Товары в корзине: 0 шт Оформить заказ
Стр. 1 

6 страниц

244.00 ₽

Купить ГОСТ 19656.14-79 — бумажный документ с голограммой и синими печатями. подробнее

Распространяем нормативную документацию с 1999 года. Пробиваем чеки, платим налоги, принимаем к оплате все законные формы платежей без дополнительных процентов. Наши клиенты защищены Законом. ООО "ЦНТИ Нормоконтроль"

Наши цены ниже, чем в других местах, потому что мы работаем напрямую с поставщиками документов.

Способы доставки

  • Срочная курьерская доставка (1-3 дня)
  • Курьерская доставка (7 дней)
  • Самовывоз из московского офиса
  • Почта РФ

Распространяется на переключательные СВЧ полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения критической частоты

 Скачать PDF

Ограничение срока действия снято: Протокол № 3-93 МГС от 12.03.93 (ИУС 5-93)

Оглавление

1 Принцип и условия измерений

2 Аппаратура

3 Подготовка и проведение измерений

4 Обработка результатов

5 Показатели точности измерений

Приложение

 
Дата введения01.01.1981
Добавлен в базу01.09.2013
Актуализация01.01.2019

Этот ГОСТ находится в:

Организации:

11.09.1979УтвержденГосстандарт СССР3457

Semiconductor microwave switching diodes. Measurement method of critical frequency

Стр. 1
стр. 1
Стр. 2
стр. 2
Стр. 3
стр. 3
Стр. 4
стр. 4
Стр. 5
стр. 5
Стр. 6
стр. 6

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СВЧ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЕ

МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ КРИТИЧЕСКОЙ ЧАСТОТЫ

ГОСТ 19656.14-79

Цена 3 коп.


Издание официальное

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ

Москва

УДК 621.382.2.029.6.08 : 006.354    Группа    Э29

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮ ЗА С С Р

гост

19656.14—79

ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СВЧ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЕ Метод измерения критической частоты

Semiconductor microwave switching diodes. Measurement method of critical frequency

Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 11 сентября 1979 г. № 3457 срок действия установлен

с 01.01 1981 г. до 01.01 1986 г.

Несоблюдение стандарта преследуется по закону

Настоящий стандарт распространяется на переключательные СВЧ полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения критической частоты /кр.

Общие условия должны соответствовать ГОСТ 19656.0-74 и ГОСТ 18986.0-74.

1. ПРИНЦИП И УСЛОВИЯ ИЗМЕРЕНИЙ

1.1.    Метод основан на измерении полного входного сопротивления измерительной диодной камеры с включенным в нее измеряемым диодом.

1.2.    Режим измерения (уровень СВЧ мощности, частота, напряжение и ток смещения) устанавливается в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов.

2. АППАРАТУРА

2.1.    Измерения следует производить на установке, структурная схема и требования к элементам которой должны соответствовать ГОСТ 19656.11-75.

Издание официальное ★

2.2.    Допускается применять эквиваленты диодов в режимах короткого замыкания и холостого хода, обеспечивающие те же фазы стоячей волны, что и измеряемые диоды в режимах прямого

Перепечатка воспрещена

©Издательство стандартов, 1979


и обратного смещения с погрешностью, установленной в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов.

3. ПОДГОТОВКА И ПРОВЕДЕНИЕ ИЗМЕРЕНИЙ

3.1.    Подготовку и проведение измерений следует производить в соответствии с ГОСТ 19656.11-75.

3.2.    Для диодов с общей емкостью более 1,0 пФ допускается плоскость отсчета определять при короткозамкнутом центральном проводнике измерительной диодной камеры.


4. ОБРАБОТКА РЕЗУЛЬТАТОВ


4.1. Критическую частоту /кр в ГГц следует определять по формуле


Укр—


sin Рз-sln р4


/


Д/3


Г, 0>


cossp! ( 1 +


где Р,


tg Ps /

X


—A^\(A/nslnpa—A/2sln*p4)


(/3 /();


2 л


(I* А);

Д/.; Д/2; Д/3; Д/4;    /2;    /3;    /4    —значения, определяемые по

ГОСТ 19656.11-75, мм;

X— длина волны в измерительной линии, мм; с — скорость света 3-1011 мм/с.

4.1.1. При выполнении условий:


sin (32>0,95

критическую частоту /кр в ГГц определяют по формуле -    с     sin    р4_


" кр-


V (Д/3-ДЛ)(Д^-Д^81П*р4)


(2)


ГОСТ 19656.14-79 Стр. 3

4.1.2.    При применении эквивалентов диодов, соответствующих требованиям п. 2.2, критическую частоту определяют по формуле

_£__si"    04__+    tg    Pi    ^

KP * V (Д/з——Д/а)    '    *2    Р«    /

4.1.3.    При известных значениях прямого сопротивления потерь, обратного сопротивления потерь и емкости структуры диода критическую частоту определяют по формуле

/,=-‘ №

2it(C—Скон) ■ V Гпр * гобр

где С—общая емкость диода, измеренная по ГОСТ 18986.4-73, Ф;

Скон — конструктивная емкость диода, устанавливаемая в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов, Ф;

Гпр— прямое сопротивление потерь, измеренное по ГОСТ 19656.11-75, Ом; г обр—обратное сопротивление потерь, измеренное па ГОСТ 19656.11-75, Ом.

5. ПОКАЗАТЕЛИ ТОЧНОСТИ ИЗМЕРЕНИЙ

5.1. Погрешность измерения критической частоты должна быть в пределах ±35% с вероятностью Р*=0,997 для значений /кр менее 400 ГГц, и в пределах ±50% с вероятностью Р*=0,997 для значений fvp свыше 400 ГГц, при измерении в диапазоне частот 0,5—5 ГГц.

При измерениях на других частотах погрешность измерения критической частоты устанавливается в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов.

Расчет погрешности измерений приведен в справочном приложении.

ПРИЛОЖЕНИЕ

Справочное

1. Расчет погрешности измерения критической частоты Погрешность измерения /Кр определяется по формуле

8/кр=V(AfiC)'+(AJiC

КОН )! +    прУ+(обр)2,    (1)

где 6С— погрешность измерения общей емкости диода (ГОСТ 18986.4-73); бСнон — погрешность измерения конструктивной емкости диода (ГОСТ 18986.4—73);

бгпр — погрешность измерения прямого сопротивления потерь (ГОСТ

19656.11— 75);

бГобр—погрешность измерения обратного сопротивления потерь (ГОСТ

19656.11— 75);

Ль Л2— значения, определяемые по формулам.

л - с

' С-СК0Н'

(2)

А __ С*кон

2~ С—Скон

Р)

Л3=0,5;

(4)

Ф*

1!

о

Ъп

(5)

2. Пример расчета погрешности

Данные для расчета: /Изм“5 ГГц; A/j —0,191 мм; А/2~0,191 мм; Л^-0,57 мм; Д/4 = 0,3 мм;    /з—-/i«1 ,в мм;    /2—Л —13,6 мм;    /4—Zi —11,5 мм; С=0,26 пф;

Снон=0,1 пФ; iZq=50 Ом.

В результате вычислений по формулам ГОСТ 19656.11-75, ГОСТ 18986.4-73 и формулам (1) — (5) настоящего приложения получаем; гПр = 1,04 Ом; Лэбр^6,8 Ом; бгпр-22,6%;    бг0бр“18%';    6С=13%;    6СК0И“25%;    =    1,710;

Л2=0,715.

Значение погрешности измерения /кр равно

8/кр=1/"(1,71 • 13,0)Ч(0,715.-25(0)Ч^.б-адЧ(0,5- 18,0Г=32«/о ;

f„P, рассчитанная для данного случая по формуле (4) настоящего стандарта, равна 400 ГГц.

Погрешность измерения критической частоты при расчете по упрощенным формулам (2), (3) настоящего стандарта не превышает значений, указанных в разд. 5.