Стр. 1
 

19 страниц

396.00 ₽

Купить официальный бумажный документ с голограммой и синими печатями. подробнее

Официально распространяем нормативную документацию с 1999 года. Пробиваем чеки, платим налоги, принимаем к оплате все законные формы платежей без дополнительных процентов. Наши клиенты защищены Законом. ООО "ЦНТИ Нормоконтроль".

Наши цены ниже, чем в других местах, потому что мы работаем напрямую с поставщиками документов.

Способы доставки

  • Срочная курьерская доставка (1-3 дня)
  • Курьерская доставка (7 дней)
  • Самовывоз из московского офиса
  • Почта РФ

Устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров биполярных транзисторов.

Термины и отечественные буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе.

Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации на биполярные транзисторы, предназначенные для экспортных поставок

Ограничение срока действия снято: Постановление Госстандарта № 1641 от 22.06.78

Показать даты введения Admin

Страница 1

НАЦИОНАЛЬНЫЕ СТАНДАРТЫ

ЭЛЕКТРОНИКА

Термины и определения

Часть 2

Издание официальное

Non Стандарте нфори ШЛ

I-I-20J


Страница 2

УДК 001.4:621.006.354

ОТ ИЗДАТЕЛЬСТВА

Сборник «Электроника. Термины и определения. Часть 2» содержит стандарты, утвержденные до I мая 2005 г.

В стандарты внесены изменения, принятые до указанного срока.

Текущая информации о вновь утвержденных и пересмотренных стандартах, а также о принятых к ним изменениях публикуется в выпускаемом ежемесячно информационном указателе «Национальные стандарты*.

Ф Стандарт пформ, 2005

Страница 3

Группа ЭОО

МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

ТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯРНЫЕ

Термины, определения и буквенные обозначения параметров    ГОСТ

Bipolar transistors. Terms, definitions and parameter symbols    20003_74

MKC 0UM0.31 3I.0S0.30 ОКСТУ 6201

Постановлением Государственною комитета стандартов Совета Министров СССР от 29 июля 1974 г. № 1799 дата введения установлена

01.07.75

Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров биполярных транзисторов.

Термины и отечественные буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе.

Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации на биполярные транзисторы, предназначенные для экспортных поставок.

Стандарт полностью соответствует СТ СЭВ 2770—80.

Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов—синонимов стандартизованного термина запрещается.

Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в стандарте в качестве справочных и обозначены «Ндп».

Установленные определения можно, при необходимости, изменять по форме изложения, не допуская нарушения границ понятия.

В случае, когда необходимые и достаточные признаки понятия содержатся в буквенном значении термина, определение не приведено, и. соответственно, в графе «Определение» поставлен прочерк.

В стандарте в качестве справочных для ряда стандартизованных терминов приведены иностранные эквиваленты на немецком (Д), английском (Е) и французском (F) языках.

В стандарте приведены алфавитные указатели содержащихся в нем терминов на русском языке и их иностранных эквивалентов.

Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, недопустимые термины — курсивом.

Когда встречаются одинаковые параметры для биполярного транзистора и другого полупроводникового прибора, в буквенное обозначение параметра следует добавлять дополнительный индекс, уточняющий принадлежность параметра к данному полупроводниковому прибору. Например, время включения стабилитрона /DK4iCf; время включения биполярного транзистора 1пл 6.время включения полевого транзистора

Издание официальное    Перепечатка    воспрещена

Издание с Изменениями № I, 2, утеержденньсии в августе 1982 г., июне 1985г. <НУС 12—82, 9—85).

Страница 4

С. 2 ГОСТ 20003-74

Термин

Бу к tic н not: обозначение

Определение

о i счес темное

межлуиа-ролнос

1 Обратный ток коллектора

D.    Kollektorreststrom (bci offcncm Emitter)

E.    Collector cut-off current

F.    Courant nSsiducl du collecteur

^кьо

^СВО

Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор — база и разомкнутом выводе эмиттера

2. Обратный ток эмиттера

D.    Emitterreststrom (bci otTenem Kollektor)

E.    Emitter cut-off current

F.    Courant rihoducl dr 1 “cmetteur

^чьо

Ток через эмиггерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер —база и разомкнутом выводе коллектора

3. Обратный ток коллектор-эмиттер

Иди. Начеиьный ток коллектора Ток коллектора закрытого транзистора

D.    Kollcktor-Emittcr-Rcststrom

E.    Collcctor-cmitter cut-off current

F.    Courant residue! du collccteur-emcttcur

Ток в цепи коллектор — эмиттер при заданном обратном напряжении коллектора—эмиттер

4. Обратный ток базы

D.    Basis-Emitter-Reststrom

E.    Base cut-olTcurrent

F.    Courant rcsiducl dc la base

(их

'ВЕХ

Ток в цепи вывода базы при заданных обратных напряжениях коллектор—эмиттер и эмиттер — база

5. Критический ток биполярною транзистора

'кр

Значение тока коллектора, при достижении которого значение /ф (|A,,J) падает на ЗдБ но отношению к’сго максимальному значению при заданном напряжении коллектор—эмиттер

6. 1 раннчное напряжение биполярного транзистора

Ндп. Напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы и заданном токе хииттера

^<L)CEO

Напряжение между выводами коллектора и эмиттера при токе базы, равном нулю, и заданном токе эмиттера

7. Напряженно насыщения коллектор-эмиттер

D.    Kollcktor-Emitter-SSttigungsspannung

E.    Saturation collcctor-cmitter voltage

F.    Tension dc saturation collcctcur-emctteur

^КЭмк

Е*и

Напряженке между выводами коллектора и эмиггера транзистора н режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора

8. Напряжение насыщения база-эмиггер

D.    Basis-Emitter-SSttigungsspannung

E.    Saturation baseemitter voltage

F.    Tension dc saturation basc-emettcur

^ т

Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора

9. Плавающее напряженке эмиттер-база

E.    Floating emitter-base voltage

F.    Tension Hot (ante emettcur-basc

^ЭЬм

^ЬИП

Напряжение между выводами эмиттера и базы при заданном обратном напряжении коллектор—база и при токе эмиттера, равном нулю

10. Напряжение смыкания биполярно») транзистора

E.    Punch-through (penetration) voltage

F.    Tension dc penetration (tension dc

pcrsage)

"р.

Обратное напряжение коллектор— база, при котором начинается линейное возрастание напряжения на разомкнутых выводах эмиттера и базы при увеличении напряжения коллектор—база

1 При разомкнутом иыволс базы /ки>, /сво; при коротко замкнутых выводах эмиттера и базы 1К)К, /<14: при заданном сопротивлении в цепи база — эмиттер /к,„, /С1К; при заданном обратном напряжении эмиттер —

база /к.*- '«*•

4

Страница 5

ГОСТ 20003-74 С. 3

Продолжение

Термин

Буквенное обошаченне

Определение

отечествен

ное

ыеждуна*

родное

11. Пробивное напряжение эчкггер-бам

^ЭЬО проб

CBRJ ЬВО

Пробивное напряжение, измеряемое

D. Emitter-Basis-Durchbruchspannung

между выводами эмиттера и базы, при

Е. Breakdown emitter-base voltage

гаданном обратном токе эмиттера и токе

F. Tension de claquage emcttcur-ba.sc

коллектора. равном нулю

12. Пробивное напряжение ко.шекгор

КЬО проб

^(ВК) сво

Пробивное напряжение, измеряемое

бам

между выводами коллектора и базы, при

D. Kollcktor- Basis-Durchbnichspannung

заданном обратном токе коллектора и

E. Breakdown collector-base voltage

токе эмиттера, равном нулю

F. Tension de claquage collcctcur-ba.sc

13. Пробивное напряжение коллектор-

^КЭ проК

Пробивное напряжение, измеряемое

эмиттер

между выводами коллектора и эмиттера

D. Kollektor-Emittcr-

при заданном токе коллектора

Durehbruchspannung (bei vorgegebenen

Bedingungen)

E. Breakdown collector-emitter voltage

F. Tension de claquage collcctcur-cmettcur

14. Входное сопротивление биполярно-

А,*,

А.|

Отношение изменения напряжения

ro транзистора в режиме малого сигнала

на входе к вызвавшему его изменению

D. Kleinsignalcingangswiderstand

входного тока в режиме короткого замы

Е. Small-signal value of the short-circuit

кания по переменному току на выходе

input impedance

транзистора

F. Valeur de Г impedance d'em roe. sortie

en court-circuit pour de petits signaux

15. Коэффициент обратной святи по на

Л,\

*,2

Отношение изменения напряжения

пряжению биполярного транзистора в ре

на входе к вызвавшему его изменению

жиме малого сигнала

напряжения на выходе в режиме холос

D. Klcinsignalspannungsmckwirkung

того хода во входной цепи по перемен

Е. Small-signal value of the open-circuit

ному току

reverse voltage transfer ratio

F. Valeur du rapport de transfcrt inverse

de la tension, entrte en circuit ouvcrt

de petits signaux

16. Коэффициент передачи тока биполяр

*2*.

Отношение изменения выходного

ного транзистора в режиме малого сигнала

тока к вызвавшему его изменению вход

D. Kleinsignalstromverstdrkung

ного тока в режиме короткого замыка

Е. Small-signal value of the short-circuit

ния выходной цепи по переменному току

forward current transfer ratio

F. Valeur du rapport de transfcrt direct

du courant. sortie en court-circuit

pour de petits signaux

17. Модуль коэффициента передачи тока

А«,1

1Л2.«>

Модуль коэффициента передачи тока

биполярного тракгистора на высокой час

в схеме с обшим эмиттером в режиме

тоте

малого сигнала на высокой частоте

D. Bet rag dcr Kur/schlussstromverstirkung

in Emitterschaltung bei HF

E. Modulus of the short-circuit forward

current transfer ratio

F. Module du rapport de transfcrt direct

du courant

' При токе базы, равном нулю, UKI0, OitK<lo;

при заданном сопротивлении в цепи база—эмиттер. UKiKnft£,

при коротком замыкании в цепи база—эмиттер 1рай,

при заданном обратном напряжении база—эмиттер UK1X >ров, Ui0K<tx.

1-2-203    5

Страница 6

С. 4 ГОСТ 20003-74

Продолжение

Термин

Буквенное обозначение

Определение

oie'iecrneH-

ное

междуиа*

родное

18. Выходная полная проводимость би

h22

hn

Отношение изменения выходного

полярного транзистора в режиме малого

тока к вызвавшему его изменению вы

сигнала

ходного напряжения в режиме холосто

D. Klcinsignalausgangslcitwcrt

го хода входной цепи по переменному

Е. Small-signal value of the opcn-circuit

току

output admittance

F. Valour dc ('admittance de sortie, entrie

en circuit ouvert pour de pctits

signaux

19. Входное сопротивление бинолярно-

Au i

Allt

Отношение напряжения на входе

ix) транзистора в схеме с обшим эмиттером

транзистора к входному току при задан

в режиме большой» сигнала

ном постоянном обратном напряжении

Е. Static value of the input resistance

коллектор—эмиттер в Схеме с обшим

F. Valeur statiquc de la resistance d’entrie

эмиттером

20. Статический коэффициент передачи

h2\t

Отношение постоянного тока кол

тока биполярного транзистора

лектора к постоянному току базы при

D. Gleichstromverstariaing in

1аданных постоянном обратном напря

Emitterschaltung

жении коллектор—эмиттер и токе эмит

Е. Static value of the forward current

тера в схеме с общим эмиттером

transfer ratio

F. Valeur statiquc du rapport dc transfcrt

direct du courant

21. Входная полная проводимость бипо

V..

Ун

Отношение изменений комплексных

лярного транзистора в режиме малого сиг

* 1 1

величин входного тока к вызванному им

нала

изменению напряжения на входе при

D. Komplcxcr Klcinsignalcingangsleitwcrt

коротком замыкании по переменному

Е. Small-signal value of the short-circuit

току на выходе

input admittance

F. Valeur dc l'admittancc d'cntrcc. sortie

en court-circuit pour dc pctits signaux

22. Полная проводимость обратной пе

Ла

>12

Отношение изменений комплексных

редачи биполярного транзистора в режиме

величин входного тока к вызвавшему его

малого сигнала

изменению напряжения на выходе при

D. Komplcxcr

коротком замыкании по переменному

Klcinsignalrtickwirkungslcitwcrl

току на входе

Е. Small-signal value of the short-circuit

reverse transfer admittance

F. Valeur dc l'admittancc de transfcrt

inverse, entree en court-circuit pour

dc pctits signaux

23. Полная проводимость прямой пере

У21

>'21

Отношение изменений комплексных

дачи биполярного транзистора в режиме

величин выходною тока к вызвавшему

малого сигнала

его изменению напряжения на входе при

D. Komplcxcr Klemsignaltibertragungs-

коротком замыкании по переменному

Icitwcrt vorwilrts

току на выходе

E. Small-signal value of the short-circuit

forward transfer admittance

F. Valeur dc l'admittancc dc transfcrt

direct, sortie en court-circuit pour dc

pctits signaux

24. Модуль полной проводимости пря

l>2,J

b2J

Модуль паяной проводимости прямой

мой передачи биполярного трашистора

передачи в схеме с обшим эмиттером

D. Bctrag dcs Obcrtragungslcitwcrts

vorwdrts

E. Modulus of the short-circuit forward

transfer admittance

F. Module dc l'admittancc dc transfcrt

direct

6

Страница 7

ГОСТ 20003-74 С. 5

Продолжение

Термин

Буквенное обожлченме

Определение

отечествен

ное

междуна*

родное

25. Выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала

D.    Komplexer Kleinsignalausgangsleitwcrt

E.    Smalt-signal value of the short-circuit output admittance

F.    Valour dc ('admittance de sortie, entrie en court-circuit pour dc petits signaux

У22

Уп

Отношение изменений комплексных величин выходного тока к вызванному им изменению выходною напряжения при коротком замыкании по переменному току на входе

26. Статическая крутима прямой передачи в схеме с общим эмиттером

Ндп. Статическая крутизна передаточной характеристики. Статическая крутизна характеристики

D.    Statischc Vorwdrtssteilhcit in Emitten>chaltung

E.    Static value of the forward transconductance

F.    Pcnte statique dc transfert direct

Лю

Л|Ь

Отношение постоянного тока коллектора к постоянному напряжению база—эмиттер при заданном напряжении коллектор—эмиттер

27. Входная емкость биполярного транзистора

D.    Eingangskapazitdt

E.    Input capacitance

F.    Capacit6d‘entn5c

Си

Емкость, измеренная на входе транзистора при коротком замыкании по переменному току на выходе в режиме малого сигнала

28. Выхо,шая емкость биполярного транзистора

D.    Ausgangskapazitit

E.    Output capacitance

F.    Capacity dc sortie

Сп

Сп

Емкость, измеренная на выходе транзистора. при разомкнутом входе по переменному ТОку в режиме малого сигнала

28a. Км кость обратной связи биполярного транзистора

D.    Riickwirkungskapazitdt

E.    Feedback capacitance

F.    Capacity dc couplage a reaction

с;2

Емкость биполярного транзистора, измеренная между входным и выходным выводами при коротком зах<ыкании по переменному току на входе в режиме малого сигнала

29. Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора

D.    Grenzfrcqucnz der Stromvcrstdrkung

E.    Cut-off frequency

F.    Frequence dc conpure

Ап

Ли

Частота, на которой модуль коэффициента передачи тока падает на 3 дБ по сравнению с его низкочастотным значением

30. Граничная частота коэффициента передачи тока

D.    Cbcrgangsfrcquenz der StromverstSriung (Transitfrequcnz)

E.    Transition frequency

F.    Frequence de transition

4

А

Частота, при которой модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером экстраполируется к единице.

Примечай и с. Частота, равная произведению модуля коэффициента передачи тока на частоту измерения, которая находится в диапазоне частот, где справедлив закон изменения модуля коэффициента передачи тока 6 дБ на октаву

31. Максимальная частота генерации биполярного транзистора

E.    Maximum frequency of oscillation

F.    Frequence maximale d'oscillation

fnux

fnux

Наибольшая частота, при которой транзистор способен генерировать в схеме автогенератора

32. Коэффициент шума биполярного транзистора

D.    Rauschzahl

E.    Noise figure

F.    Facteur dc bruit

F

Отношение мощности шумов на выходе транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала

7

Страница 8

С. 6 ГОСТ 20003-74

Продолжение

Термин

Буквенное обо шдчение

Определение

отечествен

ное

междуиа»

родное

32а. Минимальный коэффициент шума

F

Значение коэффициента шума бипо

биполярного транзистора

лярного транзистора в условиях настрой

D. Mini male Rausch/alii

ки входной и выходной цепей, соответ

Е. Minimal noise figure

ствующей наименьшему значению коэф

F. Facteur dc bruit minimum

фициента шума

326. Эквивалентное напряжение шума

Ч.

к

Напряжение шума идеального источ

биполярного транзистора

ника эквивалентного напряжения, вклю

D. Aquivalentc Rauschspannung

ченного последовательно с выводом базы

Е. Equivalent noise voltage

и выводом эмиттера и характеризующего

F. Tension dc bruit equivalcnte

шум биполярного транзистора, который считается бесшумным

33. Коэффициент насыщения биполяр

Кж

АГШ

Отношение тока базы в режиме на

ного транзистора

сыщения к току базы на границе насы

Нди. Степень насыщения

щения

Е. Saturation coefficient

F. Coefficient de saturation

34. Коэффициент усиления no мощнос

с,

Отношение мощности на выходе

ти биполярного транзистора

транзистора к мощности, подаваемой на

D. Leistungsvenitarkung

вход транзистора, при определенной ча

E. Power gain

стоте и схеме включения

F. Gain cn puissance

34a. Оптимальный коэффициент усиле

Ку Puun

opi

Значение коэффициента усиления на

ния но мощности биполярного транзистора

мощности биполярного транзистора в

D. Optimale Lcistungsverstirkung

условиях настройки входной и выходной

Е. Optimal power gain

цепей, соответствующее минимальному

F. Gain de puissance optimum

коэффициенту шума

35. Коэффициент полезного действия

Чк

Пс

Отношение выходной мощности

коллектора

транзистора к мощности, потребляемой

D. Kollcktorwirkungsgrad

or источника коллекторного питания

E. Collector efficiency

F. Efficacitc du collocteur

36. Время задержки для биполярного тран

fd

Интервал времени между моментом

зистора

нарастания фронта входного импульса до

D. Vcrzdgcrungszeit

значения, соответствующего 10% его

Е. Delay time

амплитуды, и моментом нарастания

F. Retard a la croissance

фронта выходного им пульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды

37. Время нарастания для биполярного

V

Интервал времени между моментами

транзистора

нарастания фронта выходного импульса

D. Anstiegszeit

от значении соответствующего 10% его

Е. Rise time

амплитуды, до значения, соответствую

F. Temps dc croissance

щего 90 % его амплитуды

38. Время рассасывания для биполярно

V

к

Интервал времени между моментом

го транзистора

подачи на базу запирающего импульса и

D. Speicherzeit

моментом, когда напряжение на коллек

Е. Carrier storage time

торе транзистора достигает заданного

F. Retard a la dccroissance

уровня

39. Время спада для биполярных) транш -

'а,

к

Интервал времени между моментами

стора

спада среза выходного импульса от зна

D. Abfalbecit

чения. соответствующего 90 % его амп

Е. Fall time

литуды. до значения, соответствующего

F. Temps dc dccroissance

10 % его амплитуды

8

Страница 9

ГОСТ 20003-74 С. 7

Продолжение

Термин

Бук не нм ос оболочение

Определение

ок ЧС С ТИС II-

ное

ыеждуиа*

родное

40. Время включения биполярного транзистора

D.    Einschalt/cit

E.    Turn-on time

F.    Temps total d'&ablissement

'on

Интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания

41. Время выключения биполярного транзистора

D.    Ausschalt/eit

E.    Turn-off time

F.    Temps total dc coupurc

<мжл

'off

Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает значения, соответствующего 10% его амплитудного значения

42. Сопротивление баш биполярного транзистора

D.    Basisbahnwiderstand

E.    Base intrinsic resistance

F.    Resistance intrinscque dc base

ГК

Ob

Сопротивление между выводом базы и переходом база—эмиттер

43. Емкость jm ттерн or о перехода

D.    Kapa/itat der Emittensperrschicht

E.    Emitter capacitance

F.    Capacity 6metteur

С>

с.

Емкость между выводами эмиттера и базы транзистора при заданных обратном напряжении эмиттер—база и разомкнутой коллекторной цепи

44. Емкость коллекторною перехода

D.    Kapazitat der Kollektorspcrrschicht

E.    Collector capacitance

F.    Capacitc collecteur

Ск

Сс

Емкость между вьиитдамн базы и коллектора транзистора при заданных обратном напряжении коллектор—база и раз-мкнутой эмиттерной цепи

45. Постоянная времени цепи обратной свят на высокой частоте биполярного транзистора

D.    Н F-Rdckwirkungszcitkonstante

E.    Collector-base time constant

\

Те

Произведение сопротивления базы на активную емкость коллекторного перехода

46. Коэффициент отражения входной цепи биполярного транзистора

D. Eingangsreflexionsfaktor

Su

•Уц

Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на входе транзистора при значениях сопротивлении источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению

47. Коэффициент обратной передачи иа-пряжения

D. Spannungsiibertragungsfaktor rtickw&its

$12

Sn

Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны на входе к падающей волне на выходе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению

48. Коэффициент прямой передачи напряжения

D. SpannungsObertragungsfaktor vorwatrs

S’2l

$21

Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны на выходе и падающей волны на входе тран зистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению

49. Коэффициент отражения выходной

С*

S'

Отношение комплексных амплитуд

непи биполярного гранзнстора

D. AusgangsreOexionsfaktor

л22

9

*22

напряжений отраженной волны к падающей на выходе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки. равных характеристическому сопротивлению

Страница 10

С. 8 ГОСТ 20003-74

Продолжение

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечествен»

нос

межлупа*

родное

50. Постоянный ТОК КОЛЛСКТОра

D.    Kollektorgleichstrom

E.    Collector (d. с.) current

F.    Courant continu de collecteur

4

Постоянный ток. протекающий через коллекторный переход

51. Постоянный ток эмиттера

D.    Emitterglcichstrom

E.    Emitter (d. c.) current

F.    Courant continu d'emetteur

4

Постоянный ток. протекающий через эмиперный переход

52. Постоянный ток базы

D.    Basisgleichstrom

E.    Base (d. c.) current

F.    Courant continu de base

Постоянный ток. протекающий через базовый вывод

53. Постоянный ток коллектора в режиме насыщения

E.    Saturation collector current

F.    Courant de saturation collecteur

^К №К

кш

54. Постоянный ток базы в режиме насыщения

E.    Saturation base current

F.    Courant de saturation base

4 м к

В«1

55. Импульсный ток коллектора

4.и

Импульсное значение тока коллектора при заданной скважности и длительности пульса

56. Импульсный ток эмиттера

Импульсное значение тока эмиттера при заданной скважности и длительности импульса

57. Постоянное напряжение эмиттер-база

D.    Emitter-Basis-Spannung

E.    Emitter-base (d. с.) voltage

F.    Tension continue £metteur-base

и'*

^ьв

Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы

58. Постоянное напряжение коллектор-бая

D.    Kollektor-Basis-Spannung

E.    Collector-base (d. c.) voltage

F.    Tension continue collecteur-base

ь

Ь'св

Постоянное напряжение между выводами коллектора и базы

59. Постоянное напряжение коллектор-эмиттер

D.    Kollektor-Emitter-Spannung (bei vorgegebenen Bcdingungcn)

E.    Collector-cmiltcr <d. c.) voltage

F.    Tension continue collccteur-omettcur

иЪ

^сь

Постоянное напряжение между выводами коллектора и эмиттера

60. Выходная мощность биполярного транзистора

D.    Ausgangsleistung

E.    Output power

Лнн

Мощность, которую отдаст транзистор в типовой схеме генератора (усилителя) на заданной частоте

' При заданном обратном токе эмиттера в токе коллектора, равном нулю, UiM, UlttJ.

1 При заданном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю. UKM, UitD.

1 При заданном токе коллектора и токе базы, равном нулю. UKia, U<to\

при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер, Ь\ и. UllK:

при заданном токе коллектора и коротком замыкании в цепи база-эмиттер. 0K IK, t/tM;

при заданном токе коллектора в заданном обратном напряжении эмиттер-база UKiX, Uftx.

10

Страница 11

ГОСТ 20003-74 С. 9

Продолжение

Термин

Букиенное обозначение

Определение

отечествен

ное

межлуна*

родное

61. Постоянная рассеиваемая мощность биполярного транзистора

D.    Gcsamtverlustlcistung

E.    Total input power (d. с.) to all electrodes

F.    Puissance totale d'entrce (continue) de unites Ics Electrodes

Р

Суммарное значение постоянной мощности, рассеиваемой в транзисторе

62. Средняя рассеиваемая мощность биполярного транзистора

D Mittlerc Vcrtustlcistung

E.    Total input power (average) to all electrodes

F.    Puissance totale d'entrcc (movenne) de toutcs les Electrodes

Л*

'av

Усредненное за период значение мощности, рассеиваемой в транзисторе

63. Импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора

D. Impulsveriustleistung F. Peak power dissipation F. Puissance dissipoc de crfte

Л,

рм

64. Постоянная рассеиваемая мощность коллектора

D.    Gleichstrom Kollektorvcrluslleistung

E.    Collector (d.c.) power dissipation

F.    Puissance dissjptSe (continue) au collecteur

Лс

рс

Постоянное значение мощности, рассеиваемой на коллекторе гранзисто-ра

65. Средняя рассеиваемая мощность коллектора

D.    Mittlerc Kollcktorverlusllcistung

E.    Collector (average) power dissipation

F.    Rutssance dissipiic (movenne) au collecteur

Л, Ср

^C(AV|

Усредненное за период значение мощности, рассеиваемой на коллекторе транзистора

65a. Выхолная мощность в пике огибающей биполярного транзистора

Е Peak envelope power

р

г шил, II. о

Мощность двухтонового сигнала в нагрузке биполярного транзистора, ранная мощности однотонового, имеющего ту же амплитуду, что и двухтоновый сигнал в пике огибающей.

Примечание. Под двухтоно-вым сигналом понимают сигнал, состоящий из двух синусоидальных сигналов равной амплитуды с разными частотами

656. Коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка биполярного транзистора

Е Third order intcrmodulation products factor

Отношение наибольшей амплитуды напряжения комбинационной составляющей третьего порядка спектра выходного сигнала к амплитуде основного тона при подаче на вход биполярного транзистора двухтонового сигнала равных амплитуд

65в. Коэффициент комбинационных составляющих пятого порялка биполярного транзистора

Е Fifth order intcrmodulation products factor

Термины, относящиеся к максимально допустимым параметрам**

м5

Отношение наибольшей амплитуды напряжения комбинационной составляющей пятого порядка спектра выходного сигнала к амплитуде основною тона при подаче на вход биполярного транзистора двухтонового сигнала равных амплитуд

II

Страница 12

С. 10 ГОСТ 20003-74

Продолжение

Термин

Букнсмное обоншепие

Определение

отечествен*

нос

межлума*

родное

66. Максимально допустимый постоянный гок коллектора

D.    Maximal zul&siger Kollektoigleichstrom

E.    Maximum collector (d. с.) current

F.    Courant continu dc collcctcur maximal

At пи*

А: них

67. Максимально допустимый постоянный ток эмиттера

D.    Maximal zubssiger EmiUergleichstrom

E.    Maximum emitter (d. c.) current

F.    Courant continu d'emctteur maximal

A) nuv

А- пих

68. Максималыю допустимый постоянный ток 5а ш

D.    Maximal zullssigcr Basisgleichstrom

E.    Maximum base (d. с.) current

F.    Courant continu de base maximal

bnux

^Diiui

69. Максимально допустимый импульсный ток коллектора

D.    Maximal zuLksigcr Kolkktorimpulsstmm

E.    Maximum peak collector current

F.    Courant de crcte dc collcctcur maximal

/к. и та»

СМ пил

70. Максимально допустимый импульсный ток эмиттера

D.    Maximal zulilssiger Emilterimpulsstrom

E.    Maximum peak emitter current

F.    Courant de Clfcte d'emctteur maximal

А». н itm

Ам них

71. Максималыю допустимый постоянный ток коллектора в режиме насыщения

E.    Maximum saturation collector current

F.    Courant de saturation collcctcur maximal

At ku та»

А як пт

72. Максималыю допустимый постоянный ток баш в режиме иасышсния

E.    Maximum saturation base current

F.    Courant de saturation base maximal

А» UK пих

Alta «их

73. Максималыю допустимое постоянное напряжение эмиттер-баш

D.    Maximal zulissigc Emitter-Basis-Glei-chspannung

E.    Maximum emitter-base (d. c.) voltage

F.    Tension continue cmetteur-base maximale

^'ЛЬ nux

^ЬН nut

74. Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-бага

D.    Maximal zul&ssigc Kollcktor-Basic-Glcichspannung

E.    Maximum collector-base (d. c.) voltage

F.    Tension continue collecteur-base maxi

male

^ КЬ Iikix

С'В та

75. Максимально допустимое постоянное напряжение коллектора-эмиттер

D.    Maximal zul&ssigc Kollcktor-Emitter-Gleichspannung

E.    Maximum colkxtor-cmittcr (d. c.) voltage

F.    Tension continue collectcur-tvmetteur

maxi male

Чсэпих

ЧЕ пих

12

Страница 13

ГОСТ 20003-74 С. 11

Продолжение

Термин

Букиенное обозначение

Определение

отечествен

ное

меклуиа1

родное

76. Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмигтер

D.    Maximal zuLissige Kollektor-Emitter-Impulsspannung

E.    Maximum peak collector-emitter voltage

F.    Tension de crcte collcctcur-cmettcur

maximale

п «ши

Усем пт

77. Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база

D Maximal /u&ssige Kollektor-Basis-Impulsspannung

E.    Maximum peak collector-base voltage

F.    Tension de crcte collector-base maxi-male

^КЬ. и nun

^СВМ Ш1

78. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора

D.    Maximal /uilssigc Kollektorverlustlci-stung

E.    Maximum collector power dissipation (d. c.)

F.    Puissance dissipce au collecteur (continue) maximalc

Лс чьи

и

С пип

79. Максимально допу стимая средняя рассеиваемая мощность коллектора

E.    Maximum collector power dissipation (average)

F.    Puissance dissipce au collecteur (moy-enne) maximale

р

К. ер пия

SO. Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора

D.    Maximal zulissige Impulsvcrlustlcistung

E.    Maximum peak power dissipation

F.    Puissance dissipce de crcte maximalc

Р

моих

М шп

13

1

В схсмс с обшей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно «б» или «э» для отечественных буквенных обозначений и «Ь» и »е» для международных обозначений.

Страница 14

С. 12 ГОСТ 20003-74

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ

Время включения биполярного транзистора    -К)

Время выключения биполярною транзистора    41

Время задержки для биполярного тран зистора    36

Время нарастания для биполярного транзистора    37

Время рассасывания для биполярного транзистора    38

Время спада для биполярного транзистора    39

Емкость биполярного транзистора входная    27

Емкость биполярного транзистора выходная    28

Емкость коллекторною перехода    44

Емкость обратной связи биполярного транзистора    28а

Емкость эмиггерного переходя    43

Коэффициент комбинационных составляющих    пятого порядка    биполярного    транзистора    65в

Коэффициент комбинационных составляющих    третьего порядка    биполярного    транзистора    656

Коэффициент насыщения биполярного транзистора    33

Коэффициент обратной передачи напряжения    47

Коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала    15

Коэффициент отражения входной цепи биполярною транзистора    46

Коэффициент отражения выходной цепи биполярного транзистора    49

Коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала    16

Коэффициент передачи тока биполярного транзистора статический    20

Коэффициент полезного действия ко.тлектора    35

Коэффициент прямой передачи напряжения    48

Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора    34

Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора оптимальный    34ц

Коэффициент шума биполярного транзистора    32

Коэффициент шума биполярною транзистора    минимальный    32а

Крутизна передаточной характеристики апатическая    26

Крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером статическая    26

Крутизна характеристики статическая    26

Модуль коэффициента передачи тока биполярного транзистора на высокой частоте    17

Модуль полной проводимости прямой передачи биполярного транзистора    24

Мощность биполярного транзистора выходная    60

Мощность биполярного транзистора рассеиваемая импульсная    63

Мощность биполярного транзистора рассеиваемая импульсная максимально допустимая    80

Мощность биполярного транзистора рассеиваемая постоянная    61

Мощность биполярною транзистора рассеиваемая средняя    62

Мощность в пике огибающей биполярною транзистора выходная    65а

Мощность коллектора рассеиваемая постоянная    64

Мощность ко.тлектора рассеиваемая постоянная максимально допустимая    78

Мощность коллектора рассеиваемая средняя    65

Мощность коллектора рассеиваемая средняя максимально допустимая    79

Напряжение биполярного транзистора граничное    6

Напряжение коллектор-база импульсное максимально допустимое    77

Напряжение коллектор-база постоянное    58

Напряжение коллектор-база постоянное максимально допустимое    74

Напряжение коллектор-база пробивное    12

Напряжение коллектор-эмиттер импульсное максимально допустимое    76

Напряжение коллектор-эмиттер постоянное    59

Напряжение коллектор-эмиттер постоянное максимально допустимое    75

Напряжение коллектор-эмиттер пробивное    13

Напряжение насыщения база-эмиттер    8

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер    7

Напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы и заданном токе эмиттера    6

Напряжение смыкания биполярного транзистора    10

Напряжение шума биполярною транзистора эквивалентное    326

Напряжение эмипер-база плавающее    9

Напряжение эмиттер-база постоянное    57

Напряжение эмиттер-база постоянное максимально допустимое    73

11 анряжение эмиттер-база пробивное    11

14

Страница 15

ГОСТ 20003-74 С. 13

Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте биполярного транзистора    45

Проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала полная входная    21

Проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала полная выходная    18,    25

Проводимость обратной передачи биполярного транзистора в режиме малого сишала полная    22

Проводимость прямой передачи биполярного транзистора в режиме малой» сигнала полная    23

Сопротивление базы биполярного транзистора    42

Сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером входное    19

Сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала входное    14

Степень насыщения    33

Ток базы обратный    4

Ток базы постоянный    52

Ток базы постоянный в режиме насыщения    54

Ток базы постоянный в режиме насыщения максимально допустимый    72

Ток базы постоянный максимально допустимый    68

Ток биполярного транзистора критический    5

Ток коллектора закрытого транзистора    3

Ток коллектора импульсный    55

Ток коллектора импульсный максимально допустимый    69

Ток каыектора начальный    3

Ток коятсктора обратный    I

Ток коллектора постоянный    50

Ток коллектора постоянный в режиме насыщения    53

Ток коллектора постоянный в режиме насыщения максимально допустимый    71

Ток коллектора постоянный максимально допустимый    66

Ток коллектор-эмиттер обратный    3

Ток эмиттера импульсный    56

Ток эмиттера импульсный максимально допустимый    70

Ток эмиттера обратный    2

Ток эмиттера постоянный    51

Ток эмиттера постоянный максимально допустимый    67

Частота генерации биполярного транзистора максимальная    31

Частота коэффициента передачи тока граничная    30

Частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора предельная    29

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА НЕМЕЦКОМ ЯЗЫКЕ

Abfallzeit    39

Ansticgszeit    37

Aquivalcntc Rauschspannung    326

AusgangskapazitSt    28

Ausgangslcistung    60

Ausgangsrcflexionsl'aktor    49

Ausschaltzcit    41

Basisbahnwiderstand    42

Basis- Emitter- Resist rum    4

Basis- Emitter-S&ttigungsspannung    8

Basisgleichstrom    52

Bctrag dcr Kurzschlussstromvcrstarkung in Emittcrschaltung bei HF    17

Bet rag dcs Obertragungsleitwertcs vorwSrtS    24

Eingangskapazitat    27

Eingangsrcflexionsfaktor    46

Einschaltzcit    40

Emittcr-Basis-Durchbrucbspannung    11

Emittcr-Basis-Spannung    57

Emittcrglcichstrom    51

Emitterrcstrom (bei olTenem Kollcktor)    2

Gcsamtvcrlustlcistung    61

15

Страница 16

С. 14 ГОСТ 20003-74

Glcichstrom-Kollcktorverlustlcistung Gleichstromverstarkung in Emittcrcchaltung Grcnzfrcqucnz der Stromvcrstdrkung H F-Riickwirkungszcitkonstante I mpulsverlust Icistung Innerer Wdrmewidcrstand Kapazitat dcr Emittcrspcrrschicht Kapazitdt dcr Kollcktorspcrrschicht Klcinsignalausgangslcitwert Kleinsignaleingangswidcrstand Klcinsignalspannungsriickwirkung Klcinsignalstromverstdrkung Kollcktor-Basis-Durchbruchspannung Kollcktor- Basis-Spannung

Kollcktor-Emitter-Durchbruchspannung (bci vorgcgebcncn Bcdingungcn)

Kollcktor- Emitter- Resist rom

Kollcktor-Emitter-Sattigungsspannung

Kollcktor-Emit ter-Spannung (bci vorgegcbcncn Bcdingungcn)

Kollcktorglcichsirom

Kollcktorrcststrom (bei olTencn Emitter)

Kollcktorwirkungsgrad Komplcxcr Klcinsignalausgangslcitwcrt Komplcxcr Kleinsignalcingangslcitwcrt Komplcxcr Klcinsignalriickwirkwungslcitwcrt Komplexcr Klcinsignaliibcrtragungslcitwcrt vorwSrts Lcistungsvcrstarkung

Maximal zuliissigc Emitter-Basis-Glcichspannung

Maximal zul&ssigc Impulsvcrlustlcistung

Maximal zulassigc Kollcktor-Basis-Glcichspannung

Maximal zul&ssigc Kollcktor-Bas>s-lmpulsspannung

Maximal zulissigc Kollcktor-Emitter-Glcichspannung

Maximal zulissigc Kollcktor-Emitter-Impulsspannung

Maximal zulissigc Kollcktorverlustlcistung

Maximal zuliissigcr Basisglcichstrom

Maximal zul&ssiger Emittcrglcichstrom

Maximal zuldssiger Einittcrimpulsstrom

Maximal zulissigcr Kollektorglcichstram

Maximal zul&sigcr Kollektorimpulsstrom

Minimalc Rauschzahl

Mittlcrc Kollcktorvcrlustlcistung

Mittlcre Vcrlustlcistung

Optimalc Lcistungsvenstilrkung

Rauschzahl

Ruckwirkungskapazitat

Spannungstibcrtragungsfaktor riickwirts

Spannungsttbcrtragungsfaktor vorwSrts

Spcicherzeit

StatLschc Vorwilrtsstcilhcit in Emittercchaltung Ubctgangsfrcquenz dcr Stromverstarkung (Transitfrequcnz) Vcrzftgerungszcit

16

Страница 17

ГОСТ 20003-74 С. 15

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ

Base CUt-off current    4

Base (d. с.) current    52

Base intrinsic resistance    42

Breakdown collector-base voltage    12

Breakdown collector-cmitter voltage    13

Breakdown emitter-base voltage    11

Carrier storage time    38

Collector (average) power dissipation    65

Collector-base (d. c.) voltage    58

Collector-base time constant    45

Collector capacitance    44

Collector cut-oft' current    I

Collector (d. c.) current    50

Collector (d.c.) power dissipation    64

Collector efficiency    35

Collector-cmitter cut-ofi' current    3

Collector-cmitter (d. c.) voltage    59

Cut-off frequency    29

Delay time    36

Emitter-base (d. c.) voltage    57

Emitter capacitance    43

Emitter cut-ofi- current    2

Emitter (d. c.) current    51

Equivalent noise voltage    326

Fall time    39

Feedback capacitance    28a

Fifth order intcrmodulation products factor    65a

Floating emitter-base voltage    9

Input capacitance    27

Maximum base (d. c.) current    68

Maximum collector-base (d. c.) voltage    74

Maximum collector (d. c.) current    66

Maximum collcctor-cmitter (d. c.) voltage    75

Maximum collector power dissipation (average)    79

Maximum collector power dissipation (d.c.)    78

Maximum emitter-base (d. c.) voltage    73

Maximum emitter (d. c.) current    67

Maximum frequency of oscillation    31

Maximum peak collector-base voltage    77

Maximum peak collector current    69

Maximum peak collcctor-cmitter voltage    76

Maximum peak emitter current    70

Maximum peak power dissipation    80

Maximum saturation base current    72

Maximum saturation collector current    71

Minimal noise figure    32a

Modulus of the short-circuit forward current transfer ratio    17

Modulus of the short-circuit forward transfer admittance    24

Noise figure    32

Optimal power gain    34a

Output capacitance    28

Output power    60

Peak envelope power    65a

Peak power dissipation    63

Power gain    34

Punch-through (penetration) voltage    10

Rise time    37

Saturation base current    54

Saturation base-emittcr voltage    8

2-1-20* 17

Страница 18

С. 16 ГОСТ 20003-74

Saturation coefficient

Saturation collector current

Saturation collcctor-emitter voltage

Small-signal value of the opcn-circuit output admittance

Small-signal value of the opcn-circuit reverse voltage transfer ratio

Small-signal value of the shoit-circuit forward current transfer ratio

Small-signal value of the short-circuit forward transfer admittance

Small-signal value of the short-circuit input admittance

Small-signal value of the short-circuit input impcdance

Small-signal value of the short-circuit output admittance

Small-signal value of the short-circuit reverse transfer admittance

Static value of the forward current transfer ratio

Static value of the forward transconductancc

Static value of the input resistance

Third order intermodulation products factor

Total input power (average) to all electrodes

Total input power (d. c.) to all electrodes

Transition frequency

Turn-off time

Turn-on time

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫКЕ

Capacity collcctcur

Capacity cmetteur

Capacity dc couplage a reaction

Capacity d'cntr£c

Capacitc dc sortie

Coefficient dc saturation

Courant continu dc base

Courant continu de base maximal

Courant continu dc collcctcur

Courant continu dc collccteur maximal

Courant continu d’'cmetteur

CiHirant continu d "cmctteur maximal

Courant dc crcte de collcctcur maximal

Courant de ct&e d“6mcttcur maximal

Courant dc saturation base

Courant de saturation base maximal

Courant dc saturation collcctcur

Courant de saturation collcctcur maximal

Courant rcsiducl de la base

Courant rcsiducl de ГётеНеиг

Courant nhdducl du collcctcur

Courant rcsiducl du collccteur-cmettcur

Eftlcacitc du collcctcur

Factcur de bruit

Factcur dc bruit minimum

Frequence dc coupure

Frequence dc transition

Frequence maximale d'cscillation

Gain dc puissance optimum

Gain cn puissance

Module dc ('admittance dc transfcrt direct Module de rapport de transfcrt direct du courant Pentc statiquc dc transfcrt direct Retard a la croissancc Retard a la d&roissancc

18

Страница 19

ГОСТ 20003-74 С. 17

Pesistance intrinsequc dc base

42

Puissagc dissipcc au collcclcur (continue) maximale

78

Puissance dissipcc au collecteur (moyenne) maximale

79

Puissance dissipcc (continue) au collecteur

64

Puissance dissipee de cr<?te

63

Puissance dissipee de cr&c maximale

80

Puissance dissipix* (moyenne) au collecteur

65

Puissance totalc d'entree (continue) dc toutcs les electrodes

61

Puissance totalc d’cntrte (moyenne) dc toutcs les electrodes

62

Temps dc croissancc

37

Temps de ckcroissancc

39

Temps total dc coupurc

41

Temps total d'ctablisscment

40

Tension continue collccteur-basc

58

Tension continue collcctcur-basc maximale

74

Tension continue collccteur-^mcttcur

59

Tension continue collectcur-emettcur maximale

75

Tension continue emettcur-base

57

Tension continue cmctteur-base maximale

73

Tension de bruit equivalcnte

326

Tension dc claquagc collcctcur-basc

12

Tension dc claquagc collectcur-emctteur

13

Tension dc claquagc emettcur-basc

II

Tension dc crete collcctcur-basc maximale

77

Tension dc crete collcctcur-emcttcur maximale

76

Tension dc penetration (tension de persagc)

10

Tension de saturation basc-^mcttcur

8

Tension dc saturation collcctcur-emcttcur

7

Tension flottante emettcur-basc

9

Valcur de 1'admittance d'entree. sortie cn court-circuit pour dc pctits signaux

21

Valeur dc ('admittance dc sortie, entree cn circuit ouvcrt pour dc pctits signaux

18

Valeur de 1 ‘'admittance dc sortie, entree en courant-citcuit pour de pctits signaux

25

Valcur Ic Г'admittance dc traaslcrt direct, sortie cn court-circuit pour de pctits signaux

23

Valeur de 1 "admittance dc transfcrt inverse, entree cn court-circuit pour dc pctits signaux

22

Valcur dc l"impedancc d'entric, sortie cn court-circuit pour dc pctits signaux

14

Valeur du rapport dc transfcrt direct du courant, sortie cn court-circuit pour dc pctits signaux

16

Valcur du rapport dc transfcrt inverse de la tension, entree cn circuit ouvert de pctits signaux

15

Valeur statique dc la resistance d'entric

19

Valcur statique du rapport dc transfcrt direct du courant

20

(Измененная рслакиия. Him. № 1, 2).

ПРИЛОЖЕНИЕ. (Исключено, Изм. № 1).

2-Г

19