Товары в корзине: 0 шт Оформить заказ
Стр. 1
 

23 страницы

396.00 ₽

Купить официальный бумажный документ с голограммой и синими печатями. подробнее

Официально распространяем нормативную документацию с 1999 года. Пробиваем чеки, платим налоги, принимаем к оплате все законные формы платежей без дополнительных процентов. Наши клиенты защищены Законом. ООО "ЦНТИ Нормоконтроль".

Наши цены ниже, чем в других местах, потому что мы работаем напрямую с поставщиками документов.

Способы доставки

  • Срочная курьерская доставка (1-3 дня)
  • Курьерская доставка (7 дней)
  • Самовывоз из московского офиса
  • Почта РФ

Распространяется на полупроводниковые диоды СВЧ и устанавливает методы измерения тепловых сопротивлений

Показать даты введения Admin

Страница 1

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СВЧ

МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЕРЕХОД—КОРПУС И ИМПУЛЬСНОГО ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ

ГОСТ 19656.15-84

Издание официальное

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ Москве

Страница 2

Редактор Г. С. Шеко Технический редактор И. В. Келейником Корректор Л. А. Ситца

Сяако в и*б. ОЭЛ0.В4 Подл, в печ. 06.12.84 М уел. а. я. 1.5 У<л. гр -отт. 1.42 ух.щд. я.

Тир. 10 ОСЮ Цеиа 10 коп.

Ордена «Зли Почт» Ивдвтмьсгео стввдарто». 12364а Мос«»«. ГСП. Ноэопр«вемсхиП п«р 3.

Калужская лоогрвфм стандартов, у*. Московская. *5» 3«к. 2818

Страница 3

*ДК 621.381.1.029.6:046.154    Группа 929

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СВЧ

методы измерения теплового сопротивление переход—корпус и импульсного теплового сопротивления

Semiconductor UHF diodes. Measurement methods

ГОСТ 19656.15—84


of thermal resistance and pulse thermal resistance ОКП 62 1800    _

«Постановлением Государстве иного комитата СССР по стандартам от 24 августа 1984 г. Н» 2996 ером действие установлен

с 01.01.86

Несоблюдеиме стандарта преследуется по закону

Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды СВЧ и устанавливает следующие методы измерения тепловых сопротивлений.

Метод измерения теплового сопротивления переход — корпус1 Яя лер—кор    и импульсного теплового сопротивления Ден с ис

пользованием зависимости прямого напряжения диода от температуры и разогревом импульсами СВЧ-мощности, применяемый для всех СВЧ-диодов, кроме диодов Ганна и лавинно-пролетных диодов (метод I).

Метод измерения /?вп*р-«ор и    с    использованием    зави

симости прямого напряжения диода от температуры и разогревом импульсами прямого тока, применяемый для всех СВЧ-диодов, кроме диодов Ганна и лавинно-пролетных диодов, при автоматизированных измерениях в условиях производства (метод II).

Метод измерения Я© г.ср—к*>р с использованном зависимости порогового тока диодов Ганна от температуры, (метод III).

Метод измерения Re аер—кор с использованием зависимости обратного напряжения лавинно-пролетного диода от температуры (метод IV).

Общие требования и требования безопасности — по ГОСТ

19656.0—74.

Издание официальное ★

Перепечатка воспрещена

© Издательство стандартов, 1984


1

Переход — теплоотводящая поверхность для бсскорпусиых диодов.

Страница 4

Стр. ? ГОСТ 19656.15-14

I. МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ /?н пер_,;ор И /?н „ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ЗАВИСИМОСТИ ПРЯМОГО НАПРЯЖЕНИЯ ДИОДА ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ И РАЗОГРЕВОМ ИМПУЛЬСАМИ СВЧ.МОЩНОСТИ (МЕТОД 1|

1.1.    Принцип, условия и режим измерений

1.1.1.    Измерение тепловых сопротивлений заключается в определении приращения температуры перехода в результате рассеивания в диоде определенной мощности СВЧ-импульса.

1.1.2.    Для типа диодов или конкретного диода должен быть определен температурный коэффициент прямого напряжения (ТКН) методом, приведенным в обязательном приложении 1.

1.1.3.    Изменение прямого напряжения диода иод действием СВЧ-импульса показано на черт. 1. Период следования импульсов Т выбирают из условия

Т—ти>3тт.

где тт — время тепловой релаксации диода.

При измерении -„op длительность импульсов т* выбирают из условия

т* = (3—5)тт.

Измерение /?«„ проводят при нормированной длительности импульса.

Черт. 1

1.1.4. Значение импульсной рассеиваемой мощности, длительности импульсов н периода их следования должны соответствовать установленным в стандартах или технических условиях (ТУ) на диоды конкретных типов.

1.2. Аппаратура

#

1.2.1.    Измерения следует проводить на установке, структурная схема которой приведена на черт. 2.

1.2.2.    Генератор СВЧ-мопшости должен обеспечивать подачу на диод импульса СВЧ-мощности с заданной длительностью к периодом следования; погрешность установки длительности импульсов и периода следования не должна выходить за пределы ±5%; длительность фронтов <0,05 тг.

Страница 5

ГОСТ 1HJ4.1S—84 Стр. 3

Погрешность регулировки и измерения импульсной мощности не должна выхолить за пределы ±10%.

1.2.3.    Измеритель КСВН должен обеспечивать измерение КСВН в импульсном режиме от 1,1 до 2,0, погрешность — в пределах ±15%.

1.2.4.    Диодная измерительная камера должна обеспечивать:

О IF—гемерип» СВЧ-мощности; Н—измеритель хоэфй-ициеит* стоячей волны по напряжению (КСВН); XV-ЛИОДЯ1Я ашс-рктсльаах каие-ря С диодом; О—источник постоянного тока; Р V—шмернтель нэмеяепхя прямого и* пряже имя АУ„р

Черт. 2

согласование проверяемых диодов до КСВН с 1,4 при заданном прямом токе;

тепловое сопротивление между корпусом диода и диодной камерой для диодов в корпусе или между теплоотводящей поверхностью диода и диодной камерой для бескориус* ных диодов не более 5 % измеряемого теплового сопротивления;

коэффициент потерь СВЧ-мощности в элементах конструкции камеры (Кр ), определенный для конкретного диода или диодов данного типа методом, приведенным в справочном приложении 2, яе более 0,2.

1.2.5.    Источник постоянного тока должен обеспечивать:

внутреннее сопротивление не менее 10 кОм;

амплитуду напряжения пульсаций не более 0,02%.

Суммарная нестабильность задаваемого тока при работе на

реальную нагрузку не должна выходить за пределы ±2%.

1.2.6.    Погрешность измерения изменения прямого напряжения на диоде Д(>% измерителем PV не должна выходить за пределы — Ю %.

1.3. Подготовка и проведение измерений

1.3.1.    Устанавливают проверяемый диод в диодную камеру.

1.3.2.    Задают через диод прямой ток.

1.3.3.    Подают на диод импульсы СВЧ-мощности и проводят согласование диода.

1.3.4.    Измеряют значение Л^„р-

1.4.    Обработка результатов измерений

1.4.1. Тепловое сопротивление /?в , °С/Вт, определяют по формуле

Г' ^    m

где U„р — изменение прямого напряжения диода, мВ;

ТКН—температурный коэффициент прямого напряжения диода, определенный метолом, приведенным в обязательном приложении 1, мВ/Х;

2 Э»И. 28*

Страница 6

О p. 4 ГОСТ 1WJ6.1J-B4

Рг —импульсная мощность генератора СВЧ-мощности, Вт; /(^ —коэффициент потерь в диодной камере, определенным методом, приведенным в справочном приложении 2.

1.5. По к а з атели точности измерений •

1.5.1.    Погрешность измерения тепловых сопротивлений не должна выходить за пределы ±25% с доверительной вероятностью-0,997.

1.5.2.    Расчет погрешности измерения тепл оного сопротивления приведен в справочном приложении 3.

2. МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ /?А    ИКЙ, С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ

ЗАВИСИМОСТИ ПРЯМОГО НАПРЯЖЕНИЯ ДИОДА ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ И РАЗОГРЕВОМ ИМПУЛЬСАМИ ПРЯМОГО ТОКА (МЕТОД II)

2.1.    Принцип, условия и режим измерений

2.1.1.    Измерение тепловых сопротивлений заключается в определении приращения температуры перехода в результате рассеивания в диоде определенной мощности импульса прямого тока.

2.1.2.    Для типа диодов или конкретного диода должен быть-определен температурный коэффициент прямого напряжения (ТКН) методом, приведенным в обязательном приложении 1.

2.1.3.    Изменение прямого напряжения диода под действием импульса прямого тока показано на черт. 3. Период следованн» импульсов Т выбирают из условия:

Т—тн >3т„.

При измерении /?« n«p-*oi> длительность импульсов т« выбирают из условия:

т* - (3—5)т, .

Измерение /?Ии проводят при нормированной длительности импульса.

т

Гц

t

.vul^tmr

t

Черт. 3

Страница 7

ГОСТ mu.is~-t4 Стр. 5

2.1.4. Значения амплитуды импульса прямого тока, длительности импульсов и периода их следования, при которых проводят измерения, должны соответствовать установленным в стандартах или ТУ на диоды конкретных типов.

2.2. Аппаратура

2.2.1. Измерения следует проводить на установке, структурная схема которой приведена на черт. 4.

С/—икпульсииЯ генератор ток*;

•    6J—источник попоенного тока:

ПУ — иоАКЛЮЧ4ЮЩ(* jcrpo*cr»i> t даодом; PV—измеритель мощности;

PV— измеритель изменении прямою неприменим

Черт. 4

2.2.2.    Импульсный генератор должен обеспечивать:

подачу на диод импульсов прямого тока с заданной длительностью и периодом следования; погрешность установки длительности импульсов и периода следования не должна выходить за пределы ±5%; длительность фронтов <0,05 тг;

внутреннее сопротивление не менее 500 Ом.

Погрешность установки амплитуды импульсов прямого тока не должна выходить за пределы ±3%.

2.2.3.    Источник постоянного тока — в соответствии с требованиями п. 1.2.5.

2.2.4.    Погрешность измерения импульсной мощности, рассеиваемой в диоде, измерителем мощности PW не должна выходить за пределы ±7%.

2.2.5.    Измеритель изменения прямого напряжения    —    в

соответствии с требованиями п. 1.2.6.

2.2.6.    Подключающее устройство должно обеспечивать:

переходное сопротивление контактов не более 0,01 Ом;

тепловое сопротивление между корпусом диода и ПУ для диодов в корпусе или между теплоотводящей поверхностью диода к ПУ для бескорпусных диодов должно быть не более 5 % значения измеряемого теплового сопротивления.

2.3. Подготовка и проведение измерений

2.3.1.    Устанавливают диод в подключающее устройство.

2.3.2.    Задают через диод прямой ток.

2.3.3.    Подают на диод импульсы прямого тока и измеряют рассеиваемую в диоде мощность.

Страница 8

Стр. 6 ГОСТ 1WS6 1S—В4

2.3.4.    Измеряют значение Д£/пр.

2.4.    Обработка результатов измерений

2.4.1.    Тепловое сопротивление Rв , °С/Вт, определяют по формуле

ткн"р •

где Д(/пр — изменение прямого напряжения диода, мВ;

ТКН — температурный коэффициент прямого напряжения диода, определенный методом, приведенным в обязательном приложении 1, мВ/°С;

Р — импульсная мощность, рассеиваемая в диоде, Вт.

2.5.    Показатели точности измерений

2.5.1.    Погрешность измерения тепловых сопротивлений не должна выходить за пределы ±25% с доверительной вероятностью 0,997.

2.5.2.    Расчет погрешности намерения теплового сопротивления приведен в справочном приложении 3.

У МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ пер..ке>р С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ЗАВИСИМОСТИ ПОРОГОВОГО ТОКА ДИОДОВ ГАННА ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ (МЕТОД III)

3.1.    Принцип, условия и режим измерений

3.1.1.    Измерение теплового сопротивления заключается в определении разности температур между активной областью диола и корпусом при рассеивании определенной мощности постоянного тока.

3.1.2.    Разность температур между активной областью диода и корпусом определяют исходя из измерений температуры корпуса при равенстве пороговых токов для двух электрических режимов: рассеивании и диоде мощности постоянного тока и неразо-гревающем импульсном режиме и подогреве корпуса внешним нагревателем.

3.1.3.    На черт. 5 представлены вольтамперные характеристики диода Ганна при двух температурах активной области, причем Ti>Tz. При нагреве корпуса внешним нагревателем значение им-пульсного порогового тока уменьшается и при равенстве его значения значению постоянного импульсного тока температура корпуса соответствует температуре активной области при рассеивании мощности постоянного тока.

3.1.4.    Значения длительности и периода следования импульсов, при которых проводит измерение, должны соответствовать установленным в стандартах или ТУ на диоды конкретных типов.

Страница 9

ГОСТ тм.м—М Стр. 7

3.2. Аппаратура

3.2.1. Измерения следует проводить на установке, структурная схема которой приведена на черт. б.

01—источит гостоиввогт» тпряжеяая; 03—г»««р»тор ■■пульсов напряжения: S1. 57—п«юиаоч*тм«- Я—нам» рвгельвый р«*истор: PVI, PV3- ичмоитсд» я ост лепного напряжения; PVI—ммернтель иивульсиого шпо*ж**н«;

Е—мгреаатмк Л У--подключающее уетроАсгао с дно-до*; Р7—юнсритель теиоервтури

Черт. 6

3.2.2.    Источник постоянного напряжения должен обеспечивать:

установку и поддержание порогового напряжения диода, погрешность — в пределах ±2 %;

внутреннее сопротивление — не более 0,1 (/? + г) Ом, где R — сопротивление измерительного резистора, Ом; г — сопротивление диода. Ом.

3.2.3.    Генератор импульсов напряжения должен обеспечивать: установку н поддержание амплитуды импульсов, погрешность — н пределах ±2%, длительность импульсов <0.05т, ;

внутреннее сопротивление — не более 0,1 (R+r), Ом, где /? —сопротивление измерительного резистора, Ом; г —сопротивление диода, Ом.

Страница 10

Стр. 8 ГОСТ 1MS6.15—44

3.2.4.    Измерители постоянного напряжения должны отвечать следующим требованиям:

погрешность измерения постоянного напряжения не должна выходить за пределы ±2 %,

ток, проходящий через измерители, должен быть не более I % значения порогового тока проверяемого диода.

3.2.5.    Измеритель импульсного напряжения должен отвечать следующим требованиям:

погрешность измерения импульсного напряжения не должна выходить за пределы ±10%;

ток, проходящий через измеритель, должен быть не более 1 % значения порогового тока проверяемого диода.

3.2.6.    Нагреватель должен обеспечивать нагрев корпуса диода до температуры 200 °С.

3.2.7.    Подключающее устройство должно обеспечивать*.

переходное сопротивление контактов не более 0,01 Ом в диапазоне рабочих температур;

тепловое сопротивление между корпусом диода и ПУ для диодов в корпусе или между теплоотводящей поверхностью диода и ПУ для бескорпусных диодов должно быть не более 5% значения измеряемого теплового сопротивления.

3.2.8.    Погрешность измерения температуры корпуса измерителем температуры не должна выходить за пределы ±1,5®С.

3.3. Подготовка и проведение измерений

3.3.1.    Устанавливают диод в подключающее устройство. Переключатели SI, S2 устанавливают в положение /.

3.3.2.    С помощью источника постоянного напряжения задают постоянный пороговый ток через диод по максимуму показаний измерителя Pvt. Значение порогового тока /П1>р, А, определяют по формуле

Aiop=“7f »    (3)

где V — показания измерителя PV1, В;

R — сопротивление измерительного резистора, Ом.

3.3.3.    Измеряют значение порогового напряжения Ua0f и температуру корпуса диода Т\.

3.3.4.    Устанавливают переключатели SI, S2 в положение 2 и задают значение порогового тока в импульсном режиме /в0».« с помощью генератора импульсов по максимуму показаний нзмери' теля PV2.

3.3.5.    Включают нагреватель и измеряют температуру корпуса диода Тг в момент равенства значения импульсного порогового тока значению постоянного порогового тока.

Страница 11

ГОСТ 1MJ4.1J—14 Стр. *

3.4.    Обработка результатов измерений

3.4.1.    Тепловое сопротивление /?«, °С/Вт, определяют по формуле

К**', -««р-    ’    1

где Т\ — температура корпуса диода в режиме постоянного по рогового тока, 0 С;

7*2 — температура корпуса диода при внешнем нагреве и импульсном электрическом режиме, °С;

/•пор — постоянный пороговый ток, А;.

^пор — постоянное пороговое напряжение, В.

3.5.    Показатели точности измерений

3.5.1.    Погрешность измерения теплового сопротивления не дол-окна выходить за пределы ±25% с доверительной вероятностью 0,997.

3.5.2.    Расчет погрешности /?е п»р-кор приведен п справочном приложении 3.

4. МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ /?е Ilfp_,np С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ЗАВИСИМОСТИ ОБРАТНОГО НАПРЯЖЕНИЯ ЛАВИННО-ПРОЛЕТНЫХ ДИОДОВ ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ (МЕТОД IV)

4.1.    Принцип, условия н режим измерений

4.1.1.    Измерение теплового сопротивления заключается в определении разности температур между переходом и корпусом днода при рассеивании в диоде определенной мощности постоянного тока.

4.1.2.    Разность температур между переходом и корпусом определяют исходя из измерений температуры корпуса днода при равенстве обратных напряжений для двух электрических режимов: при рассеивании в диоде мощности постоянного тока /оС/о, при рассеивании меньшей мощности (/о—A/) Uo, подогреве корпуса диода внешним нагревателем и подаче на диод неразогреваю-щего переход высокочастотного тока с амплитудой А/.

4.1.3.    На черт. 7 представлены статическая вольт-амперная ха-рактеристика (/) и изотермические вольт-амперные характеристики, соответствующие постоянным температурам перехода Т0 и Т\, причем Т9>Т\. При подаче высокочастотного тока (2) амплитуда обратного напряжения (5) изменяется в соответствии с изотермической характеристикой Т\. Нагрев корпуса внешним нагревателем увеличивает обратное напряжение и при равенстве его амплитудного значения значению V6 температура перехода будет равна Т0.

Страница 12

Стр. 10 ГОСТ 19*56.15—«4

4.1.4. Значения постоянного обратного тока н частоты генератора высокочастотного тока, при которых проводят измерения, должны соответствовать установленным в стандартах или ТУ на диоды конкретных типов.

4.2. Аппаратура

4.2.1. Измерения следует проводить на установке, структурная схема которой приведена на черт. 8.

0/—НСТОЧПХК «ОСТОПвИОГО го-

к»: 03—гевератор тоже высоко* частоты:    03—нстОЧинк опорного

напряжения; PVI- имеркгель дислитузд обратного лапряже->uz; PV2—«.(«зритель постоянного оЛратного напряжения; РТ-юм*рит*хь температуры корпусе ПУ. Е—нагреватель: /7У—под-ЮИММКМ устройство с «подо*.

Черт. 8

4.2.2. Источник постоянного тока должен обеспечивать: ступенчатое уменьшение тока на значение Д/=/о—Л; погрешность — в пределах ±1%;

Страница 13

ГОСТ t9636.1J—14 Стр. If

погрешность задания тока /0 в пределах ±5%; внутреннее сопротивление не менее 10 кОм; нестабильность тока за время измерения диода в пределах ±0.2%.

4.2.3.    I енератор тока высокой частоты должен обеспечивать: установку и поддержание высокочастотного тока с амплитудой. равной Д/=/о—/»;

суммарную погрешность — в пределах ±4%; период колебаний — не более 0,05 тт ; внутреннее сопротивление — не менее 1 кОм.

4.2.4.    Источник опорного напряжения должен обеспечивать: установку и поддержание напряжения в пределах, необходимых для компенсации обратного напряжения диода;

суммарную нестабильность напряжения — в пределах ±0,02%.

4.2.5.    Погрешность измерения амплитудного значения обратного напряжения относительно опорного напряжения измерителем напряжения PV1 не должна выходить за пределы ±2%.

4.2.6.    Погрешность измерения обратного напряжения диода измерителем постоянного обратного напряжения PV2 не должна выходить за пределы ±2%.

4.2.7.    Погрешность измерения приращения температуры измерителем температуры корпуса ПУ не должна выходить за пределы ±5%.

4.2.8.    Нагреватель должен обеспечивать нагрев корпуса диода относительно первоначальной температуры не менее чем на 10 °С.

4.2.9.    Подключающее устройство должно обеспечннать тепловое сопротивление между корпусом диода и ПУ для диодов в корпусе или между теплоотводящей поверхностью диода и ПУ для бескорпусных диодов не более 10 % значения измеряемого теплового сопротивления.

4.3. Подготовка и проведение измерений

4.3.1.    Устанавливают диод в подключающее устройство.

4.3.2.    С помощью источника постоянного тока GI задают ток /о. Калибруют измеритель температуры РТ при установившейся начальной температуре корпуса ПУ.

4.3.3.    С помощью источника опорного напряжения G3 устанавливают удобное для отсчета показание измерителя PV1.

4.3.4.    Уменьшают значение тока /0 на значение А/ с помощью источника постоянного тока С/ и включают генератор тока высокой частоты G2 с амплитудой Д/.

4.3.5.    Включают нагреватель и измеряют температуру корпуса ПУ до совпадения показаний измерителя PVI с показаниями этого прибора, установленными в п. 4.3.3.

Страница 14

Op. 12 ГОСТ    «4

4.3.6.    Измеряют обратное напряжение диода с помошью измерителя PV2.

4.3.7.    Измеряют приращение температуры корпуса ПУ с помощью измерителя температуры РТ.

4.4.    Обработка результатов измерений

4.4.1.    Тепловое сопротивление П*р-«ор , *С/Вт, определяют по формуле

Лвл«р.-«ор=* ми9--Л«#*ор.-ПУ»    (5)

где ДТ — приращение температуры корпуса ПУ, измеренное измерителем температуры РТ, “С;

Д/ — изменение постоянного тока через диод, А;

U0 — постоянное обратное напряжение диода, измеренное измерителем PV2 при токе /0. В;

Ли кор-пу -тепловое сопротивление между корпусом диода н подключающим устройством, указанное в технической документации на измерительную установку, °С/В.

4.5.    Показатели точности измерений

4.5.1.    Погрешность измерения теплового сопротивления не должна выходить за пределы ± 15 % с доверительной вероятностью 0,997 с учетом значения /?е«ор.-пу, указанного в п. 4.4.1, и должна быть в пределах ±25 % с доверительной вероятностью 0,997, если значение Явкор.-пу не учитывается.

4.5.2.    Расчет погрешности измерения пер-кор приведен в справочном приложении 3.

Страница 15

ГОСТ IHM.1V-I4 Стр. 13

ПРИЛОЖЕНИЕ I Обязательно*

МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРНОГО КОЭФФИЦИЕНТА ПРЯМОГО НАПРЯЖЕНИЯ ДИОДА |ТКН)

г

1.    Определение ТК.Н заключается я измерении прямого напряжения диода при протекании не разогревающего переход прямого тока для двух значений температуры корпуса.

2.    Измерения следует проводить на установке, структурная схема которой приведена на чертеже-


О— ИСТОЧНИК В0С7ОЯЯИОГО то**: Го—TWM0CT»tKpy«*iKa    объем:

ПУ—аоохлючаювю устро*ст*о. PV—иэмерктсль    пятого н«п?«

жгияя:    РТ—я*и*рмтель темп«?а-


»урм

2.1.    Источник постоянного тока должен обеспечивать подачу на диод требуемого тока с общей стабильностью г2 % к иметь внутреннее сопротивление не менее 10 кОм.

22. Термостатируемый обьем должен обеспечивать задание и поддержание двух, отличающихся не менее чем на 20 °С, температур измерения диодов; погрешность — в пределах ±2%.

2.3    Погрешность измерения в заданных пределах напряжения диода измерителем прямого напряжения PV не должна выходить за пределы ±0,5%.

2.4    Погрешность измерения температуры измерителем температуры РТ ве должна выходить за пределы ±2%.

2.5. Подключающее устройство должно иметь переходное сопротивление не более 0.01 Ом в диапазоне рабочих температур. Рекомендуется применять мно-гоиознинонные подключающие устройства.

3.    Порядок проведения измерений

3.3. Дяод. установленный в подключающее устройство, выдерживают при температуре Ti в течение времени, достаточного для полного прогрева дяода. Время выдержки зависит от типа термостатирусмого объема и корпуса диода и устанавливается в технической документации на измерительную установку.

3.2.    Задают ток через диод и измеряют прямое напряжение иnpi-

3.3.    Устанавливают температуру Г*, большую, чем Tt, и после выдержки измеряют прямое напряженке £/пр*.

4,    Значение ТКН. мВ/°С, рассчитывают по формуле

Страница 16

Ctp. 14 ГОСТ 1**54.15—14

ПРИЛОЖЕНИЕ 2 Справочное

метод ИЗМЕРЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТА ПОТЕРЬ СВЧ-МОЩНОСТИ ■ ЭЛЕМЕНТАХ КОНСТРУКЦИИ ДИОДНОЙ КАМЕРЫ

J. Определение коэффициента потерь СВЧ-мощности а элементах конструкции диодной камеры основано на измерении добротности камеры с эквивалентом короткого замыкания. Эквивалентом короткого замыкания является устройство, максимально близкое по своим размерам и конструкции к проверяемому диоду, в котором в месте установки полупроводниковой структуры осуществлено короткое замыкание.

2.    Измерение добротности камеры следует проводить с помощью панорамного измерители КСВН, при этом диодную камеру включают в качестве конечно* нагрузки.

3.    Порядок проведения измерений

3.1. Устанавливают в камеру эквивалент короткого замыкания и на частоте измерений теплового сопротивления f0 проводят согласование камеры до КСВН <1.4.

3.2.    Измеряют полосу пропускания камеры Aff 3 по уровню КСВН-2 * рассчитывают добротность камеры с эквивалентом короткого замыкания Q*, по формуле

3.3.    Устанавливают в камеру проверяемый диод и на частоте /» проводят согласование камеры до КСВН<1.4 при заданном прямом токе.

3.4.    Измеряют полосу пропускания камеры Д/х по уровню КСВН = 2 и рассчитывают добротность камеры с проверяемым диодом Q* по формуле

3.5.    Определяют коэффициент потерь СВЧ-мошности в элемента* конструкции камеры Кр по формуле

Кр-~ЪГ-

Страница 17

гост mst.is—и стр. ts

ПРИЛОЖЕНИЕ 3 Справочное

1. Расчет погрешности мамерения теплового сопротивление. определяемого методами, приведенными ■ раэд < и 2 нестоящего стандарт»

I.I. Погрешность измерения теплового сопротивления бR# измеренного методами. приведенными в разд. I и 2 настоящего стандарта, подчиняется нормальному закону распределения и рассчитывается по формуле

ЬЯв - /(вД^пр)* ! (»tKH)* + (e^F.    (I)

где t>SUnp- предельное значение относительной погрешности измерения изменения прямого напряжения диода. Погрешность подчиняется нормальному эакоиу распределения;

ЙТКН — предельное значение относительной погрешности измерения температурного коэффициента прямого напряжения диода. Погрешность подчиняется нормальному закону распределения:

6Р — предельное значение относительной погрешности измерения мощности. рассеиваемой » диоде. Погрешность подчиняется нормальному закону распределения 1l2. Погрешность бАс/яр. %. рассчитывают по формуле

»Дипр.--ЦЛ(/1-«ЛУ,* /(6Д^Я)*+-(»ЛУ,)Н (»Л(/Ь)*.    (2)

где ЙД6'| — предельное значение относительной систематической погрешности измерения ДС/Пр. вызываемой нагревом корпуса диода в процессе действия импульса;

6ДU] — предельное значение относительной систематической погрешности измерении ДУПр. вызываемой рассеиванием накопленного заряда; 6&U3 — предельное значение относительной погрешности измерения А1/ар. вызываемой нестабильностью и пульсациями источника тока. Погрешность подчиняется нормальному закону распределения: вД U, — предельное значение относительной погрешности измерения Дс/np. вызываемой выделением огибающей СВЧ-импульса. Погрешность подчиняется нормальному закону распределения: вЛ Ut — предельное значение относительной погрешности измерителя MJap. Погрешность подчиняется нормальному закону распределения

].3. Погрешность f>MJ, зависит от требований, предъявляемых к измерительной камере и подключающему устройству, и не должна превышать 5%.

1.4. Погрешность 6А(/г определяют по осциллограмме зависимости прямого напряжения диода UDр от времени при протекании через диод импульсного прямого тока, изображенной на черт. 1.

Погрешность бД(/а. %. рассчитывают после определения значений ДУпр и А(У„Р из осциллограммы iro формуле

(3)

Д(/ пр

Если погрешность 6ДUi превышает 10%, то должны быть привяты меры го се снижению или учету.

Страница 18

I- рсахымм замен мост»: г—зависимость 6e.i учета явдгякя рассасиваимя накопленного заряд*.

Черт. I

Стр. 16 гост <•«»*. и—в*


1.5.    Погрешность 6At/». %, рассчитывают по формуле

1Шл~ Uu р •    <4>

где М,,м — максимальная абсолютная нестабильность измерительного тока. А; ги— последовательное сопротивление потерь проверяемого диода. Ом; Uiip — прямое напряжение диода при протекании через него измерительного тока. В

1.6.    Погрешность бА1Л определяют по осциллограмме зависимости прямого напряжения диода 1/пр от времени при рассеянии в диоде импульсной СВЧ-мощности. изображенной мл черт. 2.

All—миеисчи» «ряиогft шпряж'икя за <ч«т warpt*-» вереходи СВЧ-мошвостью: ДС-“--тигмсвис прямого иаяр*ж*яяя диода »а счет выдел*ихя огибающей импульса СВЧ мошяоегм

Черт. 2

Погрешность 6А£/«, %. рассчитывают по формуле

(5>

Если погрешность 6Л£/, выходит за пределы ±5%. то должны быть приняты меры по ее смижению или учету.

1.7 Погрешность 6Af/& чавиент от требований, предъявляемых к измерителю, и не должна выходить за пределы =i0 %.

Страница 19

ГОСТ 1M94.1S—«4 Стр. 17

1.8.    Зяачемн* погрешности    рассчитанное по формуле (2), составляет    ,    .,    , .

*ЛУПр=+б-Ю-|/ 5*^2*+ 10‘=-5±>1-:«в.

1.9.    Погрешность ТКН. %, рассчитывают по формуле

вТКН-К£(*(/пр)‘ !    (6)

где bUnp — предельное значение относительной погрешвости измерения прямого напряжения диода. Погрешность подчиняется нормальному закону распределения,

бЛТ — предельное значение относительной погрешности измерения разности температур. Погрешность подчиняется нормальному закону распределения.

1.10 Погрешность 6(/ц?1 %. рассчитывают по формуле

(7)

где 6t/| ~ предельное значение относительной погрешности измерения прямого напряжения, вызванной нестабильностью измерительного тока, определяемой по п 1.5 настоящего приложения. Погрешность подчиняется нормальному закону распределения; bLh — предельное значение относительной погрешности средств измерения напряжения. Погрешность подчиняется нормальному закону распределения и не должна выходить за пределы 2:0,5 % при использовании цифрового вольтметра.

1.11.    Погрешность блт рассчитывают в зависимости or применяемого оборудования, обеспечивающего измерение U при двух температурах, ее значение-не должно выходить за пределы ±3% при разности температур более 20 °С.

1.12.    Значение погрешности ТКН, %, рассчитанное по формуле (6) составляет

»ТКН- (2,5)*+3»-±4.б.

1.13.    При усреднении значения ТКИ для данного типа диодов максимальное отклонение от среднего значения не должно выходить за пределы ±г10%. При этом значение погрешности 6ТКН не должно выходить за пределы ±12*fc.

1.14 Погрешность ЬР, %, при измерении методом, приведенным в разд 1 настоящего стандарта рассчитывают по формуле

г.    («>

где ЬРог р — предельное значение систематической относительной погрешности определения мощности, вызываемой конечным значением согласования измерительной камеры с диодом с трактом СВЧ:

Ы\ — предельное значение систематической относительной погрешности определения мощности, вызываемой потерями в измерительной диодной камере,

ЬРГ — предельное значение относительной погрешности установки и измерения мощности СВЧ-генератора. Погрешность подчиняется нормальному закону распределения.

Значение погрешности ИР не должно выходить за пределы ж 10 %.

1.15.    Погрешность 6Р, %. при измерении методом, приведенным в разд. 2 настоящего стандарта, рассчитывают в каждом конкретном случае с учетом применяемого оборудования, ее значение не должно выхолить за пределы ±10*{).

1.16.    Погрешность измерения 6 Я* , %, рассчитанная по форму.» (1). при подстановке максимальных значений составляющих погрешности составляет

16.5*-12.54-Ю» ~±:23.

Страница 20

Стр. 18 ГОСТ 1НН.15—»4

J. Расчет погрешности измерения тепяоеого сопротивления, измеренного методом, приведенным в разд. J настоящего стандарте

2.1.    Погрешность намерения теплового сопротивления 6Re п«р_,,<,р подчиняется нормальному закону распределения и рассчитывается ао формуле

1*еп,р.-,пр= V (^пор)* С»/лор)»+(»/nop,J«-h.    (9)

где 6Unop — предельное значение относительной погрешности измерения постоянного порогового напряжения. Погрешность подчиняется нормальному закону распределения;

*Люр — предельное значение относительной погрешности измерения постоянного порогового тока. Погрешность подчиняется нормальному закону распределения,

^Лтр.» — предельное значение относительной погрешности измерения импульсного порогового тока. Погрешность подчиняется нормальному закону распределения:

Т1    —    значение температуры корпуса при    протекании постоянного поро

гового тока;

Гг    —    значение температуры корпуса при внешнем подогреве;

4Г|    --предельное значение относительной    погрешности измерения тем

пературы корпуса при протекании постоянного порогового тока Погрешность подчиняется нормальному закону распределения,

<7*    —    предельное значение относительной    погрешности измерения темпе

ратуры корпуса при внешнем подогреве Погрешность подчиняется нормальному закону распределения.

2.2.    Погрешность bUnop зависит от требований, предъявляемых к измерителю постоянного напряжения и ис должна выходить за пределы ±2%.

2.3.    Погрешность б/пор , %, рассчитывают по формуле

ьЛ*р» V <«/)*+ (**)• .    (Ю)

где bU — предельное значение относительной погрешности измерителя постоянного напряжения, не должно выходить за пределы ±2 %. Погрешность подчиняется нормальному закону распределения;

6/? — предельное относительное отклонение от номинального значения измерительного резистора, не должно выходить за пределы :tl %. Погрешность подчиняется нормальному закону распределения.

Значение погрешности б/Пор . рассчитанное по формуле (10) составляет ±2.3%.

2.4.    Погрешность б/П1>р и рассчитывают по формуле

Wnop.H-*'l*K (*'#)*+(*'»>*.    (“>

где Ы, — предельное значение относительной систематической погрешности измерения импульсного порогового тока, вызываемой индуктивным выбросом на вершине измеряемого импульса. Значение погрешности 6lt не должно превышать 5 %.

Допускается применение цепей коррекции; б/г — предельное значение относительной погрешности измерителя импульсного напряжения, не должно выходить за пределы ±10%. Погрешность подчиняется нормальному закону распределения;

Л/9 — предельное относительное отклонение от номинального значения сопротивления измерительного резистора, не должно выходить за пределы ±1 %. Погрешность подчиняется нормальному закону распределения.

Страница 21

.ГОСТ 1M54.1S—М Стр. 19

2.5.    Значение погрешности 6/n0Pi* . %. рассчитанное по формуле (II), составляет

Uw-5 ±У 10М» <-б±Ю— *5®

2.6.    Погрешность 6Ти рассчитывают по формуле

ЪТХ--ЬТн±Ы„ы.    (12)

где 6Гц    — предельное значение относительной систематической погрешности

измерения температуры за счет разности между температурой корпуса диода и температурой ПУ. ке должно превышать 3 %;

ЬТМи — предельное значение относительной погрешности измерителя темпе-сатуры при минимальной температуре корпуса 25 °С, не должно выходить за пределы ±6 %. Погрешность подчиняется нормальному закону распределения.

Значение погрешности ЛГ|, %, рассчитанное по формуле (12). составляет ill %•

2.7.    Погрешность 6ТЬ %, рассчитывают по формуле

iг, —гГв± /(nr.pjN    .    (13)

где ЛТК    — по а. 2.6,

Й7,р — предельное значение относительной погрешности измерения температуры, возникающей за счет изменения температуры корпуса за время реакции оператора в момент равенства импульсного и постоянного пороговых токов, которое рассчитывают в зависимости от применяемого оборудования при скорости нагрева 5°С н времени реакции оператора 0.5 с. значение погрешности 6Твр не должно превышать 5%. Погрешность подчиняется нормальному закону распределения.

вТк» — предельное значение относительной погрешности измерителя температуры, которое при минимальной температуре корпуса 75 °С не должно превышать 2%. Погрешность подчиняется нормальному закону распределения

2.8.    Значение погрешности 6Т}, рассчитанное по формуле (13), составляет

bTt--5^V^TF-.(-5±5.4)=-^-

2.9.    Посрешиость измерения б^виер-кор рассчитанная по формуле (9). при подстановке максимальных значений составляющих погрешности составляет

"W-w*- V2Ч-2,3»-Ц5«-г-1—зд'-10--5- *“24.

Э. Расчет погрешности измерений тестового солротеяпекмя измеренного методом, приведенный в разд. 4 нестоящего стандарта

3.1. Погрешность измерения теплового сопротивления в/?в оср_кор подчиняется нормальному закону распределения н рассчитывается по формуле

&^вр.-*0р-К'(**Л,+ (»Д/)*+(6/в)*-г(^о)Н(ШоП)*+(в^кор._лу)». (14)

где ЙДТ — предельное значение относительной погрешности измерения ДГ. Погрешность подчиняется нормальному закону распределения:

ДА/ — предельное значение относительной погрешности измерения Rq в«»-кор • вызванное погрешностью задания к нестабильностью Д/. Погрешность подчиняется нормальному закону распределения.

Страница 22

Стр. 20 ГОСТ 1MM.1S— U

б/с — предельное значение относительной погрешности измерения п<-р-кор* вызванное нестабильностью постоянного тока /„. Погрешность подчиняется нормальному закону распределения;

6US — предельное значение относительно* погрешности измерения V* которое ис должно выходить за пределы ±2 %. Погрешность подчиняется нормальному закону распределения:

6Uon— предельное значение относительной погрешности измерения J?e П«р_КОр, вызпаииое нестабильностью источника опорного напряжения. Погрешность подчиняется нормальному закону распределения: кор -ПУ ’ ' предельное значение относительной погрешности измерения

R&    вызванное    погрешностью    измерения «ор-ПУ. которое

не должно выходить за пределы ±2%. Погрешность подчиняется нормальному закону распределения.

3.2 Погрешность бДТ, %, рассчитывают по формуле

•ДГ-^бЛГ.^-ИвЛГ,)*.

(15)

где 6ДГ] — предельное значение относительной погрешности измерителя температуры. которое ис должно выходить за пределы ±7 %. Погрешность подчиняется нормальному закону распределения:

6ДГ* — предельное значение относительной погрешности измерения првра-щеиия температуры, вызываемой точностью совмещения спектром показаний измерителя PVI, которое не должно выходить за пределы ±5 %. Погрешность подчиняется нормальному закоиу распределения.

Значение погрешности 6ДГ, %, рассчитанное по формуле (15). составляет

вДГ-±К7»Т5»-.±815. 33. Погрешность бД/,    рассчитывают по формуле

ЬА/ -^(бД/^Ч-^Д/,)* ,

(16)

где вД/1 — предельное значение относительной погрешности измерения Д/ постоянного тока, которое не должно выходить за пределы ±3%. Погрешность подчиняется нормальному закону распределения;

6Д/* — предельное значение относительной погрешности измерения амплитуды Д/ тоха высокой частоты, которое не должно выходить за пределы ±4%. Погрешность подчиняется нормальному захону распределения.

Значение погрешности 6Д/. %, рассчитанное по формуле (16), составляет

6А/-Ж У3*4-4*—±5. 3.4. Погрешность б/«. рассчитывают по формуле

(17)

где б/*    — предельное значение относительной нестабильности источника по

стоянного тока, которое не должно выходить за пределы ±0.2%; /о так — максимальное значение постоянного тока, при котором проводят измерения;

А/ — значение изменения постоянного тока при измерениях. Значение погрешности б/&.    при Д/=3 мА;

Iо mix «50 мА, рассчитанное по формуле (17), составляет

Страница 23

ГОСТ 196S6.1S—и Стр. 21

3.5.    Погрешность. 6Uan рассчитывают по формуле

All    Ufn.mix    /    1Я\

пв —w—

где 6U„    — предельное значение относительной нестабильное™ опорного на

пряжения. которое не должно выходить за пределы ^0,02 %;

ДU    — изменение обратного напряжения диода прн уменьшении тоха йа

Л/;

У00.гг»« максимальное значение опорного напряжения при измерениях. Значение погрешности <У0п. %, при ЛУ=0.3 В. 6'ОП В,„ = 80 В. рассчитанное по формуле (18). составляет

0.02-80 iUon -—О    "±5-3-

3.6.    Погрешность измерения А«п»р-кор. %• рассчитанная по формуле (14). при постановке максимальных состамяющнх погрешности составляет

»*en.p..i,.p =±V'8.5*^-6,+245,3'+i1I3.

3.7.    В случае, если при расчете погрешности измерения Re пер-кор по Ф°Р' муле (9) значение #еКор—п>-ис учитывают, значение погрешности измерения /?в п«р-кор увеличивают на систематическую погрешность, не выходящую за пределы ±10 %, прн этом погрешность измерения Re П<р^КОрИе должва выходить за пределы I1* %.