Товары в корзине: 0 шт Оформить заказ
Стр. 1
 

9 страниц

304.00 ₽

Купить официальный бумажный документ с голограммой и синими печатями. подробнее

Официально распространяем нормативную документацию с 1999 года. Пробиваем чеки, платим налоги, принимаем к оплате все законные формы платежей без дополнительных процентов. Наши клиенты защищены Законом. ООО "ЦНТИ Нормоконтроль".

Наши цены ниже, чем в других местах, потому что мы работаем напрямую с поставщиками документов.

Способы доставки

  • Срочная курьерская доставка (1-3 дня)
  • Курьерская доставка (7 дней)
  • Самовывоз из московского офиса
  • Почта РФ

Распространяется на вновь разрабатываемые транзисторы всех классов и устанавливает перечень основных и справочных электрических параметров

Показать даты введения Admin

Страница 1

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ТРАНЗИСТОРЫ

ПЕРЕЧЕНЬ ОСНОВНЫХ И СПРАВОЧНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ

ГОСТ 15172-70

Издание официальное

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СТАНДАРТОВ СОВЕТА МИНИСТРОВ СССР М о с к к а

Страница 2

УДК 621 -382.3.012(оаз.74)    Группа Э20

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ТРАНЗИСТОРЫ

Перечень основных и справочных электрических    ГОСТ

параметров    15172_70*

Transistors. I.isi of basic ard reference electrical parameters

Постановлением Комитета стандартов, мер и и «мерительных приборов при Совете Министров СССР от 12/1 1970 г. А 2« срок введения установлен

с 1/VII 1970 г.

Несоблюдение стандарта преследуется по закону

1.    Настоящий стандарт распространяется на вновь (разрабатываемые транзисторы всех классов и устанавливает перечень основных и справочных электрических параметров.

Основные параметры контролирует «ли гарантирует предприятие^•изготовитель.

Справочные параметры вместе с основными используются при разработке я расчетах радиотехнических схем и включаются в каталоги и справо'лшки.

Вольтамперные и другие характеристики относятся к справоч* иым данным и приведены в справочном приложении I, наименования основных и справочных параметров даны в справочном приложении 2.

(Измененная редакция — «Имформ. указатель стандартов» № 2 1971 г.).

2.    Основные и справочные параметры транзисторов должны соответствовать указанным в таблице.

Кялееи rpjimfctr-poe

Пара нсгрм

Осие«иые

СпрйВОЧИЬ-'t

Транзисторы малой

МОШНОС-ГН (Ртех^О.ЗВж) низкой частоты (Jr*3 МГц)

Гсво; йм*; (hug);

fr (f\ab)• Рею»*.’ UcKatxl Uct1Ш»х; t/n»x

U(L)**cko; Teas; Imn:

A«& (hiu); (A»,.); Ли» (hiu)\ Rib t«;

RutCm»*!

Uпапах; /емген/ Риаях‘, tamb mb

Издание официальное    Перепечатка    воспрещена

• Переиздание (апрель 1972 г-) с изменением Л5 /, принятым в феврале 1971 г.

Страница 3

Стр. 2 ГОСТ 15172-70

Продолжение

Пирометры

toreecu трапэасгороа

Транзисторы малой мощности (РПлх<0.3Ат) сродней частоты (3 .МГц<Гг<30 МГц)

Основные

!ceol Лак (hurjl

F*J h </miiС,; г ль. Сс; Рею» ж! Ucvm»z> Усевч'р

Iгиш! I;пах

Справочные

/еяв; /гво; /?t    Ун«;    У»*:

/.г.; |Vju|:

Wit j*; ftju.-iia!

/*>mu; Punt*:

1л «4 eln


Транзисторы малой мощности (f>a,t<0.3Bm) высокой чистоты (30 А1Гц<!г<300 МГц)

Транзисторы средней мощности (0.3 Вт<Рач<

-=■1.5 Вт)

и большой мощности (**«»*> 1,5 Вт) низкой частоты (fr<3 МГц)

Транзисторы средней мощности (0.3 5гя<Яш.«<

<1.5 Вт)

и большой мощности (Яв*х>1.5 Вт) средней частоты

(3 ЛГГ«</гОО МГц)

Транзисторы средней мощности (0.3 Вт<РЮШх<

•с 1.5 Вт)

и большой моишости (Рт*х> 1,5 Вт) высокой частоты

(30 МГц</г<300 МГц) 1е я о: hti,: fr

Г; Сс; '*'»• С<;

Рс В1 nil Uc nmax.' i^crmex.'

I с««; fj»»»

/ceoi faitf /г Ястох; Won»»*; UCEO»*: V»Km*t'i ifitkii I]m*z

Icao't leeoi ftujtl /г C/ajih); Pce^x; Ucaa *x,' С селах; Ukftiii', Icn*x,' fym»*

/сяо» *».*; It (fstn)l PCiutti Ucunxt;

Icnax'i t)mx

I£во;

Ли(Ан#); Re (Yu,; Уц,. Уи*. )    (I'll*.    У«*.

Уно

^яан.' /cAimtxi

Р.Ч mix: to mM»ln

W0**c*o; /с»»; /вяо; /?»* j«;    i «/ вясяи!

/«w m»»; Pxm»x; UbB/i! (ini mla

l>(/.)**cbo; /св*;

0<\u)'. Уик!

'ь’ь -C,; C<; Ru )a;

Rib It; UlBtali /?Stnex5

Ictnl n*x> /(HaJI/-Я /1«

Z5call Pm m»I.' ^KitBIll

^ i 1 Co Afc (I'lit, Уиг. У|*». Уц«)>

/,„ СУ..,, У»,. У|*. У..,Л-

I'.Boxt»; Uartei; икч>; Pnr. пах! /cmIbhi1 f'**>•*; Рлч>; Pino»»;

^.imA Hie


* Параметр относится только к транзисторам с низким уровнем шумов.

** Для ранее разработанных транзисторов допускается использовать параметр U « .

(Измененная редакция — «Информ. указатель стандартов» N> 2 1971 г.).

Страница 4

ГОСТ 15172-70 Стр. 3

3. Для переключающих транзисторов, кроме параметров, указанных в таблице, основными являются С.-, Л2|К, иМе,ч. справочными — UcKMmax, Ru> *М, tofi.

ПРИЛОЖЕНИЕ I к ГОСТ 15177-70 Справочное

Вольтамперные и другие характеристики параметров транзисторов

K.'*CCU Tp»«1!f<TC£Oe

Харшсрксиии

Транзисторы малой мощности (Ят«1<0,3 Вт) низкой частоты (/r<3 Ml"ц)

hiir = f Ох) при Uce *” cons! fr “ / (Uck) при /* - const UBX ° f (Iя) при Ucb - const 7сьо = f ((,) при Ось - const ОсхлIX = f {Rbk) при /C " const Рпшх = / (tamb)

A(»i (Uc = ver)    . . .

Т^Г(0с- con»~ ПРИ lc: f' *> = tnns1 Л(»г Ос - var)    „

T(r,1'7-const) "P“ ^>• *> - const Am» (fj » var)    ..    ,    .

"A,;;??;-ranstT"f,p"Uct f; ,e ~con#t


Транзисторы к алой мощности (Pmi<0.3 Вт) средней частоты

(3 МГц<1т<Э0 МГц) высокой частоты

(30 МГц<!г<ЭОО МГц)

Яч ям - / (параметры импульса)

fc - f (Vet) при /* - const Ucsau — / (Ла*) при /с — const £•'«* - ( О») при Uck - const /то - / Oi) при Усш - const Ли* = I (/к) при Uct - const

Я»,Х * f Oamb)

Y,ki (Uc •» var)    ...

' Y\u (Uc - constf"    ,,pH /c; *»    -    00,151

Уш (Iс •» var)    ,,    . .

T’,7i (/"c"”const) "Ри    V* tl “    const


прн Uc‘, I с; t> ■ const г- при Ус; /«;/•= const

f/" var) Уш ({* const) Yikt (t, - var) >'«»« const)

Страница 5

Сгр. 4

Продолжение

K.'uccu -ij>:i*niсторон

Характеристик

Транзисторы средней (0.3 Вт<Рших<\£ Вт) и большой (Ра»«>1.5 Вт) мощности

1с - 1 (Uck) при lo - const 1с — 1 (Усе) при /в — const для малых токоз и напряжении (начальные участки вольтамперных выходных характеристик)

Umb = / (la) при Uсв — const Icao = f (li) при Ucb “ const Ucntaut — t (Rbe) при !e = const /’em»* — f (ttnv)

Ли* 1 (lc) при Ucx = const Uс№i =• / (Ke) при Iс = const

Примечание. hik\— параметры четырехполюсника при холостом ходе ня яходных зажимах и коротком замыкании аз выходных зажимах;

Кш — параметры четырехполюсника при коротком замыкании. где (' — входной электрод, к — выходной электрод, I — общий элехтрод.

(Измененная редакция — «Информ. указатель стандартов» № 2 1971 г.).

Страница 6

Стр. 5

ПРИЛОЖЕНИЕ 2 к ГОСТ 15172-70 Справочное

Наименования буквенных обозначений электрических параметров транзисторов

Бухпспгис

обооввчваня

Наямсвовныи

/сво

Обратный ток коллектора

lr.no

Обратный ток эмиттера

!с»в

Начальный ток коллектора

V скм<

Напряжение между коллектором н эмиттером в режиме насыщения

1'яжвл1

Напряжение между базой и эмиттером в режиме иас-ащения

V(L)сво

Напряжение между коллектором н эмиттером при нулевом токе базы и заданном тохе эмиттера

Rir> и

Общее тепловое сопротивление транзистора (переход — окружающая среда)

Rt* ц

Теплозос сопротивление транзистора (переход — Kopi ус)

Ris >см

Тепловое сопротивление транзистора в импульсном |-ежимо

ft 214

Пределы!зя частота коэффициента передачи тоиа

lr

Граничная частота коэффициента передачи токз

hi i.

Входное сопротивление а режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером

Ait»

Входное сопротивление в режиме малого сигнала в счеме с обшей базой

Re (hut)

Активная составляющая полного входного сопротивления

ha.

Коэффициент обратной связи по напряжению о режиме малого сигнала п схеме с общим эмиттером

An*

Коэффициент обратной связи по напряжению в режим г малого сигнала в схеме с общей базой

hiu

Коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером о режиме малого сигнала

Страница 7

Стр. 6

Продолжение

b>'KBCII4!M«

обошпчения

Нанмсиомнгш

|1Г«Л

Модуль проводимости прямой передачи п схеме с общий эмиттером

1Л»г1

Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте

Ля»

Выходим* проводимость в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером

Ли ъ

Выходная проводимость в режиме малого сигнала в схеме с общей блюй

Л »| г

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме большого сигнала

Yu.

Полная входная проводимость в схеме с общим эмиттером и режиме малою сигнала

Узз,

Полная выходная проводимость п схеме с общим эмиттером п режиме малого сигнала

У>2.

Полная проводимость обратной передачи в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала

YiU

Полная проводямость прямой передачи в схеме с общим эмиттером в режиме малою сигнала

Yu к

Статическая крутизна прямой передачи от входа на выход транзистора

г>\

Сопротивление балы

Се

Емкость коллекторного перехода

' Се

Постоянная времени пели обратной связи иа высокой частоте

С.

Емкость »миттериого («рехода

F

Коэффициент шума

и

Время рассасывания

ten

\

В;>еми включения

1*11

Время выключения

к.

Коэффициент насыщения (степень насыщения)

Rпутях

Максимальное внешнее сопротивление между бв^он п эмиттером

I'gnaii

Максимально допустимое напряжение между эмштсром и базой

Uceta >а

Максимально допустимое напряжение между коллектором и базой

Страница 8

Стр. 7

II родолжемие

Вуивсииь»

чбоз.чачсчня

Нышеноммя

U С г. шт

Максимально допустимо* напряжение между коллектором и эмиттером

1 са«х

Максимально допустимый тох коллектор»

1 (IOIBI1

Максимально допустимый ток коллектора а режиме насыщения

Рсшшш

Максимально допустимая мощность на коллекторе

и»шж

Максимально допустимая температура перехода

tomb mitt

Минимально допустимая температура окружающей среды

Ucm ***

Максимально допустимое импульсное напряжение между коллектором и эмиттером

IcM mil

Максимально допустимый импульсный тох коллектора

Pu Oil

Максимально допустимая импульсная мощность

P Okt

Выходная мощность транзистора на заданной частоте

Uz„i

Плавающий потенциал эмиттер — база

(Измененная редакция — «Информ. указатель стандартов» Л* 2 197! г.).

Страница 9

Редактор #. С Кеплина

Сдлш» » iij6 3/VI ЮТ г. Подл, о net 26/Vllt I*72 1    0j> п. д. Тир НМ'

Издательство с г* м да ртов. Moc&N. Д 22. Ио#опрсспе»»с<ч® о<*р. д. 3.

:<«.’«ы*кч\‘Нмч    И    .'Донелы»* с1Д||Д>фтов, уд Л\411д.|уп.*. 12/14. '*лш 2S4-