ГОСТ Р 71334-2024
Структуры эпитаксиальные. Метод измерения толщины эпитаксиальных слоев кремния в структурах типа кремний на сапфире на основе инфракрасной интерференции
8 страниц
Распространяется на эпитаксиальные структуры, применяемые для изготовления изделий электронной компонентной базы, и устанавливает метод интерференции для измерения толщины эпитаксиальных слоев в структурах кремний на сапфире (КНС)
| Дата введения | 01.03.2025 |
|---|---|
| Актуализация | 01.06.2025 |
Этот ГОСТ находится в:
- Раздел Общероссийский классификатор стандартов
- Раздел Телекоммуникации.аудио-и видеотехника
- Раздел Радиосвязь
- Раздел Телекоммуникации.аудио-и видеотехника
Epitaxial structures. Мethod for measuring the thickness of epitaxial silicon layers in structures of the silicon-on-sapphire type based on IR interference
стр. 1
стр. 2
стр. 3
стр. 4
стр. 5
стр. 6
стр. 7
стр. 8