ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ

ОБЩИЕ ТЕХНИЧЕСКИЕ УСЛОВИЯ

ГОСТ 18725-83 ест СЭВ 299—76)

Издание официальное

Е

КОМИТЕТ СТАНДАРТИЗАЦИИ И МЕТРОЛОГИИ СССР Москва

ГОСТ 18725-83 С 10

ф^жциональный контроль при нормальных климатических условиях по нормаи и режимам, обеспечивающим установленные значения параметров и функционирование при повышенной (.пониженной) температуре среды.

5.    Для микросхем, имеющих перегрев на клисталле, электротермотренировку (далее —ЭТТ) проводят при такой температуре окружающей среды, при которой температура кристалла будет в пределах 145—150°С, но не ниже повышенной рабочей температурь? окружающей среды в соответствии с ТУ на микросхемы конкретных типов. Длительность ЭТТ следует определять периодом приработки, после которого прекращается отход дефектных изделий, в соответствии с методикой, приведенной в приложении, и выбирают из ряда: 0, 24, 48, 72, 96, 120, 144, 168 ч и указывают в ТД. Для микросхем, идущих на комплектацию телевизионных приемников, определение длительности ЭТТ проводят по специальной методике, согласованной с основным потребителем.

Для микросхем, требующих первоочередных мероприятий по повышению надежности, номенклатура которых согласована с основным потребителем, длительность ЭТТ устанавливают не менее 168 ч.

Для вновь освоенных микросхем в течение первого года серийного выпуска длительность ЭТТ устанавливают 168 ч. Допускается устанавливать другую длительность ЭТТ по согласованию с основным потребителем и Госприемкой (при наличии).

6.    Допускается выборочный визуальный контроль сборки перед герметизацией при автоматизированной сборке микросхем, что указывают в ТД.

7.    Допускается для микросхем в корпусах, имеющих внутренние полости, нрметизируемых пайкой (сваркой), при испытаниях на воздействие изменения температуры среды проводить 5 циклов.

8.    Допускается вместо ЭТТ, по согласованию с основным потребителем и Госприемкой (при ее наличии), использовать диагностические методы отбраковки потенциально ненадежных микросхем, эффективность которых не хуже ЭТТ.

9.    Допускается для гибридных, оптоэлектронных микросхем и микросхем памяти на цилиндрических магнитных доменах ЭТТ проводить при повышенной рабочей температуре среды, установленной в ТУ на микросхемы конкретных типов.

10.    ЭТТ не проводят для микросхем памяти, программируемых потребителем.

(Измененная редакция, Изм. № 1, 2, 3, 4).

2.1.2.3.    Изменения в конструкторскую и технологическую документацию, приводящие к изменению норм и требований в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, вносят только после получения положительных результатов типовых испытаний путем утверждения в установленном порядке решения о внесении соответствующих изменений в стандарты или технические условия на микросхемы конкретных типов.

(Измененная редакция, Изм. № 3).

2.1.2.4.    Изменения в конструкторской и технологической документации, не приводящие к изменению параметров, должны быть согласованы с техническим контролем.

На предприятиях-изготовителях изменения в технологической документации на основные технологические процессы производят по согласованию с предприятием — разработчиком микросхемы и предприятием — держателем подлинника технологической документации.

При необходимости внесения изменений изготовитель должен

С. 11 ГОСТ 18725-83

предъявлять техническому контролю документы, подтверждающие целесообразность и возможность предлагаемых изменений. Если при рассмотрении этих документов возникают сомнения в получении ожидаемых результатов, проводят типовые испытания. По результатам типовых испытаний принимают согласованное решение по внесению изменений.

Изменения в конструкторской и технологической документации, приводящие к изменению параметров, проводят в установленном порядке по согласованию с отделом технического контроля, предприятием—держателем подлинников конструкторской и технологической документации и основным потребителем и Гос-приемкой (при ее наличии).

(Измененная редакция, Изм. № 1, 3).

2.1.2.5.    Микросхемы в процессе производства должны сопровождаться документацией (сопроводительными листами) по форме, принятой в установленном порядке на лредприятии-изготови-теле.

2.1.2.6.    Нормы, устанавливаемые в технологической документации для проверки микросхем цехом, кроме функционального контроля¹, должны быть более жесткими в сравнении с нормами, установленными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов для испытаний по категории приемосдаточных испытаний.

(Измененная редакция, Изм. № 1).

2.1.2.7.    Предприятие-изготовитель совместно с техническим контролем ежемесячно проводит обобщение данных по проценту выхода годных микросхем с указанием основных дефектов, обнаруженных в производстве за истекший период, а также данных об уровне сдачи партий в технический контроль с первого предъявления.

Если производственный брак микросхем или число рекламаций на них резко возрастает, то в каждом отдельном случае изготовитель анализирует причины увеличения брака и рекламаций. На основании анализа предприятие-изготовитель разрабатывает и согласовывает с техническим контролем и Госприез^кой (при ее наличии) необходимые мероприятия и внедряет их в производство.

(Измененная редакция, Изм. № 3).

2.1.2.8.    Электрические испытания согласно п. 8 табл. 1а допускается проводить в любой последовательности.

(Введен дополнительно, Изм. № 3).

2.1.3. Материалы, полуфабрикаты и комплектующие изделия, применяемые для изготовления микросхем, должны соответствовать стандартам или другой технической документации на них.

ГОСТ 18715-83 С. 12

Качество применяемых материалов должно быть подтверждено клеймами, сертификатами или протоколами испытаний технического контроля предприятия-изготовителя.

2.1.3.1.    Материалы, из которых изготовляют микросхемы, должны быть химически совместимыми и стойкими в составе микросхемы к воздействию внешних воздействующих факторов, установленных настоящим стандартом.

2.1.3.2.    Электрически разнородные металлические материалы, применяемые для изготовления соприкасающихся между собой деталей, выбирают по ГОСТ 9.005-72.

2.1.3.3.    Виды и толщины металлических и неметаллических покрытий должны соответствовать требованиям ГОСТ 9.301-86, ГОСТ 9.032-74 и нормативно-технической документации.

2.1.3.1—2.1.3.3. (Введены дополнительно, Изм. № 1).

2.1.4. Требования к испытательному оборудованию и средствам измерений

2.1.4.1.    Испытательные установки, стенды и средства измерений должны соответствовать действующим государственным стандартам на методы измерений и другой технической документации, утвержденной в установленном порядке.

2.1.4.2.    Средства измерений и испытательные установки не должны вызывать выхода микросхем из строя. При измерении и испытании должны быть исключены появления в установке наводок и помех от сети, а также условия, вызывающие паразитную генерацию проверяемой микросхемы.

(Измененная редакция, Изм. № 4).

2.1.4.3.    Панели и испытательная оснастка для подключения испытуемых микросхем должны обеспечивать надежный электрический контакт.

2.1.4.4.    Средства измерения и испытательные установки должны обеспечивать режимы измерений и испытаний, установленные в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Испытательное оборудование и средства измерений, применяемые на головном предприятии и предприятии-дублере, должны быть однотипными или обеспечивать заданную точность измерений и сопоставляемость результатов.

(Измененная редакция, Изм. № 1).

2.1.4.5.    Средства измерений подлежат поверке в соответствии с ГОСТ 8.002-86.

2.2. Правила приемки

(Измененная редакция, Изм. № 3).

2.2.1. Правила приемки микросхем — по ГОСТ 25360-82 дополнениями и уточнениями, изложенными в настоящем ста;’ дарте.

Для проверки качества поступивших микросхем допускается предприятию-потребителю проводить входной контроль в объеме, последовательности, на выборках и методами, указанными в настоящем стандарте. Партию изделий, не выдержавшую входной контроль, возвращают предприятию-изготовителю.

(Измененная редакция, Изм. № 1,3).

2.2.2. Квалификационные испытания

2.2.2.1.    Квалификационные испытания проводят один раз на каждом предприятии-изготовителе при приемке установочной серии.

2.2.2.2.    Состав испытаний, деление состава испытаний на группы, последовательность испытаний в пределах группы и последовательность групп должны соответствовать указанным в табл. 2.

(Измененная редакция, Изм. № 1, 3).

Таблица 2

Группа испыта ния Пункт настоящего стандарта Вид и последовательность испытания Техническое требование Метод испытания К-1 Проверка внешнего вида и марки- 1,2.2; 1.2.10 2.3.1 ровки 3.1.1 2.3.8.1 К-2 Проверка габаритных, установочных и присоединительных размеров 1.2.1 2.3.1 к-з Проверка статических параметров (параметров постоянного тока), отнесенных к категории С, при: нормальных климатических условиях 1.3.1 2.3.1 пониженной рабочей температуре среды 1.5.1 2.3.1 повышенной рабочей температуре среды 1.5.1 2.3.1 Проверка динамических параметров (параметров переменного тока), отнесенных к категории С при нормальных климатических условиях 1.3.1 2.3.1 Функциональный контроль при: нормальных климатических условиях 1.3.1 Устанавливают повышенной рабочей температуре среды 1.5.1 1 в стандартах или ТУ на микросхемы конкретных типов То же

ГОСТ 18725-83 С. 14

Продолжение табл. 2

Г руппа Пункт настоящего стандарта Вид и последовательность испытания испыта- Техническое Метод ния требование испытания К-4 Испытание на воздействие пониженной рабочей температуры среды 1.5.1, а 2.3.1 Испытание на воздействие повышенной рабочей температуры среды 1.5.1, б 2.3.1 Проверка электрических параметров, отнесенных к категории П, при нормальных климатических условиях 1.3.1 2.3.1 Проверка электрических параметров, отнесенных к категории К 1.3.1 2.3.1 Функциональный контроль при: нормальных климатических уело- виях 1.3.1 Устанавливает в стандартах или ТУ на мик росхемы конкретных типов повышенной рабочей температуре среды ( 1.5.1 То же К-5 Испытание на воздействие измене-, ния температуры среды I 5.1, в, 1.2.8 2.3.1 Испытание на воздействие линейного ускорения 1.4 2.3.1 Испытание на воздействие одиночных ударов 1.4 2.3.1 Испытание на воздействие повы шенной влажности воздуха (кратковременное) 1.2.7 2.3.8.1 1.5.1, а 2.3.1 К-6 Испытание на безотказность 1.6.1 2.3.6 К-7 Проверка качества и прочности нанесения маркировки 3.1.1 2.3.8.1 1.2.9 2.3.8.2 Проверка прочности внешних вы водов 1.2.5 2.3.1 Испытание на способность к пайке Испытание на теплостойкость при 1.2.6 2.3.1 пайке 1.2.6 2.3.1 Испытание на герметичность 1.2.4 2.3.1 К-8 Испытание упаковки 3.2 2.3.9.1

С 15 ГОСТ 18725—8J

Продолжение табл. 2

Группа Пункт настоящего стандарта Вид и последовательность испытания испыта- Техническое Метод ния требование испытания К-9 Испытание на вибропрочность 1.4 2.3.1 Испытание на виброустойчивость Испытание на ударную прочность 1.4 2.3.1 (многократные удары) 1.4 2.3.1 К-10 Проверка массы Испытание на воздействие атмос- 1.2.3 2.3.1 ферного повышенного давления 1.5.1, е 2.3.1 Испытание на воздействие атмос- ферного пониженного давления 1.5.1, д 2.3.1 2.3.3 к-и Испытание на долговечность 1.6.1 2.3.6 К-12 Испытание на воздействие повы шенной влажности воздуха (длительное) (для микросхем исполнения УХЛ-10 сут, исполнения В-21 сут) 1.5.2 2.3.1 К-13 Испытание на воздействие плесневых грибов 1.5.2 2.3.1 К-14 Испытание на воздействие соляного тумана 1.5.2 2.3.1 К-15 Испытание на способность вызывать горение 1.2.11 2.3.1 Испытание на горючесть (кроме микросхем в металлостеклянном, мета ллокерамическом, стеклокерамическом и керамическом корпусе) 1.2.11 2.3.1

Примечания:

1.    Для микросхем в корпусах типа 2 по ГОСТ 17467-88 проверку прочности внешних выводов группы К-7 не проводят.

2.    Испытания по группам К-4 и К-5 допускается проводить на одной выборке.

3.    Для микросхем монолитной конструкции испытания на герметичность группы К-7 и испытания на вибропрочность и выброустойчивость группы К-9 не проводят.. Вместо испытаний на герметичность проводят испытания на воздействие повышенной влажности воздуха (кратковременное).

4.    Допускается при непрерывном цикле испытаний совмещать проверку электрических параметров перед каким-либо испытанием с такой же проверкой после предшествовавшего испытаний.

ГОСТ 18725-83 С. Id

5.    Функционированный контроль проводят для микросхем третьей и более высоких степеней интеграции. В технически обоснованных случаях совмещают функциональный контроль с проверкой электрических параметров.

Если функциональный контроль проводят на максимальной рабочей частоте, проверку динамических параметров исключают.

6.    Проверку герметичности после проверки прочности внешних выводов по группе К-7 не проводят, а совмещают с проверкой герметичности в конце группы К-7.

7.    Испытание на горючесть по группе К-15 (испытание на воздействие пламени) не проводят, если при внешнем конструктивном исполнении микросхем не использованы органические материалы. Стойкость таких микросхем к воздействию пламени обеспечивается конструкцией.

8.    Испытание на способность вызывать горение по группе К-15 (испытание на воздействие аварийных электрических перегрузок) не проводят, если превышение температуры наиболее пожароопасного участка поверхности микросхем при аварийной перегрузке, установленной в техническом задании, стандартах или ТУ на микросхемы конкретных типов, не превышает допустимого значения по ГОСТ 8865-87.

2.2.2.3.    Для проведения испытаний комплектуют выборку микросхем в объеме, достаточном для проведения всех групп испытаний по соответствующим планам контроля с учетом порядка контроля этих групп в пределах данной категории.

2.2.2.4.    Для проведения испытаний применяют следующие планы контроля:

для групп испытаний К-1—К-3 — планы контроля, установленные для групп С-1—С-3 приемо-сдаточных испытаний соответственно;

для групп испытаний К-4, К-5, К-9 и К-12 план контроля, установленный в табл. 7;

для группы испытаний К-6 — план контроля, установленный для группы П-1 периодических испытаний;

для групп испытаний К-7 и К-Ю — план контроля, установленный в табл. 8;

для группы испытаний К-8 — план контроля, приведенный в табл. 8 (испытаниям подвергают 1 единицу транспортной тары с упакованными микросхемами);

для группы испытаний К-11—план контроля, установленный в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, необходимый для подтверждения заданного в настоящем стандарте значения интенсивности отказов;

для групп испытаний К-13—К-14 — испытаниям подвергают выборку п=5 шт. при приемочном числе С = 0 (для микросхем 1—3-й степеней интеграции и выборку /г=3 шт. при приемочном числе С=0 (для микросхем 4-й и более высоких степеней интеграции);

для группы испытаний К-15 — испытаниям подвергают выборку п = 3 шт. при приемочном числе С=0;

в технически обоснованных случаях объем выборки для мощных, уникальных и дорогостоящих микросхем можно устанавли-

С 17 ГОСТ 18725-83

вать иным, что устанавливают в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

(Измененная редакция, Изм. № 1).

2.2.2.5.    Если в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов проведено разделение совокупности микросхем, входящих в данную серию, на группы типов, то комплектование выборок по группам К-4 и К-6 проводят от каждой группы типов.

Оценку результатов испытаний относят к каждой группе типов в отдельности.

Комплектование выборок по группам К-5, К-7—К-12 проводят одним (любым) типом микросхем от данной серии. Результаты испытаний распространяют на все типы микросхем данной серии.

2.2.2.6.    Если для проведения испытаний микросхемы распаивают на печатные платы, то измерение электрических параметров микросхем проводят до и после распайки микросхем.

Микросхемы, отказавшие при распайке их на платы из-за ошибки оператора, из выборки исключают, заменяют годными и при оценке квалификационных испытаний не учитывают.

2.2.2.7.    Предварительную оценку квалификационных испытаний по группе К-П (долговечность) производят по результатам испытаний в течение 1000 ч при С=0 (испытания при этом по группе К-И продолжают до их завершения).

(Измененная редакция, Изм. № 1).

2.2.2.8.    Перед проверкой микросхем по группам испытаний К-4—К-12 все микросхемы выборки должны быть проверены в объеме приемо-сдаточных испытаний.

Если при проверке будут обнаружены дефектные микросхемы, то последние из выборки исключают и заменяют годными. Обнаружение дефектных микросхем не является основанием для прекращения испытаний.

2.2.2.9.    Испытания микросхем исполнения УХЛ на устойчивое^ к воздействию соляного тумана и среды, зараженной плесневыми грибками (п. 1.5.2), не проводят. Устойчивость к воздействию этих факторов обеспечивается покрытием микросхем защитными лаками в соответствии с п. 4.9.

2.2.2.10.    При получении отрицательных результатов испытаний по группе К-8 проводят доработку конструкции упаковки и технологии упаковывания, после чего проводят новые испытания по этой группе на приборах той же установочной серии.

2.2.2.9, 2.2.2.10. (Измененная редакция, Изм. № 1).

2.2.3. Приемо-сдаточные испытания

2.2.3.1. Состав испытаний, деление состава на группы испытаний, последовательность испытаний в пределах группы и последовательность групп испытаний должны соответствовать указанным в табл. 3.

(Измененная редакция, Изм. № 1).

ГОСТ 18725-83 С 18

Таблица 3

Пункт настоящего стандарта Группа испыта- Вид и последовательность испытаний требований методов ний испытаний С-1 Проверка внешнего вида и марки- 2.3.1 ровки 1.2.2 1.2.10; 3.1.1 2.3.8.1 С-2 Проверка габаритных, установочных и присоединительных размеров 1.2.1 2.3.1 С-3 Проверка статических параметров (параметров постоянного тока), отнесенных к категории С, при: нормальных климатических усло 1.3.1 2.3.1 виях пониженной рабочей температуре 1.5.1 2.3.1 среды повышенной рабочей температуре 1.5.1 2.3.1 среды Проверка динамических парамет ров (параметров переменного тока), отнесенных к категории С, при нор 1.3.1 2.3.1 мальных климатических условиях Функциональный контроль при: нормальных климатических усло виях 1.3.1 Устанавливают в стандартах или ТУ на мик росхемы конкретных типов повышенной рабочей температуре 1.5.1 То же среды

Примечания:

1.    Допускается контроль по группе С-2 проводить по результатам контроля технологической оснастки и инструмента. Порядок проведения контроля устанавливают по согласованию с техническим контролем и Госприемкой (при ее наличии).

2.    Функциональный контроль проводят для микросхем третьей и более высокой степеней интеграций. В технически обоснованных случаях допускается совмещение функционального контроля с проверкой электрических параметров. Если функциональный контроль проводят на максимальной рабочей частоте, проверку динамических параметров исключают.

3.    Допускается по согласованию с основным потребителем и Госприемкой (при наличии) вместо проверки статических параметров при повышенной и пониженной температурах среды (и функционального контроля для интегральных микросхем р-, /г-канальных и КМОП-технологий) проводить проверку статических параметров и функциональный контроль при нормальных климатических условиях

С. 19 ГОСТ 13725-83

по нормам и режимам, обеспечивающим установленные значения параметров и функционирование при повышенной (пониженной) температуре среды.

В этом случае для подтверждения гарантий по электрическим параметрам в диапазоне температур испытания по группе П-2 проводят 2 раза в три месяца.

2.2.3.2.    В состав партии, предъявляемой к приемке, должны включаться микросхемы одного типа (типономинала).

2.2.3.3.    Объем партии микросхем, предъявляемых к приемке, — до 35000 шт. Проверку микросхем проводят последовательно на одной выборке, а для испытаний по группе С-2 на части этой выборки.

2.2.3.4.    Приемо-сдаточные испытания проводят методом выборочного одноступенчатого контроля.

2.2.3.5.    Сплошной контроль для приемо-сдаточных испытаний применяют по группам С-1, С-3 для партий объемом от 2 до 90 шт.

2.2.3.6.    Планы выборочного контроля качества для групп испытаний С-1 и С-3 — по ГОСТ 18242-72. Вид контроля — нормальный, тип плана контроля-—одноступенчатый, уровень контроля — 11.

Для испытаний по группе С-3 приемочный уровень дефектности устанавливают в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов из ряда: 0,10; 0,15; 0,25.

Приемочный уровень 1,00% устанавливают в технически обоснованных случаях.

Для испытаний по группе С-1 приемочный уровень дефектности не должен быть более 2,50% и устанавливается в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

2.2.3.7.    План контроля для группы С-2 приведен в табл. 4.

Таблица 4

Число микросхем в партии, шт. Число микросхем в выборке, шт. Допустимое число дефектных микросхем в выборке, шт. 2—150 2 0 151—1200 5 0 1201—10000 10 0 10001—35000 20 0

2.2.3.8.    Комплектование выборки для испытаний проводит технический контроль .

2.2.3.9.    Анализ выявленных дефектов и выявление причин, вызвавших их появление, проводят совместно с техническим контролем.

2.2.3.10.    Приемку микросхем приостанавливают в тех случаях, если из 10 последовательно предъявленных партий (включая повторно предъявленные) три партии были возвращены изготовите-

ГОСТ 18725-83 С 2

1.2. Требования к конструкции

1.2.1.    Габаритные и присоединительные размеры микросхем должны соответствовать ГОСТ 17467-88.

Общий вид и установочные размеры должны соответствовать чертежам, приведенным в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Микросхемы, предназначенные для автоматизированной сборки (монтажа) аппаратуры, должны соответствовать нормативно-технической документации, утвержденной в установленном порядке.

Для микросхем, предназначенных для автоматизированной сборки (монтажа) аппаратуры, в стандартах или технических условиях (далее ТУ) на микросхемы конкретных типов должен быть указан номер конструктивно-технологической группы и конструктивное исполнение по нормативно-технической документации, утвержденной в установленном порядке.

Покрытия выводов, предназначенных для пайки, не должны иметь просветов, через которые просматривается основной металл, коррозионных поражений, пузырей, отслаивания и шелушения. Допускается отсутствие покрытия на торцах выводов.

(Измененная редакция, Изм. № 1, 3).

1.2.2.    Внешний вид микросхем должен соответствовать образцам внешнего вида и их описаниям, утвержденным в установленном порядке.

Описания должны прилагаться к стандартам или техническим условиям на микросхемы конкретных типов и высылаться потребителю.

1.2.3.    Масса микросхем не должна превышать значений, установленных в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

1.2.4.    Микросхемы должны быть герметичными.

Показатель герметичности микросхем, имеющих внутренние

объемы, по скорости утечки газа нс должен быть более:

5*10“³ Па*см³/с (5*1(К⁵ л-мкм рт. ст./с)—для микросхем внутренним объемом до 1 см³;

5*10“² Па-см³/с (5-10“⁴ л*мкм рт. ст./с)—для микросхем внутренним объемом более 1 см³.

Конкретные значения показателя герметичности указывают в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

1.2.5.    Выводы микросхем должны выдерживать без механических повреждений воздействие следующих механических факторов:

растягивающей силы, направленной вдоль оси вывода. Значение растягивающей силы — по ГОСТ 25467-82;

изгибающей силы — для гибких лепестковых, ленточных и проволочных выводов. Минимальное расстояние места изгиба выво-

ГОСТ 18725-83 С. 20

лю, при этом возврат партий по внешнему виду и маркировке не учитывают. Отсчет проверенных партий ведут от любой возвращенной партии.

Приемку возобновляют после анализа причин появления дефектов и принятия мер по устранению и производят по планам нормального контроля. При этом отсчет проверенных партий ведут от любой возвращенной патрии, предъявленной после внедрения мероприятия по устранению причин появления дефектов.

(Измененная редакция, Изм. № 1).

2.2.3.11.    Микросхемы, принятые техническим контролем, до их отгрузки находятся на складе изготовителя. Отгрузку микросхем, прошедших приемо-сдаточные испытания, производят при наличии положительных результатов периодических испытаний.

2.2.3.12.    Если между приемкой и отгрузкой микросхем изготовителем проходит более шести месяцев, то каждая партия микросхем должна быть выборочно перепроверена по группам С-1 и С-3 в соответствии с требованиями настоящего стандарта и стандартов или технических условий на микросхемы конкретных типов.

После перепроверки микросхемы подлежат упаковыванию в соответствии с п. 3.2.

2.2.4. Периодические испытания

2.2.4.1. Состав испытаний, деление состава на группы испытаний, последовательность испытаний в пределах группы и последовательность групп испытаний должны соответствовать указанным в табл. 5.

(Измененная редакция, Изм. № 1, 3).

Таблица 5

Пункт настоящего стандарта Группа испыта ния Вид и последовательность испытания технических требований методов испытаний П-1 Испытание на безотказность 1.6.1 2.3.6 П-2 Испытание на воздействие пониженной рабочей температуры среды 1.5.1, а 2.3.1 Испытание на воздействие повышенной рабочей температуры среды 1.5.1, б 2.3.1 Проверка электрических параметров, отнесенных к категории П, при нормальных климатических условиях 1.3.1 2.3.1 Функциональный контроль при: нормальных климатических условиях 1.3.1 Устанавливают повышенной рабочей температуре среды 1.5.1 в стандартах или ТУ на микросхемы конкретных типов То же

С. 3 ГОСТ 18725-83

да от корпуса указывают в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

1.2.4, 1.2.5. (Измененная редакция, Изм. № 3).

1.2.6.    Выводы микросхем должны обеспечивать способность их пайки при температуре (235±5)°С, (270±Ю)°С или (350±10)°С.

Микросхемы должны выдерживать воздействие тепла, возникающего при температуре пайки (260±5)°С или (350±10)°С. Конкретное значение температуры пайки, расстояние до корпуса и продолжительность пайки указывают в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Выводы микросхем, подлежащие электрическому соединению пайкой, должны сохранять способность к пайке не менее 12 мес без дополнительной обработки.

(Измененная редакция, Изм. № 1,3).

1.2.7.    Наружные металлические поверхности микросхем должны быть коррозионностойкими в условиях хранения и эксплуатации, установленных настоящим стандартом и стандартами или техническими условиями на микросхемы конкретных типов.

1.2.8.    Стекло (керамика) и спаи стекла (керамики) с металлом должны быть механически прочными и термически стойкими.

1.2.9.    Наружные неметаллические покрытия и маркировка должны быть устойчивы к воздействию спиртобензиновой смеси.

1.2.10.    Обозначение выводов должно соответствовать электрической схеме, приведенной в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

1.2.11.    Микросхемы должны быть трудногорючими. Микросхемы не должны самовоспламеняться и воспламенять окружающие их элементы при воздействии аварийных электрических перегрузок. Аварийный электрический режим указывают в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

(Измененная редакция, Изм. № 3).

1.3. Т р е б о в а н и я к электрическим параметрам и режимам

1.3.1.    Электрические параметры микросхем устанавливают в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Микросхемы третьей и более высоких степеней интеграции должны выполнять свои функции в соответствии с таблицами истинности (таблицами состояний и (или) системой команд или микрокоманд, диаграммой состояний и т. п.), приведенными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

(Измененная редакция, Изм. № 1).

1.3.2.    Электрические параметры микросхем в течение наработки при условии их эксплуатации в режимах и условиях, указан--

ГОСТ 18725-83 С. 4

ных в настоящем стандарте и в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, должны соответствовать нормам, установленным в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

1.3.3.    Электрические параметры микросхем в течение срока сохраняемости при хранении их в условиях, указанных в настоягщ щем стандарте и в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, должны соответствовать нормам, установленным в стандартах или технических условиях на микросхе-мы конкретных типов.

1.3.4.    Значения предельно допустимых электрических режимов² эксплуатации микросхем в диапазоне температур должны соответствовать нормам, установленным в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

(Измененная редакция, Изм. № 1).

1.3.5.    Номинальные значения питающих напряжений микросхем и отклонения от номинальных значений должны выбираться из ряда по ГОСТ 17230-71. Конкретные значения должны быть указаны в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

1.4. Микросхемы должны быть механически прочными и сохранять свои параметры в процессе и после воздействия на них механических нагрузок в соответствии с табл. 1.

Таблица 1

Внешний воздействующий фактор	Значение внешнего воздействующего фактора
Синусоидальная вибрация:
диапазон частот, Гц	1-2000
амплитуда ускорения, м/с2 (g) Механический удар одиночного действия.	200 (20)
пиковое ударное ускорение, м/с2 (g)	1500 (150)
длительность действия ударного ускорения, мс Механический удар многократного действия:	0,1-2,0
пиковое ударное ускорение, м/с2 (g)	1500 (150)
длительность действия ударного ускорения, мс	1—5
Линейное ускорение, м/с2 (g)	5000 (500), 10000 (1000); 20000 (2000)

(Измененная редакция, Изм. № 1).

1.5. Требования к устойчивости при климатических воздействиях

1-5.1. Микросхемы должны быть устойчивы к климатическим воздействиям и сохранять свои параметры в процессе и поо’и воздействия на них следующих климатических факторов:

С 5 ГОСТ 18725-83

а)    пониженной рабочей температуры среды, выбираемой из ряда: минус 10, минус 25, минус 45, минус 60°С и пониженной предельной температуры среды минус 60°С;

б)    повышенной рабочей температуры среды,

°С, выбираемой из ряда:    70, 85, 100, 125;

повышенной предельной температуры среды, °С,

выбираемой из ряда:    85, 100, 125, 125;

в)    изменения температуры среды в пределах от повышенной предельной температуры среды до пониженной предельной температуры среды;

г)    относительной влажности не более 98% при температуре 35°С без конденсации влаги;

д)    атмосферного пониженного давления 26664 Па (200 мм рт. ст.);

е)    атмосферного повышенного давления до 294199 Па (3 кгс/см²).

Примечания:

1.    Для тепловыделяющих микросхем в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов указывают предельно допустимую температуру верхней со стороны монтажа поверхности корпуса (теплоотвода).

2.    В стандартах ил и технических условиях на микросхемы конкретных типов по согласованию с основным потребителем допускается устанавливать иные значения пониженной и повышенной (но не менее плюс 55°С) рабочей температуры среды, обусловленные условиями применения микросхем.

1.5.2. Микросхемы исполнения В должны быть устойчивы к воздействию повышенной влажности воздуха (длительное воздействие), соляного тумана и среды, зараженной плесневыми грибами.

1.5.1.    1.5.2. (Измененная редакция, Изм. № 1, 3).

1.6. Требования к надежности

1.6.1.    Требования к надежности — по ГОСТ 25359-82 и настоящему стандарту

1.6.1.1.    Наработку микросхем в режимах и условиях, установленных настоящим стандартом и техническими условиями, должна быть не менее 25000 ч для гибридных микросхем и не менее 50000 ч — для остальных микросхем, а в облегченных режимах, которые приводят в ТУ, — не менее 40000 и 60000 ч соответственно. Конкретное значение устанавливают в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

(Измененная редакция, Изм. № 1).

1.6.1.2.    Интенсивность отказов в течение наработки не должна

быть более значений, выбираемых из ряда:    1-10 ⁶; 5*10“';

3 -10~⁷ 1/ч и далее по ГОСТ 25359-82. Конкретное значение интенсивности отказов устанавливают в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

1.6.2.    Гамма-процентный срок сохраняемости микросхем при хранении их в условиях, установленных ГОСТ 21493-76, должен

ГОСТ 18725-83 С 6

выбираться из ряда: 6; 8; 10 лет при заданной вероятности Y = 95%. Конкретное значение устанавливают в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

1.6.3. Интенсивность отказов микросхем, поставляемых для комплектации телевизионных приемников, подтверждаемая по результатам периодических испытаний, должна быть не более:

;_WH = 3-10-⁶ 1/ч.

(Введен дополнительно, Изм. № 3).

1.7. Обозначение микросхем при заказе и в конструкторской документации должно состоять из слова «Микросхема», условного обозначения типа (типономинала), буквы В для микросхем всеклиматического исполнения и обозначения стандарта или технических условий на микросхемы конкретных типов.

Пример условного обозначения:

Микросхема К174ЛФ1А В ТУ . ..

(Измененная редакция, Изм. № 1).

2. КОНТРОЛЬ КАЧЕСТВА И ПРАВИЛА ПРИЕМКИ

2.1.    Требования к обеспечению и контролю качества в процессе производства

2.1.1.    Общие требования

2.1.1.1.    На предприятии-изготовителе должны действовать документы, устанавливающие:

а)    порядок обучения и аттестации производственного персонала, участвующего в изготовлении и контроле качества микросхем по всему технологическому процессу;

б)    порядок проверки производственного оборудования, периодичность проверки и, в необходимых случаях, методы его проверки;

в)    порядок проверки выполнения требований, предъявляемых к производственным помещениям и рабочим местам (запыленность, влажность, температура, агрессивные среды);

г)    порядок прозерки технологического процесса;

д)    порядок учета, хранения, обращения конструкторской и технологической документации;

е)    порядок и методы входного контроля поступающих материалов, полуфабрикатов, комплектующих изделий;

ж)    порядок проведения анализа дефектных микросхем и осуществления мероприятий по устранению причин их появления;

з)    порядок организации анализа и учета технологических потерь в производстве;

С 7 ГОСТ 18725-83

и) порядок анализа рекламаций и согласования мероприятий, внедряемых в производство по результатам анализа.

2.1.1.2.    Конструкторская и технологическая документация, по которой изготовляют микросхемы, а также все изменения этой документации должны оформляться в соответствии с действующими системами конструкторской и технологической документации.

2.1.1.3.    На предприятии-изгоювителе на этапах разработки, освоения и производства микросхем должны действовать программы обеспечения качества.

2Л. 1.4. Изготовление микросхем на предприятии следует проводить по аттестованной технологии в соответствии с нормативнотехнической документацией.

2.1.1.3.    2.1.1.4. (Введены дополнительно, Изм. № 1).

2.1.1.5. В конструкторской (технологической) документации, при необходимости, должна быть приведена фотография сборки микросхемы до герметизации. На фотографии должна быть указана кратность увеличения. Размер фотографии должен быть не менее 18X24 см. При необходимости фотография может быть цветной.

2Л. 1.6. При производстве микросхем, поставляемых по настоящему стандарту, не допускается исправлять царапины и разомкнутые металлизированные дорожки привариванием проволоки или ленты. На контактных площадках кристалла допускается проводить повторную сварку на свободную от первой сварки часть контактной площадки, при этом сварное соединение по усилию отрыва должно отвечать требованиям нормативно-технической документации, утвержденной в установленном порядке. Допускается не более 10% повторных соединений от числа выводов микросхем с округлением до ближайшего целого числа.

Примечания:

1.    Для гибридных микросхем 3-й и более высокой степеней интеграции допускается при сборке микросхем однократная замена дефектных компонентов. Методика замены и число заменяемых компонентов должны быть указаны в технологической документации.

2.    При сборке гибридных микросхем 1 и 2-й степеней интеграции допускается по согласованию с отделом технического контроля и Госприемкой (при ее наличии) однократная замена не более двух активных элементов, что указывают в технологической документации (далее— ТД),

2.1.1.5, 2.1.1.6. (Измененная редакция, Изм. № 3).

2.1.1.7.    К выполнению наиболее ответственных технологических и контрольных операций (присоединение выво юв, герметизация, визуальный контроль и др.), перечень которых устанавливают в технологической документации, должны допускаться только аттестованные рабочие и контролеры, имеющие соответствующий квалификационный разряд.

2.1.1.8.    Меры защиты от воздействия статического электричества должны соответствовать требованиям нормативно-технической документации.

ГОСТ 18725-83 С 8

2.1.1.9. Обобщенные данные по проценту выхода годных микросхем, среднему значению контролируемых параметров микросхем и основным видам дефектов предприятие-изготовитель представляет головным организациям министерств-потребителей по их запросам.

2.1.1.7—2.1.1.9. (Введены дополнительно, Изм. № 1).

2.1.2. Требования к изготовлению микросхем

2.1.2.1. Изготовление микросхем всех типов, входящих в одну серию и выпускаемых на различных предприятиях-изготовителях, должно производиться по единой конструкторской документации, а также по единой технологической документации на основные технологические процессы.

Перечень основных технологических процессов, а также основных применяемых материалов, полуфабрикатов и комплектующих изделий разрабатывает предприятие—держатель подлинников. Допускается применение различного оборудования для выполнения одинаковых технологических операций при обеспечении им заданного технологической документацией режима.

Перечень основных технологических процессов изготовления микросхем согласовывают с Госприемкой (при ее наличии) и устанавливают в ТД.

(Измененная редакция, Изм. № 3).

2Л.2.2. В составе технологического процесса должны быть предусмотрены 100%-ные отбраковочные испытания микросхем в соответствии с табл. 1а.

Таблица 1а

Увеличение 80х Увеличение 16—32 х 48 ч; +150°С (-Ь85°С — для гибридных микросхем) 24 ч; повышенная температура среды, установленная в ТУ на микро-<жлш    тапов От минус 60°С до повышенной предельной температуры среды, установленной в ТУ на микросхемы конкретных типов, но не менее Ч-85°С; 10 циклов 200000 м/с3 4 5 6 (20000 g); 100000 м/с4 (10000 g) — для гибридных микросхем

---

Продолжение табл. 1а

Вид исшпания а.. . '"В я ----------^=гг'    =

Метод и условия проведения испытания

---

5.    Проверка герметичности (кроме микросхем монолитной конструкции) 6.    Измерение статических параметров при нормальных климатических условиях 7.    Элсктротермотрепировка 8.    Электрические испытании 8.1.    Проверка статических параметров при: нормальных климатических условиях пониженной рабочей температуре среды (кроме я- и р-канальпой и КМОП технологии) повышенной рабочей температуре среды 8.2.    Проверка динамических параметров при нормальных климатических условиях 8.3.    Функциональный контроль (для микросхем третьей и выше степеней интеграции) при повышенной рабочей температуре среды и наихудших сочетаниях питающих напряжений 9.    Контроль внешнего вида

Малые течи Большие течи По методам, установленным в ТУ 168 ч, 125°С; электрический режим указывают в ТУ на микросхемы конкретных типов Устанавливают в ТУ на микросхемы конкретных типов То же Устанавливают в ТУ на микросхемы комкротных типов Устанавливают в ТУ на микросхемы конкретных типов 11о нормативно-технической документации, утвержденной в установленном порядке

---

II р и м с ч а н и я:

1.    Для микросхем, имеющих внутренние полости, герметизацию которых осуществляют заливкой или склеиванием полимерными материалами, допускается вместо проверки герметичности проводить проверку качества уплотнения по методу, указанному в стандарте на методы испытаний.

2.    В технически обоснованных случаях допускается совмещение функционально! о контроля с проверкой электрических параметров.

3.    Для микросхем с корпусами весом более 5 г или с размером периметра внутренней полости корпуса более 51 мм вместо испытаний на воздействие линейного ускорения проводят технологический контроль прочности внутренних соединений методом, установленным в технических условиях. Для микросхем с внутренними соединениями, выполненными алюминиевой микропроволокой, допускается вместо испытаний па воздействие линейного ускорения проводить испытание методом, согласованным с основным потребителем.

4.    В технически обоснованных случаях, что определяется в процессе разработки, подтверждается в течение 2 лет серийного производства и устанавливается в технических условиях на конкретные типы микросхем по согласованию с основным потребителем, вместо проверки статических параметров при повышенной и пониженной рабочей температуре среды (и функционального контроля при повышенной рабочей температуре среды для интегральных схем р-, /г-канальных л КМОП-технологий) проводят проверку статических параметров и

1

Функциональный контроль — определение зависимости выходных сигналов от входных при всех необходимых состояниях проверяемой схемы.

2

Предельно допустимый электрический режим эксплуатации — режим пр} мененпя, в пределах которого изготовитель обеспечивает работоспособность ми кросхемы в условиях эксплуатации в течение наработки, установленной в Т. или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

3

   Визуальный контроль кристаллов (кроме гибридных микросхем)

Визуальный контроль сборки перед герметизацией (кроме сборок по методу перевернутого кристалла)

4

   Термообработка для стабилизации параметров:

перед герметизацией

после герметизации

5

'Испытание на воздействие изменений температуры среды

6

Испытание на воздействие линейного ускорения (кроме микросхем монолитной конструкции)