ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ

ГОСТ 17465-80

Издание официальное

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ

М о с к а а

Группа Э02

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ГОСТ

17465—80

Взамен ГОСТ 16963-71 и ГОСТ 17465-72 ■ части пп. 1—12, 16—22

Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 28 августа 1980 г. № 4471 срок введения установлен

с 01.01.82

Несоблюдение стандарта преследуется по закону

1.    Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые полупроводниковые диоды: выпрямительные (кроме диодов Шоттки), импульсные, стабилитроны (ста-бисторы), варикапы, диоды СВЧ, выпрямительные столбы и импульсные диодные матрицы (сборки).

Стандарт устанавливает ряды и допускаемые сочетания значений основных параметров, которые в табл. 1—17, отмечены знаком « + ».

Допускаемые сочетания, отмеченные знаком «X» в табл. 1 —11, 15—17, предназначены для применения в устройствах специального назначения.

Приведенные в стандарте числовые значения параметров установлены для нормальных климатических условий по ГОСТ 16962-71.

Пояснения к терминам приведены в справочном приложении.

2.    Основные параметры выпрямительных диодов.

2.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров выпрямительных диодов должны соответствовать указанным в табл. 1.

Перепечатка воспрещена

Переиздание. Сентябрь 1983 г.

© Издательство стандартов, 1984

Таблица 1

Постоянный прямой или средний прямой ток. А Постоя! нос обратное напряжение. В 100 200 400 ьоо 800 кюо 1500 0,10 4 4 Л- 4 4- 0.30 _1_ + X 4- X 4- X 0,50 4 4* 4- Л- 4 4- 4- 0,70 4 4- 4" 4 4“ 4- ■4 1,00 л. 4- X 4 X 4 X 3,00 4 4- 4 4 4 4- 4- 5,00 4 4- X 4 X 4- X 7,00 4- 4 Л- 4 4 4- 4 10,00 X X X 4 X 4- X

2.2 Значение предельной рабочей частоты должно выбираться из ряда: 1; 5; 10; 20; 50; 100; 200; 500 кГц.

2.3. Значение мощности импульсных перегрузок по обратному току для выпрямительных диодов должно выбираться из ряда: 200;' 1 000; 2 000; 5 000; 20 000; 50 000 Вт.

3. Основные параметры выпрямительных столбов 3 1. Допускаемые сочетания значений основных параметров выпрямительных столбов должны соответствовать указанным в табл 2.

Таблица 2

Постоянный прямой или средний прямой ток. мА Импульсное обратное или постоянное обратное напряжение, кВ 2 4 6 8 ю 15 20 10 4- 4- X 4- X 4 X 30 4~ 4- 4- 4- 4~ 4 4 100 X 4- X 4- X 4- X 300 4- 4 4 4- 4- 4 4 500 X 4- X 4- X 4 X 1000 4- 4- X 4- X 4- 4

3.2. Максимальное значение частоты выпрямления выпрямительных столбов должно выбираться из ряда:' 1; 5; 10; 20; 50; 100; 200; 500 кГц.

ГОСТ 17465-80 Стр. 3

4. Основные параметры импульсных диодов

4.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров импульсных диодов должны соответствовать указанным в табл. 3.

Таблица 3

Средним прямой ток. мА Время восстановления обратного сопротивления, нс 0.20 0.50 1.00 4.00 10.00 40.00 100.1)0 400.00 1000.00 2 X 4- 4- О. + 4- -к 4- 4- о 4* + 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- 10 X *1" 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- 20 4" 4" 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4“ 50 X X + 4- 4- 4- 4- 4- 4- 100 4- 4- 4- 4- 4* 4- 4- 4- 4* 200 X + 4- 4- 4- 4- 1 *1 4- 4- 500 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4-

Примечание Приборы с большим быстродействием характер!! )уются временем жизни неравновесных носителей заряда, которое выбирается из ряда: 0,01; 0,02; 0,05; 0,10 нс.

4.2. Значение постоянного обратного напряжения импульсных диодов должно выбираться из ряда: 3; 5; 10; 20; 30; 50; 100; 200 В.

5. Допускаемые сочетания значений основных параметров стабилитронов (стабисторов) общего назначения должны соответствовать указанным в табл. 4.

Таблица 4 Допускаемая Номинальное напряжение стабилизации, В

рассеиваемая МОЩНОСТЬ, Вт 0.7 1.4 1.9 2.1 2.4 2.7 3.0 3.3 3.6 3.9 4.3 4,7 5.1 5.е> 0,020 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- -f 4- 4- + 4- 4- 0,050 4- 4* 4- 4- 4- 4- 4- 4* 4- 4- 4- 4- + 4- 0,125 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- -f 4- 4- 4- 4- 4- 0.300 4- 4- X -Ь 4- 4- 4- + X 4- 4- 4- 4- 1,000 -}- 4- 4- 4- 4- 4- 4- л. 4- 4- 4- 4- 4- 4- 2,000 4- 4- 4- 4- + 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4* 4- 5,000 4* X 4- 4- + 4* 4- 4- 4“ 4- 4- 4- X 4- 10,000 X 4- 4- 1 т 4- 4- 4- 4- 4- 4* 4- 4- + 4-

Продолжение табл. 4

Допускаемая pacecHB.icujM Номинальное напряжение стабилизации. В МОЩНО! 1 ь. Вт <>,2 ЬА 7.5 8.2 <и ш.о U.0 12.0 13.0 15.0 16.0 18.0 20.0 22.0 0,020 4 4 4- 4- 4- 4- 4- 1х 4- и + 4- 4- X 0,050 4 4 4 4 4- 4- 4- 4- 4- + + 4- 4- л. 0,125 4 4 4 4- 4- 4- 4- 4- 4- X 4- 4- 4- 4- 0,300 + X + 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- X 1,000 4 + 4 4- X 4- 4- X 4- 4* 4- 4- 4- 4 2,000 4 + 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4 5,000 4 4 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- X 10,000 4 4 4- 4- X 1 4- 1 4- X 4- 4- -г -i- л. .

Примечания 1.    Значения номинального напряжения стабилизации более 22 В выбирают умножением ряда напряжений от 2,4 до 22 В на 10 и 100. 2.    Допускаемое отклонение номинального напряжения стабилизации должно соответствовать значениям: ±5; ±10%.

6. Допускаемые сочетания значений основных параметров прецизионных стабилитронов должны соответствовать указанным в табл. 5.

Таблица 5

Температурный коэффициент напряжения стабилизации Значение временной нестабильности напряжения стабилизации. % 0.0005 0.0010 0.0020 0.0050 0.0100 0.0200 0.0500 0.0002 X 4- 4- 0,0005 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4 0,0010 X 4- 4- 4- 4- 4- 4 0,0020 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4 0,0050 X 4- X 4- -j- 4

7. Основные параметры варикапов

7.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров варикапов при обратном напряжении б В должны соответствовать указанным в табл. 6.

ГОСТ 17465-80 Стр. 5 Таблица б

Добротность Номинальная СМКость. пФ 50 МГц 1.0 1.2 1.5 1.8 22 2.7 ЗД 3.9 4.7 5.G 0.8 8.2 100 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000 2200 44 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 + 4 4 4 _1_ 4 + 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 + 4- + + 4- + + + •t* + + 4- + 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4* 4- 4- 4- 4* X 4- 4- + 4- 4 4- 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 X 4 4 4

Допускаемое отклонение емкости Должно быть в пределах ±20% номинального значения.

7.2. Допускаемые сочетания значений основных параметров подстроечных варикапов при обратном Напряжении 4 В должны соответствовать указанным в табл. 7 и 8.

Таблица 7

Добротность Номинальная емк0СТЬ| пф на частоте 50 МГц 10 12 15 18 22 2? 33 39 47 56 150 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 200 4 4 4 4 4 4 4 X 4 4 250 4 4 4 4- X 4 4 4 4 X 300 4 4 X 4 4 4 4 4 4 4 400 X + 4 4 4 4 4 4 4 500 4 4 4 4 4 4 4 4 4 600 4 4 4 4 4 4 4 4 700 4- 4 4 4 4 4 4 800 4 4 4 4 4 4 900 4 + 4 4 4 + 1000 + 4 4 4 4-

Допускаемое отклонение емкости должно быть в пределах ±20% номинального значения.

8 Допускаемые сочетания значений основных параметров настроечных СВЧ Диодов должны соответствовать указанным & табл. 9.

Таблица 9

Доброт- Номинальная емкость при обратном напряжении минус 6 В, пФ частоте | 1 ГГц 0.08 0.10 0,15 0,20 0.25 0.34 0.45 0.GC 0.8С 1.21 ) 1.84 2.24 2.7С 3.30 3.9< )4.7< 5.6С 6.8( 8.20 20 4- 4- 4- 30 4- + 4- 4- 4- 4- 40 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- 50 4- 4* 4- 4- /4- 4- 4- / 4- J-f 60 4- + 4- 4- I 4- 4- 4- 4- 4- 4- 70 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- -г 4- 4- 80 1 ТГ 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- 100 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- 120 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- •4- 4- 4- 4- X 140 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- 180 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- Л- 4- 4- 4- 4- 4- X 220 + 4- 4- 4* 4- 4- 4- 4- I 4- 4- 4- 4- X 260 4* + 4- 4- 4* 4- 4- 4- 4- 4- X 4- 300 + 4- Л- 1 4- 4- 4- 4- 4г 4- 4- 4* 400 + + 4- 4- 4- 4- 4- 4- 4- X 500 + 4- 4- 4- 4- 4- 4- + 4- 600 + + 4- + 4- 4- 4- X 700 + -1- 4- -t- 4- “Г 800 + 4- -1- 4- 4“ 4- 1000 + 4- X 4* X 1200 4- + 4" 4- 1400 X + 4~ 4-

Примечание. Допускаемый разброс номинальной емкости диода выбирается из ряда: ±5; 4:10; ±20%.

ГОСТ 17465-80 Стр. 7

9. Основные параметры смесительных СВЧ диодов

9.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров смесительных СВЧ диодов должны соответствовать указанным в табл. 10.

Таблица 10

Нормированный коэффициент шума, дБ. на промежуточной частоте 30 МГц Длин.) волны намерения. см 0.1 0.2 04 0.8 2.0 3.2 4,5 4 4- X X 4 X 5,0 X X 4- 4- X 4- 5,5 4 -Г 4- 4 4- 4- 6,0 4 4- 4- 4 4- -f 6,5 4- 4- 4- 4- 4- 7,0 4- 4- 4- 4 4 4- 7,5 4 4- 4- л_ 4 8,0 4- 4- 4- 4 9,0 4- 4- 4- 10,0 4- 4- 4- 11,0 + 4- 12,0 4- 4* 14,0 4- 16,0 4-

9.2. Минимальная энергия выгорания должна выбираться из ряда: 0,10; 0,25; 0,50; 1,0; 2,5; 5,0; 10,0; 15,0; 20 эрг.

10. Основные параметры детекторных СВЧ диодов

10.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров детекторных СВЧ диодов должны соответствовать указанным в'табл. 11.

Таблица 11

Тангенциальная чувствительность. дБ • мВт Длина волны измерения, см 0.1 0.2 0.4 0.8 2.0 3.2 44 X 46 4- 4- X 48 4- 4- 4 50 4- 4 4 1 “Г 52 4 4 4 4 X 54 4- 4 4 4 4 56 4- 4 4 4 4 4 58 4- 4 4 4 X 60 4 Т 4 4 4 4 62 4- 4 4 4 4 4

Стр. 8 ГОСТ 17465-80

10.2. Минимальная импульсная СВЧ рассеиваемая мощность должна выбираться из ряда: 0,025; 0,05; 0,10; 0,25; 0,5; 1,0; 2,5; 5 Вт.

11. Основные параметры параметрических СВЧ диодов

11.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров параметрических диодов должны соответствовать указанным в табл. 12.

Таблица 12 Постоянная времени при напряжении Емкость перехода при напряженки смещения минус 2 В, ис смещения 0. пФ 0,10* 0,01—0,015* 0,12 0,01—0,04 0,16 0,01—0.06 0,20 0,01—0,30 0.25* 0,01—0,40* 0,30 0,01—0,50 0,40 0,01—0,60 0,50* 0,01-0,70* 0,60 0,01—0,80 0.80 0,04—0,80 1,00 0,10—1,00 ¥ Предназначены для применения в устройствах специального назначения.

Примечание. Допускаемый разброс емкости перехода диода одного типа выбирается из ряда: ,±5; ±10; ±20; ±50; ±100%.

11.2. Значение постоянного обратного напряжения при нормированном токе параметрических СВЧ диодов должно выбираться из ряда: 4; 6; 8; 10; 12; 15; 20; 25; 30; 40; 50; 60 В.

12. Основные параметры СВЧ умножительных диодов

12.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров умножительных СВЧ диодов должны соответствовать указанным в табл. 13.

Таблица 13

Допускаемая рассеиваемая МОЩНОСТЬ, Вт •Емкость перехода при напряжении смещения минус 6 В. пФ Допускаемая рассеиваемая мощность, Вт Емкость перехода при напряжении смещения минус 6 В, пФ 0,010* 0,03-0,05* 0,250* 0,10—1,25* 0,016 0,04—0,06 0,400 0,12—2,00 0,025 0,05—0,08 0,500 0.12-2,20 0,040 0,06—0.12 0,600 0,15—2.50 0,060 0,08-0,20 0,800 0,15—3,20 0,100 0,10-0.30 1,000* 0,20-4,00* 0,160 0,10-0,60

ГОСТ 17465-80 Стр. 9 Продолжение /аил. /3

Допускаемая рас-c.-и вас мая мощность, Вт Емкость перехода при напряжении смещения мин)с 0 В. j пФ Допускаемая рассеиваемая МОЩНОСТЬ, Вг Пчкость перехода при напряжении смещения минус 0 В. пФ 2,000 0.50—6,00 8,000 3,00— 8.00 3.000 1,00—8,00 10,000 4,00—10,00 4.000 1,25—8.00 16,000 5,00—10.00 5,000* 1,60—8,00* 25,000 6.00—10.00 6,000 2,00-8.00 40,000* 8,00—10,00*

* Предназначены для применения и устройствах специального назначения. Примечал и е. Допускаемый разброс емкости перехода диода одного тина выбирается из ряда: ±5; ±10; ±20; ±50; ±100%.

12.2. Значение предельной частоты умножительных СВЧ диодов выбирается из ряда: 40; 60; 100; 150; 200; 250; 320; 400; 500; 600; 700; 800; 1000; 1200; 1500; 2000; 2500; 3000 ГГц.

13. Основные параметры ограничительных СВЧ диодов

13.1. Допускаемые сочетания значений основных параметров ограничительных СВЧ диодов должны соответствовать указанным в табл. 14.

Таблица 14

Накопленный заряд. нКл Емкость структуры, а* [Накопленный заряд. II Кл Емкость структуры. пФ 0.1* 0.01—0,1* 10,0 0,20— 6,00 0,3 0,01—0.2 15,0 0,40—10.00 0,5 0,05—0.3 20,0 1,00-10,00 1.0 0,10—0,60 25,0 1,60—10,00 3,0 0,10-1,60 30.01 2,50-10,00* 5.0* 0,10—4,00*

* Предназначены для применения в устройствах специального назначения.

13.2. Допускаемая рассеиваемая мощность ограничительных СВЧ диодов должна выбираться из следующего ряда: 0,1;    0,15;

0,25; 0,40; 0,60; 1,0; 1,5; 2.5 Вт.

14. Основные параметры переключательных СВЧ диодов

14.1. Допускаемые сочетания основных параметров СВЧ переключательных диодов должны соответствовать указанным в табл. 15.