник» с лавинной инжекцией заряда На основе структур «металл — нитрид — окисел —- полупровод- |
|
X |
X |
X |
X |
+ |
+ |
|
|
+ |
ник» |
|
|
X |
X |
X |
X |
X |
+ |
+ |
|
7. Удельная потребляемая мощность запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств должна выбираться из ряда: 0,0001; 0,00016; 0,00025; 0,00040; 0,00063; 0,0010; 0,0016; 0,0025; 0,0040; 0,0063; 0,010; 0,016; 0,025; 0,040; 0,063; 0,10; 0,16; 0,25; 0,40; 0,63; 1,0; 1,6; 2,5; 4,0; 6,3; 10 мВт/бит.
8. Частота сдвигающих импульсов (тактовая частота) для запоминающих устройств, выполненных на основе приборов с зарядовой связью и цилиндрических магнитных доменов, должна выбираться из ряда: 0,10; 0,25; 0,50; 1,00; 2,50; 5,00; 10,00; 25,00 МГц.
9. Допускаемые сочетания значений основных параметров усилителей воспроизведения должны соответствовать указанным в табл. 6.
Таблица 6 |
Максимальное среднее время задержки распростра-нения, нс |
Минимальное входное напряжение срабатывания усилителя, мВ |
1,25 |
5,00 |
12,5 |
20 0 |
25 |
X |
|
|
|
40 |
X |
|
+ |
+ |
63 |
|
+ |
|
|
|
10. Допускаемые сочетания значений основных параметров формирователей разрядного и адресного токов должны соответствовать указанным в табл. 7,
ГОСТ 24459-80 Стр. 5
Таблица 7 |
Максимальное среднее время задержки распространения, нс |
Максимальный выходной импульсный ток, мА |
80 |
200 |
315 |
500 |
1250 |
16 |
|
|
|
X |
|
25 |
|
|
X |
|
X |
40 |
|
X |
+ |
|
|
63 |
X |
|
|
+ |
|
100 |
|
|
|
+ |
|
|
11. Допускаемое отклонение электрических параметров от значений, указанных в табл. 3—7 и п. 7, должно находиться в пределах ±20%.
Редактор Я. Б. Жуковская Технический редактор В. Я. Малькова Корректор А. Г. Старостин
Сдано в наб. 24.12.80 Подп. к печ. 26.01.81 0,5 п. л. 0,34 уч.-изД. Я. Тир. 12000 Цена з коп.
Ордена «Знак Почета» Издательство стандартов, 123557, Москва. Новопресненский пер., 3. Тип. «Московский печатник». Москва, Лялин пер., 6. Эак. 1716
1
В табл. 1—7 отмечены знаком « + », для вновь разрабатываемых микросхем знаком «X».