Товары в корзине: 0 шт Оформить заказ
Стр. 1
 

26 страниц

456.00 ₽

Купить официальный бумажный документ с голограммой и синими печатями. подробнее

Официально распространяем нормативную документацию с 1999 года. Пробиваем чеки, платим налоги, принимаем к оплате все законные формы платежей без дополнительных процентов. Наши клиенты защищены Законом. ООО "ЦНТИ Нормоконтроль".

Наши цены ниже, чем в других местах, потому что мы работаем напрямую с поставщиками документов.

Способы доставки

  • Срочная курьерская доставка (1-3 дня)
  • Курьерская доставка (7 дней)
  • Самовывоз из московского офиса
  • Почта РФ

Устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров полевых транзисторов

Показать даты введения Admin

Страница 1

ТРАНЗИСТОРЫ ПОЛЕВЫЕ

ТЕРМИНЫ, ОПРЕДЕЛЕНИЯ И БУКВЕННЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ

ГОСТ 19095-73 (СТ СЭВ 2771-80)

Издание официальное

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ г

Страница 2

УДК 12UaLl:M<.4:0QtJ54+UUU.3:M>.«2:«M.M4    Группа    ЭМ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ТРАНЗИСТОРЫ ПОЛЕВЫЕ    ГОСТ

Термины, определения и буквенные обоамеченив    19095-73*

параметров

Field effect transistors.    ICT    СЭВ    2771—80]

Terms, dlfinition and parameter symbols

Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Минн строе СССР от 10 аегуста 1WJ г. И* 19*0 срок действия установлен

с 01 01. 1*7» г.

Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров полевых транзисторов.

Термины и отечественные буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, учебниках, научно-технической, учебной и справочной литературе. Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации на полевые транзисторы, предназначенные для экспортных поставок.

Стандарт полностью соответствует СТ СЭВ 277I—80.

Строчные индексы, обозначающие электроды, относятся к параметрам малого сигнала, прописные — к параметрам большого сигнала.

В случаях, когда не возникает сомнения в том, что используемое обозначение относится к максимально допустимому параметру, опускается индекс «макс».

Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов-синонимов стандартизованного термина запрещается. Для отдельных стандартизованных терминов в стандарте приведены в качестве справочных их краткие формы, которые разрешается применять, когда исключена возможность их различного толкования. Установленные определения можно при необходимости изменять по форме изложения, не допуская нарушения границ понятий.

1

Переиздание май 1982 е. с Изменением М I, утвержденным

в августе 1982 с; Пост. М 3400 от 27.08.1982 г. (ИУС 12—82)

Страница 3

Стр. 2 ГОСТ 1*0*5—7i

В случаях, когда необходимые и достаточные признаки понятия содержатся в буквальном значении термина, определение не приведено н, соответственно, в графе «Определение» поставлен прочерк.

В стандарте в качестве справочных приведены иностранные эквиваленты ряда стандартизованных терминов на немецком (D), английском (Е) и французском (F) языках.

В стандарте приведены алфавитные указатели терминов на русском язы-ке и их иностранных эквивалентов.

Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма — светлым.

Термин

Бухмимм-

Обо»ноч«мк*

Ott^KTHCHMC

уеждуиа-

родпос

1. Начальный ток стока

D Drain-Source-Kuntschlubstrom

E.    Drain current for

v0s=o

F.    Courant dc drain pour

Vu'

lDSS

Ток стока при напряженки между затором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения

Vgs-0

la. Ток стока

D.    Drainstrom

E.    Drain curTcnl

F.    Courant <ie drain

'c

!о

Ток, протекающий в цепи сток—исток при напряжении сток—исток. равном или большем. чем напряжение насыщения, и при заданном напряжении затвор—исток

2 Остаточный ток стока

D.    Draln-Reatstrom

E..    Drain eut-olf current

F.    Courant de drain au blocage

1С ост

lDSX

Л

Л

Ток сгока при напряжении между затвором и истоком, превышающем напряжение отсечки

2з. Ток стока при нагруженном затаоре

D. Drainstrom bti * " Widerstandsab-•schluss zwischen Source und Gate

^Счагр

1DSR

Ток стока при заданном напряжении модисток и включений» .ve-жду затвором «стоком резистором

Страница 4

ГОСТ 19091-73 Стр. 3

Термин

Вукмви-э:

обозначение

отечестве irjioe

междуна

родное

E.    Drain current, at a specified gate* soorce resistance

F.    Courant dc drain pour unc resistance grille— source exterieure specifiws

26. Ток истока

D,    Sourcesstrom

E.    Source current

F Courant de source

У5

2n. Начальный ток истока

D- Sources! rom bei Knrzschluss iwi-srhen Drain und Hate

E. Source current with gate short-circuited to drain F' Courant dc source, la grille etant court—circuit»-au drain

^Им»ч

rSDS

Ток истока при напряжении затвор-сток, ранном нулю, и заданном напряженки сток—исток

2r. Остаточный ток истока

D.    Sourcereststrom

E.    Source current at a specified gate— drain condition

F.    Courant de source dans des conditions grille— drain $p£cin(es

^Иост

^ SDX

Ток истока при заданных напряжениях затвор-исток и сток—исток

2д. Ток затвора

D. Gatestrom E Gate current F. Courant de grille

l<i

2c. Прямой ток Затвора

D. Gatedurchlass-Strom

^Злр

1

lGF

1

Страница 5

Стр. 4 ГОСТ

TtpMU

Буями мое

ОвО)И»Ч»Н*

Опр«делемие

OT*4«CTM*WO«

междуна

родное

Е. Forward gate cur

rent

F. Courant direct de

grille

2ж. Ток отсечки запора

^Чотс

Igsx

Ток в цели затвора

D. Gatesperrstrom

У**'*

при заданных условиях

bel voTgegebe-

цепи сток—исток

ner Drain—Sou*

rce—Spanming

E. Gate cut—ofl cur

rent (of a field—

cHcct transistor).

with specified

drain—source

circuit conditions

F. Courant de fulle

de grille dans des

conditions de cir

cuit drain-sourcc

specifics

3. Ток утечки затвора

^3 у?

!GSS

Ток затвора при за

D. Gatereststrom

данном напряжении

E. Gate leakage cur

между затвором и ос

rent

тальными выводами,

F. Courent de fluite

замкнутыми между со

de drain

бой

4. Обратный ток nepe>

^зсо

^GOO

Ток. протекающий а

хода затвор—сток

цепи затвор—сток, при

D. Gatereststrom

заданном обратном на

(Source offen)

пряжении между затво

E. Gate cut-off cur

ром и стоком и разомк

rent with source

нутыми остальными вы

open—cirouitcd

водами

F. Courant residue! de

grille

5. Обратный ток перехо

^зио

loso

Ток, протекающий в

да »атвор—исток

цепи затвор-исток, прн

D. Gatereststrom

заданном обратном на

(Drain offen)

пряжении между затво

E. Gate cut-off cur

ром и истоком и разомк

rent with drain

нутыми остальными вы

open—circuited

водами

Страница 6

ГОСТ 1909S—71 Стр. 5

Бунаемвое ово>н» <«««

Опр*д*л*м*«

Терния

междуна

окютаевкое

родное

U


и,


ЭИ-оте


V


и.


ЗИ nop


ost


V


СИ


DS


и


U


ЗИ


OS


F. Courant r&iduel de grille le drain *tant en circuit ouvert

5a. Ток подло»* н

D.    Substrate (tom

E.    Substrate current

F.    Courant de subst-rat

6.    Напряжение отсечки полевого транзистора

Напряжение отсечки

D.    Gate-Source-Span-nung (Abschnur-spannung)

E.    Gate-source cutoff voltage

F.    Tension grilleso-urce de blocagr

7.    Пороговое напряжение полевою транзи* стора

Пороговое напряжение

D Schwellespannung

E.    Gate-source threshold voltage

F.    Tension de seuil grille-source

7а. Напряжение сток-исток

D.    Drain—Source— Spannung

E.    Drain—source (d. c.) voltage

F. Tension    (continue) drain—source

76. Напряжение    sat-

вор—исток

D.    Gate—Source—

—Spannung

E.    Gate—source (d. c.) voltage

F.    Tension (continue) grille—sourc*

2 Зак. 3178


Напряжение между затвором и истоком травзистора с р п переходом или с изолированным затором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения

Напряжение между затвором и истоком транзистора с изолированным затоором. работающего в режиме обогащения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения


Страница 7

Стр. 6 ГОСТ 10095-73

Т«ривя

Буа»«якое

обоэмченяе

Опредсдевве

от*ч«стмиио»

мяждукд-

РОАИО*

7в. Прямое напряже-нме затвор — исток

D.    Gate—Source — Durchlassspan-nung

E.    Forward gate-so-urce (d. c.) voltage

F.    Tension directe

(continue) grille—source

УЗИпр

Vas, .

7r. Обратное напряже

кие затвор—исток

D.    Gate—Source— Sperrspannung

E.    Reverse gate—source (d. c.) vol-tage

F.    Tension Inverse (continue) grille—source

УЗИобр

- UQSR

7д. Напряжение затвор—стой

D.    Gate—Drain— Spannung

E.    Gate—drain (d. c.) voltage

F.    Tension (continue) grille—drain

"зс

иао

7e. Напряжение исток—

подложка

D.    Source—Substrat— Spannung

E.    Source—substrate (<L c.) voltage

F.    Tension (continue) source—substrat

7ж. Напряжение сток-

подложка

D.    Drain—Substrat— Spannung

E.    Drain—substrate (d. c.) voltage

F.    Tension (continue) drain—sub-itrat

"ип

^сп

Usb

Страница 8

ГОСТ IHtJ—7Э Стр. 7

brmttunoe

обохичеи**

Определен**

отечеств* «иое

ЧГЖДГИ1-

редкое

7з. Напряжение затвор

—подложка

D.    Gate—Substrat— Spawning

E.    Gate—substrate (d. с.) voltage

F.    Tension (continue) grill*—substrat

"зП

Vgb

7н. Пробивное мапря

жение затвора

D.    Gate—Source— Durchbrucbspan-nung

E.    Gate—source breakdown voltage (with drain short —circuited to source)

F.    Tension de cla-quage grille— source

^Зпров

V{BR\OSS

Напряжение пробоя затвор—исток при замкнутых стоке н исток*

8. Крутизна характер*, стики полевого транзистора ^

Крутизна характеристики

D.    Vorwirtsstcilheit

E.    Forward transconductance

F.    Transconductance dJrecte

s

tmi

Отношение изменения тока стам к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выход* транзистора в схеме с общим истоком

9. Крутила характерно-тики по подложке

SP

Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на подложке при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком

10. Сопротивление сток —меток в открытом состоянии D. Drain—Source— Wlderstand bel ge6ffnetem Tran-•Istor

^сн.отк

rDS(on)

Сопротивление между стоком н истоком в открытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток— исток, меньшем напряжении насыщения

Страница 9

Стр. 8 ГОСТ 1*0*5-73

С jr* велись оЛозпакняе

ОМММ*им

TepvMi

кеждумл-

отсчссюемяое

СОДЮе

E.    Drain-source on-state resistance

F. Resistance drain-source a    I'itat passent

10«. Сопротивление сток —исток в закрытом состоянии

'DSolf

‘Сим»

D.    Drain—Source— Widerstand bei gesperrtem Transistor

E.    Drain—source off—state resis-tence

F.    Resistance drain —source к I'fetat bloqufc

11.    Емкость сток—исток

Си

Cgdo

Cgso

D. Drain-Source-Ka-pazitSt Б. Drain-source capacitance F. Capacite drain-source

12.    Емкость затаор— сток *

D.    Gatc-Draln-Kapa-zltit

E.    Gate-drain capacitance

F.    Capacite grille-drain

13.    Емкость затвор—исток

D.    Gate-Source Kapazitat

E.    Gaie-sourcc capacitance

F.    Capacite grille-sourcc

Сопротиплеиие между стоком и истоком в закрытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток

Емкость между стоком и истоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах

Емкость между затвором н стоком при разомкнутых по переменному

току остальных выводах

Емкость между затвором и истоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах


Страница 10

ГОСТ WM—71 Стр. 9

Буднемкое ово»»ач«ян*

Определение

Термин

между»»-

or<s««tMiMoe

родите

С.,

Си«


'I Л*


Ухи


{/lin


Иш


Чин


14.    Входная емкость полевого транзистора

Входная емкость D Eingangskapazi-tat

E.    Input capacitance

F.    Capacite d’entrcc

15.    Выходная емкость полевою траизисто*

выходная емкость

D.    Ausgangskapa*i-tat

E.    Output capacitance

F Capacitc de sortie

16.    Проходная емкость полевого транзистора Проходная емкость

D.    ROckwirkungska-pazitlt

E.    Revcrce transfer capacitance

F.    Capactte de trarw-iert inverce

17.    Полная входная проводимость полевого транзистора

Полная входная проводимость

D..    Kurzschluss- Ein-gangsscheinldt-wert

E.    Short-circuit in* put admittance

F.    Admittance d’ent-r<c. ia sortie etant cn court-circuit

18.    Активная составляющая входной проводимости полевого транзистора Активная входная проводимость

D. Rcalteil des Kurz* schkiss-Eingangs-Icitwertcs


Емкость между стоком и истоком при коротком замьгканви по переменному току на иходе п схеме с общим истоком


Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току ва

выходе в схеме с общим истоком


Емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе » схеме с общим истоком


Страница 11

Стр. to ГОСТ 1WS—73

Т«риин

Бухвеаисе

обоапачеисг

Определение

отечественное

М«ЖХУ«1-

рохмо»

E.    Shors-circuit Input conductance

F.    Conductance d>n-trte, la sortie *tant en coort-cir-

cuit

19 Полная проводимость обратно* передачи полевого транзистора

Полная проводимость обратной передачи

D.    Kurzschluss-ROck-wirktingsschein-leitwert

E.    Short-circuit re-verce-transfer admittance

F.    Admittance de transfert inverse. I'entrte etant en court-circuit

Л» -

Ухи

20. Модуль полной проводимости обратной передачи полевого транзистора

Модуль полной проводимости обратной передачи

D. Betrag des Kuri-

schhiss- Ruckwtr-Vwngsscheinlcit-wertes E Modulus of the short circuit reverse transfer admittance F. Module de ('admit-tance de transfert inverse. l’entrfce etant en court-dr-cuit

IViu]

Страница 12

ГОСТ 1*0*»—7J Стр. 11

Териян

Букве* ►'-о»

0бЭ)ИЛТЯ|И«

Опуглчмчт

от^естмпое

иеждум-

рохмо*

21. Полная проводи

Уи»

Fin

мость прямой пере

дачи полевою тран

зистор*

Полная проводи

мость прямой пере

дачи

D. KurJtschluss-Cbet-

trajjunesscheln-

lcltwert

Е. Short-circuit for

ward transfer

admittance

F. Admittance de

transfert direct.

la sortie etant en

court circuit

22. Модуль полной про^

Iftllil

(fail

■одимости прямой

передачи полевого

траюястора

Модуль полкой про

водимости прямой

передачи

D. Betray des Куп-

schhws-Obertrn-

gungsscheinlelt-

wertes

E. Modulus of the

short-circuit for

ward transfer ad

mittance

F. Module de I'ad-

dmltance de tran

sfer? direct, la

sortie etant en co-

nrtclrcult

*

23. Полная выходная

Уют

Ут

проводимость поле-

юго транзистора

Полная выходная

ПООЯОДИМОСГЬ

D. Kurzschluss-

.

Ausgangsscheln-

leltwert

Е. Short-circa!t out

put admittance

Страница 13

Стр. 12 гост im»s—»

Термин

Буквенное

оСо»н»че*ие

отечественное

междуяв-

родное

F. Admittance dc sortie, I'entrfe cntant cn coiirt-cir-cuit

24. Активная составляю-шая выходной проводимости полевого транзистора

Активная выходная проводимость

D.    Realteil des Kurz-schluss-Ausgangs-leitwertcs

E.    Short-circuit output conductance

F.    Conductance dc sortie I'entrte etant cn couit-cir-cuit

впн

8 in

25. Шумовое и&пряжс ние полевого транзистора

Шумовое напряжение

D, Rauschspannung Б. Noise voltage F. Tension dc bruit

иш

Un

Эквивалентное шумовое напряжение, приведенное ко входу, в полосе частот при определенном полном сопротивлении генератора в схеме с общим истоком

26. Электродвижущая сила шума полевого транзистора

э. д. с. шума

D.    Rauschurspan-nung

E.    Noise force electrovelocity

Еш

'п

Спектральная плотность эквивалентного шумового напряжения, приведенного ко входу, при коротком замыкании на входе в схеме с общим истоком

27. Шумовой ток полевого транзистора

Шумовой ГОК

D.    Rauschstrom

E.    Noise currcnt

F.    Courant de bruit

in

Эквивалентный шумовой ток. приведенный ко входу, при разомкнутом входе в полосе частот Д f в схеме с общим истоком

Страница 14

ГОСТ 190М—73 Стр. 13

Буквенное

обощачеиие

отечественное

междуна

родно*

28. Шуммос сопротивление полевого транзистора

Шумовое сопротивление

D. Rauschwider-stand Б. Noise resistance F. Resistance de bruit

Яш

R*

Эквивалентное шумовое сопротивление при коротком замыкают на пходе в схеме с общим истоком, определяемое соотношением

_ Е hi _

Rи“ . где Е ш

— э. д. с. шума

29. Коэффициент шума полевого транзистора

Коэффициент шума

D.    Rauschfaktor

E.    Noise figure

F.    Facteur dc bruit

Кш

F

Отношение полной мощности шумов на выходе полевого транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала

30. Коэффициент усиление no мощности полевого транзистора

Коэффициент усиления по мощности D. Leisfcungsverstar-кип к К. Power gain F. Gain en puissance

Кур

<?,

Отношение мощности иа выходе полевого транзистора к мощности на входе при определенной частоте и схеме включения

31. Время задержки оключения полевого транзистора

Время задержки включения

D.    E<nschaltver2oge-rungszcit

E.    Turn-on delay lime

F.    Retard a la crol-ssance

^эд.вкл

^i((un)

Интервал времени между 10%-иым значением амплитуды фронта входного импульса, включающего полевой транзистор, и 10%-ным значением амплитуды фронта выходного импульса

32. Время нарастания для полевого транзистора

Время нарастания

D.    Anstiegszeit

E.    Rise time

F.    Temps de croissant*

f'tp

и

Интервал времени между 10%-ним и 90%-ным значениями амплитуды фронта импульса на выходе при «ключе-пин полевого транзистора

Страница 15

Стр. 14 ГОСТ MMS—75

Буквенное

обозначение

Оадоелеин»

Термин

«еждун*-г or.-ос

отечественное

Ay(o//)


toff

Va\~V<n\


иЗИ1—


~v.


зиа


33 Время задержки выключения полевого транзистора

Время задержки выключения

D.    Ausschaltverzoge-rungszeit

E.    Turn-off delay lime

F.    Retard a !a decrol-ssanee

34.    Время спада для полевого транзистора Время слада

D.    Abfallzelt

E.    Fall time

F.    Temps de deerols sance

35.    Время включения полевого транзистора

Время включения

D.    Einschaltzeit

E.    Turn-on lime

F.    Temps total d'eta-bllssement

36.    Время выключения полевого трашнс-тора

Время выключения

D.    Ausschaltzeit

E.    Turn-off time

F.    Temps total de ceupure

37.    Разность напряжение затвор—исток

D. Gate-Source-Spannungsdiffe-renz (efoes Dop-pelgete-Feldeffekt-transiJtors

E.    Defference of ga

te sorcc voltage

F.    Difference des

tension grille source


Интервал времени между 90%-ным значением амплитуды среза входного импульса, вызвавшего включение полевого транзистора, н 90%-ным значением амплитуды среза выходного импульса


Интервал времени между 90%-ным и 10%-ным значениями амплитуды среза выходного импульса при выключении транзистора


Абсолютное значение разности напряжений между затвором и истоком сдвоенного полевого транзистора при заданном токе стока


Интервал времени, являющийся суммой времени задержхи включения н времени нарастания для полевого транзистора


Интервал времени, являющийся суммой времени задержки выключения и времени спада


Страница 16

ГОСТ 1M9S— 7J Стр. 13

Букмяиое оболияси не

Определение

Термин

исжауиа-

отсчестпсняое

родно*

ЯН Температурный уход разности напряжений затвор—исток

D.    Temperaturdrift der Gate-Source— Spannungsdiffe-renz (eines Dop-pelgate-Feldef-felcttransistors)

E.    Drift of difference of gate-source voltage with temperature

F.    Variation dc la difference des tensions grille-source avee la temperature

39    Разность активных выходных проводимостей

D. Different der Re-aiteile der Aus-gangsldtwerte (eines Doppelga-te-Feldeffekttran-sistors)

40    Отношение начальных тохоа стока

D.    Drain-Source-Kurrschlu-ssstrom-vcrheltnis (eines Doppelgate-Feld-effekttransfstors)

E.    Ratio of drain currents

F.    Rapport de cou-rant de drain

41. Разность токов утечки затвора D Gatereststromdif-ferenz (efnes Doppelgate-Feld-effekttransistors)

A » </3И.

—дт—

_^3HJ I

ST

С1яач)|

-I

3<ут)2

O' -

~ST "«I —&Г

Gasi -

~®as г

DSSJ

DSS2

^CSSl — — lOSS-2

Отношение изменения разности напряжений между затвором и истоком сдвоенного полевого транзистора к вызвавшему его изменению температуры окружающей среды

Alt/,

Абсолютное значение разности активных выходных проводимостей сдвоенного полевого транзистора

Отношение меньшего значения начального тока стока к большему значению начального тока стока сдвоенного полевого транзистора


Страница 17

Стр. 16 ГОСТ 19991-71

Термин

Бук*еннс«

обюииемае

Определен*»

«течестаечное

мвждуи*-

РОЛИОе

41а. Постоянная рассеиваемая мощность стока

D. Drai'n-Source-Ver-lustleistung

PDS

42*. Максимально до пустимое напряжение сток— исток

D.    Maximal zulissi-go Drain-Souree-Spannung

E.    Maximum dTain-souree-voltage

F.    Tension maxi-male drain-source

^СИ.ад

^DSm»x

43. .Максимально допустимо* напряжение затвор—исток

D.    Maximal zulas-sigc Oate-Source-Spannung

E.    Maximum gate-source voltage

F.    Tension grillc-so-urce maximale

^ЗИ.мая

ycs<n»x

44. Максимально допустимое напряжение затаор—сток

D.    Maximal tulassC-ке Gate-Dratn-Spannung

E.    Maximum gaie-drain voltage

F.    Tension grille-drain maximate

^ЭС.»»»

^OD»»x

45. Максимально допустимое напряжение сток—подложка

D. Maximal zulSssi-ge Drain-Bulk-Spannung

^СП.тм

^Овшк

■ Пол максимально допустимыми параметрами понимают значения хонхрсг-иых режимов транзистора, которые потребитель не должен превышать при л» бих условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.

Страница 18

ГОСТ 1*»S—73 Стр. 17

Термкм

Кукмко? обозначенне

отечмгвешос

междуна

родное

E.    Maximum drain-substrate voltage

F,    Tension maxima Ic drain-substrelc

46. Максимально допустимое напряжение исток—подложка

D.    Maximal zulissi-ge Source-Bulk-Spannung

E.    Maximum source-substrate voltage

F.    Tension maximalc source-substrate

^ИПлм

USBtт.шх

47. Максимально допустимое напряжение затвор-подложка

D.    Maximal zulSs-sige Gate-Bolk-Spannung

E.    Maximum gate-substrate voltage

F.    Tension maximale grille-substrate

^ЗП.пшх

^ОВтп

48. Максимально допустимое напряжение между затворами

D.    Maximal zulassi-gc Spannung zwischen den Oates

E.    Maximum gate-eatc voltage

F.    Tension maximalc grille-grllle

U (31 ~*2)тм

49. Максимально допустимый постоянный ток стока

D.    Maximal zulSssi-

ger Drain-Glelchstrom

E.    Maximum drain current

F.    Courant maximale de drain

^С.ви

Страница 19

Стр. 18 ГОСТ MMS—'П

Тсрчня

Букмииое

обо>я««еиа<

Ояредмеив»

отгчестмииое

междуна

родное

SO. Максимально допустимый прямой ток затвора

D.    Maximal zulissi-ger Gate-Vor-wirtsstrom

E.    Maximum forward gate current

F.    Courant directs de

grille

^3(np)ina\

51. Максимально допустимый импульсный ток стока

D. Maximal zuWs-sigcr Drain-lm-pultstrom

^С(и)т«х

1[>М т*»

Импульсный ток стока при заданных длительности и скважности импульсов

52. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полеаого транзистора

D. Maximal zuliiJi-ge Dauerverlust-Icistung F. Power dissipation F. Dissipation de puissance

Р «их

PDS<ru

53. (Максимально допустимая импульсная рассемааемая мощность полеаого транзистора

D. Maximal zulissi-ge Impulsvcr-lustleixtung

Р

' i>t\

РМт»х

Мощность, рассеиваемая полевым транзистором в импульсе при заданных сжважвостя и длительности импульсов

Страница 20

ГОСТ 19095-73 Стр. <9 АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ

Время включения

Время включения полевого транзистора Время выключения

Время выключения полевого транзистора

Время задержки включения

Время задержки включения полевого транзистора

Время задержки выключения

Время задержки выключения полевого транзистора

Время нарастания

Время иарастания для полевого транзистора Время спада

Время спада для полевого транзистора

ёмкость входная

Емкость выходная

Емкость затвор-исток

Емкость затвор-сток

Емкость полевого транзистора входная

Емкость полевого транзистора выходная

Емкость полевого транзистора проходная

Емкость проходная

Емкость сток-исток

Коэффициент усиления по мощности

Коэффициент усиления по мощности полевого транзистора

Коэффициент шума

Коэффициент шума полевого транзистора

Крутизна характеристики Крутизна характеристики полевого транзистора Крутизна характеристики по подложке Модуль полной проводимости обратной передачи Модуль полной проводимости обратной передачи полевого транзистора Модуль полной проводимости прямой передачи Модуль полной проводимости прямой передачи полевого транзистора

Мощность полевого траизистора рассеиваемая импульсная максимально допустимая Мощность полевого траизистора рассеиваемая постоянная максимально допустимая

Мощность стоха рассеиваемая постоянная Напряжение затворнсток

Напряжение затвор-исток максимально допустимое Напряжение затвора пробивное Напряжение за7вор-исток прямое Напряжение затвор-исток обратное Напряжение затвор-подложка

Напряжение затвор-подложка максимально допустимое Напряжение затвор-сток

Напряжение затвор-сток максимально допустимое

Напряжение исток-подложка

Напряжение исток-подложка максимально допустимое Напряжение между затворами максимально допустимое Напряжение отсечки

Напряжение отсечки полевого транзистора Напряжение полевого транзистора пороговое Напряжение полевою транзистора шумовое

Страница 21

Стр. 20 ГОСТ 1ММ—71

Напряженке пороговое Напряжение сток-исток

Напряжение сток-исток максимально допустимое

Напряжение сгок-поддожка

Напряженке сток подложка максимально допустимое

Напряжение шумовое Отношение начальных токов стока Проводимость входная активная Проводимость входная полная Проводимость выходная активная Проводимость выходная полная

Проводимость обратной передачи полеаого транзистора полная Проводимость обратной передачи полная Проводимость полевого транзистора входная полная Проводимость полевою транзистора выходная полная Проводимость прямой передачи полевого транзистора полная Проводимость прямой передачи полная Разность активных выходных проводимостей Разность напряжений затвор-исток Разность токов утечки затвора Сопротивление полевого транзистора шумовое Сопротивление сток исток в закрытом состоянии Сопротивление сток-исток в открытом состоянии Сопротивление шумовое

Составляющая входной проводимости полевого транзистора активная

Составляющая выходной проводимости полевого транзистора активная

Ток затвора Ток затвора прямой

Ток затвора прямой максимально допустимый

Ток истока

Ток истока начальный Ток истока остаточный Ток отсечки затвора Ток подложки

Ток нолевого транзистора шумовой Ток перехода затвор нсток обратный Ток перехода затвор-сток обратный

Ток стока

Ток стока импульсный максимально допустимый

Ток стока начальный

Ток стока остаточный

Ток стока при нагруженном затворе

Ток стока при разомкнутом выводе остаточный

Ток стока постоянный максимально допустимый

Ток утечки затвора

Ток шумовой

Уход разности напряжений затвор-исток температурный

Э. д. с. шума

Электродвижущая сила шума полевого транзистора

Страница 22

ГОСТ 1W5-73 Стр. 21 АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ TIFMHHOi НА НЕМЕЦКОМ ЯЗЫКЕ

Abfallzcit

Anstiegszelt

Ausgangskapazitdl

AussehaTtverzogcrunKsrcit

Auudnlutii

Beirag des KurzschlussRiickwirkungsscheinleitverles Betrag ties Knirzschluss-Obcrlragungsscheinleitwcrtcs Dlfferenz der Realteilc der Ausgangslcitwerte (cincs Doppelgaie-Feldeffckttransistor*)

Drainreststrom

Drainsirom

Drainstrom bei Widcrstandsabschluss zwischen Source und Gate

Drain-SourccKapazitit

lirain-Source-Kurzichlussslrom

Drain-Source-Kurzschhissstromverhdltais

(dries Doppel(jate-Feldeffekttransistorsl

Drain-Sourcc-5pa timing

Drain-Source-Verlustleislung

Drain-Source-Widerstand bei gespcrrtem Transistor

Drain-Source-Widerstand bei geoffnctem Transistor

Drain-Subslrat-Spanmmg

Einganeskapazitat

Einschaltzelt

Kinschaltverzdgerungszeit

Gate-Drain-Kapazitat

Gate-Draln-Spannung

Gatestrom

Gaterestrom

Gaterest*lroni (Source offen)

Gatedurchlassstrom

Gatesperrstrom bei vorgegebrner Drain-Sourcc-Spannung Gaterestslrom (Drain offen)

Galereststromdifferenz (eines Doppelgatc-Feldcffekltransts-tors)

Gate-Source-Durehbruchspannung

Gate-Source-Kspazitat

Galc-Soorcc-Spanmmg

Gate-Source-Durchlassspannung

Gate-Sourcc-Sperrspannug

Gato-Substral-Spannung

Gate-Source-Spannung (Abschnflrspannung)

Gafc-Source-Spannungsdifferenz (eines Doppelgale-Feldeffekl-

transistors)

Ku rzschhiss-E in ga ngsschcin lei I wer (

Kurzscliluss-Ausgangsschcinleitwert

Kurzschluss-Ruckwirkungsscheinleilwerl

Kurzschluss-Oberlragtingsschcinleitwert

f^isfamgsverstSrkung

Maximal zulassige Drain-Sourcc-Spannung Maximal zul£ssige Gate-So«irce-Spanming Maximal zulassige Gate-Drain-Spanmmg Maximal ztilrfssige Drain-Bulk Spannung Maxima] zulisslge Source-Bulk-Spannung

Страница 23

Стр. 22 ГОСТ 1ЦИ5-73

Maximal uiJJSssigc Gate-Bulk-Spaunyug

Maximal zuldsslge Spannung iwischen den Gates

Maximal zulassiger Drain-Gleichstrom

Maximal zulfissiger Gate-Vorwiirtsstrom

Maximal zuiasSiger Drain-lmpulsstrom

Maximal zuiassigc Dauervcrluslleistung

Maximal zulassige ImpulsverlustlcisUmg

Raiisclispannung

Rausclwrspannung

Nauschstrom

Kauschwidcrsland

Rausclifaktor

Kc-olii-il des Kurzschluss-Ausgangsleitwertes

Reaiteil dc& Kiirzschluss-Eingangslcitwcrtes

RiickwirkungskapazitSt

SchweMspannung

Sourccstrom

Sourcestrom bei Kurzschfcjss zwischen Drain und Gale Sourccreslstrom    '

Sourcc-Substrat-Spanmmg Substratstrom

Temperaturdrift dcr Cate-Sourcc-Spannungsdiffcrcnz leines Doppelgaie-Feldeffekttransistors)

Vorwarlsstcilhelt

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ

Difference of gatc-sourcc voltages Drain current for Vqs=0 Drain current

Drain current, at a specified gate-source resistance Drain cut-off current

Urain-source capacitance    ‘

Drain-sourcc off-state resistance Drain-source on-state resistance Drain-source (d. c.) voltage Drain-substrate (d. c.) voltage

Drift of difference of gatc-sourcc voltage with temperature Fall time

Forward gate current Forward gate-source (d- c.) voltage Forward transconductance Gate current

Gate cut-off current with drain open-circuited Gate cut-off current with source open-circuited Gate cut-off current (of a field-effect transistor), with specified drain-souree circuit conditions Gate-drain capacitance Gatc-drain (d. c.) voliagc Gate-drain cut-off current Gate leakage current Gate-source breakdown voltage (with drain short-circuited to source)

Gate-source capacitance Gate-source cut-off current Gate-soufce cut-off voltage Gate-source threshold voltage

Страница 24

rocf r> Стр.

Gate-souroe (d: c.) voltage

Gate-substxatc (d. c.) volUge

Input capacitance

Maximum drain current

Maximum drain-source voltage

Muimum drain-substrate voltage

Maximum forward gate currcnt

Maximum gate-drain voltage

Maximum gate-gate voltage

Maximum gate-scurce voltage

.Maximum gate-substrate voltage

Maximum source-substrate voltage

Modulus of the short-circuit forward transfer admittance

Modulus of the short-circuit reverse transfer admittance

Noise current

Noise force electrovelocily

Noise resistance

Noise voltage

Noise figure

Output capacitance

Power dissipation

Power gain

Ratio oi drain current '

Reverse gate-source (d. c.) voltage Ratio of forward transconductances Revcrce transfer Rise time

Short-circuit forward transfer admittance Short-circuit Input admittance Short-circuit input conductance Short-drcult output admittance Short-circuit output conductance Short-circuit reverse transfer admittance Source current

Source currcnt. at a specified gate-drain condition Source current, with gate short-circuited to drain Source-substrate (d. c.) voltage Substrate current Turn-off delay time Turn-off time t Turn on delay time '.Turn-on time

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫКЕ

Admittance d'entrfe, la sortie e?ant en court-circuit Admittance de sortie, I'enlr^e. Stant en court-circuit Admittance de tranfer direct, la sortie 6tarit en coart-circuit Admittance de transfer! inverse. I'entrce etant en court-circuit Capacitc- d’entrte Cipacitc de sortie , Capacity de transfer inverse Capacite drain-source Capacity grille-drain Capacite grille-source % Conductance d'entrte, la sortie etant en court-circuit * Conductance de sortie I'entree itant en court-circuit

Страница 25

Стр. 24 ГОСТ IWW-ff

Courant de bruit

Courant de drain

Courant de drain au biocage

Courant de drain pour Vqs «0

Courant dc drain pour une resistance grille-source

extfcrieure specifier

Courant de fuitc de drain

Courant de grille

Courant de source

Courant dc source dans des conditions grille-drain sptciftees

Courant de source la grille itant court-cirouitee au dram

Courant de substrat

Courant directe dc grille

Courant maximale de drain

Courant residue! dc grille

Courant residue! de grille 1* drain etant en circuit ouvert

Difference des tension grille-source

Dissipation de puissance

Facteur de bruit

Gain en puissance

Module de ['admittance de transfext direct, la sortie «ant en court-circuit

Module de ('admittance de trarsfert Inverse I’antrte 6tant en

court-drcult

Rapport de courant de drain Resistance de bruit

Resistance drain-source a 1'etat bloqut

Rapport des transconductances directes

Resistance drain-source a l'ttat passent

Retard a la croissance

Retard a la decroissance

Temps de croissance

Temps de decroissance

Temps total de coupure

Temps total d ctablissement

Tension de bruit

Tension de claquage grille-source

Tension de seuil grille-source

Tension directe (continue) grille-source

Tension (continue) drain-source

Tension (continue) drain-substrat

Tension (continue) grille-drain

Tension grille-drain maximale

Tension (continue) grille-source

Tension grille-source de blocage

Tension grille-sourcc maximale

Tension (continue) grille-substrat    ,

Tension inverse (continue) grille-source Tension maximale drain-source Tension maximale drain-substrate Tension maximale grille-grille Tension maximale grille-subatrate Tension maximale source-substrate Transconductance directe Tension (continue) source-substrat

Variation de la difference des tensions grille source avec la temperature    _

Страница 26

Редактор В. Н. Шалаева Технический редактор Л- Я- Митрофаном Корректор Н. Д. Филиппова

Сдаио > И4в. 10.10.82 Подл. > печ. ie.02.tt J.5 я. 2.2ъ yv-иэд. л Гир <«0 Цена 10 коа.

OfII*i «Знак Почста» КыатеДкство стаадарто». 123SB7. Моек»«. НоаопрмвеносхЯ пер., } Кмужсхад тшяограф*» стандартов, уд. Москоасм». 2W- За*. 31J8