ГОСТ 19656.14-79
Диоды полупроводниковые СВЧ переключательные. Методы измерения критической частоты

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СВЧ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЕ

МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ КРИТИЧЕСКОЙ ЧАСТОТЫ

ГОСТ 19656.14-79

Цена 3 коп.

Издание официальное

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ

Москва

УДК 621.382.2.029.6.08 : 006.354    Группа    Э29

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮ ЗА С С Р

гост

19656.14—79

ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СВЧ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЕ Метод измерения критической частоты

Semiconductor microwave switching diodes. Measurement method of critical frequency

Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 11 сентября 1979 г. № 3457 срок действия установлен

с 01.01 1981 г. до 01.01 1986 г.

Несоблюдение стандарта преследуется по закону

Настоящий стандарт распространяется на переключательные СВЧ полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения критической частоты /_кр.

Общие условия должны соответствовать ГОСТ 19656.0-74 и ГОСТ 18986.0-74.

1. ПРИНЦИП И УСЛОВИЯ ИЗМЕРЕНИЙ

1.1.    Метод основан на измерении полного входного сопротивления измерительной диодной камеры с включенным в нее измеряемым диодом.

1.2.    Режим измерения (уровень СВЧ мощности, частота, напряжение и ток смещения) устанавливается в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов.

2. АППАРАТУРА

2.1.    Измерения следует производить на установке, структурная схема и требования к элементам которой должны соответствовать ГОСТ 19656.11-75.

Издание официальное ★

2.2.    Допускается применять эквиваленты диодов в режимах короткого замыкания и холостого хода, обеспечивающие те же фазы стоячей волны, что и измеряемые диоды в режимах прямого

Перепечатка воспрещена

©Издательство стандартов, 1979

Стр. 2 ГОСТ 19656.14-79

и обратного смещения с погрешностью, установленной в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов.

3. ПОДГОТОВКА И ПРОВЕДЕНИЕ ИЗМЕРЕНИЙ

3.1.    Подготовку и проведение измерений следует производить в соответствии с ГОСТ 19656.11-75.

3.2.    Для диодов с общей емкостью более 1,0 пФ допускается плоскость отсчета определять при короткозамкнутом центральном проводнике измерительной диодной камеры.

4. ОБРАБОТКА РЕЗУЛЬТАТОВ

4.1. Критическую частоту /кр в ГГц следует определять по формуле

Укр—

sin Рз-sln р₄

/

Д/₃

Г, 0>

cossp! ( 1 +

где Р,

tg Ps /

2л

X

2л

—A^\(A/_nslnp_a—A/₂sln*p₄)

(/₃ /();

2 л

(I* А);

Д/.; Д/₂; Д/₃; Д/₄;    /₂;    /₃;    /₄    —значения, определяемые по

ГОСТ 19656.11-75, мм;

X— длина волны в измерительной линии, мм; с — скорость света 3-10¹¹ мм/с.

4.1.1. При выполнении условий:

sin (3₂>0,95

критическую частоту /_кр в ГГц определяют по формуле -    с     sin    р₄_

" кр-

V (Д/₃-ДЛ)(Д^-Д^81П*р₄)

(2)

ГОСТ 19656.14-79 Стр. 3

4.1.2.    При применении эквивалентов диодов, соответствующих требованиям п. 2.2, критическую частоту определяют по формуле

_£__si"    04__₊    tg    Pi    ^

^KP * V (Д/з——Д/_а)    '    *2    Р«    /

4.1.3.    При известных значениях прямого сопротивления потерь, обратного сопротивления потерь и емкости структуры диода критическую частоту определяют по формуле

/,=-‘ №

2it(C—Скон) ■ V Гпр * ^гобр

где С—общая емкость диода, измеренная по ГОСТ 18986.4-73, Ф;

Скон — конструктивная емкость диода, устанавливаемая в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов, Ф;

Гпр— прямое сопротивление потерь, измеренное по ГОСТ 19656.11-75, Ом; г обр—обратное сопротивление потерь, измеренное па ГОСТ 19656.11-75, Ом.

5. ПОКАЗАТЕЛИ ТОЧНОСТИ ИЗМЕРЕНИЙ

5.1. Погрешность измерения критической частоты должна быть в пределах ±35% с вероятностью Р*=0,997 для значений /кр менее 400 ГГц, и в пределах ±50% с вероятностью Р*=0,997 для значений fvp свыше 400 ГГц, при измерении в диапазоне частот 0,5—5 ГГц.

При измерениях на других частотах погрешность измерения критической частоты устанавливается в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов.

Расчет погрешности измерений приведен в справочном приложении.

ПРИЛОЖЕНИЕ

Справочное

1. Расчет погрешности измерения критической частоты Погрешность измерения /_Кр определяется по формуле

8/кр=V(AfiC)'+(AJiC

КОН )^! +    _прУ+(_обр)²,    (1)

где 6С— погрешность измерения общей емкости диода (ГОСТ 18986.4-73); бСнон — погрешность измерения конструктивной емкости диода (ГОСТ 18986.4—73);

бг_пр — погрешность измерения прямого сопротивления потерь (ГОСТ

19656.11— 75);

бГобр—погрешность измерения обратного сопротивления потерь (ГОСТ

19656.11— 75);

Ль Л2— значения, определяемые по формулам.

2. Пример расчета погрешности

Данные для расчета: /_Изм“5 ГГц; A/j —0,191 мм; А/₂~0,191 мм; Л^-0,57 мм; Д/₄ = 0,3 мм;    /з—-/i«1 ,в мм;    /₂—Л —13,6 мм;    /₄—Zi —11,5 мм; С=0,26 пф;

Снон⁼0,1 пФ; iZq⁼50 Ом.

В результате вычислений по формулам ГОСТ 19656.11-75, ГОСТ 18986.4-73 и формулам (1) — (5) настоящего приложения получаем; г_Пр = 1,04 Ом; Лэбр^6,8 Ом; бгпр-22,6%;    бг₀бр“18%';    6С=13%;    6С_К0И“25%;    ₌    1,710;

Л₂=0,715.

Значение погрешности измерения /_кр равно

8/_кр=1/"(1,71 • 13,0)Ч(0,715.-25₍0)Ч^.б-адЧ(0,5- 18,0Г=32«/_о ;

f„_P, рассчитанная для данного случая по формуле (4) настоящего стандарта, равна 400 ГГц.

Погрешность измерения критической частоты при расчете по упрощенным формулам (2), (3) настоящего стандарта не превышает значений, указанных в разд. 5.