Товары в корзине: 0 шт Оформить заказ
Стр. 1
 

14 страниц

304.00 ₽

Купить ГОСТ 18604.1-80 — официальный бумажный документ с голограммой и синими печатями. подробнее

Официально распространяем нормативную документацию с 1999 года. Пробиваем чеки, платим налоги, принимаем к оплате все законные формы платежей без дополнительных процентов. Наши клиенты защищены Законом. ООО "ЦНТИ Нормоконтроль".

Наши цены ниже, чем в других местах, потому что мы работаем напрямую с поставщиками документов.

Способы доставки

  • Срочная курьерская доставка (1-3 дня)
  • Курьерская доставка (7 дней)
  • Самовывоз из московского офиса
  • Почта РФ

Распространяется на биролярные транзисторы и устанавливает измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте

  Скачать PDF

Заменяет ГОСТ 18604.1-73

Ограничение срока действия снято: Постановление Госстандарта № 1454 от 17.09.91

Оглавление

1 Принцип и условия измерения

2 Аппаратура

3 Подготовка и проведение измерения

4 Показатели точности измерения

Приложение

Показать даты введения Admin

УДК 621.382.33.083:006.354    Группа    Э29

ГОСТ

18604.1-80*

(CT СЭВ 3993—83)

Взамен ГОСТ 18604.1-73

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯРНЫЕ

Метод измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте

Transistors bipolar. Method for measuring collector-tobase time constant at high frequencies.

ОКП 63 2312

Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 4 июля 1980 г. № 3392 срок действия установлен

с 01.01.82

дГоГоШ

Несоблюдение стандарта преследуется по закону

Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает метод измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте т, (далее — постоянной времени).

Общие требования при измерении должны соответствовать ГОСТ 18604.0-83 и требованиям, изложенным в соответствующих разделах настоящего стандарта.

Стандарт полностью соответствует СТ СЭВ 3993—83. (Измененная редакция, Изм. № 1).

1. ПРИНЦИП и УСЛОВИЯ ИЗМЕРЕНИЯ

1.1.    Постоянную времени тк определяют измерением модуля коэффициента обратной связи по напряжению \hm | в режиме малого сигнала на высокой частоте исходя из соотношения

1^126 I

К ” 2тг/ » где / — частота, на которой измеряют | hm |.

1.2.    Частоту измерений f выбирают из ряда:    5,    10,    30,    100,

300 МГц; она должна удовлетворять соотношению

з(^6),л    <--,

_тк    3    (LB+LB).CK    _

Издание официальное    Перепечатка во?прещена

Переиздание (декабрь 1985 г.) с Изменением № I, утвержденным в апреле 1984 г. (МУС 8—84).


7

Стр. 2 ГОСТ 18604.1-80

где {h\2б)нч —значение параметра , измеряемое на низкой частоте;

L'b —конструктивная паразитная индуктивность базового вывода контактодержателя, значение которой обеспечивается конструкцией узла;

Lб —индуктивность базового вывода транзистора;

С к —емкость коллекторного перехода транзистора

Значения Lb и С к указывают в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов (далее — стандартах).

1.3.    Измерения производят на малом переменном сигнале при температуре окружающей среды в пределах (25н=10) °С. Амплитуду сигнала считают достаточно малой, если при уменьшении амплитуды сигнала генератора в два раза значение измеряемого параметра изменяется менее чем на значение погрешности измерительной установки.

(Измененная редакция, Изм. № 1).

1.4.    На транзистор в схеме с общей базой задают режим от источника постоянного тока эмиттера и от источника постоянного напряжения коллектор-база, который должен соответствовать указанному в стандартах.

2. АППАРАТУРА


Р


С


GB


2.1 Постоянную времени следует измерять на установке, электрическая структурная схема которой приведена на черт. 1.

Я—электронный индикатор напряжения, XX—схема, обеспечивающая условия холостого хода (схема XX), VT— измеряемый транзистор, Я Я—схема, обеспечивающая ус ловия генератора напряжения высокой частоты (схема ГН), G—генератор сигналов СВ—блок питания тран

зистора

Черт 1

2.2. При измерении низкочастотных (НЧ) транзисторов в качестве схемы XX используют генератор тока, сопротивление которого (омическое в цепи эмиттера или внутреннее сопрэтизление источника питания эмиттера) должно в 100 и более раз превосхо-

8

ГОСТ 18604.1-80 Стр. 11

IT—измеряемый транзистор,    экран    в    контактодержа-

теле между выводами эмиттера и коллектора,    С2—раз

делительный конденсатор, R2t R3—резисторы для развязки генератора сигналов; G—генератор сигналов, —дроссель для задания напряжения на коллектор транзистора, Я/—резистор для подавления паразитного возбуждения транзистора, CI—блокировочный конденсатор

Черт, б

Индуктивность дросселя L лр должна выбираться из соотношения

5^2 2nf *

Емкость конденсаторов С1 и С2 выбирают из следующих условий

Сх> 100ск ;

са> юос

где Ск —емкость коллекторного перехода VT, указывают в стандартах.

Рекомендуется выбирать выходное сопротивление генератора сигналов равным вотновому (50 или 75 Ом). В этом случае резисторы R2 и R3 отсутствуют

6 Пример электрической схемы ГН для измерения постоянной времени тк маломощных ВЧ и СВЧ транзисторов навесной конструкции с гибкими выводами, у которых высокочастотные параметры должны удовлетворять неравенству.

^<30

хк

17

Стр. 12 ГОСТ 18604.1-80

VT—измеряемый транзистор; 3^—экран в контактодер-

жателе между выводами эмиттера и коллектора; С2—разделительный конденсатор, G—генератор сигналов, Zj,—полное сопротивление для развязки дести генератора сигналов и источника питания, С1~ разделительный    конденсатор,

PV—измеритель напряжения.


Черт. 6


Выбор элементов схемы ГН в цели коллектора отределяется требованиями п. 2.7.

7. Пример электрической схемы ГН для измерения постоянной времени тк маломощных ВЧ и СВЧ транзисторов коаксиальной и полосковой конструкции, у которых высокочастотные параметры не удовлетворяют неравенству

<зо.

хк

Основные элементы схемы должны соответствовать требованиям, указанным в п. 2.7 настоящего стандарта по выберу схемы ГН в цени коллектора Для высоких частот аттенюатор Е должен быть подключен непосредственно к зажимам передающей линии через конденсатор С2.

Аттенюатор Е должен ссстоять из резисторов R3, R4, R5 и совмещать функции полного сопротивления для развязки, указанного на черт I приложения, и согласованной нагрузки для линии W.

/?3—/?5 — Zq


Значения сопротивлений резисторов R3> R4 и R5 следует рассчитывать через волновое сопротивление линии Z0 и значение ослабления аттенюатора а

В да-шем случае выходное сопротивление генератора сигналов G равно волновому сопротивлению линии Z0 (50 или 75 Ом).

ГОСТ 18604.1-80 Стр. 13

тера и коллектора; VT—измеряемый транзистор, W—передающая линия с волновым сопротивлением £о. ЯЛ R2—добавочные резисторы к измерителю напряжения PV1; С/, С2—конденсаторы для подавления помех, PV1, PV2—измерители напряжения; £—аттенюатор; СЗ—разделительный конденсатор, G—генератор сигналов.


Черт. 7


Емкость конденсатора С1 выбирают аналогично емкости конденсатора С/, указанного на черт. 1 приложения.

Сумму сопротивлений резисторов R1 и R2 определяют как добавочное сопротивление к измерителю напряжения PV1 на коллекторе, но значение R1 должно быть не менее 1,5 кОм.

Допускается дэмерение напряжения питания коллектора включением измерительного прибора PV2 в цепь резистора R4. При этом Rl, R2 и CI из схемы исключают. Однако, при установке режима питания по коллектору учитывают падение напряжения Лна резисторах R3, R4 и R5 от протекания тока коллектора

^к=МКз+*4)«'э<К34)

8. Примеры схем ограничителя напряжения.

Ограничители напряжения предназначены для защиты эмиттер но го перехода от случайных увеличений напряжения обратной полярности и для ограничения напряжения холостого хода на зажимах контактного устройства при отключении транзистора.

Необходимый уровень ограничения зависит от прямого падения напряжения на зажимах эмиттер-база транзистора VT. Уровень ограничения должен превышать прямое падение напряжения на зажинах транзистора VT в 1,5— — 2 раза.

19


дить входное сопротивление измеряемого транзистора как на постоянном токе, так и на частоте измерения.

Пример электрической схемы для измерения тк НЧ транзисторов приведен на черт. 1 справочного приложения.

2.3. При измерении хк высокочастотных и сверхвысокочастотных (ВЧ и СВЧ) транзисторов расчетная проводимость Ухх , состоящая из действительной части проводимости на зажимах эмит-_


тер-база Re (Ух.х и модуля мнимой части проводимости на зажимах эмиттер-база \1тх,х )| должна удовлетворять условиям:

0,03


Лг-ь


я*э


0,2


>при измерении


КТ


)


Re(Yx.x)< -£03

А


un.x)<

экв

0,2


[при калибровке с помощью [эквивалентной цепочки


где Дг — сопротивление в цепи эмиттера транзистора, указываемое в стандартах. Если типовое значение Дг составляет менее 30 % типового значения г'6 , то Дг можно не учитывать;

^=2б-10-3В при Г-ЗООЛ';

Iэ —постоянный ток эмиттера;

Яэкв —сопротивление резистора эквивалентной цепочки, выбирают с погрешностью ±1 %.

Примеры электрических схем XX для измерения тк ВЧ и СВЧ транзисторов приведены на черт. 2—4 справочного приложения.

(Измененная редакция, Изм. № 1).

2.4. Электронный индикатор напряжения Р (далее — прибор Р) измеряет напряжение, пропорциональное напряжению холостого хода на зажимах эмиттер-база транзистора. Чувс1вшель-ность прибора или выходное напряжение генератора высокой частоты должны быть отрегулированы таким образом, чтобы показания прибора Р при калибровке численно соответствовали значению постоянной времени эквивалентной цепочки. При калибровке установки по эталонному аттенюатору показания прибора Р должны соответствэвать его ослаблению а

Нестабильность чувствительности прибора Р должна быть такой, чтобы обеспечивалось постоянство калибровки с погрешностью не более ±10 % в течение часа работы.


9


Стр, 4 ГОСТ 18604.1-80

При применении многопредельного электронного индикатора напряжения отсчет постоянной времени производят с учетом коэффициента, соответствующего переходу со шкалы, где производили калибровку, к шкале, на которой производили измерение.

Входное сопротивление прибора Р при измерении тк НЧтранзисторов должно превышать входное сопротивление транзистора более чем в 100 раз.

Входное сопротивление прибора Р при измерении тд ВЧ и СВЧ транзисторов выбирают таким образом, чтобы обеспечивалось ус

ловие для расчетной проводимости на зажимах эмиттер-база Ух,х измеряемого транзистора, приведенное в п. 2.3.

Отклонение от литейной характеристики прибора Р не должно превышать ±10 % в интервале 30—100 % шкалы.

Уровень наводок прибора Р, вызванных пульсацией напряжения источников питания измеряемого транзистора, а также внутренними и внешними паводками в схеме при отсутствии измеряемого сигнала, должен быть не более 5 % шкалы.

При контроле допускаемого значения наводки в зажимы эмиттер-база вставляют резистор с сопротивлением, равным r^max.

2.5. Блок питания транзистора GB обеспечивает заданный режим транзистора при измерении. Коэффициент пульсации выходного напряжения источника питания не должен превышать 5%.

Блок GB должен обеспечивать задание постоянного тока,внутреннее сопротивление которого не менее чем в 100 раз превышает входное сопротивление транзистора по постянному току при измерении маломощных транзисторов и не менее чем в 10 раз — при измерении мощных транзисторов.

меньше

Постояннее напряжение на коллектор V задают от источника напряжения, внутреннее сопротивление которого должно быть ик

Ю0/к

Ю/,

меньше

при измерении тк маломощных транзисторов и

— при измерении мощных транзисторов, где

/к — постоянный ток коллектора, значение которого указывают в стандартах.

2.6.    В качестве генератора сигналов G используется любой генератор сигналов, обеспечивающий постоянство калибровки с погрешностью, в пределах ±10 % в течение часа работы.

2.7.    Схема ГН должна иметь низкое выходное сопротивление

2 гн на зажимах коллектор-база измеряемого транзистора.

При измерении т к ВЧ и СВЧ транзисторов выходное сопротивление генератора сигналов выбирают равным волновому сопротивлению (50 или 75 Ом) линии, подводящей сигнал от генератора.

ГОСТ 18604.1-80 Стр. 5

При измерении тк расчетное значение выходного сопротивления схемы ГН Zr , состоящее из действительной части выходного сопротивления генератора напряжения Re (ZTH) и модуля мнимой

части выходного сопротивления генератора напряжения |/m(Zril)j должно удовлетворять условиям:

Re(ZrH)< -щц, ;

I Лл(2™)1< 50я/Ск

Примеры электрических схемГН для измерения тк ВЧ и СВЧ транзисторов приведены на черт. 5—7 справочного приложения.

2.8. При измерении тк ВЧ и СВЧ транзисторов контактодер-жатель должен обеспечивать выполнение условий:

L'B<3LB ;

^кэ<^кэ >

где Ь'ь —конструктивная паразитная индуктивность базового вывода контактодержателя;

Lb —индуктивность базового вывода транзистора;

Скэ“конструктивная паразитная емкость между выводами коллектора и эмиттера контактодержателя;

Скэ — емкость между выводами коллектора и эмиттера транзистора.

Если шкалу прибора Р калибруют с помощью резистора RB™ конденсатора Сэкв эквивалентной цепочки, то должно выполняться условие

С^<С.0,03Сэка.

Значения L'B , С'кэ обеспечиваются конструкцией узла контактодержателя. Значения L б , С кэ указывают в стандартах

2.9. При измерении транзисторов с изолированными выводами коллектора, базы и эмиттера имеющийся корпусный вывод должен подключаться к земле (базе).

3. ПОДГОТОВКА И ПРОВЕДЕНИЕ ИЗМЕРЕНИЯ

3.1.    Перед измерением следует проводить калибровку шкалы прибора Р. Калибровку проводят двумя способами.

3.2.    Первым способом режим калибровки осуществляют с помощью эквивалентной цепочки, для чего в схему черт. 1 вместо транзистора VT включают эквивалентную цепочку, схема которой приведена на черт. 2.

Черт. 2

Емкость конденсатора С экв выбираЛт такой, чтобы входное сопротивление эквивалентной цепочки соответствовало условиям:

V **«..+ (-=кг.)>1'>К„|;

Рэкв

где © — угловая частота измерения,

L — индуктивное сопротивление монтажа.

Произведение /?экв , Сэкв выбирают т^ким, чтобы калибровка и измерение производились в диапазоне 30—100 % шкалы.

Элементы эквивалентной цепочки Измеряют в схеме черт. 2 раздельно с погрешностью, не превышающей 1 %.

R жв измеряют на постоянном токе, \ Сэкв — на переменном токе любой частоты.

При калибровке устанавливают показания прибора Р численно равными постоянной времени эквивалентной цепочки.

Частота и амплитуда переменного напряжения от генератора G при калибровке должны быть такими же, что и при измерении.

3.3.    При втором способе калибровки в контактодержатель между выводами эмиттера и коллектора включают перемычку. При этом на выходе генератора G вводят аттенюатор (аттенюатор можно включать и в канал измерителя и вместо контактодержателя), значение ослабления которого а выбирает таким, чтобы калибровочная точка укладывалась в динамический диапазон шкалы прибора Р с погрешностью, не превышающе^ 5%, при этом калибровочное значение тк к,б должно быть равно

1

ТК клб ~ 2aitf

3.4.    После проведения калибровки в с^ему черт. 1 следует установить измеряемый транзистор. Усганаввают заданный в стандартах на транзистор режим питания Ш) постоянному току.

12

ГОСТ 18604.1-80 Стр. 7

3.5.    Постоянную времени определяют по шкале прибора Р (при калибровке первым или вторым способом) или по аттенюатору генератора G при калибровке вторым способом, при этом прибор Р выполняет функции индикатора уровня.

3.6.    Способ калибровки может отличаться от приведенного, если он обеспечивает правильное соотношение между амплитудой генератора G и чувствительностью прибора Р, точность измерения и удобство работы.

4. ПОКАЗАТЕЛИ ТОЧНОСТИ ИЗМЕРЕНИЯ

4.1.    Основная погрешность измерительных установок, в которых используются стрелочные приборы, должна находиться в пределах ±15 % конечного значения рабочей части шкалы и в пределах ±20% измеряемого значения в начале рабочей части шкалы.

4.2.    Основная погрешность измерительных установок, в которых используются цифровые приборы, должна находиться в пределах ±15% измеряемого значения ±2 знака младшего разряда дискретного отсчета.

ПРИЛОЖЕНИЕ

Справочное

1. Пример элгкгрической схемы измерения постоянной времени Т|< НЧ транзисторов.

цепи генератора сигналов и источника питания коллектора; С/— разделительный конденсатор; С2—блокировочный конденсатор; Р~~ электронный индикатор напряжения; Z—ограничитель напряжения; (/—генератор сигналов; РУ—измеритель напряжения

Черт. 1

Основные элементы схемы измерения должны соответствовать требованиям, указанным в разд 2 настоящего стандарта.

13


Конденсатеры С1 и С2 выбирают одинаковой емкости, исходя из соотно шення


1

шС


1

<лСа


<(0,1-0,01)Як

Активное сопротивление постоянному току в цепи коллектора Rк должно удовлетворять соотношению


100/э


Примеры схем ограничителя напряжения приведены на черт. 8.

2. Пример электрической схемы XX для измерения постоянной времени %к мощных ВЧ и СВЧ транзисторов.


Р—электронный    индикатор напряжения; Я1—резистор для

развязки; Ci и £др—контур для задания необходимого значения проводимости холостого хода; —экран в контакте*

держателе между выводами эмиттера и коллектора измеряемого транзистора VT; R2—резистор для подавления паразитного возбуждения транзистора; С2—конденсатор для подавления помех, поступающих из GB на вход Р; Z—ограничитель напряжения; GB—блок питания транзистора.

Черт. 2


Выбор зле ментов схемы XX определяется требованиями п. 2.3 :тандарга к необходимому значению проводимости на зажимах эмиттер^база измеряемэго транзистора.

3. Пример электрической схемы XX для измерения постоянной времени тк маломощных ВЧ и СВЧ транзисторов навесной конструкции с гибкими выводами, у которых высокочастотные параметры удовлетворяют соотношению

llL< зо, тк

где frp —граничная частота коэффициента передачи тока, МГц;

Tjq —постоянная времени, пс.


ГОСТ 18604.1-80 Стр. 9

Р—элентроннын индикатор напряжения; С/—разделительный конденсатор; 3 к—экран в контактодержателе между выводами эмиттера и коллектора измеряемого транзистора VT;

Z—ограничитель напряжения, СЗ—конденсатор, обеспечивающий короткое замыкание на высокой частоте и условие холостого хода на частоте измерения, /?э—реаистор в цепи эмиттера; С2—конденсатор для подавления помех, поступающих из GB на вход Р; СЯ—блок питания транзистора.

Черт. 3

Выбор емксстей конденсаторов С1 и С2, входного сопротивления ЯвхР прибора Р определяется необходимым значением проводимости холостого хода на зажимах эмиттер-база, которую определяют согласно п. 2.3 настоящего стандарта.

Е]йкость конденсатора С1 на частоте измерения должна удовлетворять соотношению

1    ^ хР

e>Ci    ю

если используют прибор Р с большим входным со 1ротивлением, или

1

<„С, ^^ВХР>

«ели используют прибор Р с малым входным сопротивлением (50 или 75 Ом). Сопротивление резистора должно быть в 10 раз больше, чем входное

сопротивление транзистора по постоянному току. Емкость конденсатора С2 выбирают из условия

1 Яэ

а>С2 < 10    •

Суммарная емкость СЭБ , состоящая из емкостей конденсатора СЗ, входной емкости прибора Р и емкости ограничителя напряжения Z, включенная параллельно выводам эмиттер-база измеряемого транзистора, должна удовлетворять требованию

^ (7 Ю)Ап5тах,

15

Стр. 10 ГОСТ 18604.1-80

где / — частста измерения;

Лцбгсах— максимальное значение входного сопротивления транзистора VT в режиме малою сигнала, указывают в стандартах.

Значение емкости    рекомендуется    выбирать близко к максимально до*

пустимому.

4. Пример электрической схемы XX для измерения постоянной времени Тк маломощных ВЧ и СВЧ транзисторов коаксиальной и полосксвой конструкции, у которых высокочастотные параметры не удовлетворяют соотношению

тк

Р—электронный индикатор напряжения; С1—разделительный конденсатор; Я—нагрузочный резистор; tP—передающая линия с волновым сопротивлением Z0; VT—измеря емый транзистор; Э— экран в контактодержателе между выводами эмиттера и коллектора; Яд —резистор в цепи эмиттера; Z—ограничитель напряжения, С3~~конденсатор, обеспечивающий короткое замыкание на высокой частоте и условие холостого хода на частоте измерения;

С2—конденсатор для подавления помех; GB—блок питания транзистора.

Черт. 4

Выбор ссновных элементов схемы XX определяется требованиями п 2.3 настоящего стандарта к необходимому значеьию прсводимости на зажимах эмиттер-база VT.

В данной схеме суммарная емкость СЭБ, удовлетворяющая соотношению, приведенному в п. 3 приложения, состоит из емкостей конденсатора С1 и СЗ, емкости ограничителя Z и распределительной емкости положовой передающей линии.

Требования к емкости конденсаторов С1 и С2 изложены в п. 3 справочного приложения.

5. Пример электрической схемы ГН для измерения постоянной времени тк мощных ВЧ и СВЧ транзисторов

Выбор элементов схемы ГН определяется требованиями п. 2.7 настоящего стандарта к значению выходного сопротивления

Значения сопротивлений резисторов R2 и R3 должны удовлетворять условиям:

R9—*2Ri',

Ri+Rt^b0 или 75 Ом.