Товары в корзине: 0 шт Оформить заказ
Стр. 1
 

31 страница

456.00 ₽

Купить ГОСТ 15130-86 — официальный бумажный документ с голограммой и синими печатями. подробнее

Официально распространяем нормативную документацию с 1999 года. Пробиваем чеки, платим налоги, принимаем к оплате все законные формы платежей без дополнительных процентов. Наши клиенты защищены Законом. ООО "ЦНТИ Нормоконтроль".

Наши цены ниже, чем в других местах, потому что мы работаем напрямую с поставщиками документов.

Способы доставки

  • Срочная курьерская доставка (1-3 дня)
  • Курьерская доставка (7 дней)
  • Самовывоз из московского офиса
  • Почта РФ

Распространяется на кварцевое оптическое стекло, предназначенное для изделий, работающих при прохождении света в одном направлении, и выпускаемое в заготовках размером (диаметром или диагональю) не более 1200 мм

  Скачать PDF

Заменяет ГОСТ 15130-79

Ограничение срока действия снято: Протокол № 7-95 МГС от 01.03.95 (ИУС 11-95)

Оглавление

1 Марки, основные параметры и размеры, категории, классы

2 Технические требования

3 Правила приемки

4 Методы контроля

5 Маркировка, упаковка, транспортирование и хранение

Приложение 1 Требования к контрольному образцу люминесценции

Приложение 2 Требования к контрольному образцу мелкозернистой неоднородности

Приложение 3 Физико-химические характеристики кварцевого оптического стекла

Приложение 4 Требования к контрольному образцу глубины посечек

Показать даты введения Admin

Страница 1

Цена 15 коп.

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

ТЕРМИНЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ

ГОСТ 15133-77 |СТ СЭВ 2767—85)

Издание официальное

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ Москва

Страница 2

УДК 001.4 : 621.382 : 006.354    Группа    ЭОО

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ГОСТ

ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Термины и определения    15133-77*

Semiconductor devices. Terms and definitions

ОКСТУ 6201

|CT СЭВ 2767—85)

Взамен ГОСТ 1J133—69

Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 27 апреля 1977 г. № 1061 срок введения установлен

с 01.07.73

Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения полупроводниковых приборов.

Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, учебниках, учебных пособиях, технической и справочной литературе.

Стандарт соответствует СТ СЭВ 2767—85, за исключением терминов, указанных в справочном приложении.

Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов-синонимов стандартизованного термина запрещается. Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в стандарте в качестве справочных и обозначены «Ндп».

Для отдельных стандартизованных терминов в стандарте приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, когда исключена возможность их различного толкования.

В стандарте в качестве справочных приведены иностранные эквиваленты на немецком (D), английском (Е) и французском (F) языках.

В стандарте приведены алфавитные указатели содержащихся в нем терминов на русском языке и их иностранных эквивалентов.

Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма — светлым, недопустимые синонимы — курсивом.

(Измененная редакция, Изм. № 2).____

Издание официальное    Перепечатка воспрещена

* Переиздание (январь 1987 г.) с Изменениями Л? 1, 2, 3, утвержденными в июне 1980 г., июне 1982 г.; Пост. № 2544 от 28.06.82, октябре 1986 г.

(ИУС 9-80, 10—82, 1—87).

© Издательство стандартов, 1987

Страница 3

Термин

Физические элементы пол

1. Электрический переход

Переход

D.    Elektrischer Ubergang (SperrschicM)

E.    Junction

F.    Jonction

2.    Электронно-дырочный переход

p-n переход

D.    pn -Dbergang

E.    P-N junction

F.    Jonction P-N

3.    Электронно-электронный переход

n-n+ переход

D.    nn+-Obergang

E.    N-N+ junction

F.    Jonction N-N+

4.    Дырочно-дырочный переход

p-p+ переход

D.    pp+-Dbergang

E.    P-P+ junction

F.    Jonction P-P+

5. Резкий переход

D.    Steiler Dbergang

E.    Abrupt junction

F.    Jonction abrupte

6.    Плавный переход

D.    Stetiger Dbergang

E.    Graded junction

F.    Jonction graduelle

7.    Плоскостной переход

D.    Flachenubergang

E.    Surface junction

F.    Jonction de par surface

8.    Точечный переход

D.    Punktfibergang

E.    Point-contact junction

F.    Jonction h pointe

Определение

упроводннковых приборов

Переходный слой в полупроводнике материале между двумя областями с различными типами электропроводности или разными значениями удельной электрической проводимости.

Примечание. Одна из областей может быть металлом

Электрический переход между двумя областями полупроводника, одна из которых имеет электропроводность л-тина, а другая р-типа

Электрический переход между двумя областями полупроводника л-типа, обладающими различными значениями удельной электрической проводимости

Электрический переход между двумя областями полупроводника p-типа, обладающими различными значениями удельной электрической проводимости

Примечание. В терминах 3 и 4 «+> условно обозначает область с более высокой удельной электрической проводимостью

Электрический переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси значительно меньше толщины области пространственного заряда.

Примечание. Под толщиной области понимают ее размер в направлении градиента концентрации примеси

Электрический переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси сравнима с толщиной области пространственного заряда

Электрический переход, у которого линейные размеры, определяющие его площадь, значительно больше толщины

Электрический переход, все размеры которого меньше характеристической длины, определяющей физические процессы в переходе и в окружающих его областях.

Страница 4

9.    Диффузионный переход

D.    Diffundierter Obergang

E.    Diffused junction

F.    Jonction a diffusion

10.    Планарный переход

D.    Planarubergang

E.    Planar junction

F.    Jonction planar

11.    Конверсионный переход

D.    KonversionsQbergang

E.    Conversion junction

F.    Jonction de conversion

12.    Сплавной переход Ндп. Вплавной переход

D.    Legierter Obergang

E.    Alloyed junction

F.    Jonction allie

13.    Мнкросплавнон переход Ндп. Микровплавной переход

D.    Mikrolegierter Obergang

E.    Micro-alloy junction

F.    Jonction microallie

14.    Выращенный переход Ндп. Тянутый переход

D.    Gezogener Obergang

E.    Grown junction

F.    Jonction de croissance

15.    Эпитаксиальный переход

D.    Epitaxieubergang

E.    Epitaxial junction

F.    Jonction epitaxiale

16.    Гетерогенный переход

Гетеропереход

D.    Heteroubergang

E.    Heterogenous junction

F.    Jonction heterogene

17.    Гомогенный переход Гомопереход

D.    Homogener Obergang

E.    Homogenous junction

F.    Jonction homogene

18.    Переход Шоттки

D.    Schottky-Cbergang

E.    Schottky junction

F.    Jonction Schottky

Примечание. Характеристической длиной может быть толщина области пространственного заряда, диф-

ty3noHHafl длина и т. д. лектрический переход, полученный в результате диффузии атомов примеси в полупроводнике

Диффузионный переход, образованный в результате диффузии примеси сквозь отверстие в защитном слое, нанесенном на поверхность полупроводника Электрический переход, образованный в результате конверсии полупроводника, вызванной обратной диффузией примеси в соседнюю область, или активацией атомов примеси Электрический переход, образованный в результате вплавления в полупроводник и последующей рекристаллизации металла или сплава, содержащего донорные и (или) акцепторные примеси Сплавной переход, образованный в результате вплавления на малую глубину слоя металла или сплава, предварительно нанесенного на поверхность полупроводника "Электрический переход, образованный при выращивании полупроводника из расплава

Электрический переход, образованный эпитаксиальным наращиванием.

Примечание. Эпитаксиальное наращивание —создание на монокри-сталлической подложке слоя полупроводника, сохраняющего кристаллическую структуру подложки Электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с различной шириной запрещенной зоны

Электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с одинаковой шириной запрещенной зоны

Электрический переход, образованный в результате контакта между металлом и полупроводником

Страница 5

19.

20.

Выпрямляющий переход

D.    Gleicbrichterdbergang

E.    Rechifying junction

F.    Jonction redresseuse Омический переход Ндп. Линейный контакт

D.    Ohmischer Obergang

E.    Ohmic junction

F.    Jonction ohmique 21. Эмнттерный переход

D.    Emitterubergang

E.    Emitter junction

F.    Jonction emetteur Коллекторный переход

D.    Kollektoriibergang

E.    Collector junction

F.    Jonction collecteur Дырочная область /7-область

D.    Defektelektronengebiet

E.    P-region

F.    Region P Электронная область л-область

D.    Elektronengebiet

E.    N-region

F.    Region N

Область собственной электропроводности

/-область

Ндп. Собственная область

D.    Eigenleitungsgebiet

E.    Intrinsic region

F.    Region intrinseque

26.    Базовая область База

D.    Basisgebiet

E.    Base region

F.    Region de base

27.    Эмиттерная область Эмиттер

D.    Emittergebiet

E.    Emitter region

F.    Region d’emrtteur Коллекторная область Коллектор

D.    Kollektorgebiet

E.    Collector region

F.    Region de collecteur

22.

23.

24.

25.

28.

Электрический переход, электрическое сопротивление которого при одном направлении тока больше, чем при другом

Электрический переход, электрическое сопротивление которого не зависит от направления тока в заданном диапазоне значений токов

Электрический переход между эмнт-терной (27)* и базовой (26) областями полупроводникового прибора (62)

Электрический переход между базовой (26) и коллекторной (28) областями полупроводникового прибора (62)

Область в полупроводнике с преобладающей дырочной электропроводностью

Область в полупроводнике с преобзадающей электронной электропроводностью

Область в полупроводнике, обладающая свойствами собственного полупроводника

Область полупроводникового прибора (62), в которую инжектируются неосновные для этой области носители заряда

Область полупроводникового прибора (62), назначением которой является инжекция носителей заряда в базовую область

Область полупроводникового прибора (62), назначением которой является экстракция носителей из базовой области

* Числа в скобках обозначают порядковый номер терминов, помещенных в настоящем стандарте.

Страница 6

29.    Активная часть базовой области

D.    Aktiver Teil des Basisgebietes eines bipolaren Transistors

E.    Active part of base region

F.    Region active de base

30.    Пассивная часть базовой области

D.    Passiver Teil des Basisgebie-tes eines bipolaren Transistors

E.    Passive part of base region

F.    Region passive de base

31.    Проводящий канал

D.    Kanal

E.    Channel

F.    Canal

32.    Исток

D.    Source (Quelle)

E.    Source

F.    Source

33.    Сток

D.    Drain (Senke)

E.    Drain

F.    Drain

34.    Затвор

D.    Gate (Tor)

E.    Gate

F.    Grille

35.    Структура полупроводникового прибора

Структура

D.    Struktur eines Halbleiterbau-elementes

E.    Structure

F.    Structure

Часть базовой области биполярного транзистора, в которой накопление или рассасывание неосновных носителей заряда происходит за время перемещения их от эмиттерного перехода к коллекторному переходу

Часть базовой области биполярного транзистора, в которой для накопления или рассасывания неосновных носителей заряда необходимо время большее, чем время их перемещения от эмиттерного перехода к коллекторному переходу

Область полевого транзистора, в которой регулируется поток носителей заряда.

Примечания:

1.    Данное понятие не следует смешивать с «каналом утечки», возникающим в месте выхода р-п перехода на поверхность кристалла.

2.    Проводящий канал может быть а или p-типа в зависимости от типа электропроводности полупроводника

Электрод полевого транзистора (100), через который в проводящий канал втекают носители заряда

Электрод полевого транзистора (100), через который из проводящего канала вытекают носители заряда

Электрод полевого транзистора (100), на который подается электрический сигнал

Последовательность граничащих друг с другом областей полупроводника, различных по типу электропроводности или по значению удельной проводимости, обеспечивающая выполнение полупроводниковым прибором (62) его функций.

Примечания:

1.    Примеры структур полупроводниковых приборов: р-п; р-п-р; p-i-л; р-п-р-п н др.

2.    В качестве областей могут быть использованы металл и диэлектрик

Страница 7

Определение

Термин

36.    Структура металл—диэлектрик—полупроводник

Структура МДП

D. Metall-Dielektrikum-Halblei-ter-Struktur (MIS-Struktur)

F. MIS-structure

F. Structure-MIS

37.    Структура—металл—окисел-полупроводник

Структура МОП

D.    Metall-Oxid-Halbleiter-Struk* (ur (MOS-Struktur)

E.    MOS-structure

F.    Structure-MOS

38.    Мезаструктура

D.    Mesastruktur

E.    Mesa-structure

F.    Structure-mesa

39.    Обедненный слой

D.    Verarmungsschicht

E.    Depletion layer

F.    Couche de depletion

40.    Запирающий слой

Ндл. Запорный слой

D.    Sperrschicht

E.    Barrier region (layer)

F.    Region de barriere

41.    Обогащенный слой

D.    Anreicherungsschicht

E.    Enriched layer

F.    Couche enrichie

42.    Инверсный слой

D.    Inversionsschicht

E.    Inversion layer

F.    Couche d’inversion

Структура, состоящая из последовательного сочетания металла, днэлекгрн-ка и полупроводника

Структура, состоящая из последовательного сочетания металла, окисла на поверхности полупроводника и полупроводника

Структура, имеющая форму выступа, образованного удалением периферийных участков кристалла полупроводника либо наращиванием Слой полупроводника, в котором концентрация основных носителей заряда меньше разности концентрации ионизованных доноров и акцепторов Обедненный слой между двумя областями полупроводника с различными типами электропроводности или между полупроводником и металлом

Слой полупроводника, в котором концентрация основных носителей заряда больше разности концентрации ионизованных доноров н акцепторов Слой у поверхности полупроводника, в котором тип электропроводности отличается от типа электропроводности в объеме полупроводника в связи с наличием электрического поля поверхностных состояний, внешнего электрического поля у поверхности или поля контактов разности потенциалов

Явления в полупроводниковых приборах

43. Прямое направление для р-п перехода

D.    Durchlassrichtung des pn-Oberganges

E.    Forward direction (of a P-N junction)

F.    Sens direct (d’une jonction P-N)

Направление постоянного тока, в котором р-п переход имеет наименьшее сопротивление

Страница 8

Определение

Термин

44.    Обратное направление для р-п перехода

D.    Sperrichtung des pn-Obergan-ges

E.    Reverse direction (of a P-N junction)

F.    Sens inverse (d’une jounction P-N)

45.    Пробой p-n перехода

D.    Durchbruch des pn-Obergan-

ges

E.    Breakdown of a P-N junction

F.    Claquage (d’une jonction P-N)

46.    Электрический пробой p-n перехода

D.    Elektrischer Durchbruch des pn-Cberganges

E.    P-N junction electrical breakdown

F. Claquage electrique    (d'une jonction P-N)

47.    Лавинный пробой p-n перехода

D.    Lawinendurchbruch des pn-Oberganges

E.    (P-N junction) avalanche breakdown

F.    Claquage par avalanche (d’une jonction P-N)

48.    Туннельный пробой p-n перехода

D.    Tunneldurchbruch des pn-Oberganges

E.    Zenner (tunnel) breakdown

F.    Claquage par effet Zenner (tunnel)

49.    Тепловой пробой p-n перехода

D.    Thermischer Durchbruch des pn-Oberganges

E.    (P-N junction) thermal breakdown

F.    Claquage par effet thermique (d’une jonction P-N)

50.    Модуляция толщины базы

D.    Modulation der Basisbreite

E.    Base thickness modulation

F.    Modulation d’epaisseur de base

Направление постоянного тока, в котором р-п переход имеет наибольшее сопротивление

Явление резкого увеличения дифференциальной проводимости р-п перехода при достижении обратным напряжением (током) критического для данного прибора значения.

Примечание. Необратимые изменения в переходе не являются необходимым следствием пробоя Пробой р-п перехода, обусловленный лавинным размножением носителей заряда или туннельным эффектом под действием приложенного напряжения

Электрический пробой р-п перехода, вызванный лавинным размножением носителей заряда под действием сильного электрического поля

Электрический пробой р-п перехода» вызванный туннельным эффектом

Пробой р-п перехода, вызванный ростом числа носителей заряда в результате нарушения равновесия между выделяемыми в р-п переходе и отводимым от него теплом

Изменение толщины базовой области, вызванное изменением толщины запирающего слоя при изменении значения обратного напряжения, приложенного к коллекторному переходу

Страница 9

Термин

Определение

51. Эффект смыкания

Пдп. Прокол базы

D.    Durchgreifeffekt

E.    Punch-through

F.    Penetration

Смыкание обедненного слоя коллекторного перехода в результате его расширения на всю толщину базовой области с обедненным слоем эмиттерного перехода

52. Накопление неравновесных носителей заряда в базе

Накопление заряда в базе

D.    Spcicherung von Cberschuss-ladungstragern in der Basis

E.    Minority carrier storage (in the base)

F.    Accumation de porteurs d’exces dans la base

Увеличение концентрации и величины зарядов, образованных неравновесными носителями заряда в базе в результате увеличения инжекции или в результате генерации носителей заряда

53. Рассасывание неравновесных носителей заряда в базе

Рассасывание заряда в базе

D.    Abbau von Obersc'nusslad-ungstragern in der Basis

E.    Excess carrier resorption (in the base)

F.    Resorption de porteurs d’exces dans la base

Уменьшение концентрации и величины зарядов, образованных неравновесными носителями заряда в базе в результате уменьшения инжекции или в результате рекомбинации

54. Прямое восстановление полупроводникового диода

D.    Einschwingcn des Durchlass-widerstandes einer Halbleit-erdiode

E.    Forward recovery

F.    Rccouvrement direct

Переходный процесс, в течение которого прямое сопротивление перехода полупроводникового диода устанавливается до постоянного значения после быстрого включения перехода в прямом направлении.

Примечание. Под словом «быстрый» в определениях 54 и 55 понимается изменение тока или напряжения за время, сравнимое или меньшее постоянной времени переходного процесса установления или восстановления сопротивления

55. Обратное восстановление полупроводникового диода

D.    Wiederherstellung des Sperr-widerstandes einer Halbleiter-diode

E.    Reverse recovery

F.    Rccouvrement inverse

Переходный процесс, в течение которого обратное сопротивление перехода полупроводникового диода восстанавливается до постоянного значения после быстрого переключения перехода с прямого направления на обратное

56. Закрытое состояние тиристора

D.    Blockierzustand eines Thyristors

E.    Off-state of a thyristor

F.    Etat bloque de thyristor

Состояние тиристора (105), соответствующее участку прямой ветви вольт-амперной характеристики между нулевой точкой и точкой переключения

Страница 10

Термин

57.    Открытое состояние тиристора

D. * Durchlasszustand eines Thy

ristors

E.    On-tate of a thyristor

F.    Etat passant de thyristor

58.    Непроводящее состояние тиристора в обратном направлении

D.    Sperrzustand eines Thyristors

E.    Reverse blocking state of a thyristor

F.    Etat bloquc dans le sens inverse de thyristor

59.    Переключение тиристора

D.    Umschalten eines Thyristors

E.    Switching of a thyristor

F.    Commutation de thyristor

60.    Включение тиристора

D.    Zunden eines Thyristors

E.    Gate triggering of a thyristor

F.    Amorcage de thyristor

61.    Выключение тиристора

D.    Ausschalten eines Thyristors

E.    Gate turning-off of a thyristor

F.    Desamorcage de thyristor

Определение

Состояние тиристора (105), соответствующее низковольтному и низкоомному участку прямой ветви вольтамперной характеристики

Состояние тиристора (105), соответствующее участку вольтамперной характеристики при обратных токах, по значению меньших тока при обратном напряжении пробоя

Переход тиристора (105) из закрытого состояния в открытое при отсутствии тока управления на управляющем выводе

Переход тиристора (105) из закрытого состояния в открытое при подаче тока управления

Переход тиристора (105) из открытого состояния в закрытое при приложении обратного напряжения, уменьшении прямого тока или при подаче тока управления

Виды полупроводниковых приборов

62.    Полупроводниковый прибор (ПП)

D.    Halbleiterbauelcment

E.    Semiconductor device

F.    Dispolsitif a semiconducteurs

63.    Силовой полупроводниковый прибор (СПП)

О. Halbleitcrleistungsbaucle-ment

E.    Semiconductor power device

F.    Diode a semiconducteur pour forte puissance

64.    Полупроводниковый блок

E.    Semiconductor assembly

F.    Assemblage a semiconduue-urs

65.    Набор полупроводниковых приборов

E. Semiconductor assembly set

Прибор, действие которого основано на использовании свойств полупроводника

Полупроводниковый прибор, предназначенный для применения в силовых цепях электротехнических устройств

Совокупность полупроводниковых приборов, соединенных по определенной электрической схеме и собранных в единую конструкцию, имеющую более двух выводов

Совокупность полупроводниковых приборов, собранных в единую конструкцию, не соединенных электрически или соединенных по одноименным выводам

Страница 11

Термин

66.    Полупроводниковый ДИОД

Диод

Ндп. Полупроводниковый вентиль

D.    Halbleiterdiode

E.    Semiconductor diode

F- Diode a semiconducteurs

67.    Точечный диод

Ндп. Точечно-контактный диод

D.    Halbleiterspitzendiode

E.    Point contact diode F- Diode a pointe

68.    Плоскостной диод

О. Halbleiterflachendiode

E.    Junction diode F- Diode a jonction

69.    Выпрямительный полупроводниковый диод

Выпрямительный диод

D.    Halbleiterleichrichterdiode

Е- Semiconductor rectifier diode

F.    Diode de redressement

69a. Лавинный выпрямительный диод

E.    Avaianche rectifier diode

696. Выпрямительный полупроводниковый диод с контролируемым лавинным пробоем

£• Controlled-avalanche rectifier diode

70.    Выпрямительный полупроводни-никовый столб

Выпрямительный столб

Е. Semiconductor rectifier stack

F- Bloc de redressement (a se* miconducteurs)

71.    Выпрямительный полупроводниковый блок

Выпрямительный блок

E.    Semiconductor rectifier assembly

F.    Assemblage de redressement (a semiconducteurs)

Определение

Полупроводниковый прибор с двумя выводами и несимметричной вольтампер-ной характеристикой.

Примечание. Если не указано особо, этим термином обозначают приборы с вольт-амнерной характеристикой, типичной для единичного перехода

Полупроводниковый диод с точечным переходом

Полупроводниковый диод с плоскостным переходом

Полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования переменного тока, включая монтажные и охлаждающие устройства, если он образует с ними одно целое

Выпрямительный полупроводниковый диод с заданными характеристиками минимального напряжения пробоя, предназначенный для рассеивания в течение ограниченной длительности импульса мощности в области пробоя вольт-ампер-ной характеристики

Выпрямительный полупроводниковый диод с заданными характеристиками максимального и минимального напряжения пробоя, предназначенный для работы в установившемся режиме в области пробоя обратной ветви вольт-ампер-ной характеристики

Совокупность выпрямительных полупроводниковых диодов, соединенных последовательно и собранных в единую конструкцию, имеющую два вывода

Полупроводниковый блок, собранный из выпрямительных полупроводниковых диодов

Страница 12

72.    Импульсный полупроводниковый диод

Импульсный диод

D.    Halbleiterimpulsdiode

E.    Signal diode

F.    Diode d’impulsion

73.    Диод с накоплением заряда

Е. Snap-off (step-recovery) diode

74. Туннельный диод

D.    Halbleitertunneldiode

E.    Tunnel diode

F.    Diode tunnel

75. Обращенный диод

D.    Halbleiterunitunneldiode

E.    Unitunnel (backward) diode

F.    Diode inverse

76.    Сверхвысокочастотный полупроводниковый диод

СВЧ-диод

D.    UHF-Halbleiterdiode

E.    Microwave diode

F.    Diode en hyperfrequences

77.    Лавинно-пролетный диод

D.    Halbleiterlawinenlauizeit-diode

E.    Impact avalanche-(and-) transit time diode

F.    Diode a avalance a temps de transit

78.    Инжскционно-пролетный диод

D.    Halbleiterinjektionslaufzeit-diode

E.    Injection- (and-) transit time diode

F.    Diode a injection a temps de transit

79.    Переключательный диод

D.    Halbleiterschaltdiode

E.    Switching diode

F.    Diode de commutation

Полупроводниковый диод, имеющий малую длительность переходных процессов в импульсных режимах работы

Импульсный полупроводниковый диод, накапливающий заряд при протекании прямого тока и обладающий эффектом резкого обратного восстановления при подаче обратного напряжения, который используется для формирования импульсов с малым временем нарастания Полупроводниковый диод на основе вырожденного полупроводника, в котором туннельный эффект приводит к появлению на вольтамперной характеристике при прямом направлении участка отрицательной дифференциальной проводимости

Полупроводниковый диод на основе полупроводника с критической концентрацией примеси, в котором провран-мость при обратном напряжении вследствие туннельного эффекта значительно больше, чем при прямом напряжении, а пиковый ток и ток впадины приблизительно равны Полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования и обработки сверхвысокочастотного сигнала

Полупроводниковый диод, работающий в режиме лавинного размножения носителей заряда при обратном смещении электрического перехода и предназначенный для генерации сверхвысокочастотных колебаний

Полупроводниковый диод, работающий в режиме инжекции носителей заряда в область запорного слоя и предназначенный для генерации сверхвысокочастотных колебаний

Полупроводниковый диод, имеющий на частоте сигнала низкое сопротивление при прямом смещении и высокое сопротивление — при обратном, предназ-

Страница 13

Термин

Определение

80.    Смесительный диод

D.    Halbleitermischdiode

E.    Semiconductor mixer diode

F.    Diode melangueuse

81.    Диод Ганна

D.    Gunn-Element

E.    Gunn diode

F.    Diode Gunn

наченный для управления уровнем мощности сигнала Полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования высокочастотных сигналов в сигнал промежуточной частоты Полупроводниковый диод, действие которого основано на появлении отрицательного объемного сопротивления под воздействием сильного электрического поля, предназначенный для генерации и усиления сверхвысокочастотных колеба-

82.    Коммутационный полупроводниковый диод

Коммутационный диод D. Halbleiter- HF-Schaltdiode

83.    Регулируемый резистивный диод

D.    PIN-Diode

E.    PIN diode

F.    Diode PIN

84.    Детекторный полупроводниковый диод

Детекторный диод

D.    Halbleiterdemodulatordiode

E.    Detector diode

F.    Diode detectrice a semicon-ducteurs

НИИ

Полупроводниковый диод, предназначенный для коммутации высокочастотных цепей

Полупроводниковый p-i-n диод, применяемый для регулирования сопротивления в тракте передачи сигнала, активное сопротивление которого для высокочастотного сигнала определяется постоянным током прямого смещения

Полупроводниковый диод, предназначенный для детектирования сигнала

85.    Ограничительный полупроводниковый диод

Ограничительный диод

D.    Halbleiterbegrenzerdiodc

E.    Microwave limiting diode

F.    Diode de limitation de hvper-frequences

86.    Умножительный диод

D.    Halbleitervervieliacherdio ie

E.    eSmiconductor frequency multiplication diode

F.    Diode pour multiplication de frequence

87.    Модуляторный диод

D.    Halbleitermodulatordiode

E.    Semiconductor modulator diode

F.    Diode modulatrice (a semi-conducteurs)

88.    Диод Шоттки

D. Schottky-Diode

F. Schottky (-barrier) diode

F. Diode de Schottky

Полупроводниковый диод с лавинным пробоем, предназначенный для ограничения импульсов напряжения

Полупроводниковый диод, предназначенный для умножения частоты

Полупроводниковый диод, предназначенный для модуляции высокочастотного сигнала

Полупроводниковый диод, выпрямительные свойства которого основаны на взаимодействии металла и обедненного слоя полупроводника

Страница 14

89.    Варикап

D.    Kapazitatsdiode

E.    Variable capacitance diode

F.    Diode a capacite variable (varicape)

90.    Параметрический полупроводниковый диод

Параметрический диод

D.    Halbfeitervaraktordiode

E.    Semiconductor parametric I amplifier) diode

F.    Diode parametrique (a seiT>i-conducteurs)

91.    Полупроводниковый стабилитрон

Стабилитрон

Ндп. Зенеровский диод

D.    HalbIeiter-2-Diode

E.    Voltage reference diode

Г. Diode de tension de reference

92.    (Исключен, Изм. № 2).

93.    Полупроводниковый шумовой диод

D.    Halbleiterrauschdiode

E.    Semiconductor noise diode

F.    Diode de bruit

94.    Биполярный транзистор Транзистор

D.    Bipolarer Transistor

E.    Bipolar transistor F Transistor bipolaire

95.    Бездрейфовый транзистор

Ндп. Диффузионный транзистор

D.    Diffusionstransistor

E.    Diffusion transistor

F.    Transistor a diffusion

96.    Дрейфовый транзистор

D.    Drifttransistor

E.    Drift (diffused) transistor

F.    Transistor en derive

97.    Точечный транзистор

Ндп. Точечно-контактный диод

D.    Spitzentransistor

E.    Point contact transistor

F.    Transistor a pointe

Полупроводниковый диод, действие которого основано на использовании зависимости емкости от обратного напряжения и который предназначен для применения в качестве элемента с электрически управляемой емкостью Варикап, предназначенный для применения в диапазоне сверхвысоких частот в параметрических усилителях

Полупроводниковый диод, напряжение на котором сохраняется с определенной точностью при протекании через него тока в заданном диапазоне, и предназначенный для стабилизации напряжения

Полупроводниковый прибор, являющийся источником шума с заданной спектральной плотностью в определенном диапазоне частот

Полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими переходами и тремя или более выводами, усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда.

Примечание. Работа биполярного транзистора зависит от носителей обеих полярностей Биполярный транзистор, в котором перенос неосновных носителей заряда через базовую область осуществляется в основном посредством диффузии

Биполярный транзистор, в котором перенос неосновных носителей заряда через базовую область осуществляется в основном посредством дрейфа Биполярный транзистор с точечными переходами

Страница 15

Термин

98    Плоскостной транзистор

D Flachentransistor Е Junction transistor F Transistor a jonction

99    Лавинный транзистор D Lawinentransistor

E Avalanche transistor F Transistor a axalanche

100    Полевой транзистор

Ндп Кана 1ьныи транзистор D Feldeffekttransistor (FET) Е Field effect transistor

F. Transistor a effet de champ

101    Полевой транзистор с изолированным затвором

D Feldeffekttransistor nut iso liertem Gate E Insulated-gate FET F Transistor a effet de champ a grille isolee

102    Полевой транзистор типа металл—диэлектрик—полупроводник

МДП транзистор D MIS Feldeffekttransistor (MIS FET)

E MIS transistor F Transistor MIS 103. Полевой транзистор типа металл—окисел—полупроводник МОП транзистор D MOS Feldenekttransiator (MOS FET)

Е MOS transistor F Transistor MOS

104    Симметричный транзистор D Bidirektionaltransbior E Bi-directional transistor F Transistor bi direct,onnel

105    Тиристор

D Thyristor E Th\ristor F Thyristor

106    Диодный тиристор

Динистор D Thyristordiode E Diode thyristor E Thxristor diode

Биполярный транзистор с плоскостными переходами

Биполярный транзистор, действие которого основано на использовании режима лавинного размножения носителей заряда в коллекторном переходе Полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемый электрическим полем

Примечание Действие полевого транзистора обусловлено носителями заряда одной полярности Полевой транзистор, имеющий один или несколько затворов, электрически изолированных от проводящего канала

Полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изозя-ционного слоя между каждым металлическим затвором и проводящим каналом используется диэлектрик

Полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоляционного слоя между каждым металлическим затвором к проводящим каналом используется окисел

Биполярный ичи полевой транзистор, сохраняющий свои электрические характеристики при взаимной замене в схеме включения выводов эмиттера или истока и коллектора или стока Полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями, имеющий гри или более перехода, который может переключаться из закрытого состояния в открытое и наоборот

Тиристор, имеющий два вывода

Страница 16

ГОСТ 15133-77 Стр. 15

Термин

Определение

107. Диодный тиристор, не проводящий в обратном направлении

D.    Ruckwarts sperrende Thv-ristordiode

E.    Reverse blocking diode thyristor

F.    Thyristor diode bloqne cn inverse

Диодный тиристор, который при обратном напряжении не переключается, а находится в обратном непроводящем состоянии

108. Диодный тиристор, проводящий в обратном направлении

D.    Rucjcwarts leiiende Thyristordiode

E.    Reverse conducting diode thyristor

F.    Thyristor diode passant on inverse

Диодный тиристор, который при обратном напряжении не переключается, з проводит большие токи при напряжениях, сравнимых по значению с прямым напряжением в открытом состоянии

109. Симметричный диодный тиристор

Диак

D.    Zweirichtungsthyrislordio-de

E.    Bi-directional diode thyristor

F.    Thyristor diode bi-direction-nel

Диодный тиристор, способный переключаться как в прямом, так и в обратном направлениях

110. Триодный тиристор

Тркнистор

D.    Thyristordiode

E.    Triode thyristor

F.    Thyristor triode

Тиристор, имеющий три вывода

111. Триодный тиристор, не проводящий в обратном направлении

D.    Ruckwarts sperrende Thv-ristortriode

E.    Reverse blocking triode thyristor

F.    Thyristor triode bloque en inverse

Триодный тиристор, который при обратном напряжении не переключается, а находится в обратном непроводящем состоянии.

Примечание. Для триодных тиристоров, не проводящих в обратном направлении, допускается применять термин «тиристор», если исключается возможность другого толкования

112. Триодный тиристор, проводящий в обратном направлении

D.    Ruckwarts leitende Thy ri-stortriode

E.    Reverse conducting triode thyristor

F.    Thyristor triode passant en inverse

Триодный тнрнстор, который при обратном напряжении не переключается, а проводит большие токи при напряжениях, сравнимых по значению с прямым напряжением в открытом состоянии

Страница 17

из.

стор

Термин

Симметричный триодный тири-

Триак

D.    Zweirichtungsthyristortrio-de

E.    Bi-directional triode thyristor; Triac

F.    Thyristor triode bi-direction-nel

114. Запираемый тиристор

D.    Abschaltbarer Thyristor

E.    Turn-off thyristor

F.    Thyristor blocable

Триодный тиристор, который при подаче сигнала на его управляющий вывод включается как в прямом, так и в обратном направлениях

Тиристор, который может быть переключен из открытого состояния в закрытое и наоборот путем подачи на управляющий вывод управляющих сигналов соответствующей полярности.

Примечание. Отношение мощности управления к переключаемой мощности должно быть значительно меньше единицы

115. (Исключен, Изм. № 2).

Ив. Тиристор с инжектирующим управляющим электродом р-типа

D.    Katodenseitig gesteuerter Thyristor

E.    P-gate thyristor

F.    Thyristor P

117. Тиристор с инжектирующим управляющим электродом n-типа

D.    Anodenseiltig gesteuerter Thyristor

E.    N-gate thyristor

F.    Thyristor N

117a. Лавинный триодный тиристор, непроводящий в обратном направлении

Лавинный тиристор

Е. Avalanche reverse blocking thyristor

1176. Комбинированно-выключае-. мый тиристор

118.    Импульсный тиристор

E.    Pulse thyristor

F.    Thyristor signal

119.    Оптоэлектронный полупроводниковый прибор

D.    Optoelektronisches Halbleiterbauelement

E.    Semiconductor optoelectronic device

Тиристор, у которого управляющий электрод соединен с p-областью, ближайшей к катоду, который переводится в открытое состояние путем подачи на управляющий вывод положительного по отношению к катоду сигнала Тиристор, у которого управляющий электрод соединен с л-областью, ближайшей к аноду, который переводится в открытое состояние при подаче на управляющий вывод отрицательного но отношению к аноду сигнала Тиристор с заданными характеристиками в точке минимального напряжения пробоя, предназначенный для рассеивания в течение ограниченной длительности импульса мощности в области пробоя вольт-амперной характеристики обратного непроводящего состояния Тиристор, выключаемый с помощью тока управления при одновременном воздействии обратного анодного напряжения

Тиристор, имеющий малую длительность переходных процессов и предназначенный для применения в импульсных режимах работы Полупроводниковый прибор, излучающий или преобразующий электромагнитное излучение или чувствительный к этому излучению в видимой, инфракрасной и (или) ультрафиолетовой областях спектра, или использующий подобное из-

Страница 18

Термин

F. Dispositif optoelectronique scmiconducteur

120.    Полупроводниковый излучатель

D.    Halbleiterstrahler

E.    Semiconductor photoemitter

F.    Photoemetteur a semiconduc-teurs

120a. Полупроводниковый знакосинтезирующий индикатор

E. Semiconductor character dis-play

121.    Оптопара

D.    Optoelektronischer Koppler

E.    Photocoupler; Optocoupler

F.    Photocoupleur

121a. Резисторная оптопара 1216. Диодная оптопара 121в. Транзисторная оптопара

121г. Тиристорная оптопара

121л. (Исключен, Изм. № 3).

121е. Полупроводниковый излучатель, работающий с физическим приемником

121а—121е. (Введены дополнительно,

122.    Светоизлучающий диод СИД

D.    Lichtem it ter diode (LED)

E.    Light-emitting diode (LED)

123.    123a. (Исключены, Изм. № 2).

124. (Исключен, Изм. № 1).

125. (Исключен, Изм. № 2).

126.    Полупроводниковый экран

Е. Semiconductor analog indicator

127. Инфракрасный излучающий диод

И-К диод

D.    Infrarotcmitterdiode (IRED)

E.    Infra-red-emitting diode

F.    Diode emittrice en infrarouge

Определение

лучение для внутреннего взаимодейстзня его элементов Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, преобразующий электрическую энергию в энергию электромагнитного излучения

По ГОСТ 25066-81

Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из излучающего и фотоприемного элементов, между которыми имеется оптическая связь и обеспечена электрическая изоляция Оптопара с фотоприемным элементом, выполненным на основе фоторезистора Оптопара с фотоприемным элементом, выполненным на основе фотодиода Оптопара с фотоприемным элементом, выполненным на основе фототранзисто-ра

Оптопара с фотоприемным элементом, выполненным на основе фототиристора

Изм. Л* 1).

Полупроводниковый диод, излучающий энергию в видимой области спектра в результате рекомбинации электронов и дырок

Полупроводниковый прибор, состоящий из светоизлучающих диодов, расположенных вдоль одной линии и содержащих п строк светоизлучающих диодов, предназначенный для использования в устройствах отображения аналоговой и цифровой информации Полупроводниковый диод, излучающий энергию в инфракрасной области спектра в результате рекомбинации электронов н дырок

Страница 19

Термин

Определение

Элементы конструкции

128. Вывод полупроводникового прибора

Вывод

D.    Anschluss eines Halbleiter-bauelementes

E.    Terminal (of a semiconductor device)

F.    Borne

Элемент конструкции корпуса полупроводникового прибора, необходимый для соединения соответствующего электрода с внешней электрической цепью

129. Основной вывод полупроводникового прибора

D.    Basisanschluss eines Hal-bleiterbauelementes

E.    Main terminal

Вывод, полупроводникового прибора через который протекает основной ток

F. Borne principale 130. Катодный вывод полупроводникового прибора

D.    Katodenschluss eines Halbleiterbauelementes

E.    Cathode terminal (of a semiconductor device)

F.    Cathode

Вывод, полупроводникового прибора, от которого прямой ток течет во внешнюю .электрическую цепь

131. Анодный вывод полупроводникового прибора

D Anodenanschluss eines Halbleiterbauelementes

E.    Anode terminal (of a semiconductor device)

F.    Anode

Вывод, полупроводникового прибора, к которому прямой ток течет из внешней электрической цепи

132. Управляющий вывод полупроводникового прибора

E.    Gate terminal (of a semiconductor device)

F.    Grille

Вывод полупроводникового прибора через который течет только ток управления

133. Корпус полупроводникового прибора

Корпус

D. Gehause eines llalbleiter-bauelcmentes

Часть конструкции полупроводникового прибора, предназначенная для защиты от воздействия окружающей среды, а также для присоединения прибора к внешним схемам с помощью выводов

E.    Package (case) (of a semiconductor device)

F.    Capsule

134. Бескорпусный полупроводниковый прибор

Ндп. Полупроводниковая структура

D.    Gehauseloses Halbleiterbau-element

E.    Beam lead semiconductor device

F.    Dispositif semiconducteur

sans boitier

Полупроводниковый прибор, не защищенный корпусом и предназначенный для использования в гибридных интегральных микросхемах, герметизируемых блоках и аппаратуре

Страница 20

Определение

Термин

135. Полупроводниковый излучаю-щий элемент

135а. Электрод полупроводникового прибора

Е. Electrode (of a semiconductor device)

Часть полупроводникового прибооа отображения информации, состоящая из излучающей поверхности и контактов для подключения к электрической схеме Часть полупроводникового прибора, обеспечивающая электрический контакт между определенной областью полупроводникового прибора и выводом

(Измененная редакция, Изм. № 1, 2, 3).

алфавитный указатель терминов на русском языке

База    26

Блок выпрямительный    71

Блок полупроводниковый    64

Блок полупроводниковый выпрямительный    71

Варикаи    89

Вентиль полупроводниковый    66

Включение тиристора    60

Восстановление полупроводникового    диода обратное    35

Восстановление полупроводникового    диода прямое    54

Вывод    128

Вывод полупроводникового прибора    123

Вывод полупроводникового прибора    анодный    131

Вывод полупроводникового прибора    катодный    130

Вывод полупроводникового прибора    основной    129

Вывод полупроводникового прибора    управляющий    132

Выключение тиристора    61

Гетеропереход    16

Гомопереход    17

Диак    109

Дннистор    106

Диод    66

Диод выпрямительный    69

Диод выпрямительный лавинный    69а

Диод Ганна    81

Диод детекторный    84

Диод Зенеровский    91

Диод излучающий инфракрасный    127

Диод импульсный    72

Диод инжекционно-пролетный    78

Диод коммутационный    82

Диод лавинно-пролетный    77

Диод модуляторный    37

Диод обращенный    75

Диод ограничительный    85

Диод параметрический    90

Диод переключательный    79

Диод плоскостной    68

Диод полупроводниковый    66