ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
СОЮЗА ССР
СИСТЕМА ПОКАЗАТЕЛЕЙ КАЧЕСТВА ПРОДУКЦИИ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
НОМЕНКЛАТУРА ПОКАЗАТЕЛЕЙ
Издание официальное
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ
Москва
УДК 621.315.592:658.562:006.354 Группа Т51
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
Система показателей качества продукции ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
Номенклатура показателей
Product-quality index system. Semiconductor materials. Nomenclature of indices
Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 12 мая 1980 г. № 2059 срок действия установлен
с 01.07.31
Настоящий стандарт устанавливает номенклатуру основных показателей качества объемных монокристаллов полупроводниковых материалов, включаемых в ТЗ на НИР по определению перспектив развития этой группы продукции, государственные стандарты с перспективными требованиями, а также номенклатуру показателей качества, включаемых в разрабатываемые и перспективные стандарты на продукцию, ТЗ на ОКР, технические условия, карты технического уровня и качества продукции.
Коды ОКП приведены в справочном приложении 1.
1. НОМЕНКЛАТУРА ПОКАЗАТЕЛЕЙ КАЧЕСТВА ОБЪЕМНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ
Номенклатура показателей качества, единицы измерения, условные обозначения, а также характеризуемые свойства, приведены в табл. 1.
Алфавитный перечень показателей качества полупроводниковых материалов приведен в справочном приложении 2.
Издание официальное Перепечатка воспрещена
★
* Переизоание (февраль 1985 г.) с Изменением № 11 утвержденным в марте 1985 г. Пост. Л§ 545 от 13.03.85 (ИУС 6—85).
© Издательство стандартов, 1985
J—558
Редактор Л. Д. Курочкина Технический редактор Н. В. Келейникова Корректор В. Ф. Малютина
25.04.85 Подп. в печ. 13.06.85 0,75 уел. п. л. 0,75 уел. кр.-отт. 0,64 уч.-изд. л.
Цена 3 коп.
Ордена «Знак Почета» Издательство стандартов, 123840, Москва, ГСП, Новопресненский иер., 3 Тип. «Московский печатник». Москва, Лялин пер., 6. Зак. 551
Таблица I |
Показатель качества и единица измерения |
Условное обозначение показателя качества |
Характеризуемое сзойство |
1. Удельное электрическое сопро- |
|
Электрофизическое |
тивление, Ом-см
1.1. Номинальное значение удельного электрического сопротивления, Ом* см |
|
свойство |
Рн |
|
1.2. Интервал номинальных значений удельного электрического сопротивления, Ом-см
1.3. Интервал значений удельного электрического сопротивления, Ом • см |
РнГ рна |
|
pi р2 |
|
2. Относительное отклонение удель- |
®р; |
Электрофизическое |
ного электрического сопротивления от среднего значения по длине моно-кристаллического слитка, % |
5Р R |
свойство |
3. Радиальное относительное от- |
Электрофизическое |
клонение удельного электрического сопротивления от среднего значения по торцу монокристаллического слитка, % |
|
свойство |
4. Относительное отклонение сред- |
8Рн |
Электрофизическое |
них значений удельного электрического сопротивления торцов от номинального значения удельного электрического сопротивления, % |
|Ш| |
свойство |
5. Ориентация продольной оси |
Кристаллографическое |
монокристаллического слитка |
|
свойство |
6. Отклонение плоскости торцово- |
а |
Кристаллографическое |
го среза от плоскости ориентации, ° |
Зрн |
свойство |
7. Концентрация атомов оптически. активных примесей, см~3 |
Химический состав |
7.1. Концентрация атомов оптически активного кислорода, см~3 |
Л/'Оз |
|
7.2. Концентрация атомов оптически активного углерода, см~3 |
Nc |
|
8. Геометрическая характеристика поперечного сечения монокристаллического слитка |
d |
|
8.1. Диаметр монокристаллического слитка, мм
8.2. Интервал номинальных значений диаметров, мм |
|
du1—du 2 |
|
8.3. Площадь поперечного сечения монокристаллического слитка, мм2 |
5 |
|
9. Отклонение диаметра монокристаллического слитка от номинального значения, мм |
|
|
10. Длина монокристаллического слитка, мм |
I |
|
|
Продолжение табл. 1 |
Показатель качества и единица измерения |
Условное обозначение показателя качества |
Характеризуемое свойство |
11. Плотность дислокаций, см~2 |
Nd |
Структурное совершенство |
12. Время жизни неравновесных |
X |
Электрофизическое |
носителей заряда, мкс, или диффузи- |
\ |
свойство |
онная длина, мм |
МУГ |
|
13. Суммарная длина малоугловых |
Структурное совершен- |
Гранин, мм или доли диаметра |
N |
ство |
14. Концентрация основных носите- |
Электрофизическое |
лей заряда, см~3 |
bN |
свойство |
15. Относительное отклонение от |
Электрофизическое |
номинального значения концентра- |
|
свойство |
ции основных носителей заряда, % |
|
|
16. Подвижность основных носите- |
|
Электрофизическое |
лей заряда, см2/(В.с) |
|
свойство |
17. Внешние дефекты (трещины, |
|
— |
раковины, сколы) |
|
|
18. Внутренние дефекты |
|
Структурное совершенство |
18.1. Раковины, трещины
18.2. Наличие второй фазы
18 3. Наличие двойниковых границ 18.4. Наличие свирл-дефектов |
|
|
|
Примечания:
1. Допускается использование других показателей качества, связанных с особенностями отдельных полупроводниковых материалов, по согласованию с
потребителями.
2. В качестве удельного электрического сопротивления используется один из показателей 1.1—1.3.
В качестве геометрической характеристики поперечного сечения монокриста дли ческого слитка используется один из показателей 8.1—8.3.
Внутренние дефекты характеризуются показателем 18 или комплексом показателей 18.1—'18.4.
3. Для германия вместо показателя 4 используется показатель: «Относительное отклонение значений удельного электрического сопротивления торцов от номинального значения удельного электрического сопротивления, %».
(Измененная редакция, Изм. № 1).
2. ПРИМЕНЯЕМОСТЬ ПОКАЗАТЕЛЕЙ КАЧЕСТВА
Применяемость -показателей качества полупроводниковых материалов приведена в табл. 2—6.
2*
Таблица 2
Кремний монокристаллический |
Номер показателя качества |
Кремний монокристаллический для полупроводниковых приборов и микросхем |
Кремний монокристаллический для эпитаксиальных структур |
Кремний монокристаллический для силовой полупроводниковой техники |
Кремний монокристаллический для фотоприемников |
Кремний монокристаллический для источников тока |
Кремнии монокристаллический для детекторов ядерных излучений |
Кремний монокристаллический водородный |
1 |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
2 |
+ |
+ |
+ |
— |
|
+ |
“Г |
3 |
+ |
+ |
4“ |
|
— |
|
— |
4 |
+ |
+ |
4- |
4- |
— |
— |
— |
5 |
4* |
+ |
-ь |
+ |
+ |
+ |
“Г |
6 |
4" |
+ |
4~ |
+ |
— |
+ |
; |
7.1 |
+ |
+ |
+ |
+ |
— |
+ |
“Г |
7.2 |
|
4- |
—, |
— |
— |
— |
— |
8 |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
9 |
+ |
4- |
4- |
— |
— |
4- |
— |
10 |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
|
11 |
+ |
+ |
+ |
+ |
|
+ |
4- |
12 |
± |
|
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
13 |
— |
■— |
4- |
— |
— |
4- |
+ |
17 |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
-1- |
18.1 |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
+ |
18.4 |
± |
|
|
|
|
± |
|
|
Таблица 3
Германий монокристаллический |
Номер показателя качества |
Германий монокристаллический для полупроводниковых приборов и микросхем |
Германий мон©-кристаллмчесннй для эпитаксиальных структур |
Германий монокристаллический для оптоэлеас-троники |
Германий монокристаллический для ядернюй спектрометрии |
1 |
+ |
+ |
4; |
|
2 |
4^ |
■± |
— |
-г |
3 |
4- |
4- |
— |
|
4 |
+ |
+ |
— |
— |
5 |
+ |
+ |
4-
1 |
+ |
6 |
— |
— |
— |
4- |
8 |
+ |
+ |
+ |
+ |
9 |
4- |
|
-i- |
4- |
10 |
+ |
+ |
+ |
+ |
11 |
4: |
+ |
|
+ |
|
ГОСТ 4.64-80 Стр. 5
Продолжение табл. 3 |
Номер показа* теля качества |
Германий мо*но-кристаллический для полупроводниковых приборов и микросхем |
Германий моно-кристаллический для эпитаксиальных структур |
Германий моно-кристаллический для оптоэлектроники |
Германий моно-кристаллический для ядерной спектрометрии |
12 |
Ч- |
—1 |
_ |
+ |
13 |
± |
± |
— |
— |
14 |
— |
— |
— |
Ч; |
16 |
ч- |
± |
— |
4- |
17 |
+ |
+ |
+ |
+ |
18.1 |
+ |
+ |
+ |
+ |
18.2 |
4- |
— |
— |
4- |
18.3 |
+ |
+ |
+ |
+ |
|
Таблица 4 |
Антимонид индия манокристаллический |
Номер показателя качества |
Антимонид индия для полупроводниковых приборов |
Антимонид ИНДИЯ для эпитаксиальных структур |
1 |
± |
|
5 |
+ |
+ |
6 |
± |
+ |
8 |
+ |
+ |
10 |
± |
4- |
И |
+ |
+ |
12 |
ч- |
|
13 |
— |
+ |
14 |
+ |
+ |
15 |
|
+ |
16 |
+ |
+ |
17 |
+ |
+ |
18 |
+ |
+ |
|
Таблица 5 |
Арсенид галлия манокристаллический |
Номер показателя качества |
Арсенид галлия для полупроводниковых приборов, микросхем и эпитаксиальных структур |
Арсенид галлия для источников тока |
1 |
ч- |
|
5 |
+ |
+ |
6 |
+ |
+ |
8 |
+ |
+ |
|
Продолжение табл. 5 |
Номер показателя качества |
Арсенид галлия для полупроводниковых приборов, микросхем и эпитаксиальных структур |
Арсенид галлия для источников тока |
9 |
+ |
_ |
10 |
+ |
+ |
11 |
+ |
+ |
14 |
+ |
+ |
15 |
+ |
|
16 |
+ |
— |
17 |
+ |
+ |
18 |
± |
|
|
Таблица б |
Фосфид галлия, арсенид индия, фосфид индия монокристаллические |
Номер показателя качества |
Фосфид галлия для полупроводниковых приборов и эпитаксиальных структур |
Арсенид индия для полупроводниковых приборов и эпитаксиальных структур |
Фосфид индия для полупроводниковых приборов и эпитаксиальных структур |
1 |
-Н |
|
± |
5 |
+ |
+ |
+ |
6 |
+ |
+ |
+ |
8 |
+ |
+ |
+ |
9 |
+ |
+ |
+ |
10 |
+ |
+ |
+ |
П |
|
|
+ |
12 |
— |
— |
+ |
13 |
— |
+ |
+ |
14 |
+ |
+ |
— |
15 |
+ |
— |
— |
16 |
+ |
— |
+ |
17 |
+ |
+ |
+ |
18 |
|
± |
4* |
|
Примечание к табл. 2—6. Знак «+» обозначает применение показателя качества, знак «—» обозначает неприменение показателя качества, знак «±» обозначает ограниченное применение показателя.
(Измененная редакция, Изм. № 1).
ГОСТ 4.64-80 Стр. 7
ПРИЛОЖЕНИЕ 1 Справочное
Наименование продукции |
Код окп |
Кремний монокристаллический, полученный ме- |
17 7211 |
тодом Чохральского, для полупроводниковых приборов и микросхем Кремний монокристаллический. полученный ме- |
17 7212 |
тодом Чохральского, для силовой полупроводниковой техники
Кремний монокристаллический, полученный ме- |
17 7213 |
тодом Чохральского, для эпитаксиальных структур
Кремний монокристаллический, полученный ме- |
17 7215 |
тодом Чохральского, для источников тока Кремний монокристаллический, полученный ме- |
17 7221 |
тодом бсстигельной зонной плавки, для полупроводниковых приборов и микросхем Кремний монокристаллический, полученный ме- |
17 7222 |
тодом бестигельной зонной плавки, для силовой полупроводниковой техники Кремний монокристаллический, полученный ме- |
17 7224 |
тодом бестигельной зонной плавки, для фотоприемников
Кремний монокристаллический. полученный ме- |
17 7226 |
тодом бестигельной зонной плавки, для детекторов ядерных излучений
Кремний монокристаллический водородный |
17 72211000 |
Германий монокристаллический для полупро- |
17 7441 |
водниковых приборов и микросхем Германий монокристаллический для эпитакси- |
17 7443 |
альных структур Германий монокристаллический для оптоэлек- |
17 7444 |
троники
Германий монокристаллический для ядерной |
17 7447 |
спектрометрии Антимония индия монокристаллический |
17 7532 |
Арсенид галлия монокристаллический |
17 7512 |
Фосфид галлия монокристаллический |
17 7542 |
Арсенид индия монокристаллический |
17 7522 |
Фосфид индия монокристаллический |
17 7552 |
|
(Введено дополнительно, Изм. № 1). |
ПРИЛОЖЕНИЕ 2 Справочное
АЛФАВИТНЫЙ ПЕРЕЧЕНЬ
показателей качества полупроводниковых материалов
Наименование показателя качества |
Номер показателя качества |
Время жизни неравновесных носителей заряда |
12 |
Дефекты внешние |
17 |
Дефекты внутренние |
18 |
Диаметр монокристаллического слитка |
8.1 |
Длина малоугловых границ суммарная |
13 |
Длина монокристаллического слитка |
10 |
Длина диффузионная |
12 |
Значение удельного электрического сопротив- |
1.1 |
ления номинальное |
|
Интервал значений удельного электрического со- |
1.3 |
противления |
8.2 |
Интервал номинальных значений диаметров |
Интервал номинальных значений удельного |
1.2 |
электрического сопротивления |
|
Концентрация атомов оптически активных при- |
7 |
месей |
|
Концентрация атомов оптически активного кис- |
7.1 |
лорода |
7.2 |
Концентрация атомов оптически активного уг- |
лерода |
14 |
Концентрация основных носителей заряда |
Наличие второй фазы |
18.2 |
Наличие двойных границ |
18.3 |
Наличие свирл-дефектов |
18.4 |
Ориентация продольной оси монокристалличес- |
5 |
кого слитка |
|
Отклонение диаметра монокристаллического |
9 |
слитка от номинального значения |
15 |
Отклонение относительное от номинального зна- |
чения концентрации основных носителей заряда |
|
Отклонение плоскости торцевого среза от плос- |
6 |
кости ориентации |
|
Отклонение относительное средних значений |
4 |
удельного электрического сопротивления торцов от номинального значения удельного электрического сопротивления |
|
Отклонение относительное удельного электри- |
2 |
ческого сопротивления от среднего значения по длине монокристаллического слитка |
|
ГОСТ 4.64-80 Стр. 9
Продолжение |
Наименование показателя качества |
Номер показателя качества |
Отклонение относительное радиальное удель- |
3 |
ного электрического сопротивления от среднего значения по торцу монокристаллического слитка |
|
Плотность дислокаций |
11 |
Площадь поперечного сечения монокристалличе- |
го
эо |
ского слитка |
|
Подвижность основных носителей ааряда |
16 |
Раковины |
17; 18.1 |
Сколы |
17 |
Сопротивление удельное электрическое |
1 |
Характеристика геометрическая поперечного се- |
8 |
чения монокристаллического слитка |
|
|
(Введено дополнительно, Изм. № 1). |