Товары в корзине: 0 шт Оформить заказ
Стр. 1
 

26 страниц

456.00 ₽

Купить ГОСТ 19095-73 — официальный бумажный документ с голограммой и синими печатями. подробнее

Официально распространяем нормативную документацию с 1999 года. Пробиваем чеки, платим налоги, принимаем к оплате все законные формы платежей без дополнительных процентов. Наши клиенты защищены Законом. ООО "ЦНТИ Нормоконтроль".

Наши цены ниже, чем в других местах, потому что мы работаем напрямую с поставщиками документов.

Способы доставки

  • Срочная курьерская доставка (1-3 дня)
  • Курьерская доставка (7 дней)
  • Самовывоз из московского офиса
  • Почта РФ

Устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров полевых транзисторов

  Скачать PDF

Ограничение срока действия снято: Постановление Госстандарта № 3086 от 10.08.79

Показать даты введения Admin

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ТРАНЗИСТОРЫ ПОЛЕВЫЕ

ТЕРМИНЫ, ОПРЕДЕЛЕНИЯ И БУКВЕННЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ

ГОСТ 19095-73 (СТ СЭВ 2771-80)

Издание официальное

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР по СТАНДАРТАМ М о с к а а

УДК 1 211.383.3:001.4:006.354+631.383.3:003.63:006.354    Групп2    ЭОО

ГОСТ

19095-732

|СТ СЭВ 2771—80)

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ТРАНЗИСТОРЫ ПОЛЕВЫЕ

Термины, определение и буквенные обозначения параметре!

Field effect transistors.

Terms, difinition and parameter symbols

Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 10 августа 1973 г. N2 I960 срок действия установлен

с 01 01. 1975 г.

Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров полевых транзисторов.

Термины и отечественные буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, учебниках, научно-технической, учебной и справочной литературе. Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации на полевые транзисторы, предназначенные для экспортных поставок.

Стандарт полностью соответствует СТ СЭВ 2771—80.

Строчные индексы, обозначающие электроды, относятся к параметрам малого сигнала, прописные — к параметрам большого сигнала.

В случаях, когда не возникает сомнения в том, что используемое обозначение относится к максимально допустимому параметру, опускается индекс «макс».

Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов-синонимов стандартизованного термина запрещается. Для отдельных стандартизованных терминов в стандарте приведены в качестве справочных их краткие формы, которые разрешается применять, когда исключена возможность их различного толкования. Установленные определения можно при необходимости изменять по форме изложения, не допуская нарушения границ понятий.

В случаях, когда необходимые и достаточные признаки понятия содержатся в буквальном значении термина, определение не приведено и, соответственно, в графе «Определение» поставлен прочерк.

В стандарте в качестве справочных приведены иностранные эквиваленты ряда стандартизованных терминов на немецком (D), английском (Е) и французском (F) языках.

В стандарте приведены алфавитные указатели терминов на русском язы-ке и их иностранных эквивалентов.

Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма — светлым.

Термин

Буквенное

обозначение

отечественное

междуна

родное

1. Начальный ток стока D Drain-Source-Kurzschlubstrom

E.    Drain current for VQS=0

F.    Courant de drain oour

нач

1DSS

Ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения

<!

о

00

II

о

la Ток стока

D Drainstrom

E.    Drain current

F.    Courant de drain

1С

Ток, протекающий в цепи сток—исток при напряжении сток—исток, равном или большем, чем напряжение насыщения, и при заданном напряжении затвор-исток

2 Остаточный ток стока

D.    Drain-Reststrom

E.    Drain cut-off current

F Courant de drain au blocage

ост

1DSX

Ток стока при напряжении между затвором и истоком, превышающем напряжение отсечки

2a. Ток стока при нагруженном затворе

D Drainstrom bci Wid^rstandsab-schluss zwischen Source und Gate

^Снагр

^DSR

Ток стока при заданном напряжении сток— исток и включенное между затвором и истоком резистором

ГОСТ 19095-73 Стр. 3

Термин

Буквенное

обозначение

Определение

отечественное

междуна

родное

E.    Drain current, at a specified gate-source resistance

F.    Courant de drain pour une resistance grille— source exterieure specifiee

26. Ток истока

I и

D.    Sourcesstrom

E.    Source current

F.    Courant de source

2в. Начальный ток исто-

^Инач

^ SDS

Ток истока при на-

ка

D Sourcestrom bei Kurzschluss zwi-schen Drain und Gate

E. Source current with gate short— circuited to drain F Courant de source, la grille etant court—circuitee au drain

2r. Остаточный ток ис-

^Иост

tSDX

пряжении затвор-сток, равном нулю, и заданном напряжении сток—исток

Ток истока при задан-

тока

D.    Sourcereststrom

E.    Source current at a specified gate-drain condition

F.    Courant de source dans des conditions grille— drain specifies

2д. Ток затвора

f3

>0

ных напряжениях затвор-исток и сток—исток

D.    Gatestrom

E.    Gate current

F.    Courant de grille

2e. Прямой ток затвора

^Зпр

JGF

D. Gatedurchlass-strom

E.    Forward gate current

F.    Courant direct de grille

Ток в цепи затвора при заданных условиях цепи сток—исток


JGSX

2ж. Ток отсечки затвора

D.    Gatesperrstrom bei vorgegebe-ner Drain—Source—Spanmmg

E.    Gate cut-off current (of a field— effect transistor), with specified drain—source circuit conditions

F.    Courant de fuite de grille dans des conditions de circuit drain-source specifies


Зотс

3.    Ток утечки затвора

D.    Gatereststrom

E.    Gate leakage cur' rent

F.    Courant de fluite de drain

4.    Обратный ток перехода затвор—сток

D.    Gatereststrom (Source of fen)

E.    Gate cut-off current with source open—circuited

F.    Courant residuel de grille

5.    Обратный ток перехода затвор—исток

D.    Gatereststrom (Drain offen)

E.    Gate cut—off current with drain open—circuited


IGSS    Ток    затвора при за

данном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой

JGD0    Ток,    протекающий в

цепи затвор—сток, при заданном обратном напряжении между затвором и стоком и разомкнутыми остальными выводами

3 yr

^sco

1OSO

Ток, протекающий в цепи затвор-исток, при заданном обратном напряжении между затвором и истоком н разомкнутыми остальными выводами


ЗИО

ГОСТ 1*0*5-7S Стр. 5

Термин

Буквенное

обозначение

Определение

отечественное

междуна

родное

F. Courant residuel de grille le drain etant en circuit ouvert

5a. Ток подложки

D.    Substratstrom

E.    Substrate current

F.    Courant de subst-rat

6. Напряжение отсечки

полевого транзистора

Напряжение отсечки

D.    Gate-Source-Span-nung (Abschnur-spannung)

E.    Gate-source cutoff voltage

F.    Tension grilleso-urce de blocage

^ЗИ.отс

UOS(off)

Напряжение между затвором и истоком транзистора с р-п переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения

7. Пороговое напряжение полевого транзи» стора

Пороговое напряжение

D.    Schwellespannung

E.    Gate-source threshold voltage

F.    Tension de seuil grille-source

^ЗИ пор

VOST

Напряжение между затвором и истоком транзистора с изолированным затвором, работающего в режиме обогащения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения

7a. Напряжение сток-

исток

D.    Drain—Source— Spannung

E.    Drain—source (d. c.) voltage

F.    Tension (continue) drain—source

^си

UDS

76. Напряжение затвор-исток

D.    Gate—Source—

—Spannung

E.    Gate—source (d. c.) voltage

F.    Tension (continue) grille—source

^зи

^GS

Термин

Буквенное

обозначение

Определение

отечественное

междуна

родное

7в. Прямое напряженно затвор — исток

D.    Gate—Source— Durchlassspan-nung

E.    Forward gate—source (d. c.) voltage

F.    Tension directe

(continue) grille-source

^ЗИпр

UQSF

7r. Обратное напряже

ние затвор—исток

D.    Gate—Source— Sperrspanming

E.    Reverse gate—source (d. c.) voltage

F.    Tension inverse (continue) grille-source

^ЗИобр

^GSR

7д. Напряжение затвор—сток

D.    Gate—Drain— Spannung

E.    Gate—drain (d. c.) voltage

F.    Tension (continue) grille—drain

^ЗС

Ugd

7e. Напряжение исток-

подложка

D.    Source—Substrat— Spannung

E.    Source—substrate (d. c.) voltage

F.    Tension (continue) source—substrat

Уип

U SB

Udb

7ж. Напряжение сток-

подложка

D.    Drain—Substrat— Spannung

E.    Drain—substrate (d. c.) voltage

F.    Tension (continue) drain—substrat

иси

7з. Напряжение затвор

—подложка

D.    Gate—Substrat— Spannung

E.    Gate—substrate (d. c.) voltage

F.    Tension (continue)    grille—sub

strat


7и. Пробивное напряжение затвора

D.    Gate—Source— Durchbruchspan-nung

E.    Gate—source breakdown voltage (with drain short —circuited to source)

F.    Tension de cla-quage grille-source


U


U


ЗП


Зпроб


8. Крутизна характери-    S стики полевого транзистора

Крутизна характеристики

D.    VorwSrtssteilheit

E.    Forward transconductance

F.    Transconductance directe

9. Крутизна характерис-    Sтики по подложке


10. Сопротивление сток —исток в открытом состоянии D. Drain—Source— Widerstand bei ge6ffnetem Transistor


R


СИ.отк


U


СВ


^(BR)OSS


Sms


rDS(on)


Напряженке пробоя затвор—исток при замкнутых стоке и истоке


Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком


Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на подложке при коротком замыкания по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком

Сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток— исток, меньшем напряжении насыщения


Стр. е ГОСТ 1*095—73


E.    Drain-source on-state resistance

F.    Resistance drain-source a I*6ta t passent


10a. Сопротивление сток —исток в закрытом состоянии

D.    Drain—Source— Widerstand bei gesperrtem Transistor

E.    Drain—source

off—state    resis-

tence

F.    Resistance drain —source a 1'etat bloque


11.    Емкость сток—исток

D.    Drain-Source-Ka-pazitat

E.    Drain-source capacitance

F.    Capacite drain-source

12.    Емкость затвор-

сток

D.    Gate-Drain-Kapa-zitat

E.    Gate-drain capacitance

F.    Capacite grille-drain

13.    Емкость затвор—исток

D.    Gate-Source Kapazitat

E.    Gate-source capacitance

F.    Capacite grille-source


Ясиэак


СсиО


Сэсо


Сзио


rDSoff


Cdso


Cgdo


CgS0


Сопротивление между стоком и истоком в закрытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток


Емкость между стоком н истоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах


Емкость между затвором и стоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах


Емкость между затвором и истоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах


ГОСТ 19095-73 Стр. 9

Термин

Буквенное

обозначение

Определение

отечественное

междуна

родное

14. Входная емкость полевого транзистора

Входная емкость

D.    Eingangskapazi-tat

E.    Input capacitance

F.    Capacite d’entree

Сци

Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на

выходе в схеме с общим истоком

15. Выходная емкость полевого транзисто-pa

Выходная емкость

D.    Ausgangskapazi-tat

E.    Output capacitance

F.    Capacite de sortie

Сггн

Cuss

Емкость между стоком и истоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком

16. Проходная емкость полевого транзистора

Проходная емкость

D.    Ruckwirkungska-pazltat

E.    Reverce transfer capacitance

F.    Capacite de transfer inverce

^-12И

tss

Емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком

17.    Полная входная про-водимость полевого транзистора

Полная входная проводимость

D.    Kurzschluss-Ein-gangsscheinleit-wert

E.    Short-circuit input admittance

F.    Admittance d’ent-гёе, la sortie etant en court-circuit

18.    Активная составля-

Учи

Уш

ющая входной проводимости полевого транзистора

Активная входная проводимость D. Realteil des Kurz-schluss-Eingangs-Ieitwertcs

6ll4

6 ns

1

Издание официальное    Перепечатка воспрещена

2

Переиздание май 1982 е. с Изменением Л2 I, утвержденным

в августе 1982 г; Пост. М 3400 от 27.08.1982 г (ИУС 12—82)