Товары в корзине: 0 шт Оформить заказ
Стр. 1 

10 страниц

304.00 ₽

Купить ГОСТ 18604.26-85 — бумажный документ с голограммой и синими печатями. подробнее

Распространяем нормативную документацию с 1999 года. Пробиваем чеки, платим налоги, принимаем к оплате все законные формы платежей без дополнительных процентов. Наши клиенты защищены Законом. ООО "ЦНТИ Нормоконтроль"

Наши цены ниже, чем в других местах, потому что мы работаем напрямую с поставщиками документов.

Способы доставки

  • Срочная курьерская доставка (1-3 дня)
  • Курьерская доставка (7 дней)
  • Самовывоз из московского офиса
  • Почта РФ

Распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения временных параметров: времени задержки, времени нарастания, времени включения, времени рассасывания, времени спада, времени выключения.

 Скачать PDF

Ограничение срока действия снято: Постановление Госстандарта № 1455 от 17.09.91

Оглавление

1 Принцип и условия измерения

2 Аппаратура

3 Подготовка и проведение измерения

4 Показатели точности измерения

Приложение (справочное)

 
Дата введения01.07.1986
Добавлен в базу01.09.2013
Актуализация01.01.2021

Этот ГОСТ находится в:

Организации:

20.12.1985УтвержденГосударственный комитет СССР по стандартам4534
ИзданИздательство стандартов1986 г.

Bipolar transistors. Methods of time parameters measurement

Стр. 1
стр. 1
Стр. 2
стр. 2
Стр. 3
стр. 3
Стр. 4
стр. 4
Стр. 5
стр. 5
Стр. 6
стр. 6
Стр. 7
стр. 7
Стр. 8
стр. 8
Стр. 9
стр. 9
Стр. 10
стр. 10

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯРНЫЕ

МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ВРЕМЕННЫХ ПАРАМЕТРОВ

ГОСТ 18604.26-85 (СТ СЭВ 4757-84)

Издание официальное

CQ6ffl 9U>oif. 99    9

Л I 06 9 О aft fit Jtu/3,r.

Лл-ut- n-fuiftbCiu,    o/i>9    93

\ Ltyt „ 9ft №orf

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ

УДК 621.382.33.001.4:006.354 ГОСУДАРСТВЕ ННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

Группа Э29

ГОСТ

18604.26-85

(СТ СЭВ 4757—84)

ТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯРНЫЕ

Методы измерения временных параметров

Bipolar transistors.

Methods of time parameters measurement

ОКП 62 2300

Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 20 декабря 1985 г. № 4534 срок действия установлен

с 01.07.86 АО 01.07ЛМ

Несоблюдение стандарта преследуется по закону

Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения временных параметров: времени задержки t3XJ времени нарастания ^нр, времени включения /вкл, времени рассасывания ^рас, времени спада /Сп, времени выключения £выкл.

Общие требования при измерении и требования безопасности — по ГОСТ 18604.0-83.

Стандарт полностью соответствует СТ СЭВ 4757—84.

1. ПРИНЦИП И УСЛОВИЯ ИЗМЕРЕНИЯ

1.1.    Значения временных параметров определяют измерением интервалов времени в соответствии с определениями временных параметров, приведенными в ГОСТ 20003-74.

1.2.    Условия и режим измерения временных параметров должны соответствовать установленным в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов.

2. АППАРАТУРА

Издание официальное ★

2.1. Временные параметры следует измерять на установке, электрическая структурная схема которой приведена на черт. 1.

Перепечатка воспрещена

© Издательство стандартов, 1986

2 Зак. 129

Стр. 2 ГОСТ 18604.26-85

Допускается включать импульсные измерители тока в любой части измеряемой цепи.

Конкретную схему измерения приводят в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов.

пульсов, G2—генератор однополярных запирающих импульсов РА1, РЛ2—имп>льсные измерители тока, V Т—испытуемый транзистор, ограничитель напряжения; R1—резистор нагрузки, R2, #5—-делитель напряжения, ЯЗ, R4—резисторы в цепи базы,

—измеритель интервалов времени, С—блокиро вочнып конденсатор, G^ —источник постоянного напряжения коллектора

Черт 1

2.2. Параметры импульсов на выходе генераторов G1 и G2 в соответствии с диаграммой временных параметров, приведенной на черт. 2, должны соответствовать следующим требованиям: длительность насыщающего импульса £И1 не должна быть менее 1,5 Скипах при измерении параметров *зд, t,p, /вкл и не менее 5 tрас max при измерении параметров £рас, tcп, ^ 1КЛ . где ^вклшах и Трастах соответственно максимальное время включения и максимальное время рассасывания, которые устанавливают из диапазона измерения конкретной измерительной установки,

длительность фронта насыщающего импульса при измерении параметра    не    должна    превышать    0,3    tH3Mi    а при измерении

параметров t3l и tup— 0,5 где /иэм — время одного из указанных параметров;

длительность насыщающего импульса в технически обоснованных случаях может быть меньше 5 t рас max • Конкретное значение tи1 указывают в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов;

длительность запирающего импульса t„2 не должна быть менее максимального значения /выклтах, которое устанавливают из диапазона измерения конкретной измерительной установки;

неравномерность вершины импульса не должна превышать 5 % амплитудного значения импульса;

ГОСТ 18604.26-85 Стр. 3

длительность выброса на вершине импульса не должна превышать минимального значения измеряемого интервала времени tminy определяемого рабочим диапазоном конкретной измерительной установки;

амплитуда выбросов на вершине импульса не должна превышать 10% амплитудного значения импульса;

длительность изменения полярности тока базы от момента, когда спад насыщающего импульса достигнет уровня 90 % амплитудного значения /Б1 до момента нарастания запирающего импульса до уровня 90 % амплитудного значения 1ы должна быть не более 0,5 fcnmm, где 1ы — ток базы (насыщающий), /б2 — ток базы (запирающий), /Сп mm — минимальное значение измеряемого времени спада;

погрешность установки уровней отсчета временных параметров не должна выходить за пределы ±3 % по отношению к амплитудному значению импульса £/Кэ (или /к ), где £/кэ — постоянное напряжение коллектор-эмиттер, /к — ток коллектора;

скважность насыщающего импульса и амплитуда напряжения между импульсами должны быть такими, чтобы они не влияли

Стр. 4 ГОСТ 18604.26-85

на результаты измерения. Значения их указывают в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов;

погрешность установления амплитуды импульсов токов базы не должна выходить за пределы ±10 %.

2.3.    Вместо генераторов однополярных импульсов G1 и G2 допускается применять импульсные генераторы тока.

Один из генераторов однополярных импульсов может быть заменен источником постоянного напряжения.

При замене генератора G1 источником постоянного напряжения схему измерительной установки (см. черт. 1) модифицируют в схему с постоянным насыщающим и импульсным запирающим токами, а при замене генератора G2 источником постоянного напряжения — в схему с импульсным насыщающим и постоянным запирающим токами.

При измерении временных параметров t3J, tup и tBKJt генератор G2 может отсутствовать.

2.4.    В качестве токосъемных элементов вместо импульсных измерителей тока РА 1 и РА2 допускается использовать резисторы, трансформаторы тока и другие элементы, не влияющие на результат измерения временных параметров.

Импульсные измерители тока РА 1 и РА2 могут отсутствовать, если обеспечена установленная точность задания токов базы и коллектора.

2.5.    Ограничитель напряжения Z предназначен для защиты перехода эмиттера транзистора от перенапряжения обратной полярности и для ограничения напряжения холостого хода на зажимах контактного устройства при отключении испытуемого транзистора.

Для транзисторов малой мощности при длительности импульса менее 200 нс ограничитель напряжения в цепи базы испытуемого транзистора может отсутствовать.

2.6.    Индуктивность цепи L, Гн, в которой протекают импульсные токи коллектора и эмиттера, рассчитывают по формуле

j ^

5    ’

где tm\п — минимальный измеряемый интервал времени;

Ri — значение сопротивления резистора нагрузки.

2.7.    Емкость между коллекторным выводом контактного устройства и корпусом С к, Ф, для подключения к установке испытуемого транзистора рассчитывают по формуле

^min

Х *


с:<


ГОСТ 18604.26—85 Стр. 5

Емкость между базовым выводом контактного устройства и корпусом Сб > Ф, для испытуемого транзистора рассчитывают по формуле

DU БЭнас шач

где /Bimin — минимальное значение тока базы (насыщающего);

£/бэ нас шах— максимальное напряжение насыщения база-эмиттер, указанное в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов.

2.8.    Погрешность сопротивления резисторов R1—R5 не должна превышать 1 %.

2.9.    Делители напряжения R2, R5 должны быть компенсированными и не искажать форму выходного сигнала.

2.10.    Измеритель интервалов времени Pt подключают к коллектору или к резистору нагрузки /?1 непосредственно или через делитель напряжения R2, R5.

Время нарастания переходной характеристики измерителя интервалов времени Pt не должно быть более 0,3 tmm .

При использовании осциллографа в качестве измерителя интервалов времени Pt его синхронизация может быть внутренней или внешней от генераторов G1 или G2 в зависимости от измеряемого параметра.

Для измерения временных параметров допускается применять внутренние или внешние регулируемые линии задержки.

Пример использования однолучевого осциллографа в качестве измерителя интервалов времени приведен в справочном приложении.

2.11.    Погрешность установления импульсного тока коллектора не должна выходить за пределы ±10 %.

2.12.    Максимально допустимая основная погрешность измерительной установки 60СН при измерении параметров tpac f tBUKJl, \ tвкл длительностью более 5 нс не должна выходить за пределы ±10% конечного значения предела измерения и ±15% измеряемого значения — в начале рабочего участка шкалы.

Максимально допустимая основная погрешность измерительной установки боен при измерении параметров ten, tHp, t3Jl длительностью более 5 нс не должна выходить за пределы ±15% конечного значения предела измерения и ±20 % измеряемого значения — в начале рабочего участка шкалы.

Максимально допустимая основная погрешность измерительной установки с цифровым отсчетом босн при измерении значений временных параметров длительностью более 5 нс не долж-

Стр. 6 ГОСТ 1*604.26—85

на выходить за пределы ±10% измеряемого значения и ±2 знака младшего разряда дискретного отсчета.

3. ПОДГОТОВКА И ПРОВЕДЕНИЕ ИЗМЕРЕНИЯ

3.1.    Испытуемый транзистор подключают к установке и уста

навливают режимы измерения, заданные в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов:    постоян

ное напряжение коллектор-эмиттер э, импульсный ток коллектора /к.и, ток базы I si (импульсный или постоянный насыщающий ток) для измерения параметров £зд, tHP, tBhJl , ток базы 1б2 (импульсный запирающий ток) для измерения параметров fpac, tcn, £В>1КЛ, напряжение на ограничителе напряжения Z.

3.2.    При использовании одноканального осциллографа в качестве измерителя интервалов времени Pf , его подключают сначала на вход испытуемого транзистора (или на вход генератора G1 или G2) для калибровки начала отсчета, затем на выход испытуемого транзистора для отсчета интервала времени.

3.3.    Отсчет производят в соответствии с определениями временных параметров и диаграммой временных параметров (см. черт. 2). При этом допускается:

при измерении времени спада устанавливать другие уровни отсчета, что оговаривают в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов;

при измерении времени рассасывания и времени выключения за начало отсчета устанавливать момент, когда фронт запирающего импульса достигнет 90 % его амплитудного значения;

устанавливать начало отсчета в момент, когда временная диаграмма тока базы пересекает нулевой уровень;

концом отсчета считать момент, когда спад выходного импульса достигнет 90 %-ного амплитудного значения.

3.4.    Пример измерения временных параметров импульсных транзисторов, у которых Uщ]ас 1И[] >0,1 U кэ , приведен в справочном приложении.

4. ПОКАЗАТЕЛИ ТОЧНОСТИ ИЗМЕРЕНИЯ

4.1.    Показатели точности измерения времени задержки, времени нарастания, времени спада и времени рассасывания должны соответствовать установленным в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов.

4.2.    Границы интервала б, в котором с установленной вероятностью 0,997 находится погрешность измерения, определяют по формуле

гост iaeo4.2t—u стр. 7

S, ПРИ ЭТ0М

ДЛЯ /зл Spe-H = l/'(S/K,)2+(8/ Р;

г г Б1    К    нас

j *    1    0,8л    __

для /нр уж-——т- ■ _6- t). (W_0 9T. -j/(8/r|)’Ч(4 ... )2 '

ш л—0,9

у з    1    0,8л    ,__

для сп реж-у tt-0,9~-(n-0,l).(n-0,9)    ;


л-0,1


для^рас8реж=У 8?+8| ,


где бреж — погрешность задания режима измерения, устанавливаемая в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов;


б;


погрешность насыщающего тока базы;


*К нас»


6/ к нас — погрешность насыщающего тока коллектора :»

п — степень насыщения, определяемая по формуле

^БГ^21Э

п= —г-;


К.нас


п


In-


П-\ S rt+S У    (8/К„ас    Г    ’


1 + S

1    (1 +    n)-s


In


n4S    (tt + S)


Тт£г


1 + S


где s — степень рассасывания, определяемая по формуле

^ Б2 ’ ^21Э нас


Стр. 8 ГОСТ <8604.26—85

ПРИЛОЖЕНИЕ

Справочное

1. ПРИМЕР ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ОДНОЛУЧЕВОГО ОСЦИЛЛОГРАФА В КАЧЕСТВЕ ИЗМЕРИТЕЛЯ ИНТЕРВАЛОВ ВРЕМЕНИ

Начало времени рассасывания и времени выключения следует брать от нулевого уровня тока базы при изменении его полярности от плюс до ми-

нус / 52 •

Начало отсчета времени рассасывания и времени выключения допускается устанавливать по кратковременному выбросу на импульсе напряжения £/Кз , которое указано в конкретных схемах измерения и вершина которого совпадает с нулевым уровнем тока базы при изменении полярности от плюс /Б1 до минус /Б2.

Для более точной фиксации начала отсчета по выбросу напряжения допускается кратковременно увеличивать чувствительность осциллографа.

2. ПРИМЕР ИЗМЕРЕНИЯ ВРЕМЕННЫХ ПАРАМЕТРОВ ИМПУЛЬСНЫХ

ТРАНЗИСТОРОВ, У КОТОРЫХ икъ    >0,1    икэ

^нас тип

Отсчет временных параметров производят в соответствии с диаграммой, приведенной на чертеже.

Отсчет ведут по импульсу напряжения коллектора при выполнении следующих условий:

от источника постоянного напряжения коллектора устанавливают напряжение, рассчитываемое по формуле

^КЭйасл41п

где £/кэ — постоянное напряжение коллектор-эмиттер, указанное в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов;

Uк^    — типовое значение напряжения насыщения коллектор-эмит-

ас тип    г

тер ^кэнас » указанное в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов.

Редактор Т. С. Шеко Технический редактор М. Я. Максимова Корректор Л. Я. Зюбан

Сдано в на6. 09.01.86 Подп. в печ. /07.03.86 0,75 уел. п. л. 0,73 усд. кр.-отт. 0,54 уч

Тираж 10000 Цена 3 коп.

Ордена «Знак Почета» Издательство стандартов, 123840, Москва, ГСП, Новойресненскнй пер , 3 Калужская типография стандартов, ул. Московская, 256. Зак. 129