Распространяется на полупроводниковые и диэлектрические пластины, применяемые для изготовления изделий электронной компонентной базы, и устанавливает метод теневой проекции для контроля закругленности края пластин на различных стадиях технологического процесса их изготовления
| Дата введения | 01.03.2025 |
|---|---|
| Актуализация | 01.06.2025 |