Купить ГОСТ 20003-74 — бумажный документ с голограммой и синими печатями. подробнее
Распространяем нормативную документацию с 1999 года. Пробиваем чеки, платим налоги, принимаем к оплате все законные формы платежей без дополнительных процентов. Наши клиенты защищены Законом. ООО "ЦНТИ Нормоконтроль"
Наши цены ниже, чем в других местах, потому что мы работаем напрямую с поставщиками документов.
Устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров биполярных транзисторов.
Ограничение срока действия снято: Постановление Госстандарта № 1641 от 22.06.78
Дата введения | 01.07.1975 |
---|---|
Добавлен в базу | 01.09.2013 |
Актуализация | 01.01.2021 |
29.07.1974 | Утвержден | Госстандарт СССР | 1799 |
---|---|---|---|
Издан | Издательство стандартов | 1986 г. | |
Издан | Стандартинформ | 2005 г. |
Чтобы бесплатно скачать этот документ в формате PDF, поддержите наш сайт и нажмите кнопку:
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
ТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯРНЫЕ Термины, определения и буквенные обозначения параметров Bipolar transistors. Terms, definitions and parameter symbols |
ГОСТ |
Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 29 июля 1974 г. № 1799 дата введения установлена
01.07.75
Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров биполярных транзисторов.
Термины и отечественные буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе.
Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации на биполярные транзисторы, предназначенные для экспортных поставок.
Стандарт полностью соответствует СТ СЭВ 2770-80.
Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов-синонимов стандартизованного термина запрещается.
Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в стандарте в качестве справочных и обозначены «Ндп».
Установленные определения можно, при необходимости, изменять по форме изложения, не допуская нарушения границ понятия.
В случае, когда необходимые и достаточные признаки понятия содержатся в буквенном значении термина, определение не приведено, и, соответственно, в графе «Определение» поставлен прочерк.
В стандарте в качестве справочных для ряда стандартизованных терминов приведены иностранные эквиваленты на немецком (Д), английском (Е) и французском (F) языках.
В стандарте приведены алфавитные указатели содержащихся в нем терминов на русском языке и их иностранных эквивалентов.
Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, недопустимые термины - курсивом.
Когда встречаются одинаковые параметры для биполярного транзистора и другого полупроводникового прибора, в буквенное обозначение параметра следует добавлять дополнительный индекс, уточняющий принадлежность параметра к данному полупроводниковому прибору. Например, время включения стабилитрона tвкл.ст; время включения биполярного транзистора tвкл.б.т; время включения полевого транзистора tвкл.п.т.
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
|
отечественное |
международное |
||
1. Обратный ток коллектора D. Kollektorreststrom (bei offenem Emitter) E. Collector cut-off current F. Courant résiduel du collecteur |
IКБО |
IСВО |
Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера |
2. Обратный ток эмиттера D. Emitterreststrom (bei offenem Kollektor) E. Emitter cut-off current F. Courant résiduel de l’émetteur |
IЭБО |
IЕВО |
Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора |
3. Обратный ток коллектор-эмиттер Ндп. Начальный ток коллектора Ток коллектора закрытого транзистора D. Kollektor- Emitter- Reststrom E. Collector-emitter cut-off current F. Courant résiduel du collecteur-émetteur |
|
- |
Ток в цепи коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектора-эмиттер |
1 При разомкнутом выводе базы IКЭО, IСЕO; при коротко замкнутых выводах эмиттера и базы IКЭК, ICES; при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер IКЭR, ICER; при заданном обратном напряжении эмиттер-база Iкэх, IСЕХ. |
|||
4. Обратный ток базы D. Basis-Emitter-Reststrom E. Base cut-off current F. Courant résiduel de la base |
IБЭХ |
IВЕХ |
Ток в цепи вывода базы при заданных обратных напряжениях коллектор-эмиттер и эмиттер-база |
5. Критический ток биполярного транзистора |
Iкр |
|
Значение тока коллектора, при достижении которого значение fгр (|h21э|) падает на 3 дБ по отношению к его максимальному значению при заданном напряжении коллектор-эмиттер |
6. Граничное напряжение биполярного транзистора Ндп. Напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы и заданном токе эмиттера |
UКЭОгр |
U(L)CEO |
Напряжение между выводами коллектора и эмиттера при токе базы, равном нулю, и заданном токе эмиттера |
7. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер D. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung E. Saturation collector-emitter voltage F. Tension de saturation collecteur-émetteur |
UКЭнас |
UCЕsat |
Напряжение между выводами коллектора и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора |
8. Напряжение насыщения база-эмиттер D. Basis-Emitter-Sättigungsspannung E. Saturation baseemitter voltage F. Tension de saturation base-émetteur |
UБЭнас |
UВЕsat |
Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора |
9. Плавающее напряжение эмиттер-база E. Floating emitter-base voltage F. Tension flottante émetteur-base |
UЭБпл |
UЕВfl |
Напряжение между выводами эмиттера и базы при заданном обратном напряжении коллектор-база и при токе эмиттера, равном нулю |
10. Напряжение смыкания биполярного транзистора E. Punch-through (penetration) voltage F. Tension de pénétration (tension de persage) |
Ucмк |
Upt |
Обратное напряжение коллектор-база, при котором начинается линейное возрастание напряжения на разомкнутых выводах эмиттера и базы при увеличении напряжения коллектор-база |
11. Пробивное напряжение эмиттер-база D. Emitter-Basis-Durchbruchspannung E. Breakdown emitter-base voltage F. Tension de claquage émetteur-base |
UЭБОпроб |
U(BR)ЕВО |
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами эмиттера и базы, при заданном обратном токе эмиттера и токе коллектора, равном нулю |
12. Пробивное напряжение коллектор-база D. Kollektor-Basis-Durchbruchspannung E. Breakdown collector-base voltage F. Tension de claquage collecteur-base |
UКБОпроб |
U(BR)СВО |
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и базы, при заданном обратном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю |
13. Пробивное напряжение коллектор-эмиттер D. Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung (bei vorgegebenen Bedingungen) E. Breakdown collector-emitter voltage F. Tension de claquage collecteur-émetteur |
|
- |
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и эмиттера при заданном токе коллектора |
1 При токе базы, равном нулю, UКЭОпроб, U(BR)СВО; при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер, UКЭRпроб, U(BR)СER; при коротком замыкании в цепи база-эмиттер UКЭКпроб, U(BR)СES; при заданном обратном напряжении база-эмиттер UКЭXпроб, U(BR)СEX. |
|||
14. Входное сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Kleinsignaleingangswiderstand E. Small-signal value of the short-circuit input impedance F. Valeur de l’impédance d’entrée, sortie en court-circuit pour de petits signaux |
h*11 |
h11 |
Отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания по переменному току на выходе транзистора |
15. Коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Kleinsignalspannungsrückwirkung E. Small-signal value of the open-circuit reverse voltage transfer ratio F. Valeur du rapport de transfert inverse de la tension, entrée en circuit ouvert de petits signaux |
h*12 |
h12 |
Отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению напряжения на выходе в режиме холостого хода во входной цепи по переменному току |
16. Коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Kleinsignalstromverstärkung E. Small-signal value of the short-circuit forward current transfer ratio F. Valeur du rapport de transfert direct du courant, sortie en court-circuit pour de petits signaux |
h*21 |
h21 |
Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания выходной цепи по переменному току |
17. Модуль коэффициента передачи тока биполярного транзистора на высокой частоте D. Betrag der Kurzschlussstromverstärkung in Emitterschaltung bei HF E. Modulus of the short-circuit forward current transfer ratio F. Module du rapport de transfert direct du courant |
|h21э| |
|h21е| |
Модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала на высокой частоте |
18. Выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Kleinsignalausgangsleitwert E. Small-signal value of the open-circuit output admittance F. Valeur de l’admittance de sortie, entrée en circuit ouvert pour de petits signaux |
h*22 |
h22 |
Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению выходного напряжения в режиме холостого хода входной цепи по переменному току |
19. Входное сопротивление биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером в режиме большого сигнала E. Static value of the input resistance F. Valeur statique de la résistance d’entrée |
h11Э |
h11Е |
Отношение напряжения на входе транзистора к входному току при заданном постоянном обратном напряжении коллектор-эмиттер в схеме с общим эмиттером |
20. Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора D. Gleichstromverstärkung in Emitterschaltung E. Static value of the forward current transfer ratio F. Valeur statique du rapport de transfert direct du courant |
h21Э |
h21Е |
Отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданных постоянном обратном напряжении коллектор-эмиттер и токе эмиттера в схеме с общим эмиттером |
21. Входная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Komplexer Kleinsignaleingangsleitwert E. Small-signal value of the short-circuit input admittance F. Valeur de l’admittance d’entrée, sortie en court-circuit pour de petits signaux |
y*11 |
y11 |
Отношение изменений комплексных величин входного тока к вызванному им изменению напряжения на входе при коротком замыкании по переменному току на выходе |
22. Полная проводимость обратной передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Komplexer Kleinsignalrückwirkungsleitwert E. Small-signal value of the short-circuit reverse transfer admittance F. Valeur de l’admittance de transfert inverse, entrée en court-circuit pour de petits signaux |
y*12 |
y12 |
Отношение изменений комплексных величин входного тока к вызвавшему его изменению напряжения на выходе при коротком замыкании по переменному току на входе |
23. Полная проводимость прямой передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Komplexer Kleinsignalübertragungsleitwert vorwärts E. Small-signal value of the short-circuit forward transfer admittance F. Valeur de l’admittance de transfert direct, sortie en court-circuit pour de petits signaux |
y*21 |
y21 |
Отношение изменений комплексных величин выходного тока к вызвавшему его изменению напряжения на входе при коротком замыкании по переменному току на выходе |
24. Модуль полной проводимости прямой передачи биполярного транзистора D. Betrag des Übertragungsleitwerts vorwärts E. Modulus of the short-circuit forward transfer admittance F. Module de l’admittance de transfert direct |
|y21э| |
|y21е| |
Модуль полной проводимости прямой передачи в схеме с общим эмиттером |
25. Выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Komplexer Kleinsignalausgangsleitwert E. Small-signal value of the short-circuit output admittance F. Valeur de l’admittance de sortie, entrée en court-circuit pour de petits signaux |
y*22 |
y22 |
Отношение изменений комплексных величин выходного тока к вызванному им изменению выходного напряжения при коротком замыкании по переменному току на входе |
26. Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером Ндп. Статическая крутизна передаточной характеристики. Статическая крутизна характеристики D. Statische Vorwärtssteilheit in Emitterschaltung E. Static value of the forward transconductance F. Pente statique de transfert direct |
y21Э |
y21Е |
Отношение постоянного тока коллектора к постоянному напряжению база-эмиттер при заданном напряжении коллектор-эмиттер |
27. Входная емкость биполярного транзистора D. Eingangskapazität E. Input capacitance F. Capacité d’entrée |
С*11 |
С11 |
Емкость, измеренная на входе транзистора при коротком замыкании по переменному току на выходе в режиме малого сигнала |
28. Выходная емкость биполярного транзистора D. Ausgangskapazität E. Output capacitance F. Capacité de sortie |
С*22 |
С22 |
Емкость, измеренная на выходе транзистора, при разомкнутом входе по переменному току в режиме малого сигнала |
28a. Емкость обратной связи биполярного транзистора D. Rückwirkungskapazität E. Feedback capacitance F. Capacité de couplage à réaction |
С*12 |
С*12 |
Емкость биполярного транзистора, измеренная между входным и выходным выводами при коротком замыкании по переменному току на входе в режиме малого сигнала |
29. Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора D. Grenzfrequenz der Stromverstärkung E. Cut-off frequency F. Fréquence de conpure |
fh21 |
fh21 |
Частота, на которой модуль коэффициента передачи тока падает на 3 дБ по сравнению с его низкочастотным значением |
30. Граничная частота коэффициента передачи тока D. Übergangsfrequenz der Stromverstärkung (Transitfrequenz) E. Transition frequency F. Fréquence de transition |
fгр |
fт |
Частота, при которой модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером экстраполируется к единице. Примечание. Частота, равная произведению модуля коэффициента передачи тока на частоту измерения, которая находится в диапазоне частот, где справедлив закон изменения модуля коэффициента передачи тока 6 дБ на октаву |
31. Максимальная частота генерации биполярного транзистора E. Maximum frequency of oscillation F. Fréquence maximale d’oscillation |
fmax |
fmax |
Наибольшая частота, при которой транзистор способен генерировать в схеме автогенератора |
32. Коэффициент шума биполярного транзистора D. Rauschzahl E. Noise figure F. Facteur de bruit |
Kш |
F |
Отношение мощности шумов на выходе транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала |
32а. Минимальный коэффициент шума биполярного транзистора D. Minimale Rauschzahl E. Minimal noise figure F. Facteur de bruit minimum |
Kшmin |
Fmin |
Значение коэффициента шума биполярного транзистора в условиях настройки входной и выходной цепей, соответствующей наименьшему значению коэффициента шума |
32б. Эквивалентное напряжение шума биполярного транзистора D. Äquivalente Rauschspannung E. Equivalent noise voltage F. Tension de bruit équivalente |
Uш |
Un |
Напряжение шума идеального источника эквивалентного напряжения, включенного последовательно с выводом базы и выводом эмиттера и характеризующего шум биполярного транзистора, который считается бесшумным |
33. Коэффициент насыщения биполярного транзистора Ндп. Степень насыщения E. Saturation coefficient F. Coefficient de saturation |
Кнас |
Кsat |
Отношение тока базы в режиме насыщения к току базы на границе насыщения |
34. Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора D. Leistungsverstärkung E. Power gain F. Gain en puissance |
КyP |
GP |
Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме включения |
34a. Оптимальный коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора D. Optimale Leistungsverstärkung E. Optimal power gain F. Gain de puissance optimum |
КyPonm |
GPopt |
Значение коэффициента усиления на мощности биполярного транзистора в условиях настройки входной и выходной цепей, соответствующее минимальному коэффициенту шума |
35. Коэффициент полезного действия коллектора D. Kollektorwirkungsgrad E. Collector efficiency F. Efficacité du collocteur |
ηK |
ηC |
Отношение выходной мощности транзистора к мощности, потребляемой от источника коллекторного питания |
36. Время задержки для биполярного транзистора D. Verzögerungszeit E. Delay time F. Retard à la croissance |
tзд |
td |
Интервал времени между моментом нарастания фронта входного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды, и моментом нарастания фронта выходного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды |
37. Время нарастания для биполярного транзистора D. Anstiegszeit E. Rise time F. Temps de croissance |
tнр |
tr |
Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10 % его амплитуды, до значения, соответствующего 90 % его амплитуды |
38. Время рассасывания для биполярного транзистора D. Speicherzeit E. Carrier storage time F. Retard à la décroissance |
tрас |
ts |
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня |
39. Время спада для биполярного транзистора D. Abfallzeit E. Fall time F. Temps de décroissance |
tсп |
tf |
Интервал времени между моментами спада среза выходного импульса от значения, соответствующего 90 % его амплитуды, до значения, соответствующего 10 % его амплитуды |
40. Время включения биполярного транзистора D. Einschaltzeit E. Turn-on time F. Temps total d'établissement |
tвкл |
ton |
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания |
41. Время выключения биполярного транзистора D. Ausschaltzeit E. Turn-off time F. Temps total de coupure |
tвыкл |
toff |
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает значения, соответствующего 10 % его амплитудного значения |
42. Сопротивление базы биполярного транзистора D. Basisbahnwiderstand E. Base intrinsic resistance F. Résistance intrinséque de base |
r'K |
r'bb |
Сопротивление между выводом базы и переходом база-эмиттер |
43. Емкость эмиттерного перехода D. Kapazität der Emittersperrschicht E. Emitter capacitance F. Capacité émetteur |
Cэ |
Cе |
Емкость между выводами эмиттера и базы транзистора при заданных обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутой коллекторной цепи |
44. Емкость коллекторного перехода D. Kapazität der Kollektorsperrschicht E. Collector capacitance F. Capacité collecteur |
Cк |
Cс |
Емкость между выводами базы и коллектора транзистора при заданных обратном напряжении коллектор-база и разомкнутой эмиттерной цепи |
45. Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте биполярного транзистора D. HF-Rückwirkungszeitkonstante E. Collector-base time constant |
ts |
tc |
Произведение сопротивления базы на активную емкость коллекторного перехода |
46. Коэффициент отражения входной цепи биполярного транзистора D. Eingangsreflexionsfaktor |
S*11 |
S*11 |
Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на входе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению |
47. Коэффициент обратной передачи напряжения D. Spannungsübertragungsfaktor rückwärts |
S*12 |
S*12 |
Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны на входе к падающей волне на выходе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению |
48. Коэффициент прямой передачи напряжения D. Spannungsübertragungsfaktor vorwätrs |
S*21 |
S*21 |
Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны на выходе и падающей волны на входе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению |
49. Коэффициент отражения выходной цепи биполярного транзистора D. Ausgangsreflexionsfaktor |
S*22 |
S*22 |
Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на выходе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению |
50. Постоянный ток коллектора D. Kollektorgleichstrom E. Collector (d.с.) current F. Courant continu de collecteur |
IK |
IC |
Постоянный ток, протекающий через коллекторный переход |
51. Постоянный ток эмиттера D. Emittergleichstrom E. Emitter (d.c.) current F. Courant continu d’emetteur |
IЭ |
IЕ |
Постоянный ток, протекающий через эмиттерный переход |
52. Постоянный ток базы D. Basisgleichstrom E. Base (d.c.) current F. Courant continu de base |
IБ |
IВ |
Постоянный ток, протекающий через базовый вывод |
53. Постоянный ток коллектора в режиме насыщения E. Saturation collector current F. Courant de saturation collecteur |
IKнас |
ICsat |
- |
54. Постоянный ток базы в режиме насыщения E. Saturation base current F. Courant de saturation base |
IБнас |
IBsat |
- |
55. Импульсный ток коллектора |
IK,и |
- |
Импульсное значение тока коллектора при заданной скважности и длительности пульса |
56. Импульсный ток эмиттера |
IЭ,и |
- |
Импульсное значение тока эмиттера при заданной скважности и длительности импульса |
57. Постоянное напряжение эмиттер-база D. Emitter-Basis-Spannung E. Emitter-base (d.с.) voltage F. Tension continue émetteur-base |
U1ЭБ |
U1ЕБ |
Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы |
58. Постоянное напряжение коллектор-база D. Kollektor-Basis-Spannung E. Collector-base (d.c.) voltage F. Tension continue collecteur-base |
U2КБ |
U2СВ |
Постоянное напряжение между выводами коллектора и базы |
59. Постоянное напряжение коллектор-эмиттер D. Kollektor-Emitter-Spannung (bei vorgegebenen Bedingungen) E. Collector-emitter (d.c.) voltage F. Tension continue collecteur-émetteur |
U3КЭ |
U3СЕ |
Постоянное напряжение между выводами коллектора и эмиттера |
1 При заданном обратном токе эмиттера в токе коллектора, равном нулю, UЭБ0, UEB0. 2 При заданном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю, UКБ0, UCB0. 3 При заданном токе коллектора и токе базы, равном нулю, Uкэо, UСЕО; при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер, UKЭR, UCЕR. при заданном токе коллектора и коротком замыкании в цепи база-эмиттер, UкэК, UCЕS; при заданном токе коллектора в заданном обратном напряжении эмиттер-база UКЭХ, UCЕX. |
|||
60. Выходная мощность биполярного транзистора D. Ausgangsleistung E. Output power |
Рвых |
Рout |
Мощность, которую отдает транзистор в типовой схеме генератора (усилителя) на заданной частоте |
61. Постоянная рассеиваемая мощность биполярного транзистора D. Gesamtverlustleistung E. Total input power (d.c.) to all electrodes F. Puissance totale d’entrée (continúe) de toutes les electrodes |
Р |
Рtot |
Суммарное значение постоянной мощности, рассеиваемой в транзисторе |
62. Средняя рассеиваемая мощность биполярного транзистора D Mittlere Verlustleistung E. Total input power (average) to all electrodes F. Puissance totale d’entrée (moyenne) de toutes les électrodes |
Рср |
РAV |
Усредненное за период значение мощности, рассеиваемой в транзисторе |
63. Импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора D. Impulsverlustleistung E. Peak power dissipation F. Puissance dissipée de crète |
Ри |
РМ |
- |
64. Постоянная рассеиваемая мощность коллектора D. Gleichstrom Kollektorverlustleistung E. Collector (d.c.) power dissipation F. Puissance dissipée (continue) au collecteur |
РК |
РС |
Постоянное значение мощности, рассеиваемой на коллекторе транзистора |
65. Средняя рассеиваемая мощность коллектора D. Mittlere Kollektorverlustleistung E. Collector (average) power dissipation F. Ruissance dissipée (moyenne) au collecteur |
РК.ср |
Рс(AV) |
Усредненное за период значение мощности, рассеиваемой на коллекторе транзистора |
65a. Выходная мощность в пике огибающей биполярного транзистора Е Peak envelope power |
Рвых,п.о |
|
Мощность двухтонового сигнала в нагрузке биполярного транзистора, равная мощности однотонового, имеющего ту же амплитуду, что и двухтоновый сигнал в пике огибающей. Примечание. Под двухтоновым сигналом понимают сигнал, состоящий из двух синусоидальных сигналов равной амплитуды с разными частотами |
65б. Коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка биполярного транзистора Е Third order intermodulation products factor |
М3 |
|
Отношение наибольшей амплитуды напряжения комбинационной составляющей третьего порядка спектра выходного сигнала к амплитуде основного тона при подаче на вход биполярного транзистора двухтонового сигнала равных амплитуд |
65в. Коэффициент комбинационных составляющих пятого порядка биполярного транзистора Е Fifth order intermodulation products factor Термины, относящиеся к максимально допустимым параметрам** |
М5 |
|
Отношение наибольшей амплитуды напряжения комбинационной составляющей пятого порядка спектра выходного сигнала к амплитуде основного тона при подаче на вход биполярного транзистора двухтонового сигнала равных амплитуд |
66. Максимально допустимый постоянный ток коллектора D. Maximal zulässiger Kollektorgleichstrom E. Maximum collector (d.с.) current F. Courant continu de collecteur maximal |
IКmax |
IСmax |
- |
67. Максимально допустимый постоянный ток эмиттера D. Maximal zulässiger Emittergleichstrom E. Maximum emitter (d.c.) current F. Courant continu d’emetteur maximal |
IЭmax |
IЕmax |
- |
68. Максимально допустимый постоянный ток базы D. Maximal zulässiger Basisgleichstrom E. Maximum base (d.c.) current F. Courant continu de base maximal |
IБmax |
IВmax |
- |
69. Максимально допустимый импульсный ток коллектора D. Maximal zulässiger Kollektorimpulsstrom E. Maximum peak collector current F. Courant de crête de collecteur maximal |
IК,и max |
IСМmax |
- |
70. Максимально допустимый импульсный ток эмиттера D. Maximal zulässiger Emitterimpulsstrom E. Maximum peak emitter current F. Courant de crête d’emetteur maximal |
IЭ,и max |
IЕМmax |
- |
71. Максимально допустимый постоянный ток коллектора в режиме насыщения E. Maximum saturation collector current F. Courant de saturation collecteur maximal |
IК нас max |
IС sat max |
- |
72. Максимально допустимый постоянный ток базы в режиме насыщения E. Maximum saturation base current F. Courant de saturation base maximal |
IБ нас max |
IВ sat max |
- |
73. Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база D. Maximal zulässige Emitter-Basis-Gleichspannung E. Maximum emitter-base (d.c.) voltage F. Tension continue émetteur-base maximale |
IЭБ max |
IЕВ max |
- |
74. Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база D. Maximal zulässige Kollektor-Basic-Gleichspannung E. Maximum collector-base (d.c.) voltage F. Tension continue collecteur-base maximale |
UКБ max |
UСВ max |
- |
75. Максимально допустимое постоянное напряжение коллектора-эмиттер D. Maximal zulässige Kollektor-Emitter-Gleichspannung E. Maximum collector-emitter (d.c.) voltage F. Tension continue collecteur-émetteur maximale |
UКЭ max |
UСЕ max |
- |
76. Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер D. Maximal zulässige Kollektor-Emitter-Impulsspannung E. Maximum peak collector-emitter voltage F. Tension de crête collecteur-émetteur maximale |
UКЭ, и max |
UСЕМ max |
- |
77. Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база D. Maximal zulässige Kollektor-Basis-Impulsspannung E. Maximum peak collector-base voltage F. Tension de crête collector-base maximale |
UКБ, и max |
UСВМ max |
- |
78. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора D. Maximal zulässige Kollektorverlustleistung E. Maximum collector power dissipation (d.c.) F. Puissance dissipée au collecteur (continue) maximale |
РК max |
РC max |
- |
79. Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора E. Maximum collector power dissipation (average) F. Puissance dissipée au collecteur (moyenne) maximale |
РК, ср max |
- |
- |
80. Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора D. Maximal zulässige Impulsverlustleistung E. Maximum peak power dissipation F. Puissance dissipée de crête maximale |
Ри max |
РМ max |
- |
* В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно «б» или «э» для отечественных буквенных обозначений и «b» и «е» для международных обозначений.
** Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс «max».
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ
Время включения биполярного транзистора |
40 |
Время выключения биполярного транзистора |
41 |
Время задержки для биполярного транзистора |
36 |
Время нарастания для биполярного транзистора |
37 |
Время рассасывания для биполярного транзистора |
38 |
Время спада для биполярного транзистора |
39 |
Емкость биполярного транзистора входная |
27 |
Емкость биполярного транзистора выходная |
28 |
Емкость коллекторного перехода |
44 |
Емкость обратной связи биполярного транзистора |
28а |
Емкость эмиттерного перехода |
43 |
Коэффициент комбинационных составляющих пятого порядка биполярного транзистора |
65в |
Коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка биполярного транзистора |
65б |
Коэффициент насыщения биполярного транзистора |
33 |
Коэффициент обратной передачи напряжения |
47 |
Коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала |
15 |
Коэффициент отражения входной цепи биполярного транзистора |
46 |
Коэффициент отражения выходной цепи биполярного транзистора |
49 |
Коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала |
16 |
Коэффициент передачи тока биполярного транзистора статический |
20 |
Коэффициент полезного действия коллектора |
35 |
Коэффициент прямой передачи напряжения |
48 |
Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора |
34 |
Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора оптимальный |
34а |
Коэффициент шума биполярного транзистора |
32 |
Коэффициент шума биполярного транзистора минимальный |
32а |
Крутизна передаточной характеристики статическая |
26 |
Крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером статическая |
26 |
Крутизна характеристики статическая |
26 |
Модуль коэффициента передачи тока биполярного транзистора на высокой частоте |
17 |
Модуль полной проводимости прямой передачи биполярного транзистора |
24 |
Мощность биполярного транзистора выходная |
60 |
Мощность биполярного транзистора рассеиваемая импульсная |
63 |
Мощность биполярного транзистора рассеиваемая импульсная максимально допустимая |
80 |
Мощность биполярного транзистора рассеиваемая постоянная |
61 |
Мощность биполярного транзистора рассеиваемая средняя |
62 |
Мощность в пике огибающей биполярного транзистора выходная |
65а |
Мощность коллектора рассеиваемая постоянная |
64 |
Мощность коллектора рассеиваемая постоянная максимально допустимая |
78 |
Мощность коллектора рассеиваемая средняя |
65 |
Мощность коллектора рассеиваемая средняя максимально допустимая |
79 |
Напряжение биполярного транзистора граничное |
6 |
Напряжение коллектор-база импульсное максимально допустимое |
77 |
Напряжение коллектор-база постоянное |
58 |
Напряжение коллектор-база постоянное максимально допустимое |
74 |
Напряжение коллектор-база пробивное |
12 |
Напряжение коллектор-эмиттер импульсное максимально допустимое |
76 |
Напряжение коллектор-эмиттер постоянное |
59 |
Напряжение коллектор-эмиттер постоянное максимально допустимое |
75 |
Напряжение коллектор-эмиттер пробивное |
13 |
Напряжение насыщения база-эмиттер |
8 |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер |
7 |
Напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы и заданном токе эмиттера |
6 |
Напряжение смыкания биполярного транзистора |
10 |
Напряжение шума биполярного транзистора эквивалентное |
32б |
Напряжение эмиттер-база плавающее |
9 |
Напряжение эмиттер-база постоянное |
57 |
Напряжение эмиттер-база постоянное максимально допустимое |
73 |
Напряжение эмиттер-база пробивное |
11 |
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте биполярного транзистора |
45 |
Проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала полная входная |
21 |
Проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала полная выходная |
18, 25 |
Проводимость обратной передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала полная |
22 |
Проводимость прямой передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала полная |
23 |
Сопротивление базы биполярного транзистора |
42 |
Сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером входное |
19 |
Сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала входное |
14 |
Степень насыщения |
33 |
Ток базы обратный |
4 |
Ток базы постоянный |
52 |
Ток базы постоянный в режиме насыщения |
54 |
Ток базы постоянный в режиме насыщения максимально допустимый |
72 |
Ток базы постоянный максимально допустимый |
68 |
Ток биполярного транзистора критический |
5 |
Ток коллектора закрытого транзистора |
3 |
Ток коллектора импульсный |
55 |
Ток коллектора импульсный максимально допустимый |
69 |
Ток коллектора начальный |
3 |
Ток коллектора обратный |
1 |
Ток коллектора постоянный |
50 |
Ток коллектора постоянный в режиме насыщения |
53 |
Ток коллектора постоянный в режиме насыщения максимально допустимый |
71 |
Ток коллектора постоянный максимально допустимый |
66 |
Ток коллектор-эмиттер обратный |
3 |
Ток эмиттера импульсный |
56 |
Ток эмиттера импульсный максимально допустимый |
70 |
Ток эмиттера обратный |
2 |
Ток эмиттера постоянный |
51 |
Ток эмиттера постоянный максимально допустимый |
67 |
Частота генерации биполярного транзистора максимальная |
31 |
Частота коэффициента передачи тока граничная |
30 |
Частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора предельная |
29 |
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА НЕМЕЦКОМ ЯЗЫКЕ
Abfallzeit |
39 |
Anstiegszeit |
37 |
Aquivalente Rauschspannung |
32б |
Ausgangskapazität |
28 |
Ausgangsleistung |
60 |
Ausgangsreflexionsfaktor |
49 |
Ausschaltzeit |
41 |
Basisbahnwiderstand |
42 |
Basis-Emitter-Reststrom |
4 |
Basis-Emitter-Sättigungsspannung |
8 |
Basisgleichstrom |
52 |
Betrag der Kurzschlussstromverstärkung in Emitterschaltung bei HF |
17 |
Betrag des Übertragungsleitwertes vorwärts |
24 |
Eingangskapazität |
27 |
Eingangsreflexionsfaktor |
46 |
Einschaltzeit |
40 |
Emitter-Basis-Durchbruchspannung |
11 |
Emitter-Basis- Spannung |
57 |
Emittergleichstrom |
51 |
Emitterrestrom (bei offenem Kollektor) |
2 |
Gesamtverlustleistung |
61 |
Gleichstrom-Kollektorverlustleistung |
64 |
Gleichstromverstärkung in Emitterschaltung |
20 |
Grenzfrequenz der Stromverstärkung |
29 |
HF-Rückwirkungszeitkonstante |
45 |
Impulsverlustleistung |
63 |
Innerer Wärmewiderstand |
65а |
Kapazität der Emittersperrschicht |
43 |
Kapazität der Kollektorsperrschicht |
44 |
Kleinsignalausgangsleitwert |
18 |
Kleinsignaleingangswiderstand |
14 |
Kleinsignalspannungsrückwirkung |
15 |
Kleinsignalstromverstärkung |
16 |
Kollektor-Basis-Durchbrachspannung |
12 |
Kollektor-Basis-Spannung |
58 |
Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung (bei vorgegebenen Bedingungen) |
13 |
Kollektor-Emitter-Reststrom |
3 |
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung |
7 |
Kollektor-Emitter-Spannung (bei vorgegebenen Bedingungen) |
59 |
Kollektorgleichstrom |
50 |
Kollektorreststrom (bei offenen Emitter) |
1 |
Kollektorwirkungsgrad |
35 |
Komplexer Kleinsignalausgangsleitwert |
25 |
Komplexer Kleinsignaleingangsleitwert |
21 |
Komplexer Kleinsignalrückwirkwungsleitwert |
22 |
Komplexer Kleinsignalübertragungsleitwert vorwärts |
23 |
Leistungsverstärkung |
34 |
Maximal zulässige Emitter-Basis-Gleichspannung |
73 |
Maximal zulässige Impulsverlustleistung |
80 |
Maximal zulässige Kollektor-Basis-Gleichspannung |
74 |
Maximal zulässige Kollektor-Basis-Impulsspannung |
77 |
Maximal zulässige Kollektor-Emitter-Gleichspannung |
75 |
Maximal zulässige Kollektor-Emitter-Impulsspannung |
76 |
Maximal zulässige Kollektorverlustleistung |
78 |
Maximal zulässiger Basisgleichstrom |
68 |
Maximal zulässiger Emittergleichstrom |
67 |
Maximal zulässiger Emitterimpulsstrom |
70 |
Maximal zulässiger Kollektorgleichstrom |
66 |
Maximal zulässiger Kollektorimpulsstrom |
69 |
Minimale Rauschzahl |
32а |
Mittlere Kollektorverlustleistung |
65 |
Mittlere Verlustleistung |
62 |
Optimale Leistungsverstärkung |
34а |
Rauschzahl |
32 |
Rückwirkungskapazität |
28а |
Spannungsübertragungsfaktor rückwärts |
47 |
Spannungsübertragungsfaktor vorwärts |
48 |
Speicherzeit |
38 |
Statische Vorwärtssteilheit in Emitterschaltung |
26 |
Ubergangsfrequenz der Stromverstärkung (Transitfrequenz) |
30 |
Verzögerungszeit |
36 |
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ
Base cut-off current |
4 |
Base (d.с.) current |
52 |
Base intrinsic resistance |
42 |
Breakdown collector-base voltage |
12 |
Breakdown collector-emitter voltage |
13 |
Breakdown emitter-base voltage |
11 |
Carrier storage time |
38 |
Collector (average) power dissipation |
65 |
Collector-base (d.c.) voltage |
58 |
Collector-base time constant |
45 |
Collector capacitance |
44 |
Collector cut-off current |
1 |
Collector (d.c.) current |
50 |
Collector (d.c.) power dissipation |
64 |
Collector efficiency |
35 |
Collector-emitter cut-off current |
3 |
Collector-emitter (d.c.) voltage |
59 |
Cut-off frequency |
29 |
Delay time |
36 |
Emitter-base (d.c.) voltage |
57 |
Emitter capacitance |
43 |
Emitter cut-off current |
2 |
Emitter (d.c.) current |
51 |
Equivalent noise voltage |
32а |
Fall time |
39 |
Feedback capacitance |
28а |
Fifth order intermodulation products factor |
65а |
Floating emitter-base voltage |
9 |
Input capacitance |
27 |
Maximum base (d.c.) current |
68 |
Maximum collector-base (d.c.) voltage |
74 |
Maximum collector (d.c.) current |
66 |
Maximum collector-emitter (d.c.) voltage |
75 |
Maximum collector power dissipation (average) |
79 |
Maximum collector power dissipation (d.c.) |
78 |
Maximum emitter-base (d.c.) voltage |
73 |
Maximum emitter (d.c.) current |
67 |
Maximum frequency of oscillation |
31 |
Maximum peak collector-base voltage |
77 |
Maximum peak collector current |
69 |
Maximum peak collector-emitter voltage |
76 |
Maximum peak emitter current |
70 |
Maximum peak power dissipation |
80 |
Maximum saturation base current |
72 |
Maximum saturation collector current |
71 |
Minimal noise figure |
32а |
Modulus of the short-circuit forward current transfer ratio |
17 |
Modulus of the short-circuit forward transfer admittance |
24 |
Noise figure |
32 |
Optimal power gain |
34а |
Output capacitance |
28 |
Output power |
60 |
Peak envelope power |
65а |
Peak power dissipation |
63 |
Power gain |
34 |
Punch-through (penetration) voltage |
10 |
Rise time |
37 |
Saturation base current |
54 |
Saturation base-emitter voltage |
8 |
Saturation coefficient |
33 |
Saturation collector current |
53 |
Saturation collector-emitter voltage |
7 |
Small-signal value of the open-circuit output admittance |
18 |
Small-signal value of the open-circuit reverse voltage transfer ratio |
15 |
Small-signal value of the short-circuit forward current transfer ratio |
16 |
Small-signal value of the short-circuit forward transfer admittance |
23 |
Small-signal value of the short-circuit input admittance |
21 |
Small-signal value of the short-circuit input impedance |
14 |
Small-signal value of the short-circuit output admittance |
25 |
Small-signal value of the short-circuit reverse transfer admittance |
22 |
Static value of the forward current transfer ratio |
20 |
Static value of the forward transconductance |
26 |
Static value of the input resistance |
19 |
Third order intermodulation products factor |
65б |
Total input power (average) to all electrodes |
62 |
Total input power (d.c.) to all electrodes |
61 |
Transition frequency |
30 |
Turn-off time |
41 |
Turn-on time |
40 |
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫКЕ
Capacité collecteur |
44 |
Capacité émetteur |
43 |
Capacité de couplage à réaction |
28а |
Capacité d’entrée |
27 |
Capacité de sortie |
28 |
Coefficient de saturation |
33 |
Courant continu de base |
52 |
Courant continu de base maximal |
68 |
Courant continu de collecteur |
50 |
Courant continu de collecteur maximal |
66 |
Courant continu d’émetteur |
51 |
Courant continu d’émetteur maximal |
67 |
Courant de crête de collecteur maximal |
69 |
Courant de crête d’émetteur maximal |
70 |
Courant de saturation base |
54 |
Courant de saturation base maximal |
72 |
Courant de saturation collecteur |
53 |
Courant de saturation collecteur maximal |
71 |
Courant résiduel de la base |
4 |
Courant résiduel de l’émetteur |
2 |
Courant residuel du collecteur |
1 |
Courant résiduel du collecteur-émetteur |
3 |
Efficacité du collecteur |
35 |
Facteur de bruit |
32 |
Facteur de bruit minimum |
32а |
Fréquence de coupure |
29 |
Fréquence de transition |
30 |
Fréquence maximale descillation |
31 |
Gain de puissance optimum |
34а |
Gain en puissance |
34 |
Module de l’admittance de transfert direct |
24 |
Module de rapport de transfert direct du courant |
17 |
Pente statique de transfert direct |
26 |
Retard à la croissance |
36 |
Retard à la décroissance |
38 |
Pésistance intrinséque de base |
42 |
Puissage dissipée au collecteur (continue) maximale |
78 |
Puissance dissipee au collecteur (moyenne) maximale |
79 |
Puissance dissipée (continue) au collecteur |
64 |
Puissance dissipée de crête |
63 |
Puissance dissipée de crête maximale |
80 |
Puissance dissipée (moyenne) au collecteur |
65 |
Puissance totale d’entrée (continue) de toutes les électrodes |
61 |
Puissance totale d’entrée (moyenne) de toutes les électrodes |
62 |
Temps de croissance |
37 |
Temps de décroissance |
39 |
Temps total de coupure |
41 |
Temps total d’établissement |
40 |
Tension continue collecteur-base |
58 |
Tension continue collecteur-base maximale |
74 |
Tension continue collecteur-émetteur |
59 |
Tension continue collecteur-émetteur maximale |
75 |
Tension continue émetteur-base |
57 |
Tension continue émetteur-base maximale |
73 |
Tension de bruit équivalente |
32б |
Tension de claquage collecteur-base |
12 |
Tension de claquage collecteur-émetteur |
13 |
Tension de claquage émetteur-base |
11 |
Tension de crête collecteur-base maximale |
77 |
Tension de crête collecteur-émetteur maximale |
76 |
Tension de pénétration (tension de persage) |
10 |
Tension de saturation base-émetteur |
8 |
Tension de saturation collecteur-émetteur |
7 |
Tension flottante émetteur-base |
9 |
Valeur de l’admittance d’entrée, sortie en court-circuit pour de petits signaux |
21 |
Valeur de l’admittance de sortie, entrée en circuit ouvert pour de petits signaux |
18 |
Valeur de l’admittance de sortie, entrée en courant-citcuit pour de petits signaux |
25 |
Valeur le l’admittance de transfert direct, sortie en court-circuit pour de petits signaux |
23 |
Valeur de l’admittance de transfert inverse, entrée en court-circuit pour de petits signaux |
22 |
Valeur de l’impedance d’entrée, sortie en court-circuit pour de petits signaux |
14 |
Valeur du rapport de transfert direct du courant, sortie en court-circuit pour de petits signaux |
16 |
Valeur du rapport de transfert inverse de la tension, entrée en circuit ouvert de petits signaux |
15 |
Valeur statique de la résistance d’entrée |
19 |
Valeur statique du rapport de transfert direct du courant |
20 |
(Измененная редакция, Изм. № 1, 2).
ПРИЛОЖЕНИЕ. (Исключено, Изм. № 1).