Стр. 1  

12 страниц

Распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые туннельные полупроводниковые диоды (далее – диоды) и устанавливает состав параметров и типовых характеристик, подлежащих включению в технические условия или стандарты на диоды конкретных типов при их разработке или пересмотре. Стандарт не распространяется на обращенные туннельные сверхвысокочастотные диоды, применяемые в качестве смесительных и детекторных диодов. Стандарт следует применять для выбора параметров при разработке технических заданий на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы, программ испытаний опытных образцов. Настоящий стандарт предназначен для применения предприятиями, организациями и другими субъектами научно-хозяйственной деятельности независимо от форм собственности и подчинения, а также федеральными органами исполнительной власти Российской Федерации, участвующими в разработке, производстве, эксплуатации диодов в соответствии с действующим законодательством

 Скачать PDF

 
Дата введения 01.03.2024
Актуализация 01.06.2024

Этот ГОСТ находится в:

Semiconductor tunnel diodes. Parameter system

Стр. 1
стр. 1
Стр. 2
стр. 2
Стр. 3
стр. 3
Стр. 4
стр. 4
Стр. 5
стр. 5
Стр. 6
стр. 6
Стр. 7
стр. 7
Стр. 8
стр. 8
Стр. 9
стр. 9
Стр. 10
стр. 10
Стр. 11
стр. 11
Стр. 12
стр. 12