Товары в корзине: 0 шт Оформить заказ
Стр. 1
 

9 страниц

304.00 ₽

Купить официальный бумажный документ с голограммой и синими печатями. подробнее

Официально распространяем нормативную документацию с 1999 года. Пробиваем чеки, платим налоги, принимаем к оплате все законные формы платежей без дополнительных процентов. Наши клиенты защищены Законом. ООО "ЦНТИ Нормоконтроль".

Наши цены ниже, чем в других местах, потому что мы работаем напрямую с поставщиками документов.

Способы доставки

  • Срочная курьерская доставка (1-3 дня)
  • Курьерская доставка (7 дней)
  • Самовывоз из московского офиса
  • Почта РФ

Устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения основных понятий полупроводниковых материалов

Показать даты введения Admin

Страница 1

Группа ЕОО

МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

МАТЕРИАЛ Ы I ЮЛ У11РОВОДН И КОВЫ Е

Термины и определения основных электрофизических параметров    ГОСТ

22622_77

Semiconductor materials.

Terms and definitions of

MKC 01.040.29 29.045

Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 18 июля 1977 г. № 1755 дата введения установлена

01.07.78

Настоящий стандарт устанавливает применяемые в пауке, технике и производстве термины и определения основных понятий полупроводниковых материалов.

Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, учебниках, учебных пособиях, технической и справочной литературе. Приведенные определения можно, при необходимости, изменять по форме изложения, не допуская нарушения границ понятии.

Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в стандарте в качестве справочных и обозначены «Ндп1.

Для отдельных стандартизованных терминов в стандарте приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования.

В стандарте приведен алфавитный указатель содержащихся в нем терминов на русском языке.

Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма — светлым, а недопустимые синонимы — курсивом.

В стандарте приведено приложение, содержащее общие понятия физики твердого тела, применяемые к полупроводникам.

4.    Сложный полупроводник

5.    Электронный полупроводник

Термин

Определение

1.    Проводниковый материал

2.    Полупроводник

Материал, предназначенный для использования его полупроводниковых свойств По ГОСТ 19880-74»

ВИДЫ И СОСТОЯНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

3.    Простой полупроводник

Полупроводник, основной состав которого образован атомами одного химического элемента

Полупроводник, основной состав которого обраюван атомами двух или большего числа химических элементов

Полупроводник, электропроводность которого обусловлена в основном перемещением электронов проводимости

* На территории Российской Федерации действует ГОСТ Р 52002-2003 (здесь и далее).

1

Издание с Изменением № I. утвержденным в мае 1982 г.

(НУС 9-82).

1S0

Страница 2

ГОСТ 22622-77 С. 2

Термин

Определение

6.    Дырочный полупроводник

7.    Примесный полупроводник

8.    Собственный полупроводник

9.    Вырожденный полупроводник

10.    Невырожденный полупроводник

11.    Частично компенсированный полупроводник

12.    Скомпенсированный полупроводник

Полупроводник, электропроводность которого обусловлена в основном перемещением дырок проводимости

Полупроводник, электропроводность которого определяется примесями

Полупроводник, не содержащий примесей, влияющих на его электропроводность

Полупроводник, уровень Ферми в котором расположен в зоне проводимости или в валентной зоне, или же в запрещенной зоне на расстоянии от границ указанных зон. меньшем кТ

Полупроводник, уровень Ферми в котором расположен в запрещенной зоне на расстоянии от ее границ, большем кТ

Примесный полупроводник, электронная (дырочная) проводимость которого частично компенсирована дырочной (электронной) проводимостью примесей

Примесный полупроводник, в котором в нормальных условиях концентрации электронов проводимости и дырок проводимости одинаковы

ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

13.    Носитель заряда

14.    Дырка проводимости

Дырка

15.    Основные носители заряла полупровод-ника

Основные носители

16.    Неосновные носители заряда полу-проводника

Неосновные носители

17.    Равновесные носители наряда подупро-волника

Равновесные носители Ндп. Те/новые носители

18.    Неравновесные носители заряда полупроводника

Неравновесные носители

19.    Горячие носители шряда

20.    Электронная электропроводность полупроводника

Электронная электропроводность Ндп. Электронная проводимость

21.    Дырочная электропроводность Ндп. Дырочная проводимость

22.    Собственная электропроводность Ндп. Собственная проводимость

23.    Примесная электропроводность полупроводника

Примесная электропроводность

24.    Фотопроводимость

25.    Собственная концентрация носителей заряда полупроводника

Собственная концентрация

26.    Равновесная концентрация носителей таряда полу проводника

Равновесная концентрация

По ГОСТ 19880-74

Незаполненная валентная связь, которая проявляет себя как положительный заряд, численно равный заряду электрона

Носители заряда, концентрация которых в данном полупроводнике преобладает

Носители заряда, концентрация которых в данном полупроводнике меньше, чем концентрация основных носителей заряда

Носители заряда, возникновение которых явилось следствием тепловых колебаний кристаллической решетки полупроводника в условиях термодинамического равновесия

Носители заряда полупроводника, не находящиеся в термодинамическом равновесии по концентрации и (или) по энергетическому распределению

Неравновесные носители заряда полупроводника, средняя энергия которых существенно превышает равновесную энергию, соответствующую температуре кристаллической решетки

Электропроводность полупроводника, обусловленная в основном перемещением электронов проводимости

Электропроводность полупроводника, обусловленная в основном перемещением дырок проводимости

Электропроводность полупроводника, обусловленная генерацией пар электрон проводимости — дырка проводимости при любом способе возбуждения

Электропроводность полупроводника, обусловленная ионизацией атомов донорной или акцепторной примесей при любом способе возбуждения

Электропроводность полупроводника, обусловленная фоторс-

ЗИСТИВНЫМ J(|)(j>CKTOM

Концентрация ранновесных носителей заряда в собственном полупроводнике

Концентрация подвижных носителей заряда в полупроводнике в условиях термодинамического равновесия


17-1-У5

181

Страница 3

С. 3 ГОСТ 22622-77

Определение

Термин

27.    Концентрация неравновесных носителей заряда полупроводника Неравновесная концентрация

28.    И <бы точная концентрация носителей заряда полупроводника Избыточная концентрация

29.    Критическая концентрация электронов проводимости полупроводника Критическая концентрация электронов

30.    Критическая концентрация дырок проводимости полупроводника Критическая концентрация дырок

31.    'Эффективная масса носителя заряда полупроводника

Эффективная масса носителя заряда

32.    Эффективное сечение захвата носителя заряда полупроводника

Эффективное сечение захвата

33.    Диффузионная длина неосновных носителей заряда полупроводника

Диффузионная длина

34.    Объемное время жизни неравновесных носителей заряда полупроводника Объемное время жизни

35.    Поверхностное время жнши неравновесных носителей заряда полупроводника

Поверхностное время жизни

36.    Эффективное время жиши неравновесных носителей заряда полупроводника

Эффективное время жизни

37.    Длина дрейфа неравновесных носителей заряда полупроводника

Длина дрейфа

38.    Скорость поверхностной рекомбинации носителей заряда полупроводника Скорость поверхностной рекомбинации

39.    Энергия активации примесей полупроводника

Энергия активации

40.    Концентрация вырождения полупроводника

Концентрация вырождения

41.    Степень компенсации полу проводника

Степень компенсации

42.    Инверсионный слой полупроводника

Инверсионный слой

Концентрация носителей заряда в полупроводнике, отличная от равновесной

Избыток концентрации неравновесных носителей заряда в полупроводнике над концентрацией равновесных носителей заряда

Концентрация электронов проводимости полупроводника, при которой уровень Ферми совпадает с нижней границей зоны проводимости

Концентрация дырок проводимости полупроводника, при которой уровень Ферми совпадает с верхней границей валентной зоны

Величина, имеющая размерность массы и характеризующая движение носителя заряда в полупроводнике под действием внешнего электромагнитного поля

Величина, имеющая размерность площади и обратная произведению концентрации носителей заряда данного типа в полупроводнике на средний путь, проходимый носителями от освобождения до захвата

Расстояние, на кагором в однородном полупроводнике при одномерной диффузии в отсутствие электрического и магнитного полей избыточная концентрация неосновных носителей заряда уменьшается вследствие рекомбинации в е раз

Среднее время между генерацией и рекомбинацией неравновесных носителей зарядов в объеме полупроводника

Отношение избыточного количества неравновесных носителей заряда в объеме полупроводника к плотности их потока на поверхности

Величина, характеризующая скорость убывания концентрации неравновесных носителей заряда вследствие их рекомбинации как в объеме, так и на поверхности полупроводника

Средняя длина переноса неравновесных носителей заряда в полупроводнике электрическим полем за время, прошедшее с момента их возбуждения до рекомбинации

Отношение плотности потока носителей заряда, рекомбинировавших на поверхности полупроводника, к концентрации избыточных носителей заряда у поверхности

Минимальная энергия возбуждения примесного атома, необходимая для создания примесной электропроводности полупроводника

Минимальная концентрация носителей заряда, соответствующая вырождению полупроводника при данной температуре

Отношение концентрации неосновных носителей заряда, созданных возбужденной примесью, и собственных носителей заряда полупроводника

Приповерхностный слой полупроводника, обладающий электропроводностью. противоположной по закону электропроводности глубинных слоев


ПРОЦЕССЫ И ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

43. Освобождение носителя заряда полупроводника

Освобождение носителя

Возникновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате возбуждения дефекта решетки полупроводника


182

Страница 4

ГОСТ 22622-77 С. 4

Определение

Термин

44.    Захват носителя заряда полупроводника

Захват носителя

45.    Инжскция носителей шряла Инжскция

46.    Экстракция носителей заряда Экстракция

47.    Генерация носителей заряда полупроводника

Генерация 4S. ['енерация пары носителей заряда Генерации пары

49.    Монополярная световая генерация носителей заряда полупроводника

Монополярная световая генерация

50.    Биполярная световая генерация носителей заряда полупроводника Биполярная световая генерация

51.    Рекомбинация носителей заряда полупроводника

Рекомбинация

52.    Межзонная рекомбинация носителей заряда полупроводника Межзонная рекомбинация

Ндп. Пряная рекомбинация

53.    Фотонная рекомбинация носителей заряда полупроводника

Фотонная рекомбинация

54.    Фотонная рекомбинация носителей заряда полупроводника

Фотонная рекомбинация

55.    Поверхностная рекомбинация носителей заряда полупроводника Поверхностная рекомбинация

56.    Диффузионный ток

57.    Дрейфовый ток

58.    Биполярная диффузия неравновесных носителей заряда полупроводника

Биполярная диффузия

59.    11рямой переход в полупроводнике

Прямой переход

Ндп. Вертикальный переход

Исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника

Введение носителя заряда в полупроводник

Выведение носителя заряда из полупроводника

Процесс превращения связанною электрона в свободный, сопровождающийся образованием незавершенной связи с избыточным положительным зарядом

Возникновение в полупроводнике пары электрон проводимости — дырка проводимости в результате энергетического воздействия

Возникновение в полупроводнике в результате оптического возбуждения неравновесных носителей одного знака

Возникновение в полупроводнике в результате оптического возбуждения равного числа носителей зарядов обоих знаков

Нейтрализация пары электрон проводимости — дырка проводимости

Рекомбинация носителей заряда полупроводника, осуществляемая путем перехода свободного электрона в валентную зону

Межзонная рекомбинация носителей заряда полупроводника, сопровождаемая выделением <]югона

Межзонная рекомбинация носителей заряда полупроводника, сопровождающаяся передачей акустической энергии кристаллической решетке

Рекомбинация носителей заряда на поверхностных дефектах полупроводника

Направленное движение зарядов в полупроводнике, возникающее вследствие градиента концентрации носителей заряда

Направленное движение носителей заряда в полупроводнике, вызванное градиентом потенциала электрического поля

Совместная лиффузпя неравновесных электронов и дырок при на<шчип электрического поля

Переход электрона в полупроводнике из валентной зоны в зону проводимости с сохранением волнового вектора


ЭФФЕКТЫ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

60. Фоторс 1КСТИВИЫЙ эффект

61. Кристалл-фотшффскт

62.    Эффект поля в полупроводнике

Эффект поля

63.    Фотомагиитоэлсктричоский эффект

Изменение электрического сопротивления полупроводника, обусловленное исключительно действием оптического излучения и нс связанное с сю нагреванием

Возникновение электрического паяя в однородном неравномерно освещенном полупроводнике

Изменение электропроводности приповерхностного слоя полупроводника иод воздействием электрическою поля

Возникновение в полупроводнике электрического поля, напряженность которого перпендикулярна магнитной индукции и потоку диффундирующих частиц под действием электромагнитного излучения


17-1*

IS3

Страница 5

С. 5 ГОСТ 22622-77

Определение

Термин

64.    Термомягннтный эффект

Ндп. Эффект Риги-Ледюка

65.    Электротермический эффект

Ндп. Эффект Тайсона

66.    Термшяиьванический эффект

Ндп. Эффект Нернста-Эттингсхаузе-на

67.    1 (ооеречный термогальваномашитный эффект

Ндп. Эффект Эттингсхаузена

68.    Продольный термогальваномашитный эффект

Эффект Нсрнста

69.    Магии торезисшвный эффект

70.    Эффект Холла

71.    Эффект Ганна

Возникновение поперечного градиента температур в полупроводнике при наличии продольною градиентатемператур и при воздействии поперечного магнитного поля

Выделение или поглощение тепловой энергии, обусловленное продольным градиентом температуры при протекании электрического тока через однородный полупроводник

Возникновение поперечной напряженности электрического паяя в полупроводнике вследствие наличия продольного градиента температур и поперечного магнитного поля

Возникновение поперечного градиента температур в полупроводнике вследствие разброса скоростей носителей при протекании электрического тока и при воздействии поперечного магнитного поля

Возникновение продольного градиента температур в полупроводнике вследствие разброса скоростей носителей зарядов при протекании через него электрического тока и при воздействии поперечного магнитного поля

Изменение электрического сопротивления полупроводника иод действием магнитного поля

Возникновение поперечного электрическою поля при протекании электрического тока через полупроводник, помешенный в магнитное ноле

Генерация высокочастотных колебаний электрического тока в полупроводнике под действием постоянного электрического поля


ЗОННАЯ СТРУКТУРА ПОЛУПРОВОДНИКОВ

72.    Энергетическая зона полупроводника

Энергетическая зона

73.    Разрешенная зона полупроводника

Разрешенная зона

74.    Запрещенная зона полупроводника Запрещенная зона

75.    Свободная юна полупроводника

76.    Зона проводимости полупроводника

Зона проводимости

77.    Заполненная зона полупроводника

Заполненная зона

78.    Валентная зона полупроводника Валентная зона

79.    Ширина ]апрещснной юны полупроводника

Ширина запрещенной зоны

80.    Локальный энергетический уровень полупроводника

Локальный уровень

81.    Примесный уровень полупроводника Примесный уровень

82.    Демаркационный уровень полупроводника

Демаркационный уровень

83.    Примесная зона полупроводника

Примесная юна

Область значений полной энергии электронов в кристалле полупроводника

Энергетическая зона или совокупность перекрывающихся в результате расщепления из какого-либо одного или нескольких энергетических уровней изолированных атомов в процессе образования структуры кристалла

Область значений энергии, которыми не могут обладать электроны в полупроводнике

Разрешенная юна полупроводника, в которой отсутствуют электроны проводимости при абсолютном нуле температуры Свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости

Разрешенная зона полупроводника, в которой при абсолютном нуле температуры все энергетические уровни заняты электронами

Верхняя из заполненных зон полупроводника

Разность энергий между нижним уровнем юны проводимости и верхним уровнем валентной зоны полупроводника

Энергетический уровень, расположенный в запрещенной зоне полупроводника, обусловленный дефектом решетки, когда взаимодействием отдельных дефектов можно пренебречь

Локальный энергетический уровень полупроводника обусловленный примесью

Локальный энергетический уровень полупроводника, для которого процессы рекомбинации и возврата в разрешенную зону в результате тепловых колебаний решетки равновероятны

Энергетическая зона, образованная при взаимодействии примесей совокупностью примесных уровней, находящихся в запрещенной зоне полупроводника


(Измененная редакция, Изм. № 1).

184

Страница 6

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ

ГОСТ 22622-77 С. 6 ЯЗЫКЕ

Время жмзнн неравновесных носителем lap яда полупроводника объемное

34

Время жизни неравновесных носителей заряда полупроводника поверхностное

35

Время жизни неравновесных носителей заряда полупроводника эффективное

36

Время жизни объемное

34

Время жизни поверхностное

35

Время жизни эффективное

36

Генерация

47

Генерация носителей заряда полупроводника

47

Генерация носителей заряда полупроводника световая биполярная

50

Генерация носителей заряда полупроводника световая монополярная

49

Генерация пары

48

Генерация пары носителей заряда

48

Генерация световая биполярная

50

Генерация световая монополярная

49

Диффузия биполярная

58

Диффу зия неравновесных носителей заряда полупроводника биполярная

58

Диша диффузионная

33

Диша дрейф!

37

Длина дрейфа неравновесных носителей заряда полупроводника

37

Дчина неосновных носителей заряда полупроводника диффузионная

33

Дырка

14

Дырка проводимости

14

Захват носителя

22

Захват носителя заряда полупроводника

44

Зона валентная

78

Зона заполненная

77

Зона запрещенная

74

Зона полупроводника валентная

78

Зона полупроводника заполненная

77

Зона полупроводника 1анрсшенная

74

Зона полупроводника примесная

83

Зона полупроводника ра {решенная

73

Зона полупроводника свободная

75

Зона полупроводника энергетическая

72

Зона примесная

83

Зона проводимости

76

Зона проводимости полупроводника

76

Зона разрешенная

73

Зона свободная

75

Зона энергетическая

72

Инжекиия

45

Инжскция носителей заряда

45

Концентрация вырождения

40

Концентрация вырождения полупроводника

40

Концентрация дырок критическая

30

Концентрация дырок проводимости полупроводника критическая

30

Концентрация избыточная

28

Концентрация неравновесная

27

Концентрация неравновесных носителей заряда полупроводника

27

Концентрация носителей заряда полупроводника избыточная

28

Концентрация носителей заряда полупроводника равновесная

26

Концентрация носителей заряда полупроводника собственная

25

Концентрация равновесная

26

Концентрация собственная

25

Концентрация электронов критическая

29

Концентрация электронов проводимости полупроводника критическая

29

Кристалл-фотоэффект

61

Масса носителя заряда полупроводника эффективная

31

Масса носителя заряда эффективная

31

17.2-9J    185

Страница 7

С. 7 ГОСТ 22622-77

Материал полупроводниковый    I

Носитель заряда    13

Носители «аряда горячие    19

Носители заряда полупроводника неосновные    16

Носители заряда полупроводника неравновесные    18

Носители заряда полупроводника основные    15

Носители заряда полупроводника равновесные    17

Носители неосновные    16

Носители неравновесные    18

Носители основные    15

Носители равновесные    17

Носители тепловые    17

Освобождение носителя    43

Освобождение носителя заряда полупроводника    43

Переход вертикальный    59

Переход в полупроводнике прямой    59

Переход прямой    59

Полупроводник    2

Полупроводник    вырожденный    9

11олупроводник    дырочный    6

Полупроводник    компенсированный частично    II

Полупроводник    невырожденный    10

Полупроводник    примесный    7

11олупроводник    простой    3

Полупроводник    скомпенсированный    12

I Io.ivпроводник    сложный    4

Полупроводник    собственный    8

I Io.ivпроводник    электронный    5

Проводимость дырочная    21

Проводимость собственная    22

Проводимость электронная    20

Рекомбинаиия    51

Рекомбинация межзонная    52

Рекомбинация носителей заряда полупроводника    51

Рекомбинация носителей заряда    полупроводника межзонная    52

Рекомбинация носителей заряда    полупроводника поверхностная    55

Рекомбинация носителей заряда    полупроводника фотонная    54

Рекомбинация носителей заряда    полупроводника фотонная    53

Рекомбинация поверхностная    55

Рекомбинация прямая    52

Рекомбинация фотонная    54

Рекомбинация фотонная    53

Сечение захвати носителя заряда полупроводника эффективное    32

Сечение захвата эффективное    32

Степень компенсации    41

Степень компенсации полупроводника    41

Скорость поверхностной рекомбинации    38

Скорость поверхностной рекомбинации носителей заряда полупроводника    38

Слой инверсионный    42

Слой полупроводника инверсионный    42

Ток диффузнойный    56

Ток дрейфовый    57

Уровень демаркационный    82

Уровень локальный    72

Уровень полупроводника демаркационный    82

Уровень полупроводника примесный    81

Уровень полупроводника энергетический локальный    80

Уровень примесный    81

Фотопроводимость    24

Ширина запрещенной зоны    79

Ширина запрещенной зоны полупроводника    79

186

Страница 8

ГОСТ 22622-77 С. 8

Экстракция    46

Экстракция носителей заряда    46

Электропроводность дырочная    21

Электропроводность полупроводника примесная    23

Электропроводность полупроводника электронная    20

Электропроводность примесная    23

Электропроводность собственная    22

Электропроводность электронная    20

Энергия активации    39

Энергия активации примесей полупроводника    39

Эффект Ганна    71

Эффект магниторезистивный    69

Эффект Нернста    68

Щнрект Нернста-Эттингсхаузена    66

Эффект поля    62

Эффект поля в полупроводнике    62

Эффект Риги-Ледюка    64

Эффект термогальваномагнитиыи    66

Эффект терчогальваночагнитный поперечный    67

Эффект гермогальваноматнитный продольный    68

Эффект термомагнитный    64

Эффект Томсона    65

Эффект фоточагннтоэлсктрическнй    63

Эффект фоторечнетивный    60

Эффект Холла    70

Эффект электротермический    65

Эффект Эттингсхаузена    67

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА НЕМЕЦКОМ ЯЗЫКЕ (Исключен, H jm. ЛЬ 1).

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ (Исключен, Him. 1).

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫКЕ (Исключен, Изм. ЛЬ 1).

ПРИЛОЖЕНИЕ

Справочное

Обшнс понятия физики твердой» тела, применяемые к полупроводникам

Определение

Термин

1.    Электрон проводимости

2.    Нолярон

3. Экситои

17-2*


Электрон, создающий электропроводность Квазичастица, прсдстаилякнцая собой состояние поляризации окружающего вещества, вызванное электроном проводимости, движение которого сопровождается перемещением созданной им области поляризации

Квазичастица, представляющая собой электрически нейтральное состояние возбуждения электронов, способное перемещаться на много постоянных решетки и не сопровождающееся возникновением дополнительной проводимости

187


Страница 9

С. 9 ГОСТ 22622-77

Определение

Термин

4.    Дефект решетки

5.    Примесный дефект решетки

Примесный дефект

6.    Стехиометрический дефект решетки Стехиометрический дефект

7.    Точечный дефект решетки

8.    Поверхностный дефект решетки

9.    Ловушка захвата

Ловушка

10.    Рекомбинационная ловушка

Иди. Центр рекомбинации

11.    .Акцептор

12.    Донор

13.    Акцепторная примесь

14.    Донорная примесь

15.    Подвижность носителей наряда

Подвижность

16.    Среднее время свободного пробега носителя ia ряда

Время пробега

17.    Средняя длина свободно!» пробега носит елей заряда

Дтина свободного пробега

18.    козффициент диффу ши носителей наряда

19.    Оптическое возбуждение

Ндп. Оптическая накачка

20.    Инверсия населенностей

21.    Электрическое возбуждение

22.    Собственное поглощение света

Собственное поглощение

23.    Экскгоннос поглощение

24.    Примесное поглощение

25.    Фотоэлектрическое поглощение

26.    Уровень Ферми

Нарушение периодичности решетки кристалла

Дефект решетки, созданный атомом постороннего элемента

Дефект решетки в соединении, созданный избытком или недостатком атомов но сравнению со стехиометрическим составом Стехиометрический дефект решетки, эффективные размеры которого порядка параметра решетки

Дефект решетки, локализующийся в приповерхностном слое полупроводникового материала на глубинах, соизмеримых с параметрами решетки

Дефект решетки, способный захватывать подвижные носители заряда с последующим их освобождением

Ловушка захвата, нейтрализующая захваченные носители заряда

Дефект решетки, способный при возбуждении захватывать электрон из валентной зоны

Д«|)ект решетки, способный при возбуждении отдать электрон в зону проводимости

Примесь, атомы которой являются акцепторами.

Примесь, атомы которой являются донорами Отношение средней установившейся скорости перемещения носителей заряда в напраатенни электрическою поля к напряженности последнего

Среднее время между двумя последовательными соударениями носителей заряда

Среднее расстояние между двумя последовательными соударениями носителя заряда

Отношение плотности потока подвижных носителей заряда одного типа к градиенту их концентрации в отсутствие электрического и магнитного полей

Генерация неравновесных носителей заряда при оптическом обучении полупроводника

Состояние полупроводника, при котором концентрация носителей заряда на возбужденных уровнях выше равновесной

Возникновение инверсии населенностей в полупроводнике в результате воздействия электрического поля

Поглощение полупроводником оптическою излучения, обусловленное переходом электронов из валентной зоны в зону проводимости

Поглощение полупроводником оптического излучения, сопровождающееся образованием экситона

Поглощение полупроводником оптического излучения, обусловленное возбуждением примесных дефектов

Изменение поглощения оптического излучения в результате смешения границы собственного поглощения под воздействием на полупроводник электрического поля

Энергетический уровень, вероятность заполнения которого равна 0.5 при температурах, отличных от температуры абсолютного нуля


ПРИЛОЖЕНИЕ. (Измененная редакция, Изм. № 1).

188