Купить ГОСТ 27299-87 — бумажный документ с голограммой и синими печатями. подробнее
Распространяем нормативную документацию с 1999 года. Пробиваем чеки, платим налоги, принимаем к оплате все законные формы платежей без дополнительных процентов. Наши клиенты защищены Законом. ООО "ЦНТИ Нормоконтроль"
Наши цены ниже, чем в других местах, потому что мы работаем напрямую с поставщиками документов.
Устанавливает термины, определения и буквенные обозначения параметров полупроводниковых излучателей, оптопар, оптоэлектронных переключателей логических сигналов, оптоэлектронных коммутаторов аналогового сигнала и оптоэлектронных коммутаторов нагрузки.
Переиздание
Параметры полупроводниковых излучателей
Параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Алфавитный указатель терминов на русском языке
Алфавитный указатель терминов на английском языке
Дата введения | 01.07.1988 |
---|---|
Добавлен в базу | 01.09.2013 |
Актуализация | 01.01.2021 |
23.04.1987 | Утвержден | Госстандарт СССР | 1383 |
---|
Чтобы бесплатно скачать этот документ в формате PDF, поддержите наш сайт и нажмите кнопку:
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ Термины, определения и буквенные обозначения параметров Semiconductor
optoelectronic devices. |
ГОСТ |
Дата введения 01.07.88
Настоящий стандарт устанавливает термины, определения и буквенные обозначения параметров полупроводниковых излучателей, оптопар, оптоэлектронных переключателей логических сигналов, оптоэлектронных коммутаторов аналогового сигнала и оптоэлектронных коммутаторов нагрузки.
Термины и буквенные обозначения, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу действия стандартизации или использующих результаты этой деятельности.
1. Стандартизованные термины, буквенные обозначения и определения приведены в табл. 1.
2. Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов-синонимов стандартизованного термина не допускается. Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в табл. 1 в качестве справочных и обозначены пометой «Ндп».
2.1. Для отдельных стандартизованных терминов в табл. 1 приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования.
2.2. Приведенные определения можно при необходимости изменять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем и содержание понятий, определенных в настоящем стандарте.
2.3. В случаях, когда в термине содержатся все необходимые и достаточные признаки понятия, определение не приведено и в графе «Определение» поставлен прочерк.
2.4. В табл. 1 в качестве справочных приведены иноязычные эквиваленты для ряда стандартизованных терминов на английском языке.
3. Алфавитные указатели содержащихся в стандарте терминов на русском и английском языках приведены в табл. 2 и 3.
4. Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма - светлым, а недопустимые синонимы - курсивом.
Таблица 1
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
||
отечественное |
международное |
|||
ПАРАМЕТРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗЛУЧАТЕЛЕЙ |
||||
1. Поток излучения Radiant flux |
Фе[P] |
Фе |
По ГОСТ 7601 |
|
2. Мощность излучения полупроводникового излучателя Мощность излучения Radiant power |
Ре |
Ре |
Суммарный поток излучения на выходе полупроводникового излучателя |
|
3. Сила излучения Radiant intensity |
Ie |
Ie |
По ГОСТ 7601 |
|
4. Энергетическая яркость Radiance |
Le |
Le |
По ГОСТ 7601 |
|
5. Диаграмма направленности излучения полупроводникового излучателя Диаграмма направленности излучения Radiation diagram |
- |
- |
Диаграмма, характеризующая пространственное распределение излучения от полупроводникового излучателя относительно его оптической оси |
|
6. Угол излучения полупроводникового излучателя Угол излучения Half-intensity beam |
Θ |
Θe |
Плоский угол, содержащий оптическую ось полупроводникового излучателя и образованный направлениями, в которых сила излучения больше или равна половине ее максимального значения |
|
7. Длина волны максимума излучения полупроводникового излучателя Длина волны излучения Peak emission wavelength |
λmax |
λp |
Длина волны, соответствующая максимуму спектральной плотности потока излучения полупроводникового излучателя |
|
8. Ширина спектра излучения полупроводникового излучателя Ширина спектра Spectral radiation bandwidth |
Δλ0,5 |
Δλ |
Интервал длин волн, в котором спектральная плотность мощности излучения больше или равна половине ее максимального значения |
|
9. Длительность импульса излучения полупроводникового излучателя Длительность импульса излучения |
tимп |
- |
Интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя больше или равна половине ее максимального значения |
|
10. Оптическая ось полупроводникового излучателя Оптическая ось Optical axis |
- |
- |
Линия, по отношению к которой отцентрирована диаграмма направленности полупроводникового излучателя |
|
11. Геометрическая ось полупроводникового излучателя Геометрическая ось Mechanical axis |
- |
- |
Воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя |
|
12. Угол расхождения Squinting angle |
σ |
σ |
Угол между оптической и геометрической осями полупроводникового излучателя |
|
13. Постоянный прямой ток полупроводникового излучателя Постоянный прямой ток Continuous (direct) forward current |
Iпр |
IF |
Значение постоянного тока, протекающего через полупроводниковый излучатель в прямом направлении |
|
14. Импульсный прямой ток полупроводникового излучателя Импульсный прямой ток Peak forward current |
Iпр.и |
IFM |
Наибольшее мгновенное значение прямого тока, протекающего через полупроводниковый излучатель, при заданной скважности и длительности импульса |
|
15. Средний прямой ток полупроводникового излучателя Средний прямой ток Average forward current |
Iпр.ср |
IF(AV) |
Среднее за период значение прямого тока, протекающего через полупроводниковый излучатель |
|
16. Постоянный обратный ток полупроводникового излучателя Постоянный обратный ток Reverse continuous current |
Iобр |
IR |
Значение постоянного тока, протекающего через полупроводниковый излучатель в обратном направлении при заданном обратном напряжении |
|
17. Постоянное прямое напряжение полупроводникового излучателя Постоянное прямое напряжение Continuous (direct) forward voltage |
Uпр |
UF |
Значение постоянного напряжения на полупроводниковом излучателе при заданном постоянном прямом токе |
|
18. Импульсное прямое напряжение полупроводникового излучателя Импульсное прямое напряжение Maximum peak forward voltage |
Uпр.и |
UFM |
Наибольшее мгновенное значение прямого напряжения на полупроводниковом излучателе при заданном импульсном прямом токе |
|
19. Постоянное обратное напряжение полупроводникового излучателя Постоянное обратное напряжение Reverse continuous voltage |
Uобр |
UR |
Значение постоянного напряжения, приложенного к полупроводниковому излучателю в обратном направлении |
|
20. Импульсное обратное напряжение полупроводникового излучателя Импульсное обратное напряжение Peak reverse voltage |
Uобр.и |
- |
Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения на полупроводниковом излучателе |
|
21. Напряжение пробоя полупроводникового излучателя Напряжение пробоя Breakdown voltage |
Uпроб |
U(BR) |
Значение обратного напряжения, вызывающего пробой перехода, при котором обратный ток через полупроводниковый излучатель превышает заданное значение |
|
22. Общая емкость полупроводникового излучателя Общая емкость Total capacitance |
C |
Ctot |
Значение емкости между выводами полупроводникового излучателя при заданных напряжении смещения и частоте |
|
23. Емкость перехода полупроводникового излучателя Емкость перехода |
Cпер |
Cj |
Значение емкости между выводами полупроводникового излучателя без емкости корпуса при заданных напряжении смещения и частоте |
|
24. Динамическое сопротивление полупроводникового излучателя Динамическое сопротивление Dynamic resistance |
Rдин |
RD |
Значение сопротивления, определяемое по наклону прямой, аппроксимирующей вольт-амперную характеристику полупроводникового излучателя при заданном прямом токе |
|
25. Средняя рассеиваемая мощность полупроводникового излучателя Средняя рассеиваемая мощность Average power dissipation |
Pрас.ср |
PAV |
Среднее за период значение мощности, рассеиваемой полупроводниковым излучателем при протекании тока в прямом и обратном направлениях |
|
26. Импульсная рассеиваемая мощность полупроводникового излучателя Импульсная рассеиваемая мощность Maximum peak power |
Ррас.и |
PМ |
Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой полупроводниковым излучателем при подаче импульсов с заданной длительностью и скважностью |
|
27. Время нарастания импульса излучения полупроводникового излучателя Время нарастания импульса Rise time |
tнр.из |
tr |
Интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 10 до 90 % своего максимального значения |
|
28. Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя Время спада импульса Fall time |
tсп.из |
tf |
Интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения |
|
29. Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя Время задержки при включении Turn-on delay time |
tзд.из |
td |
Интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов |
|
30. Световой поток Luminous flux |
Фv |
Фv |
По ГОСТ 7601 |
|
31. Тепловое сопротивление полупроводникового излучателя Тепловое сопротивление Total thermal resistance |
Rпер-кор |
Rth-ja |
Отношение разности эффективной температуры перехода и температуры контрольной точки на корпусе полупроводникового излучателя к рассеиваемой мощности излучателя в установившемся режиме |
|
32. Температурный коэффициент прямого напряжения полупроводникового излучателя Температурный коэффициент прямого напряжения Forward voltage temperature coefficient |
αUпр |
αUF |
Отношение относительного изменения прямого напряжения полупроводникового излучателя к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды |
|
ПАРАМЕТРЫ ОПТОПАР, ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ КОММУТАТОРОВ И ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЕЙ |
||||
33. Входное напряжение оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя) Входное напряжение Input voltage |
Uвх |
UI |
Значение напряжения на входе оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя) в заданном режиме. Примечание. Здесь и далее в каждом конкретном случае в буквенное обозначение добавляется соответствующий индекс: опт, ком, пер |
|
34. Напряжение изоляции оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя) Напряжение изоляции Ндп. Напряжение развязки |
Uиз |
UIO |
Значение напряжения, приложенного между входом и выходом оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя), при котором обеспечивается ее электрическая прочность |
|
35. Постоянное напряжение изоляции оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя) Постоянное напряжение изоляции |
- |
- |
- |
|
36. Повторяющееся импульсное напряжение изоляции оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя) Повторяющееся импульсное напряжение изоляции Repetitive peak isolation voltage |
Uиз.и.п |
UIORM |
Напряжение изоляции оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя) с заданной длительностью и частотой повторения импульсов |
|
37. Неповторяющееся импульсное напряжение изоляции оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя) Неповторяющееся импульсное напряжение изоляции Non-repetitive peak isolation voltage |
Uиз.и.нп |
UIOSM |
- |
|
38. Входной ток оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя) Входной ток Input current |
Iвх |
II, IF |
Значение тока, протекающего во входной цепи оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя) |
|
39. Импульсный входной ток оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя) Импульсный входной ток Input maximum current |
Iвх.и |
IM, IFM |
Наибольшее мгновенное значение тока, протекающего во входной цепи оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя), при котором обеспечиваются заданные параметры |
|
40. Сопротивление изоляции оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя) Сопротивление изоляции Ндп. Сопротивление развязки Isolation resistance between input and output |
Rиз |
rIO |
Значение активного сопротивления между входом и выходом оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя) |
|
41. Проходная емкость оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя) Проходная емкость Input-to-output capacitance |
Спр |
СIO |
Значение емкости между входом и выходом оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя) |
|
42. Критическая скорость изменения напряжения изоляции оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя) Критическая скорость изменения напряжения изоляции |
dUиз dt |
- |
Наибольшее значение скорости изменения напряжения изоляции, при которой не происходит срабатывания оптопары (оптоэлектронного коммутатора, оптоэлектронного переключателя) |
|
43. Выходное остаточное напряжение оптопары (оптоэлектронного коммутатора) Выходное остаточное напряжение Output rest voltage |
Uвых.ост |
UOO |
Значение напряжения на выходе оптопары (оптоэлектронного коммутатора) в открытом состоянии |
|
44. Коммутируемое напряжение оптопары (оптоэлектронного коммутатора) Коммутируемое напряжение |
Uком |
- |
Значение напряжения, подключаемого к нагрузке оптопары (оптоэлектронного коммутатора) выходным ключевым элементом |
|
45. Ток утечки на выходе оптопары (оптоэлектронного коммутатора) Ток утечки Leakage current |
Iут.вых |
Is |
Значение тока, протекающего в выходной цепи оптопары (оптоэлектронного коммутатора) в заданном режиме в закрытом состоянии |
|
46. Время задержки оптопары (оптоэлектронного коммутатора) Время задержки Delay time |
tзд |
td |
Интервал времени между 10 % значения входного сигнала и 10 % значения выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренными по фронту импульсов |
|
47. Время нарастания выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора) Время нарастания Rise time |
tнр |
tr |
Интервал времени, в течение которого выходной сигнал оптопары (оптоэлектронного коммутатора) изменяется от 10 до 90 % своего максимального значения |
|
48. Время включения оптопары (оптоэлектронного коммутатора) Время включения Turn-on time |
tвкл |
ton |
Интервал времени, равный сумме времени задержки и времени нарастания выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренный между 10 % значения входного сигнала и 90 % значения выходного сигнала |
|
49. Время спада выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора) Время спада Fall time |
tсп |
tf |
Интервал времени, в течение которого выходной сигнал оптопары (оптоэлектронного коммутатора) изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения |
|
50. Время сохранения оптопары (оптоэлектронного коммутатора) Время сохранения Storage time |
tсохр |
ts |
Интервал времени между 90 % значения входного сигнала и 90 % выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренными по спаду импульсов |
|
51. Время выключения оптопары (оптоэлектронного коммутатора) Время выключения Turn-off time |
tвыкл |
toff |
Интервал времени, равный сумме времени сохранения и времени спада выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренный между 90 % значения входного сигнала и 10 % значения выходного сигнала |
|
52. Обратное входное напряжение оптопары Обратное входное напряжение Input reverse voltage |
Uвх.обр |
UIR |
Значение напряжения на входе оптопары, приложенное в обратном направлении |
|
53. Обратное выходное напряжение оптопары Обратное выходное напряжение Output reverse voltage |
Uвых.обр |
- |
Наибольшее значение напряжения, приложенного в обратном направлении к выходу оптопары в закрытом состоянии фотоприемного элемента |
|
54. Фотоэлектродвижущая сила диодной оптопары Фото-э.д.с. |
Uф |
- |
Электродвижущая сила на выходе диодной оптопары в вентильном режиме работы фотоприемного элемента при заданном входном токе |
|
55. Прямое выходное напряжение в закрытом состоянии тиристорной оптопары Прямое выходное напряжение в закрытом состоянии |
Iвых.закр |
- |
Значение напряжения на выходе тиристорной оптопары, находящейся в закрытом состоянии |
|
56. Ток включения тиристорной оптопары Ток включения Turn-on current |
Iвкл |
Iоп |
Входной ток тиристорной оптопары, обеспечивающий включение фотоприемного элемента |
|
57. Ток выключения тиристорной оптопары Ток выключения Turn-off current |
Iвыкл |
Ioff |
Входной ток тиристорной оптопары, обеспечивающий выключение фотоприемного элемента |
|
58. Ток удержания тиристорной оптопары Ток удержания Holding current |
Iуд |
- |
Наименьшее значение тока, протекающего в выходной цепи тиристорной оптопары, необходимого для поддержания фотоприемного элемента в открытом состоянии при входном токе, равном нулю |
|
59. Выходной ток оптопары Выходной ток Output current |
Iвых |
IO, IR |
Значение тока, протекающего в цепи нагрузки оптопары в заданном режиме |
|
60. Импульсный выходной ток оптопары Импульсный выходной ток Output maximum peak current |
Iвых.и |
- |
Наибольшее мгновенное значение выходного тока оптопары |
|
61. Темновое выходное сопротивление резисторной оптопары Темновое сопротивление Dark resistance |
Rвых.т |
Ro |
Значение сопротивления фотоприемного элемента при отсутствии воздействия на него потока излучения |
|
62. Световое выходное сопротивление резисторной оптопары Световое сопротивление Resistance under illumination |
Rвых.св |
RE, RH |
Значение сопротивления фотоприемного элемента при воздействии на него потока излучения заданного значения |
|
63. Коэффициент передачи по току оптопары Коэффициент передачи по току Current transfer ratio |
KI |
CTR |
Отношение разности выходного тока и тока утечки на выходе оптопары к вызвавшему его входному току |
|
64. Рассеиваемая мощность оптопары Рассеиваемая мощность |
Pрас |
- |
Наибольшее значение мощности, которую способна рассеять оптопара в заданном режиме при длительной работе |
|
65. Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристорной оптопары Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии Rate of rise of state voltage |
|
- |
Скорость нарастания выходного напряжения, которое не вызывает переключения фотоприемного элемента тиристорной оптопары из закрытого состояния в открытое при входном токе, равном нулю |
|
66. Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристорной оптопары Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии |
|
- |
Наибольшая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристорной оптопары |
|
67. Критическая скорость нарастания коммутируемого напряжения тиристорной оптопары Критическая скорость нарастания коммутируемого напряжения |
|
- |
Наибольшая скорость нарастания коммутируемого напряжения тиристорной оптопары, которое непосредственно после нагрузки током в противоположном направлении не вызывает переключения фотоприемного элемента из закрытого состояния в открытое |
|
68. Время выключения тиристорной оптопары |
tвыкл.т |
- |
Наименьший интервал времени между моментом, когда выходной ток тиристорной оптопары понизится до нулевого значения, и моментом, в который подача прямого выходного напряжения в закрытом состоянии с заданной скоростью нарастания не приводит к переключению фотоприемного элемента из закрытого состояния в открытое |
|
69. Коммутируемый ток оптоэлектронного коммутатора Коммутируемый ток Commutation current |
Iком |
- |
Значение тока, протекающего в выходной цепи оптоэлектронного коммутатора в открытом состоянии |
|
70. Выходное сопротивление в открытом состоянии оптоэлектронного коммутатора Выходное сопротивление в открытом состоянии |
Rотк |
- |
- |
|
71. Выходная емкость оптоэлектронного переключателя Выходная емкость Output capacitance |
Свых |
СO |
Значение емкости между выходными выводами оптоэлектронного переключателя в заданном режиме |
|
72. Выходное напряжение высокого уровня оптоэлектронного переключателя Выходное напряжение высокого уровня High-level output voltage |
U1вы. |
UOH |
- |
|
73. Выходное напряжение низкого уровня оптоэлектронного переключателя Выходное напряжение низкого уровня Low-level output voltage |
U 0вых |
UOL |
- |
|
74. Напряжение питания оптоэлектронного переключателя Напряжение питания Supply voltage |
Uп |
UСС |
Значение напряжения источника питания, обеспечивающего работу оптоэлектронного переключателя в заданном режиме |
|
75. Выходной ток высокого уровня оптоэлектронного переключателя Выходной ток высокого уровня High-level output current |
I1вы. |
IOH |
Значение выходного тока при выходном напряжении высокого уровня оптоэлектронного переключателя |
|
76. Выходной ток низкого уровня оптоэлектронного переключателя Выходной ток низкого уровня Low-level output current |
I 0вых |
IOL |
Значение выходного тока при выходном напряжении низкого уровня оптоэлектронного переключателя |
|
77. Пороговый входной ток высокого уровня оптоэлектронного переключателя Пороговый входной ток высокого уровня High-level threshold input current |
I1пор |
IН(ТО) |
Наименьшее значение входного тока высокого уровня оптоэлектронного переключателя, при котором происходит переход из одного устойчивого состояния в другое |
|
78. Пороговый входной ток низкого уровня оптоэлектронного переключателя Пороговый входной ток низкого уровня Low-level threshold input current |
I0пор |
IL(ТО) |
Наибольшее значение входного тока низкого уровня оптоэлектронного переключателя, при котором происходит переход из одного устойчивого состояния в другое |
|
79. Ток потребления при высоком уровне выходного напряжения оптоэлектронного переключателя Current consumption at high-level of output voltage |
I1пот |
ICCH |
Значение тока, потребляемого оптоэлектронным переключателем от источника питания при выходном напряжении высокого уровня |
|
80. Ток потребления при низком уровне выходного напряжения оптоэлектронного переключателя Current consumption at low-level of output voltage |
I0пот |
ICCL |
Значение тока, потребляемого оптоэлектронным переключателем от источника питания при выходном напряжении низкого уровня |
|
81. Динамический ток потребления оптоэлектронного переключателя Динамический ток потребления |
Iпот.дин |
- |
Значение тока, потребляемого оптоэлектронным переключателем от источника питания в режиме переключения |
|
82. Емкость нагрузки оптоэлектронного переключателя Емкость нагрузки Capacitance of load |
Cн |
- |
Значение суммарной емкости внешних цепей, подключенных к выходу оптоэлектронного переключателя |
|
83. Время задержки включения оптоэлектронного переключателя Время задержки включения Turn-on delay time |
t1и0зд |
tDHL |
Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе оптоэлектронного переключателя от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровне 0,1 или на заданных значениях напряжения |
|
84. Время задержки выключения оптоэлектронного переключателя Время задержки выключения Turn-off delay time |
t0и1зд |
tDLH |
Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе оптоэлектронного переключателя от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровне 0,9 или на заданных значениях напряжения |
|
85. Время задержки распространения сигнала при включении оптоэлектронного переключателя Время задержки распространения сигнала при включении Propagation delay time high to low output |
t1и0зд.р |
tPHL |
Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе оптоэлектронного переключателя от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровне 0,5 или на заданных значениях напряжения |
|
86. Время задержки распространения сигнала при выключении оптоэлектронного переключателя Время задержки распространения сигнала при выключении |
t0,1зд.р |
tPLH |
Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе оптоэлектронного переключателя от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровне 0,5 или на заданных значениях напряжения |
|
87. Время перехода при включении оптоэлектронного переключателя Время перехода при включении Turn-on transition time |
t1,0 |
tTHL |
Интервал времени, в течение которого напряжение на выходе оптоэлектронного переключателя переходит от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровнях 0,1 и 0,9 или на заданных значениях напряжения |
|
88. Время перехода при выключении оптоэлектронного переключателя Время перехода при выключении Turn-off transition time |
t0,1 |
tTLH |
Интервал времени, в течение которого напряжение на выходе оптоэлектронного переключателя переходит от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровнях 0,1 и 0,9 или на заданных значениях напряжения |
|
89. Коэффициент разветвления по выходу оптоэлектронного переключателя Коэффициент разветвления Fan-out |
N |
N |
Число единичных нагрузок, которые можно одновременно подключать к выходу оптоэлектронного переключателя |
|
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ
Таблица 2
Термин |
Номер термина |
Время включения |
48 |
Время включения оптопары |
48 |
Время включения оптоэлектронного коммутатора |
48 |
Время выключения |
51 |
Время выключения оптопары |
51 |
Время выключения оптоэлектронного коммутатора |
51 |
Время выключения тиристорной оптопары |
68 |
Время задержки |
46 |
Время задержки включения |
83 |
Время задержки включения оптоэлектронного переключателя |
83 |
Время задержки выключения |
84 |
Время задержки выключения оптоэлектронного переключателя |
84 |
Время задержки оптопары |
46 |
Время задержки оптоэлектронного коммутатора |
46 |
Время задержки при включении |
29 |
Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя |
29 |
Время задержки распространения сигнала при включении |
85 |
Время задержки распространения сигнала при включении оптоэлектронного переключателя |
85 |
Время задержки распространения сигнала при выключении |
86 |
Время задержки распространения сигнала при выключении оптоэлектронного переключателя |
86 |
Время нарастания |
47 |
Время нарастания выходного сигнала оптопары |
47 |
Время нарастания выходного сигнала оптоэлектронного коммутатора |
47 |
Время нарастания импульса |
27 |
Время нарастания импульса излучения полупроводникового излучателя |
27 |
Время перехода при включении |
87 |
Время перехода при включении оптоэлектронного переключателя |
87 |
Время перехода при выключении |
88 |
Время перехода при выключении оптоэлектронного переключателя |
88 |
Время сохранения |
50 |
Время сохранения оптопары |
50 |
Время сохранения оптоэлектронного коммутатора |
50 |
Время спада |
49 |
Время спада выходного сигнала оптопары |
49 |
Время спада выходного сигнала оптоэлектронного коммутатора |
49 |
Время спада импульса |
28 |
Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя |
28 |
Диаграмма направленности излучения |
5 |
Диаграмма направленности излучения полупроводникового излучателя |
5 |
Длина волны излучения |
7 |
Длина волны максимума излучения полупроводникового излучателя |
7 |
Длительность импульса излучения |
9 |
Длительность импульса излучения полупроводникового излучателя |
9 |
Емкость выходная |
71 |
Емкость общая |
22 |
Емкость оптоэлектронного переключателя выходная |
71 |
Емкость нагрузки |
82 |
Емкость нагрузки оптоэлектронного переключателя |
82 |
Емкость оптопары проходная |
41 |
Емкость оптоэлектронного коммутатора проходная |
41 |
Емкость оптоэлектронного переключателя проходная |
41 |
Емкость перехода |
23 |
Емкость перехода полупроводникового излучателя |
23 |
Емкость полупроводникового излучателя общая |
22 |
Емкость проходная |
41 |
Коэффициент передачи по току |
63 |
Коэффициент передачи по току оптопары |
63 |
Коэффициент прямого напряжения температурный |
32 |
Коэффициент прямого напряжения полупроводникового излучателя температурный |
32 |
Коэффициент разветвления |
89 |
Коэффициент разветвления по выходу оптоэлектронного переключателя |
89 |
Мощность излучения |
2 |
Мощность излучения полупроводникового излучателя |
2 |
Мощность оптопары рассеиваемая |
64 |
Мощность полупроводникового излучателя рассеиваемая импульсная |
26 |
Мощность полупроводникового излучателя рассеиваемая средняя |
25 |
Мощность рассеиваемая |
64 |
Мощность рассеиваемая импульсная |
26 |
Мощность рассеиваемая средняя |
25 |
Напряжение в закрытом состоянии выходное прямое |
55 |
Напряжение в закрытом состоянии тиристорной оптопары выходное прямое |
55 |
Напряжение входное |
33 |
Напряжение входное обратное |
52 |
Напряжение высокого уровня выходное |
72 |
Напряжение высокого уровня оптоэлектронного переключателя выходное |
72 |
Напряжение выходное обратное |
53 |
Напряжение изоляции |
34 |
Напряжение изоляции импульсное неповторяющееся |
37 |
Напряжение изоляции импульсное повторяющееся |
36 |
Напряжение изоляции оптопары |
34 |
Напряжение изоляции оптопары импульсное неповторяющееся |
37 |
Напряжение изоляции оптопары импульсное повторяющееся |
36 |
Напряжение изоляции оптопары постоянное |
35 |
Напряжение изоляции оптоэлектронного коммутатора |
34 |
Напряжение изоляции оптоэлектронного коммутатора импульсное неповторяющееся |
37 |
Напряжение изоляции оптоэлектронного коммутатора импульсное повторяющееся |
36 |
Напряжение изоляции оптоэлектронного коммутатора постоянное |
35 |
Напряжение изоляции оптоэлектронного переключателя |
34 |
Напряжение изоляции оптоэлектронного переключателя импульсное неповторяющееся |
37 |
Напряжение изоляции оптоэлектронного переключателя импульсное повторяющееся |
36 |
Напряжение изоляции оптоэлектронного переключателя постоянное |
35 |
Напряжение изоляции постоянное |
35 |
Напряжение коммутируемое |
44 |
Напряжение низкого уровня выходное |
73 |
Напряжение низкого уровня оптоэлектронного переключателя выходное |
73 |
Напряжение обратное импульсное |
20 |
Напряжение обратное постоянное |
19 |
Напряжение оптопары входное |
33 |
Напряжение оптопары входное обратное |
52 |
Напряжение оптопары выходное обратное |
53 |
Напряжение оптопары коммутируемое |
44 |
Напряжение оптопары остаточное выходное |
43 |
Напряжение оптоэлектронного коммутатора входное |
33 |
Напряжение оптоэлектронного коммутатора коммутируемое |
44 |
Напряжение оптоэлектронного коммутатора остаточное выходное |
43 |
Напряжение оптоэлектронного переключателя входное |
33 |
Напряжение остаточное выходное |
43 |
Напряжение питания |
74 |
Напряжение питания оптоэлектронного переключателя |
74 |
Напряжение полупроводникового излучателя обратное импульсное |
20 |
Напряжение полупроводникового излучателя обратное постоянное |
19 |
Напряжение полупроводникового излучателя прямое импульсное |
18 |
Напряжение полупроводникового излучателя прямое постоянное |
17 |
Напряжение пробоя |
21 |
Напряжение пробоя полупроводникового излучателя |
21 |
Напряжение прямое импульсное |
18 |
Напряжение прямое постоянное |
17 |
Напряжение развязки |
34 |
Ось геометрическая |
11 |
Ось оптическая |
10 |
Ось полупроводникового излучателя геометрическая |
11 |
Ось полупроводникового излучателя оптическая |
10 |
Поток излучения |
1 |
Поток световой |
30 |
Сила диодной оптопары фотоэлектродвижущая |
54 |
Сила излучения |
3 |
Скорость изменения напряжения изоляции критическая |
42 |
Скорость изменения напряжения изоляции оптопары критическая |
42 |
Скорость изменения напряжения изоляции оптоэлектронного коммутатора критическая |
42 |
Скорость изменения напряжения изоляции оптоэлектронного переключателя критическая |
42 |
Скорость нарастания коммутируемого напряжения критическая |
67 |
Скорость нарастания коммутируемого напряжения тиристорной оптопары критическая |
67 |
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии |
65 |
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии критическая |
66 |
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристорной оптопары |
65 |
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристорной оптопары критическая |
66 |
Сопротивление в открытом состоянии выходное |
70 |
Сопротивление в открытом состоянии оптоэлектронного коммутатора выходное |
70 |
Сопротивление динамическое |
24 |
Сопротивление изоляции |
40 |
Сопротивление изоляции оптопары |
40 |
Сопротивление изоляции оптоэлектронного коммутатора |
40 |
Сопротивление изоляции оптоэлектронного переключателя |
40 |
Сопротивление полупроводникового излучателя динамическое |
24 |
Сопротивление полупроводникового излучателя тепловое |
31 |
Сопротивление развязки |
40 |
Сопротивление резисторной оптопары выходное световое |
62 |
Сопротивление резисторной оптопары выходное темновое |
61 |
Сопротивление световое |
62 |
Сопротивление темновое |
61 |
Сопротивление тепловое |
31 |
Ток включения |
56 |
Ток включения тиристорной оптопары |
56 |
Ток входной |
38 |
Ток входной импульсный |
39 |
Ток выключения |
57 |
Ток выключения тиристорной оптопары |
57 |
Ток высокого уровня входной пороговый |
77 |
Ток высокого уровня оптоэлектронного переключателя входной пороговый |
77 |
Ток высокого уровня выходной |
75 |
Ток высокого уровня оптоэлектронного переключателя выходной |
75 |
Ток выходной |
59 |
Ток выходной импульсный |
60 |
Ток коммутируемый |
69 |
Ток низкого уровня входной пороговый |
78 |
Ток низкого уровня выходной |
76 |
Ток низкого уровня оптоэлектронного переключателя входной пороговый |
78 |
Ток низкого уровня оптоэлектронного переключателя выходной |
76 |
Ток обратный постоянный |
16 |
Ток оптопары входной |
38 |
Ток оптопары входной импульсный |
39 |
Ток оптопары выходной |
59 |
Ток оптопары выходной импульсный |
60 |
Ток оптоэлектронного коммутатора входной |
38 |
Ток оптоэлектронного коммутатора входной импульсный |
39 |
Ток оптоэлектронного коммутатора коммутируемый |
69 |
Ток оптоэлектронного переключателя входной |
38 |
Ток оптоэлектронного переключателя входной импульсный |
39 |
Ток полупроводникового излучателя обратный постоянный |
16 |
Ток полупроводникового излучателя прямой импульсный |
14 |
Ток полупроводникового излучателя прямой постоянный |
13 |
Ток полупроводникового излучателя прямой средний |
15 |
Ток потребления динамический |
81 |
Ток потребления оптоэлектронного переключателя динамический |
81 |
Ток потребления при высоком уровне выходного напряжения оптоэлектронного переключателя |
79 |
Ток потребления при низком уровне выходного напряжения оптоэлектронного переключателя |
80 |
Ток прямой импульсный |
14 |
Ток прямой постоянный |
13 |
Ток прямой средний |
15 |
Ток удержания |
58 |
Ток удержания тиристорной оптопары |
58 |
Ток утечки |
45 |
Ток утечки на выходе оптопары |
45 |
Ток утечки на выходе оптоэлектронного коммутатора |
45 |
Угол излучения |
6 |
Угол излучения полупроводникового излучателя |
6 |
Угол расхождения |
12 |
Фото-э.д.с. |
54 |
Ширина спектра |
8 |
Ширина спектра излучения полупроводникового излучателя |
8 |
Яркость энергетическая |
4 |
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ
Таблица 3
Термин |
Номер термина |
Average forward current |
15 |
Average power dissipation |
25 |
Breakdown voltage |
21 |
Capacitance of load |
82 |
Commutation current |
69 |
Continuous (direct) forward current |
13 |
Continuous (direct) forward voltage |
17 |
Current consumption at high-level of output voltage |
79 |
Current consumption at low-level of output voltage |
80 |
Current transfer ratio |
63 |
Dark resistance |
61 |
Delay time |
46 |
Dynamic resistance |
24 |
Fall time |
28, 49 |
Fan-out |
89 |
Forward voltage temperature coefficient |
32 |
Half-intensity beam |
6 |
High-level output current |
75 |
High-level output voltage |
72 |
High-level threshold input current |
77 |
Holding current |
58 |
Input current |
38 |
Input maximum current |
39 |
Input reverse voltage |
52 |
Input-to-output capacitance |
41 |
Input voltage |
33 |
Isolation resistance between input and output |
40 |
Leakage current |
45 |
Low-level output current |
76 |
Low-level output voltage |
73 |
Low-level threshold input current |
78 |
Luminous flux |
30 |
Maximum peak forward voltage |
18 |
Maximum peak power |
26 |
Mechanical axis |
11 |
Non-repetitive peak isolation voltage |
37 |
Optical axis |
10 |
Output capacitance |
71 |
Output current |
59 |
Output maximum peak current |
60 |
Output rest voltage |
43 |
Output reverse voltage |
53 |
Peak emission wavelength |
7 |
Peak forward current |
14 |
Peak reverse voltage |
20 |
Propagation delay time high to low output |
85 |
Radiance |
4 |
Radiant flux |
1 |
Radiant intensity |
3 |
Radiant power |
2 |
Radiation diagram |
5 |
Rate of rise of state voltage |
65 |
Repetitive peak isolation voltage |
36 |
Resistance under illumination |
62 |
Reverse continuous current |
16 |
Reverse continuous voltage |
19 |
Rise time |
27, 47 |
Spectral radiation bandwidth |
8 |
Squinting angle |
12 |
Storage time |
50 |
Supply voltage |
74 |
Total capacitance |
22 |
Total thermal resistance |
31 |
Turn-off current |
57 |
Turn-off delay time |
84 |
Turn-off time |
51 |
Turn-off transition time |
88 |
Turn-on current |
56 |
Turn-on delay time |
29, 83 |
Turn-on time |
48 |
Turn-on transition time |
87 |
ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ
1. РАЗРАБОТЧИКИ:
В.Н. Алмазова (руководитель темы), Ж.А. Крайтман
2. УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 23.04.87 № 1383
3. Срок первой проверки 1998 г. Периодичность проверки 10 лет
4. Стандарт соответствует СТ СЭВ 3787-82 в части разд. 1 и 3
5. ВЗАМЕН ГОСТ 22274-80, ГОСТ 23562-79, ГОСТ 24403-80
6. ССЫЛОЧНЫЕ НОРМАТИВНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ДОКУМЕНТЫ
Обозначение НТД, на который дана ссылка |
Номер пункта |
1 |
7. ПЕРЕИЗДАНИЕ