ЧННИСГГГГПЮ ЮСТИЦИИ POfOlIh ЮИ ♦РДТРЛИИИ
ЗАРЕГИСТРИРОВАНО
Регис грационный.Vs от cj
МИНИСТЕРСТВО ТРУДА И СОЦИАЛЬНОЙ ЗАЩИ1 ы РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
ПРИКАЗ
Москва
Об утверждении профессионального стандарта «Специалист в области разработки полупроводниковых лазеров»
В соответствии с пунктом 22 Правил разработки, утверждения и применения профессиональных стандартов, утвержденных постановлением Правительства Российской Федерации от 22 января 2013 г. №23 (Собрание законодательства Российской Федерации, 2013, № 4, ст. 293), приказываю:
Утвердить прилагаемый профессиональный стандарт «Специалист в области разработки полупроводниковых лазеров».
М.А. Топилин
УТВЕРЖДЕН приказом Министерства труда и социальной защиты Российской Федерации от «у^» 2014 г.
ПРОФЕССИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ
Специалист в области разработки полупроводниковых лазеров
176
Регистрационный номер
I. Общие сведения
Разработка полупроводниковых лазеров__
(наименование вила профессиональной летельности)
Основная цель вида профессиональной деятельности:
Разработка новых моделей полупроводниковых лазеров с улучшенными характеристиками, обеспечение выполнения комплекса мероприятий от формирования технического задания до организационно-технического сопровождения серийного производства_____
Группа занятий: |
1222 |
Руководители специализированных (производственно-эксплуатационных) подразделений (служб) в промышленности |
2113 |
Химики |
2111 |
Физики и астрономы |
2146 |
Химики-технологи, технологи топлива, изделий текстильной и легкой промышленности, продуктов питания |
|
(кодОКЗ1) (наименование) (кодОКЗ) (наименование) |
Отнесение к видам экономической деятельности:
32.10.51 (Производство полупроводниковых элементов, приборов, включая
1__[фоточувствительные и оптоэлектронные
73.10 jНаучные исследования и разработки в области естественных и технических наук
(код ОКВЭД1) (наименование вида экономической деятельности)
2
II. Описание трудовых функций, входящих в профессиональный
стандарт (функциональная карта вида профессиональной деятельности)
код |
Обобщенные трудов», наименование |
»с функции
уровень
квалификации |
Трудовые фу икни
наименование |
и
код |
уровень
(подуровень)
квалификации |
Л |
конструкции и технологии изготовления новой модели
полупроводникового
лазера |
7 |
Анализ существующих технических решений для реализации параметров разрабатываемой модели полупроводникового лазера |
А/01.7 |
—=7--- |
Организация проведения расчетов для определения необходимых требований к параметрам гсгсроструктуры и конструкции излучающего элемента полупроводникового лдчера |
А/02.7 |
7 |
Разработка технологического маршрута изготовления новой модели полупроводникового |
АЛ3.7 |
7 |
Организация разработки исходных данных для оформления конструкторской документации на новую модель полупроводникового лазера |
АЛИ.7 |
-з- |
Подготовка исходных данных для оформления документации по патентной защите интеллектуальной собственности |
АЛ)5.7 |
7 |
В |
Организация контроля параметров и испытаний новой модели
полупроводникового
лазера |
7 |
организации программы метрологического обеспечения, программы и методики испытаний |
IV01.7 |
7 |
Разработка технических условий на новую модель полупроводникового лазера и другой документации, п ре дуем отрс иных техническим '.ШДДМИСМ |
1V02.7 |
7 |
3 |
|
|
|
Организация разработай и изготовления оснастеи
для проведения измерений и испытаний разрабатываемых полупроводниковых лазеров |
В/03.7 |
7 |
Координация выполнения контрагентами заявок на материалы, комплектующие и оборудование, необходимых для проведения испытаний |
В/04.7 |
7 |
Организация проведения испытаний разработанного полупроводникового лазера на соответствие требованиям технического задания |
B/0S.7 |
7 |
с |
Подготовка производства для выпуска новой модели
полупроводникового
лазера |
7 |
Определение перечня оборудования и оснастки. необходимых для производства новой модели полупроводникового лазера |
001.7 |
7 |
Организация рабочих мест, необходимых для выполнения работ по контролю параметров и испытаний разрабатываемой новой модели полупроводникового лазера |
G02.7 |
7 |
Организация юготовлеиия опытной партии разработанной новой модели полупроводникового лазера |
003.7 |
7 |
Проведение испытаний опытных образцов полупроводникового лазера на соответствие требованиям технического задания |
004.7 |
7 |
I) |
Организационно-
техническое
сопровождение
серийного
производства новой
модели
полупроводникового
лазера |
7 |
Согласование методов контроля параметров разработанной модели полупроводникового лазера с учетом условий его серийного производства в организации-изготовителе |
D/01.7 |
7 |
Согласование методики входного контроля при поставке полупроводниковых лазеров заказчику |
D/02.7 |
7 |
Подготовка исходных данных, необходимых для оформления рекламных и информационных сообщений о разработанном изделии |
D/03.7 |
7 |
Корректировка технической документации с целью устранения недостатков, выявленных в процессе производства и эксплуатации изделий |
D/04.7 |
7 |
|
4 |
|
|
|
Согласование решений do корректировке
технологических процессов для повышения выхода годных изделий |
D/05.7 |
7 |
|
|
|
Проведение в составе комиссии типовых испытаний, подтверждающих правильность внесенных конструктивных и технологических |
D/06.7 |
7 |
E |
Подготовка проекта по созданию новой модели |
8 |
Уточнение условий и режимов эксплуатации, конструктивных особенностей разрабатываемой модели полупроводникового лазера |
Е/01.8 |
8 |
|
полупроводникового
лазера |
|
Согласование с заказчиком технического задания (технических требований) к новой разрабатываемой модели полупроводникового лазера и объема разрабатываемой докумагтации |
Е/02.8 |
8 |
|
|
|
Определение с заказчиком перечня организаций-соисполнителей (оргаиизаций-контрагентов) |
ЬД»ЗЛ |
8 |
|
|
|
Разработка со службами организации организационных и технических мероприятий, необходимых для выполнения проекта |
ЕЛМ.8 |
8 |
|
|
Подготовка и принятие распорядительного акта о начале реализации проекта по созданию новой |
Е/05.8 |
8 |
|
5
III. Характеристика обобщенных трудовых функций 3.1. Обобщенная трудовая функция |
|
Разработка конструкции и технологии |
|
|
Уровень
квалификации |
|
Наименование |
изготовления новой модели полупроводникового лазера |
Код |
А |
7 |
|
|
Происхождение обобщенной трудовой функции |
! Оригинал X |
Заимствовано из оригинала |
|
1 |
|
|
Код |
Регистрационный |
|
|
оригинала |
номер |
|
профессионального |
стандарта |
Возможные |
Начальник лаборатории |
наименования |
Начальник группы |
должностей |
Ведущий инженер-конструктор |
|
Требования к образованию и обучению |
Высшее образование - специалитет, магистратура Дополнительные профессиональные программы - программы повышения квалификации, программы профессиональной перепод1'отовки |
Требования к опыту практической работы |
Опыт практической работы не менее пяти лет в должности конструктора научно-исследовательских профильных организаций |
Особые условия допуска к работе |
Прохождение обязательных предварительных (при поступлении на работу) и периодических медицинских осмотров (обследований), а также внеочередных медицинских осмотров (обследований) в порядке, установленном законодательством Российской Федерации3 |
Дополнительные характеристики |
Наименование документа |
Код |
Наименование базовой группы, должности (профессии) или специальности |
ОКЗ |
2111 |
Физики и астрономы |
2113 |
Химики |
2146 |
Химики-технологи, технологи топлива, изделий текстильной и легкой промышленности, продуктов питания |
ЕКС* |
|
Заведующий (начальник) научно-исследовательским отделом (лабораторией) учреждения; заведующий (начальник) научно-исследовательским сектором (лабораторией), входящим в состав научно-исследовательского отдела (отделения, лаборатории) института |
ОКСО3 |
210105 |
Электронные приборы и устройства |
|
Анализ существующих технических решений для реализации параметров разрабатываемой модели полупроводникового лазера________
Происхождение трудовой функции
Заимствовано из оригинала
Рсгисфационный
номер
профессионального
стандарта
Составление плана поиска различных типов лазеров с характеристиками близкими к характеристикам разрабатываемого полупроводникового лазера
Проведение поиска лазеров с близкими характеристиками в литературе и в других современных источниках информации согласно составленному плану
Определение по результатам анализа литературных данных и других источников информации конструкции и технологии изготовления разрабатываемого полупроводникового лазера Работать с техническими текстами
Соотносить найденные технические решения с возможностями существующей технологии
Физика полупроводниковых лазеров, твердые растворы полупроводниковых соединений, конструкции оптических резонаторов полупроводниковых лазеров
Технологии приборов квантовой электроники и фотоники на основе наногетероструктур...............
Процессы выращивания гетероструктур, методы формирования активного элемента с помощью фотолитографии, химического, ионноплазменного и ионного травления, нанесения диэлектрических
; покрытий______
Технический английский язык
3.1.2. Трудовая функция |
'Организация проведения расчетов для [определения необходимых требований к |
|
|
Уровень |
|
Наименование |параметрам гетероструктуры и
конструкции излучающего элемента ■полупроводникового лазера |
Код |
А/02.7 |
(подуровень)
квалификации |
7 |
|
Происхождение трудовой функции |
Оригинал X |
Заимствовано из оригинала |
|
|
|
|
Код |
Регистрационный |
|
|
|
оригинала |
номер
профессионального |
|
|
|
|
стандарта |
|
Трудовые действия |
должно быть проведено моделирование характеристик излучения разрабатываемого полупроводникового лазера
7 |
Организация разработки математической про1раммы и компьютерное ; |
1 |
моделирование |
|
Определение по результатам расчетов требований к : полупроводниковой гстсросгруктуре и конструкции излучающего ; элемента лазера, необходимых для реализации проекта |
Необходимые умения
| |
Поставить задачу и сформулировать исходные данные для проведения j необходимых расчетов |
I |
Анализировать и применять результаты теоретических расчетов с [ учетом технологических особенностей формирования |
1
i |
Использовать разработанные пакеты программного математического обеспечения для проведения расчетов и компьютерного моделирования i |
|
Выявлять зависимости между параметрами излучения разрабатываемого полупроводникового лазера и особенностями конструкции лазерной гетероструктуры и оптического резонатора |
Необходимые знания |
Влияние конструктивных и технологических факторов на • излучательные характеристики полупроводниковых лазеров |
|
Конструкции лазерных гетсроструктур и активных (излучающих) | элементов полупроводниковых лазеров
Оптические характеристики полупроводниковых материалов, распространение света в диэлектрических волноводах и методы расчета волноводных лазерных структур |
|
Возможности процессов выращивания гетсроструктур, методы формирования активного элемента, особенности режимов нанесения диэлектрических отражающих и просветляющих покрытий |
Другие характеристики |
- |
|
3.1.3. Трудовая функция |
Наименование |
Разработка технологического маршрута изготовления новой модели |
Код |
А/03.7 |
Уровень
(подуровень) |
7 |
|
полупроводникового лазера |
|
|
квалификации |
|
|
11роисхождение трудовой функции |
Оригинал X |
Заимствовано из оригинала |
|
|
|
|
|
Код |
Регистрационный |
|
|
|
оригинала |
номер |
|
профессионального
стандарта |
Трудовые действия 'Анализ возможности реализации расчетных параметров в различных j |вариантах конструкции разрабатываемого полупроводникового лазера i Разработка совместно с технологами технологического маршрута I
изготовления лазера_______ !
!Внесение предложений о разработке новых технологических процессов ; Внесение предложений о необходимости приобретения или разработки |
нового оборудования___
I ______________ |Согласование сроков разработки новых технологичсских операций ____j
[ Необходимые умения Ставить задачу и формулировать исходные данные для разработки | I_____[технологического маршрута___ J
8 |
Формулировать требования к технологическим операциям, определяющим основные параметры разрабатываемого ; полупроводникового лазера с учетом возможностей существующего , оборудования и технологической оснастки
Определять время и ресурсы, необходимые для разработки технологического маршрута изготовления новой модели ; полупроводникового лазера |
Необходимые знания
1 |
Основные технологические операции изготовления полупроводникового лазера |
Возможности существующего в организации оборудования |
Требования по учету драгметаллов, предъявляемые к разрабатываемой документации |
Требования по электробезопасности и пожаробезопасности для используемых технологических операций |
|
Документы системы менеджмента качества |
Другие характеристики |
-— . j |
|
Регистрационны й номер профессионального стандарта
3.1.4. Трудовая функция |
Наименование |
Организация разработки исходных данных для оформления конструкторской документации на |
Код |
А/04.7 |
Уровень
(подуровень) |
7 |
|
новую модель полупроводникового лазера |
|
|
квалификации |
|
|
Происхождение трудовой функции
Оригинал X
Заимствовано из оригинала |
Организация взаимодействия с подразделсниями-соисполнителями, разработка частных технических заданий и исходных данных, необходимых для оформления конструкторской документации на
разрабатываемый полупроводниковый лазер__
Согласование разработанной конструкторской документации с технологами с учетом особенностей технологического маршрута изготовления полупроводникового лазера
Согласование конструкторской документации с заказчиком_
Формулировать требования к деталям изделия, гстсроструктурам,
покрытиям, присоединительным размерам__________
Обосновывать требования к конструкции разрабатываемого полупроводникового лазера с учетом возможностей технологического
маршрута и требований технического задания _______________
Определять время и ресурсы, необходимые для выполнения работы Единая система конструкторской документации, единая система
технологической документации_
Стандарты организации, регламентирующие порядок проведения
новых проектов__
Документы системы менеджмента качества__
Требования по учету драгметаллов, предъявляемые к разрабатываемой ___ДОКУМСДТВШШ___
Друше характеристики j -
3.1.5. Трудовая функция |
Наименование |
Подготовка исходных данных для оформления документации по |
Код |
А/05.7 |
Уровень
(подуровень) |
7 |
|
патентной защите интеллектуальной |
квалификации |
|
|
собственности |
|
|
|
|
Происхождение трудовой функции |
Оригинал X |
Заимствовано ю оригинала |
|
|
|
|
|
Код
оригинала |
Регистрационный
помер |
|
профессионального
стандарта |
| Проведение патентного поиска с целью определения уже ;запатентованных схем реализации лазера данного тина
; Трудовые действия
Анализ материалов конференций, совещаний и презентаций, выявление ;проблем, связанных с разрабатываемой моделью полупроводникового лазера
Представление перечня результатов научно-технической и интеллектуальной деятельности и утверждение у заказчика Оформление документов на получение патента по результатам теоретических и экспериментальных исследований Проводить анализ патентной чистоты разрабатываемых объектов
интеллектуальной собственности __________
На профессиональном уровне излагать результаты, полученные в ходе
1 выполнения проекта___Формулировать новизну полученных результатов"
Теория полупроводниковых лазеров, технология приборов квантовой электроники и фотоники на основе наногетероструктур Экспериментальные и теоретические результаты исследований и разработок в области полупроводниковых лазеров, опубликованные в
[литературе_
Технический английский язык ____
Методология патентных исследований
Современная нормативно-правовая база патентных исследований _[Содержание и этапы проведения патентных исследований
Использовать существующие компьютерные текстовые и графические программы для оформления полученных результатов
i Другие характеристики | -