Купить ГОСТ 15172-70 — бумажный документ с голограммой и синими печатями. подробнее
Распространяем нормативную документацию с 1999 года. Пробиваем чеки, платим налоги, принимаем к оплате все законные формы платежей без дополнительных процентов. Наши клиенты защищены Законом. ООО "ЦНТИ Нормоконтроль"
Наши цены ниже, чем в других местах, потому что мы работаем напрямую с поставщиками документов.
Распространяется на вновь разрабатываемые транзисторы всех классов и устанавливает перечень основных и справочных электрических параметров.
Дата введения | 01.07.1970 |
---|---|
Добавлен в базу | 01.09.2013 |
Актуализация | 01.01.2021 |
12.01.1970 | Утвержден | Госстандарт СССР | 28 |
---|---|---|---|
Издан | Издательство стандартов | 1972 г. |
Чтобы бесплатно скачать этот документ в формате PDF, поддержите наш сайт и нажмите кнопку:
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
ПЕРЕЧЕНЬ ОСНОВНЫХ И СПРАВОЧНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ
Цена 3 коп.
Издание официальное
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СТАНДАРТОВ СОВЕТА МИНИСТРОВ СССР
Москва
УДК 621.382.3.012(083.74) Группа Э20
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
гост
15172—70*
ТРАНЗИСТОРЫ
Перечень основных и справочных электрических параметров
Transistors List of basic and reference electrical parameters
Постановлением Комитета стандартов, мер и измерительных приборов при Совете Министров СССР от 12/1 1970 г. № 28 срок введения установлен
с 1/V11 1970 г.
Несоблюдение стандарта преследуется по закону
1. Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые транзисторы всех классов и устанавливает перечень основных и справочных электрических параметров.
Основные параметры контролирует «ли гарантирует предприятие-изготовитель.
Справочные параметры вместе с основными используются при разработке и расчетах радиотехнических схем и включаются в каталоги и справочники.
Вольтамперные и другие характеристики относятся к справочным данным и приведены в справочном приложении 1, наименования основных и справочных параметров даны в справочном приложении 2.
(Измененная редакция — «Информ. указатель стандартов» № 2 1971 г.).
2. Основные и справочные параметры транзисторов должны соответствовать указанным в таблице.
| |||||||||||
* Переиздание (апрель 1972 г.) с изменением М lt принятым в феврале 1971 г |
Стр. 2 ГОСТ 15172-70
Продолжение
Параметры
Классы транзисторов
Основные
Справочные
Транзисторы малой мощности (Ртвх^О.ЗВт) средней частоты (3 МГц<{т<30 МГц)
Транзисторы малой
МОЩНОСТИ (Pmax^0,3fi/n)
высокой частоты
(Э0 МГц<[т<300 МГц)
Транзисторы средней мощности (0,3 Bm<PШах<
<1,5 Вт)
и большой мощности (Рш ах >1,5 Вт) низкой частоты (7т <3 МГц)
Транзисторы средней мощности (0,3 Вт<Ршах<
<1,5 Вт)
н большой мощности (Ртах>1,5 Вт) средней частоты
(3 МГц<! Т<30 МГц)
Транзисторы средней мощности (0,3 Bm<Pтах<
<1,5 Вт)
и большой мощности (Рш ах >1,5 Вт) высокой частоты
(30 МГц<}г <300 мгч)
I с во’, с (h2\t:)\
F*; /г (fhub); Сс;
Гь Ь- Рст ах/
UС вшах! &СЕшах! /стах» ^jmax
/ело; hzu; fr ifk2ib); F\ Cel fь г>- Cc; Pcmax» Ucnmaxl UcETa&xl /стах? Tjmax
/сво; haEi fr (fhzib); Pcmaxi ^евтах,"
Ucjsmax; t^BEmax) /стах» ^jmax
/сво» /ево»
/т (fri21b)» PcmaxJ UcbtqbxI t^CEmax; Vbe-oxах» /стах,*
/углах
IcBOl El fr (ff}2ib)l Pc max? (/евтах,* /стах» ^‘max
U(L)**ceo1 IcbsI IeboI
Re (hue); Уце; Yvie;
\Ynel; В;
Rib jal R в cm ах»
/елгтах; Рмmax,* famb min
V(L)**csol Icbs;
/ebo; |/t21e(;
Pe (hnc)l Re (Yad ^220 Г12е> Tile); /^ (Tile, У22с,
Ptfc ja; Рве max»
f/вЕтах; /емтах»
P Mmai,' /ambtnla
U(L)**ceoJ Icbs; /ebo; Р<Л ja; Pfft jC; Рвктах» /емтах» Рмтах,* UebU* iamb min
L^(L)**ceo; Icbs;
Re (h\\e); У21Е;
Гь b * Cel Cel Rth jaJ
Rth jel (JsEsat; Rbemax» Iceat max» /cAfmax,4 ^EB /ij
Pouf» Pm max/ /ambmiu
U(L)**ceo; Icbs; i ь ь • cc; Cel
Re (YMe, Y'lle, Ti2r, Y%\e); /»П (Ymc, Yz2e* Yi2c, Y2ie)l I EBO; tal U BEaatl U EBfll
Rbe max» ICsatmaxl /гмта±; Poutl Pm max»
tamb min
* Параметр относится только к транзисторам с низким уровнем шумов.
** Для ранее разработанных транзисторов допускается использовать параметр V а .
ГОСТ 15172-70 Стр. 3
СПраВОЧНЫМИ (JCEMmax* Rth jcMi toff'
ПРИЛОЖЕНИЕ 1 к ГОСТ 15172-70 Справочное
Вольтамперные и другие характеристики параметров транзисторов
Классы транзисторов
Характеристики
Транзисторы малой мощности (Рта*<0,3 Вт) низкой частоты (fr <3 МГц)
Транзисторы малой мощности (/W<0,3 ^средней частоты ч
(3 МГц<}т<Ы ТА Гц) высокой частоты ч
(30 МГц<Ь<М0 МГц)
htiE ~ / (7е) при Осе — const 7с * / при /в *= const
О BE «/ f/jO При f/cj? = const 7 с во « f (tj) при f/св - const UcEta&x = f (Rbjs) При /с = const
/*шах = f (^amb)
Jim (frc =* var)
Аш f£/<7 “ const) Ащ (7c «= var) hiki (7c “ const) Ащ (tj * var)
при /c; f; f j = const при f/c; fi ^ — const
Лш const)' при ^ ftIc - const
/?tA jcM ■= f (параметры импульса)
7с=*1(С/се) при Г в ~ const U СЕТЬ ах — / (Яве,) при Ic = const f/BВ ~ f (7в) при Uce =* const 7CBO=*f (h) При Ucb « const A2ie *» f (7e) при f/св ** const
max “ f (t amb)
Yiki (77c ** var) _ . ,
Кш (Uc = const) при /c; - const
Уш (7c “ var) п г j i
-7~17(/с-ТоЪ1)при Л ft -const
Ущ (f ° var) Уш ([—const) Ущ (tj =» var) Kifci <7,=const)
- при f/c; /с; ^ — const при Uc\ 7cl f = const
Стр, 4
Продолжение | ||||
|
Примечание, hiki— параметры четырехполюсника при холостом ходе на
входных зажимах и коротком замыкании на выходных зажимах;
(Измененная № 2 1971 г.).
Yihi— параметры четырехполюсника при коротком замыкании, где i — входной электрод, k выходной электрод, / — общий электрод.
Стр. 5
Наименования буквенных обозначений электрических параметров
транзисторов
Буквенные обозначения |
Наименования |
7 сво 1ево 1С В8 d CE&at |
Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Начальный ток коллектора Напряжение между коллектором и эмиттером в режиме насыщения |
Иввлаг U (L)cEO |
Напряжение между базой и эмиттером в режиме насыщения Напряжение между коллектором и эмиттером при пулевом токе базы и заданном токе эмиттера |
Rth ja |
Общее тепловое сопротивление транзистора (переход — окружающая среда) |
Rtk jc Rth jcM fhltb fr hne |
Тепловое сопротивление транзистора (переход — корпус) Тепловое сопротивление транзистора в импульсном режиме Предельная частота коэффициента передачи тока Граничная частота коэффициента передачи тока Входное сопротивление в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером |
hut |
Входное сопротивление в режиме малого сигнала в скеме с общей базой |
Re (hiie) hize |
Активная составляющая полного входного сопротивления Коэффициент обратной связи по напряжению в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером |
hizb |
Коэффициент обратной связи по напряжению в режима малого сигнала в схеме с общей базой |
hzie |
Коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала |
Продолжение | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Стр. 7 | ||||||||||||
|
(Измененная редакция — «Информ. указатель стандартов» № 2 1971 г.).