Распространяется на неорганические диэлектрики: электровакуумные стекла, ситаллы, фотоситаллы, стеклокристаллические цементы, керамические и композиционные материалы, применяемые в изделиях электронной техники, и устанавливает метод определения диэлектрической проницаемости епсилон и тангенса угла диэлектрических потерь тангенс дельта при частоте 1,0–0,7 МГц
| Дата введения | 01.03.2025 |
|---|---|
| Актуализация | 01.06.2025 |