Товары в корзине: 0 шт Оформить заказ
Стр. 1 

54 страницы

532.00 ₽

Купить ГОСТ 8.015-72 — бумажный документ с голограммой и синими печатями. подробнее

Распространяем нормативную документацию с 1999 года. Пробиваем чеки, платим налоги, принимаем к оплате все законные формы платежей без дополнительных процентов. Наши клиенты защищены Законом. ООО "ЦНТИ Нормоконтроль"

Наши цены ниже, чем в других местах, потому что мы работаем напрямую с поставщиками документов.

Способы доставки

  • Срочная курьерская доставка (1-3 дня)
  • Курьерская доставка (7 дней)
  • Самовывоз из московского офиса
  • Почта РФ

Распространяется на тоноклистовые твердые диэлектрические материалы толщиной от 0,5 до 2,5 мм с относительной диэлектрической проницаемостью эпсилон от 1,1 до 20 и тангенсом угла диэлектрических потерь tg сигма от 0,0001 до 0,01 и устанавливает резонансный метод определения эпсилон и tg сигма этих материалов в диапазоне частот от 9 до 10 ГГц

 Скачать PDF

Прекращено применение на территории РФ. Действует ГОСТ Р 8.623-2006 (ИУС 3-2008)

Оглавление

1 Общие указания

2 Образцы

3 Средства измерений

4 Подготовка к измерению

5 Проведение измерений

6. Обработка результатов измерений

Приложение 1 Образцовые и вспомогательные средства измерений

Приложение 2 Примеры расчета диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь

Приложение 3 Таблицы значений

Приложение 4

 
Дата введения01.07.1973
Добавлен в базу01.09.2013
Завершение срока действия01.06.2008
Актуализация01.01.2021

Этот ГОСТ находится в:

Организации:

12.05.1972УтвержденГосударственный комитет стандартов Совета Министров СССР60
28.06.1972УтвержденГосударственный комитет стандартов Совета Министров СССР1308
РазработанВНИИФТРИ

State system for ensuring the uniformity of measurements. Method of measurements of relative dielectric permittivity and tangent of dielectric dissipation angle of solid dielectrics made of thin leafed materials in the frequency ...(см.описание)

Стр. 1
стр. 1
Стр. 2
стр. 2
Стр. 3
стр. 3
Стр. 4
стр. 4
Стр. 5
стр. 5
Стр. 6
стр. 6
Стр. 7
стр. 7
Стр. 8
стр. 8
Стр. 9
стр. 9
Стр. 10
стр. 10
Стр. 11
стр. 11
Стр. 12
стр. 12
Стр. 13
стр. 13
Стр. 14
стр. 14
Стр. 15
стр. 15
Стр. 16
стр. 16
Стр. 17
стр. 17
Стр. 18
стр. 18
Стр. 19
стр. 19
Стр. 20
стр. 20
Стр. 21
стр. 21
Стр. 22
стр. 22
Стр. 23
стр. 23
Стр. 24
стр. 24
Стр. 25
стр. 25
Стр. 26
стр. 26
Стр. 27
стр. 27
Стр. 28
стр. 28
Стр. 29
стр. 29
Стр. 30
стр. 30

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ГОСУДАРСТВЕННАЯ СИСТЕМА ОБЕСПЕЧЕНИЯ ЕДИНСТВА ИЗМЕРЕНИЙ

МЕТОДИКА ВЫПОЛНЕНИЯ ИЗМЕРЕНИЙ ОТНОСИТЕЛЬНОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ И ТАНГЕНСА УГЛА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОТЕРЬ ТВЕРДЫХ ДИЭЛЕКТРИКОВ ИЗ ТОНКОЛИСТОВЫХ МАТЕРИАЛОВ В ДИАПАЗОНЕ ЧАСТОТ от 9 до 10 ГГц

Цена 17 коп.

ГОСТ 8.015-72

Издание официальное

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СТАНДАРТОВ СОВЕТА МИНИСТРОВ СССР Москва

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ГОСУДАРСТВЕННАЯ СИСТЕМА ОБЕСПЕЧЕНИЯ ЕДИНСТВА ИЗМЕРЕНИЙ

МЕТОДИКА ВЫПОЛНЕНИЯ ИЗМЕРЕНИЙ ОТНОСИТЕЛЬНОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ И ТАНГЕНСА УГЛА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОТЕРЬ ТВЕРДЫХ ДИЭЛЕКТРИКОВ ИЗ ТОНКОЛИСТОВЫХ МАТЕРИАЛОВ В ДИАПАЗОНЕ ЧАСТОТ от 9 до 10 ГГц

ГОСТ 8.015-72

Издание официальное

МОСКВА 1972

РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Всесоюзным научно-исследовательским институтом физико-технических и радиотехнических измерений (ВНИИФТРИ]

Директор Валитов Р. А.

Руководитель темы Зальцман Е. Б.

Исполнитель Пояркова В. Е.

ПОДГОТОВЛЕН К УТВЕРЖДЕНИЮ Отделом радиоэлектроники и связи Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР

Начальник отдела Ремизов Б. А.

Ст. инженер Манохин И. В.

Всесоюзным научно-исследовательским институтом Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР (ВНИИГК)

Зам. директора Кипаренко В. И.

Руководитель лаборатории Булатов С. Б.

Ст. научный сотрудник Сафаров Г. А.

УТВЕРЖДЕН Государственным комитетом стандартов Совета Министров СССР 12 мая 1972 г. (протокол № 60)

Председатель отраслевой научно-технической комиссии зам. председателя Госстандарта СССР Никифоренко А. М.

Члены комиссии: Сыч А. М„ Алмазов И. А., Плис Г. С., Потемкин Л. В., Ремизов Б. А., Романов А. Д„ Самойлов В. А., Суворов М. Н„ Халап И. А.

ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 28 июня 1972 г. N9 1308

УДК 621.315.6 : 621.317.33(083.961(08374)    Группа    Т86

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ГОСУДАРСТВЕННАЯ СИСТЕМА ОБЕСПЕЧЕНИЯ ЕДИНСТВА ИЗМЕРЕНИЙ

ГОСТ

8.015—72

Методика выполнения измерений относительной диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь твердых диэлектриков из тонколистовых материалов в диапазоне частот от 9 до 10 ГГц

The state system for ensuring the uniformity of measurements Method of Measurements of Relative Dielectric Permittivity and Tangent of Dielectric Dissipation Angle of Solid Dielectrics Made of Thin Leafed Materials in the Frequency Band from 9 to 10 GHz

Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 28/VI 1972 г. № 1308 срок введения установлен

с 1 июля 1973 г.

Настоящий стандарт распространяется на тонколистовые твердые диэлектрические материалы толщиной от 0,5 до 2,5 мм с относительной диэлектрической проницаемостью е от 1,1 до 20 и тангенсом угла диэлектрических потерь tg6 от 0,0001 до 0,01 и устанавливает резонансный метод определения е и tgd этих материалов в диапазоне частот от 9 до 10 ГГц

1. ОБЩИЕ УКАЗАНИЯ

1 1. Измерение относительной диэлектрической проницаемости е производят методом, основанным на нахождении разности резонансных длин объемного круглого цилиндрического резонатора с электромагнитными колебаниями типа H0is до и после помещения в резонатор образца диэлектрика в режиме холостого хода при неизменной за время измерения частоте колебаний, где 5 — число полуволн, укладывающихся по длине резонатора Предпочтительный ряд S—2, 3, 4, 5

1 2 Измерение тангенса угла диэлектрических потерь tg6 производят методом, основанным на нахождении ослабления интенсивности электромагнитных колебаний на выходе резонатора при помещении в резонатор образца диэлектрика в режиме холостого хода

Издание официальное

2 Зак \\49


Перепечатка воспрещено


Стр. 2 ГОСТ 8.015-72

2. ОБРАЗЦЫ

2.1.    Порядок отбора образцов, количество отобранных образцов и подготовка их к измерениям (сушка, выдержка и т. д.) должны быть оговорены в нормативно-технической документации на испытуемые диэлектрические материалы.

2.2.    Образец диэлектрика не должен иметь видимых трещин, сколов, вмятин и загрязнений. Образец по внешнему виду и цвету должен быть однородным.

2.3.    Образец должен иметь форму диска, неперпендикуляр-ность поверхности А относительно поверхности В должна быть не более 0,1 мм (черт. 1).

Непараллсльность и неплоскостность поверхностей А и В — не более указанной в табл. 1.

Таблица I

Толщина образца, мм

Неплоскостность и непараллельность, мм

ДЛЯ 1 от 1,1 до 10

для от 10 до 20

От 0,5 до 1,0

4-0,02

4-0,01

, ГО . 2,0

4-0.03

4-0.02

. 2,0 . 2,5

4-0,04

+ 0,03

Примечание. Для измерения можно использовать также и полуволновые образцы диэлектриков, изготовленные в соответствии с разд. 2 ГОСТ 12723-67.

2.4. Толщину образца измеряют согласно разд. 2 ГОСТ 12723—67.

3. СРЕДСТВА ИЗМЕРЕНИЙ

3.1. Измерения производят на установке, блок-схема которой показана на черт. 2. Основные технические характеристики приборов, входящих в установку, указаны в приложении 1.

Предпочтительная частота при измерениях составляет 9,365 ГГц.

ГОСТ 8.015-72 Стр. 3

Черт. 2

3.2. Для размещения образца в резонаторе в режиме холостого хода можно использовать кольцевые тонкостенные четвертьволновые подставки из полистирола; неперпендикулярность поверхности А относительно поверхности В должна быть не более 0,05 мм, несоосность поверхности В и поверхности Б — не более 0,02 мм; непараллельиость поверхностей А и Г — не более 0,02 мм (черт. 3).

Высоту кольца h для любой из выбранных частот определяют по формуле

Л = Хв/4 —0,02 мм,    (1)

где Яв — длина волны в незаполненном резонаторе, измеряемая по п. 4.2, мм.

Для предпочтительной частоты 9,365 ГГц /г = 12,77 мм.

3.3. Правильность изготовления кольцевой подставки проверяют следующим образом: из диэлектрического материала с ма* 2*

Стр. 4 ГОСТ 8.015-72

лыми потерями (кварцевое оптическое стекло, полистирол) изготовляют в соответствии с требованиями разд. 2 ГОСТ 12723-67 два образца четвертьволновой толщины Ь, рассчитываемой по формуле

4-/е + (Х»Д|ф)Че-1)

где л,ф= 1,640 • г — критическая длина волны, мм; г — радиус резонатора, мм.

Для частоты 9,365 ГГц значения четвертьволновой толщины b приведены в табл. 2.

Таблица 2

Материал

в

Ь, мм

Стекло кварцевое оптическое по ГОСТ 15130—G9

От 3,80 до 3,82

4,48

Полистирол по ГОСТ 9440-60

» 2,53 я 2,55

5,75

На сложенных вместе двух образцах производят измерение значения е по ГОСТ 12723-67. Измеренное таким образом значение е2 должно находиться в пределах, указанных в табл. 2. Затем производят измерение значения г\ одного (любого) образца четвертьволновой толщины в соответствии с разделами 5 и 6 настоящего стандарта.

Если измеренное таким образом значение ei отличается от значения е2 менее, чем на ±1%, то кольцевая подставка считается пригодной для измерения на выбранной частоте. Если значение г\ отличается от значения е2 более, чем на ±1%, то следует или увеличить значение частоты, если ei больше е2, или уменьшить значение частоты (или высоты подставки), если е* меньше е2. Эти процедуры повторяют до тех пор, пока разница между ei и е2 станет менее ±1%.

4. ПОДГОТОВКА К ИЗМЕРЕНИЮ

4.1. Генератор СВЧ настраивают на выбранную частоту и измеряют длину волны Я,в в незаполненном резонаторе. Измерения производят в следующем порядке:

а) перемещением поршня резонатора настраивают его в резонанс, регулируют с помощью аттенюатора (черт. 2) значение резонансного сигнала так, чтобы оно составляло более половины

ГОСТ 8.015-72 Стр. 5

шкалы индикатора, и по шкале микрометрической головки поршня производят отсчет с погрешностью не более 0,01 мм;

б)    перемещают поршень резонатора до получения следующей настройки резонатора в резонанс и производят второй отсчет (черт. 4а);

в)    определяют длину волны Яв как удвоенную разность отсчетов двух соседних резонансов.

В дальнейшем полученные два значения отсчетов принимают за опорные и по ним подстраивают частоту генератора СВЧ.

При работе на предпочтительной частоте 9,365 ГГц длина волны Яв составляет 51,19 мм.

4.2. На поршень резонатора помещают кольцевую подставку, настраивают резонатор в резонанс (при максимально возможном числе полуволн «S в резонаторе) и по шкале микрометрической головки поршня производят отсчет резонансной длины /0 резонатора с кольцевой подставкой с погрешностью не более 0,01 мм.

4 3. При настроенном в резонанс резонаторе с кольцевой подставкой устанавливают с помощью аттенюатора значение резонансного сигнала на шкале индикатора, равное целому числу делений и составляющее более половины длины шкалы, фиксируют это значение и по шкале аттенюатора отсчитывают ослабление А^о с точностью до 0,1 дБ.

5. ПРОВЕДЕНИЕ ИЗМЕРЕНИЙ

5.1.    При проведении измерений должны соблюдаться следующие условия:

Окружающая температура, "С .    .    .    .    20±5

Относительная влажность, % .    ...    65±15

Атмосферное давление, Н/м* (мм рт. ст.) 100000 ±4000 (750±33)

5.2.    Измерение диэлектрической проницаемости е следует производить в следующем порядке:

а)    образец диэлектрика помещают в резонатор на кольцевую подставку, перемещением поршня резонатора настраивают его в резонанс (черт. 46) и по шкале микрометрической головки поршня производят отсчет резонансной длины резонатора /, с точностью до 0,01 мм, производят шесть таких измерений (по три измерения на каждую сторону образца с поворотом образца вокруг оси после каждого измерения примерно на 120°) и вычисляют среднее арифметическое;

б)    вычисляют разность резонансных длин L

(3)

где /о —отсчет резонансной длины резонатора с кольцевой подставкой без образца диэлектрика, мм;

— отсчет резонансной длины резонатора с образцом диэлектрика в режиме холостого хода (на подставке), мм;

в) расчет е производят по формуле (10).

5.3. Измерение тангенса угла диэлектрических потерь tg5 следует производить в следующем порядке:

а)    при резонаторе, настроенном в резонанс, с образцом диэлектрика на подставке уменьшают ослабление, введенное аттенюатором, до тех пор, пока показание индикатора не станет таким же, как и до помещения образца диэлектрика в резонатор. При работе с прибором Ш2—1 (Е9—6) под показанием индикатора следует понимать сходимость вершин двух изображений резонансной кривой на экране индикаторного блока (черт. 5);

б)    производят шесть измерений значений ослабления по шкале аттенюатора Nt с точностью до 0,1 дБ;

в)    вычисляют вносимое ослабление N по формуле

(4)

где No — ослабление, введенное с помощью аттенюатора до помещения образца диэлектрика в резонатор, дБ;

N, — ослабление, введенное с помощью аттенюатора после помещения образца диэлектрика в резонатор, дБ;

ГОСТ 8.015-72 Стр. 7

г) расчет tg6 производят по формуле (11а).

Примечания:

1.    Нели iV менее 3 дБ, то показания индикатора можно измерять непосредственно при настроенном в резонанс резонаторе без образца а0 и с исследуемым образцом диэлектрика ав. Аттенюатор при этом может быть исключен из блок-схемы. Расчет tg6 производят по формуле (116).

2.    При работе с прибором Ш2—1 (Е9—6) вместо измерения вносимого ослабления можно измерять отношение значений ширины резонансной кривой, выраженных в единицах частоты, до и после помещения образца в резонатор. Аттенюатор может быть исключен из блок-схемы. Расчет tg6 производят по формуле (11 в).

6. ОБРАБОТКА РЕЗУЛЬТАТОВ ИЗ МЕРЕНИЙ

6.1. Для определения относительной диэлектрической проницаемости необходимо вычислить значения

Якр— критическая длина волны, равная 1,640» г, мм; i — длина волны в свободном пространстве, рассчитываемая по формуле

— -“-......(5)

V 1+(ХвА|ф)2

или, если значение частоты генератора f измерено с погрешностью не более 10~4, по формуле

Х = С//,    (6)

где С — скорость света, равная 2,99672 • 10й мм/с;

\ —длина волны в диэлектрике, рассчитываемая по формуле

K=2nd/x,    (7)