Товары в корзине: 0 шт Оформить заказ
Стр. 1
 

9 страниц

304.00 ₽

Купить ГОСТ 15172-70 — официальный бумажный документ с голограммой и синими печатями. подробнее

Официально распространяем нормативную документацию с 1999 года. Пробиваем чеки, платим налоги, принимаем к оплате все законные формы платежей без дополнительных процентов. Наши клиенты защищены Законом. ООО "ЦНТИ Нормоконтроль".

Наши цены ниже, чем в других местах, потому что мы работаем напрямую с поставщиками документов.

Способы доставки

  • Срочная курьерская доставка (1-3 дня)
  • Курьерская доставка (7 дней)
  • Самовывоз из московского офиса
  • Почта РФ

Распространяется на вновь разрабатываемые транзисторы всех классов и устанавливает перечень основных и справочных электрических параметров.

  Скачать PDF

Показать даты введения Admin

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ТРАНЗИСТОРЫ

ПЕРЕЧЕНЬ ОСНОВНЫХ И СПРАВОЧНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ

ГОСТ 15172-70

Цена 3 коп.


Издание официальное

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СТАНДАРТОВ СОВЕТА МИНИСТРОВ СССР

Москва

УДК 621.382.3.012(083.74)    Группа    Э20

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

гост

15172—70*

ТРАНЗИСТОРЫ

Перечень основных и справочных электрических параметров

Transistors List of basic and reference electrical parameters

Постановлением Комитета стандартов, мер и измерительных приборов при Совете Министров СССР от 12/1 1970 г. № 28 срок введения установлен

с 1/V11 1970 г.

Несоблюдение стандарта преследуется по закону

1.    Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые транзисторы всех классов и устанавливает перечень основных и справочных электрических параметров.

Основные параметры контролирует «ли гарантирует предприятие-изготовитель.

Справочные параметры вместе с основными используются при разработке и расчетах радиотехнических схем и включаются в каталоги и справочники.

Вольтамперные и другие характеристики относятся к справочным данным и приведены в справочном приложении 1, наименования основных и справочных параметров даны в справочном приложении 2.

(Измененная редакция — «Информ. указатель стандартов» № 2 1971 г.).

2.    Основные и справочные параметры транзисторов должны соответствовать указанным в таблице.

Классы транзисторов

Параметры

Основные

I Справочные

Транзисторы малой мощности (Рт&х^0уЗВпг) низкой частоты (/г<3 МГц)

/ с во; ^2ie; (hus);

/т (fh2lb)i F*\ Р Стах,

Псе maxi Пев max,’ Jcmaxi tjmaz

U(L)**cEOt fees; Ifbo; hi2b (h\2e); fl22b (fl22e)i hub (hue); Rth Я BEmaxj HBEmax* IcMmaxl Pm max» lamb min

Издание официальное

Перепечатка воспрещена

* Переиздание (апрель 1972 г.) с изменением М lt принятым в феврале 1971 г


Продолжение

Параметры


Классы транзисторов


Основные


Справочные


Транзисторы малой мощности (Ртвх^О.ЗВт) средней частоты (3 МГц<{т<30 МГц)


Транзисторы малой

МОЩНОСТИ (Pmax^0,3fi/n)

высокой частоты

(Э0 МГц<[т<300 МГц)


Транзисторы средней мощности (0,3 Bm<PШах<

<1,5 Вт)

и большой мощности (Рш ах >1,5 Вт) низкой частоты (7т <3 МГц)

Транзисторы средней мощности (0,3 Вт<Ршах<

<1,5 Вт)

н большой мощности (Ртах>1,5 Вт) средней частоты

(3 МГц<! Т<30 МГц)

Транзисторы средней мощности (0,3 Bm<Pтах<

<1,5 Вт)

и большой мощности (Рш ах >1,5 Вт) высокой частоты

(30 МГц<}г <300 мгч)


I с во’, с (h2\t:)\

F*; /г (fhub); Сс;

Гь Ь-    Рст    ах/

UС вшах! &СЕшах! /стах» ^jmax

/ело; hzu; fr ifk2ib); F\ Cel fь г>- Cc; Pcmax» Ucnmaxl UcETa&xl /стах? Tjmax


/сво; haEi fr (fhzib); Pcmaxi ^евтах,"

Ucjsmax; t^BEmax) /стах» ^jmax


/сво» /ево»

/т (fri21b)» PcmaxJ UcbtqbxI t^CEmax; Vbe-oxах» /стах,*

/углах


IcBOl El fr (ff}2ib)l Pc max? (/евтах,* /стах» ^‘max


U(L)**ceo1 IcbsI IeboI

Re (hue); Уце; Yvie;

\Ynel; В;

Rib jal R в cm ах»

/елгтах; Рмmax,* famb min

V(L)**csol Icbs;

/ebo; |/t21e(;

Pe (hnc)l Re (Yad ^220 Г12е> Tile); /^ (Tile, У22с,

Ъг* У«0;

Ptfc ja; Рве max»

f/вЕтах; /емтах»

P Mmai,' /ambtnla

U(L)**ceoJ Icbs; /ebo; Р<Л ja; Pfft jC; Рвктах» /емтах» Рмтах,* UebU* iamb min


L^(L)**ceo; Icbs;

Re (h\\e); У21Е;

Гь b * Cel Cel Rth jaJ

Rth jel (JsEsat; Rbemax» Iceat max» /cAfmax,^EB /ij

Pouf» Pm max/ /ambmiu

U(L)**ceo; Icbs; i ь ь • cc; Cel

Re (YMe, Y'lle, Ti2r, Y%\e); /»П (Ymc, Yz2e* Yi2c, Y2ie)l I EBO; tal U BEaatl U EBfll

Rbe max» ICsatmaxl /гмта±; Poutl Pm max»

tamb min


* Параметр относится только к транзисторам с низким уровнем шумов.

** Для ранее разработанных транзисторов допускается использовать параметр V а .

(Измененная редакция — «Информ. указатель стандартов» № 2 1971 г.).


3. Для переключающих транзисторов, кроме параметров, указанных в таблице, основными являются ton*    t/fiEsat    *    f/cEtat

СПраВОЧНЫМИ    (JCEMmax* Rth jcMi toff'


ПРИЛОЖЕНИЕ 1 к ГОСТ 15172-70 Справочное


Вольтамперные и другие характеристики параметров транзисторов


Классы транзисторов


Характеристики


Транзисторы малой мощности (Рта*<0,3 Вт) низкой частоты (fr <3 МГц)


Транзисторы малой мощности (/W<0,3 ^средней частоты    ч

(3 МГц<}т<Ы ТА Гц) высокой частоты    ч

(30 МГц<Ь<М0 МГц)


htiE ~ / (7е) при Осе — const 7с * /    при    /в *= const

О BE «/ f/jO При f/cj? = const 7 с во « f (tj) при f/св - const UcEta&x = f (Rbjs) При /с = const

/*шах = f (^amb)

Jim (frc =* var)


Аш f£/<7 “ const) Ащ (7c «= var) hiki (7c “ const) Ащ (tj * var)


при /c; f; f j = const при f/c; fi ^ — const


Лш const)' при ^ ftIc - const

/?tA jcM ■= f (параметры импульса)

7с=*1(С/се) при Г в ~ const U СЕТЬ ах — / (Яве,) при Ic = const f/BВ ~ f (7в) при Uce =* const 7CBO=*f (h) При Ucb « const A2ie *» f (7e) при f/св ** const

max “ f (t amb)

Yiki (77c ** var)    _    .    ,

Кш (Uc = const) при /c;    -    const

Уш (7c “ var)    п    г    j    i

-7~17(/с-ТоЪ1)при Л ft -const


Ущ (f ° var) Уш ([—const) Ущ (tj =» var) Kifci <7,=const)


- при f/c; /с; ^ — const при Uc\ 7cl f = const


Стр, 4

Продолжение

Классы транзисторов

Характеристики

Транзисторы средней (0,3 Bm<Pmax^\,5 Вт) и большой (Рт&х>\,Ь Вт) МОЩНОСТИ

Ic = f (UCe) при 1в = const lc = f прк Iв =■ const для малых токов к напряжений (начальные участки вольтамперных выходных характеристик)

Ube — f (Iв) при Uсе — const Ic В О = / (tj) при U СВ — const UcEm&x = f (Rbe) При Ic = COnst ^Cmax — / (tamb)

hziE = f (Ic) при Uce = const UcEaat = f (Ks) ПрИ Ic = Const

Примечание, hiki— параметры четырехполюсника при холостом ходе на

входных зажимах и коротком замыкании на выходных зажимах;

(Измененная № 2 1971 г.).

Yihi— параметры четырехполюсника при коротком замыкании, где i — входной электрод, k выходной электрод, / — общий электрод.

редакция — «Информ. указатель стандартов»

Стр. 5

ПРИЛОЖЕНИЕ 2 к ГОСТ 15172-70 Справочное

Наименования буквенных обозначений электрических параметров

транзисторов

Буквенные

обозначения

Наименования

7 сво 1ево

1С В8

d CE&at

Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Начальный ток коллектора

Напряжение между коллектором и эмиттером в режиме насыщения

Иввлаг U (L)cEO

Напряжение между базой и эмиттером в режиме насыщения

Напряжение между коллектором и эмиттером при пулевом токе базы и заданном токе эмиттера

Rth ja

Общее тепловое сопротивление транзистора (переход — окружающая среда)

Rtk jc

Rth jcM

fhltb

fr

hne

Тепловое сопротивление транзистора (переход — корпус)

Тепловое сопротивление транзистора в импульсном режиме

Предельная частота коэффициента передачи тока

Граничная частота коэффициента передачи тока

Входное сопротивление в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером

hut

Входное сопротивление в режиме малого сигнала в скеме с общей базой

Re (hiie) hize

Активная составляющая полного входного сопротивления

Коэффициент обратной связи по напряжению в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером

hizb

Коэффициент обратной связи по напряжению в режима малого сигнала в схеме с общей базой

hzie

Коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала

Стр. 6

Продолжение

Буквенные

обозначения

Наименования

)Уш\

Модуль проводимости прямой передачи в схеме с общим эмиттером

1/121,1

Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте

Выходная проводимость в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером

ft 22 Ь

Выходная проводимость в режиме малого сигнала в схеме с общей базой

^21 Е

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме большого сигнала

Ухи

Полная входная проводимость в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала

Уги

Полная выходная проводимость в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала

У\и

Полная проводимость обратной передачи в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала

Y%u

Полная проводимость прямой передачи в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала

Уг IE

Статическая крутизна прямой передачи от входа на выход транзистора

t ьь Сс

Сопротивление базы Емкость коллекторного перехода

t Ь Ь Ос

Постоянная времени цепи обратной связи на высокой чао тоте

с.

Емкость эмиттерного перехода

F

Коэффициент шума

и

Время рассасывания

^оп

Время включения

toff

Время выключения

к,

Коэффициент насыщения (степень насыщения)

Максимальное внешнее сопротивление между базой и эмиттером

0 вЕтпах

Максимально допустимое напряжение между эмиттером и базой

0 СВmax

Максимально допустимое напряжение между коллектором и базой

Стр. 7

Продолжение

Буквенные

обозначения

Наименования

U СЕтаах

Максимально допустимое напряжение между коллектором и эмиттером

7 стах Icaatm ах

Максимально допустимый ток коллектора

Максимально допустимый ток коллектора в режиме насыщения

Р стах /jmax tamb min UCSM max

Максимально допустимая мощность на коллекторе

Максимально допустимая температура перехода

Минимально допустимая температура окружающей среды

Максимально допустимое импульсное напряжение между коллектором и эмиттером

IcM max -Pat max P out

Uebji

Максимально допустимый импульсный ток коллектора Максимально допустимая импульсная мощность Выходная мощность транзистора на заданной частоте Плавающий потенциал эмиттер — база

(Измененная редакция — «Информ. указатель стандартов» № 2 1971 г.).