Стр. 1  

8 страниц

Распространяется на полупроводниковые и диэлектрические пластины, применяемые для изготовления изделий электронной компонентной базы, и устанавливает метод теневой проекции для контроля закругленности края пластин на различных стадиях технологического процесса их изготовления

 Скачать PDF

 
Дата введения 01.03.2025
Актуализация 01.06.2025

Этот ГОСТ находится в:

Semiconductor and dielectric plates. Edge roundness control method

Стр. 1
стр. 1
Стр. 2
стр. 2
Стр. 3
стр. 3
Стр. 4
стр. 4
Стр. 5
стр. 5
Стр. 6
стр. 6
Стр. 7
стр. 7
Стр. 8
стр. 8